JPS5937523A - Smectic liquid crystal display body - Google Patents
Smectic liquid crystal display bodyInfo
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- JPS5937523A JPS5937523A JP14839182A JP14839182A JPS5937523A JP S5937523 A JPS5937523 A JP S5937523A JP 14839182 A JP14839182 A JP 14839182A JP 14839182 A JP14839182 A JP 14839182A JP S5937523 A JPS5937523 A JP S5937523A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/132—Thermal activation of liquid crystals exhibiting a thermo-optic effect
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
現在、2枚のO−元板と、ネマチック液晶を用いたTN
(ツイストーネヤチック)液晶表示体が、電卓や中オッ
チ、或いは1〜2ラインのキャラクタ−表示を行うのに
ざかんに使用されている。しかしこれらは、あくまでも
電圧平均化法を用いたマルチプレックス方式で駆動され
ているため、より高密度を必要とする表示体には、不向
きである。[Detailed Description of the Invention] Currently, TN using two O-base plates and nematic liquid crystal
(Twisted Neat) Liquid crystal displays are widely used in calculators, middle-sized machines, and for displaying one or two lines of characters. However, since these are driven by a multiplex method using a voltage averaging method, they are not suitable for display bodies that require higher density.
特に最近はコンビエータ一端末用の高密度、7ラツトパ
ネルの要求か強く、従つマ従来のTN型液晶にかわって
より高密度仕が期待できるスメクチック相を用いた表示
体の開発が提案されている。Particularly recently, there has been a strong demand for high-density, 7-lat panels for comviator terminals, and accordingly, it has been proposed to develop a display using a smectic phase that can be expected to have a higher density in place of the conventional TN type liquid crystal. .
例えば、スメクチックA相のオーダー状態と、ランダム
状態を熱及び電圧印加の両手段を用いて制御し、キャラ
クタ−や、グラフィック、或いは動画を表示しようとす
る試みがそれに当る。その原理は、第1図に模式的に示
した図で説明できる。For example, an attempt is made to display characters, graphics, or moving images by controlling the ordered state and random state of the smectic A phase using both heat and voltage application means. The principle can be explained by the diagram schematically shown in FIG.
スメクチック液晶を加熱し、タリフポイントTc以上に
すると、液晶は等方性となる。(101) この時電
圧を印加せずに急激に冷却すると、液晶はネマチック相
(102)を通って、ランダム状態のスメクチック相(
103)とか秒、外周光に対して、光散乱を起す。これ
に対し、冷却中に出現するネマチックl晶の、7レツシ
ユホルド電圧vth以上の電圧を印加した状態で冷却を
軟けると、光散乱を起きない、高いオーダー性を持った
スメクチック相(105)が山状する。When a smectic liquid crystal is heated to a temperature above the tariff point Tc, the liquid crystal becomes isotropic. (101) At this time, if the liquid crystal is rapidly cooled without applying a voltage, it passes through the nematic phase (102) and the random smectic phase (
103) or seconds, light scattering occurs in the peripheral light. On the other hand, if the cooling is softened while applying a voltage of 7 reshold voltage vth or higher to the nematic l crystal that appears during cooling, a highly ordered smectic phase (105) that does not cause light scattering occurs. form a mountain.
この光散乱状態と、光散乱のない2つのスメクチック状
態を加熱−冷却と、電圧の有無の縮入合せによりコント
ロールして、表示するのが本表示体の涼冗である。熱源
としては、レーザーを用いた方式の仙、抵抗加熱を利用
する方式も検討されている。The coolness of this display is to control and display this light scattering state and the two smectic states without light scattering by heating-cooling and condensation of the presence or absence of voltage. As a heat source, a method using a laser and a method using resistance heating are also being considered.
抵抗加熱方式を用いて、具体的に次の様なマトリクス表
示体が提案でれている。Specifically, the following matrix display has been proposed using a resistance heating method.
液晶は第2図(201)で示される1本のttt抗線で
線状に加熱享れる。この加熱用抵抗A11lが何本も基
板上に配置され、第2図sow 113 椿、Row
−1、Row−2,F(1?/l −3,・・・・・・
・・・・を形成している。ビデオ信号は表示体のCol
umn 電MJj O−1,C−2、O−3・・・・・
・・・・・に印加はれる〇
アドレスはi 1ineずつ線1順次で行われる。The liquid crystal is heated linearly by one ttt tangent line shown in FIG. 2 (201). A number of these heating resistors A11l are arranged on the board, and as shown in FIG.
-1, Row-2, F(1?/l -3,...
It forms... The video signal is the Col of the display
umn Electric MJj O-1, C-2, O-3...
The 〇 addresses applied to .
第一番目のRnw−1i?le Row −1に加熱
パルスが印加これ、1ine上が均一に加熱されている
間にビデオイハ号はシフトレジスターに順次着接される
。First Rnw-1i? A heating pulse is applied to the row 1. While the top of the row 1 is being uniformly heated, the video rows are successively attached to the shift register.
加熱パルスがof、fとなると同時に、ビデオ信号が各
Column に印加これ、信号に応じて散乱もしく
は透明ドツトが形成される。この信号は加熱パルス印加
が終了した稜の冷却期間だ行印加(実際にけネマチック
状!!!)をJNっている間だけ有効)される。At the same time as the heating pulse goes off, a video signal is applied to each column, and depending on the signal, scattering or transparent dots are formed. This signal is applied during the cooling period of the edge after the application of the heating pulse (in effect, it is valid only while it is in a nematic state!!!).
例えば、3I厚、ガラス基板2枚、Row tit t
iiに金属 aolurrIn’ei IfにITOを
用い、250 Rowと240 Column 、
ピッチo37smm([接輪0.325肩属)有効面積
94X90m/のキャラクタ−セルを試作した例が報告
されており、それKよると11ine 約10rns
ecの書き通入スピードと、¥tき送入時の消費電力1
5Wが報告されている。For example, 3I thickness, 2 glass substrates, Row tit t
ii is metal, aolurrIn'ei If is ITO, 250 Row and 240 Column,
It has been reported that a character cell with a pitch of 37 smm ([contact wheel 0.325 shoulder]) and an effective area of 94 x 90 m/ was prototyped, and according to K, it was 11ine approximately 10rns.
EC writing speed and power consumption when sending ¥t 1
5W has been reported.
書き込みスピードは、基板も含めfc熱応答特性できま
り、特に冷却スピードが問題となる。よってアドレス時
間を短かくし、高速応答性を確保するには、この熱応答
性、特に冷却速度の改善が必要であり、前述のディスプ
レイでは、一画面を表示するには、数秒の時間が必要で
ある。又冷却スピードが遅いため、部分書き換え等を行
うと、その1inefeけ、周囲に比べ温度が上昇して
しまい、省き込み条件が皆化し、11分な表示が得られ
なくなったり、棒端な場合には、表示がこれなくなって
しまう。この欠点をなくすため、各ラインごとに温度セ
ンサーを設けたり、或いは各ラインのり暦f [;i’
情し、CPUで書き込み条件を各制御しようといった試
みが提案はれているが、実増されていt〔い。The writing speed is determined by the fc thermal response characteristics of the substrate, and the cooling speed is particularly important. Therefore, in order to shorten the address time and ensure high-speed response, it is necessary to improve this thermal response, especially the cooling speed.The above-mentioned display requires several seconds to display one screen. be. In addition, since the cooling speed is slow, when partial rewriting is performed, the temperature will rise compared to the surrounding area for one inefe, and the omitted conditions will become all, and it will not be possible to obtain an 11-minute display, or if the , the display disappears. In order to eliminate this drawback, a temperature sensor may be provided for each line, or a temperature sensor may be provided for each line.
However, attempts have been made to control each writing condition using the CPU, but the number of attempts has not increased in practice.
本発明の目的はかかる欠点を改IA[、高速応答化、及
び)V雑な手段なしで部分書き換先も可能なセルを提伊
する事にある。It is an object of the present invention to overcome such drawbacks and to provide a cell that can be partially rewritten without complicated means.
以下に本発明の表示体のより詳細な説明を、実施例をも
とに6ピす。A more detailed explanation of the display body of the present invention will be given below based on examples.
第6図は、熱m書き込みタイプの表示体の駆動回路F9
理図である。キャラクタ−ジェネレーター(303)か
ら出たビデオ信号は、ラッチ(304’Iを通って、デ
ーターとしてシフトレジスター(506>に導入され、
ばらにラッチ(307)に−坦たくわえられる。その間
、コントロール回路(311)からは、スキャン信号か
Roqn (1111のシフトレジスタ(312)に入
力され、ドライバーを通じて、液晶表示体のRow ’
ilt極1μm1の始めの11ine(′R−1)を加
熱する。FIG. 6 shows a drive circuit F9 for a thermal writing type display.
It is a logical diagram. The video signal output from the character generator (303) passes through the latch (304'I) and is introduced as data into the shift register (506>).
It is held flat in the latch (307). During this time, a scan signal or Roqn (1111) is input from the control circuit (311) to the shift register (312), and through the driver, the Row' of the liquid crystal display is
The first 11ine ('R-1) of ilt pole 1 μm1 is heated.
加熱パルスを41” fiする。加熱ノくルスが印加し
、終ると同時に、コントロール回路と同期した状態で、
ラッチ(307)にれ【−憶これたビデオ信号t;ドラ
イノ(−を通して、全ao1wm O+ 、 Ox
−・・・・−・・anに印加され、始めの11ine
(R−1)が書き込まれる。ビデオ信号がCo1utn
nに印加されている間、 ROw側に印加される加熱ノ
4ルスは5次のRow 1ine (R−2”lK印
加寧れ、R−21ineを加熱している。Apply a heating pulse of 41" fi. As soon as the heating pulse is applied and ends, in synchronization with the control circuit,
The latch (307) is connected to the video signal t; all ao1wm O+, Ox
−・・・・・applied to an, the first 11ine
(R-1) is written. Video signal is Co1utn
While the heating voltage is applied to the ROw side, the heating current applied to the ROw side heats the fifth-order Row 1ine (R-2''lK is applied, and the R-21ine is heated).
R−2の加熱パルスが印加されている間、ビデオ信号は
、シフトレジスターからラッチへ記憶きれ加熱パルスO
ffと同時に全0o1urnnに、第21ine(R−
2)のデーター信号として印加これる。こうして1画面
書き終るまで)l−5,R−4,・・・・・・と順次書
き込みが進められる。この書き込みスピードは前述した
様に、各1 insの熱応答スビ一ド力五速い程、短時
間で完了でき、単位時間に書き込めル1ine *td
多く する。加熱スピードは、印加電圧を高めれば速
くなるが、冷却スピードは自然の放熱現象に依存するた
め、加熱周辺の物質の熱容量熱伝導度、或いは周囲との
温度こうげい等により強<Ile譬を受ける。While the R-2 heating pulse is applied, the video signal is transferred from the shift register to the latch and the heating pulse O
At the same time as ff, all 0o1urnn, 21st ine (R-
2) can be applied as the data signal. In this way, the writing continues in sequence (l-5, R-4, . . . until one screen is written). As mentioned above, this writing speed can be completed in a shorter time as each 1 ins thermal response speed is faster, and writing can be completed in a unit time.
do a lot The heating speed increases as the applied voltage increases, but the cooling speed depends on natural heat dissipation phenomena. receive.
例えば従来方式のセルでは、前にも述べた様に11in
e井′10rnsec の¥11き込みスピードが必
要であった。そのため本表示体の最大の%徴〒ある高分
解能、高密度表示を行うには、例えば5001v’ne
で約5秒も必要となり実用性にとぼしくなる。ヌここで
特に問題となるのは、例えば前述の250×240の表
示の場合を例にとると約2.5秒かけて書き込んだ後す
ぐ消去して、別の表示を行わせようとしても約15秒間
の間隔を置かねば、まともな表示ができない事にある。For example, in the conventional cell, as mentioned earlier, 11 inches
A ¥11 input speed of 10rnsec was required. Therefore, the maximum percentage characteristic of this display is, for example, 5001v'ne to display a certain high resolution and high density.
This would require about 5 seconds, making it impractical. The problem here is that, taking the case of the 250 x 240 display mentioned above as an example, if you write something that takes about 2.5 seconds and immediately erase it, and then try to display something else, it will take about 2.5 seconds. If there is no interval of 15 seconds, proper display will not be possible.
これは、このセルが、−世や1き込まれると、約15秒
7IcfCないと藺的に始めの状態まで回摺てきt「い
点にある。つま9−坦古き込むと、セルの温度が上昇し
、始めと同一条件で加熱パルスや、11.!/;動電圧
電圧印加ったのでは、条件に合わtr <なってしまう
ためである。我々はこの理由について、神々検討した結
果、最大の要因は、セル基板の放熱特性にある事を見い
出した。これをもとに、v下に示すセル構hkでスメク
チック熱ν1き込みセルを試作した所、11ine約5
m sec 、 250 X 240全画面書き込
みi、 !5 sec以下。耐低書き換えインターバル
、58ecでくり返し、111き込み消去回部な表示体
を得た。This means that when this cell is fully charged, it will take approximately 15 seconds to return to its initial state at 7IcfC. This is because if we apply a heating pulse or a dynamic voltage under the same conditions as the beginning, the conditions will be met and tr < .As a result of our investigation into the reason for this, we found that We found that the biggest factor was the heat dissipation characteristics of the cell substrate.Based on this, we prototyped a smectic heat ν1 cell with the cell structure hk shown below.
m sec, 250 x 240 full screen writing i,! Less than 5 seconds. This was repeated at a low rewrite interval of 58 ec to obtain a display with 111 write and erase cycles.
実施例−1
厚ζ05龍の焼結アルミナ基板、第4図401け液晶と
接する側は鏡面研磨が施しである。この基板上にν層を
5000 m卿で蒸着し、ピッチ0375朋、”+lf
俸幅0.325萬aのストライプ状sow N tr
i 602ヲ250本エツチングにより設けである。一
方対向透明ガラス基板603上には、■TOのaolu
rrm 11f椿604が240本設けである。ヌ、
アルミナ基板と透明ガラス基板の間にスペーサー405
を介して、アルキルビフェニールを主成分としたスメク
チック液晶406(Sm範囲一10℃〜53℃)が封入
しである。又、セルの内側は液晶が垂直に配向する様、
処理の方法で垂直処理がほどこしである。Example 1 A sintered alumina substrate with a thickness of ζ05. The side in contact with the liquid crystal in FIG. 4 is mirror polished. A ν layer was deposited on this substrate at a thickness of 5000 m, with a pitch of 0375 mm, "+lf
Striped sow N tr with a salary width of 0.325 million a
It is provided by etching 250 pieces of i602. On the other hand, on the opposing transparent glass substrate 603, ■ TO aolu
There are 240 rrm 11f camellias 604. Nu,
Spacer 405 between alumina substrate and transparent glass substrate
A smectic liquid crystal 406 (Sm range - 10°C to 53°C) containing alkyl biphenyl as a main component is sealed through the tube. In addition, inside the cell, the liquid crystal is vertically aligned.
The processing method is vertical processing.
動作条件は、RoW側加熱加熱電極費電力は、約60W
が必要であり、又信号電極も従来の5〜10Vに対し、
このセルでは約15Vが必要であったが、応答スピード
は、11intt 5 m5ecで動作し4画面を約1
.55ttcで書く事ができた。ヌ、画面のくり返し周
期も、従来方法で15秒が最低必要でを1っだのに対し
、約5秒tlfl隔でくり返し表示しても、鮮明な画像
を得る車が可能であった。The operating conditions are: RoW side heating heating electrode cost power is approximately 60W
is required, and the signal electrode also has a voltage of 5 to 10V, compared to the conventional 5 to 10V.
This cell required approximately 15V, but the response speed was 11 intt 5 m5ec, and the response speed was approximately 1
.. I was able to write with 55ttc. Regarding the screen repetition cycle, whereas the conventional method requires a minimum of 15 seconds, it was possible for the car to obtain a clear image even if the screen was displayed repeatedly at intervals of approximately 5 seconds.
実施例−2
実施例1に於いては、5秒間隔の書き込み消去が可能で
あり、一画面ごとの書き押え、消去で使用する+公?r
、例えば市子市話帳的な用途には充分使用可能tr車が
わかったが、例えば部分消去や書き換女を必要とする表
示体でV↑、そのくり返し周Jll+ 5秒はj11≦
すき゛て使用できず、本方店の利用範囲を狭めている。Embodiment 2 In Embodiment 1, it is possible to write and erase at 5 second intervals, and it is used for writing and erasing each screen. r
, for example, I found out that the TR car can be used enough for Ichiko city storybook purposes, but for example, in a display that requires partial erasure or rewriting, V↑, and its repeated circumference Jll + 5 seconds is j11 ≦
It is too crowded to use, and the scope of use at the main store is being narrowed down.
実施例2に於いては、こilをさらに教会すべく、実施
例1のアルミナ基板の裏面に金属板507を密着に接触
でせたものを試作した。In Example 2, in order to further improve the coil strength, a prototype was manufactured in which a metal plate 507 was closely contacted with the back surface of the alumina substrate of Example 1.
金属板と、アルミナセラミクスm1の接触を良くするた
め、アルミナセラミクス側に一坦、鉋の蒸着F#450
8を設け、銅放熱板507と密着せしめた。In order to improve the contact between the metal plate and the alumina ceramics M1, flatten the alumina ceramics side with a plane vapor deposited F#450.
8 was provided and brought into close contact with the copper heat sink 507.
(第7図告、照)
これにより放熱りJ+果は一顛検〈なり、2 secの
くり返し周1111での使用に耐えらねる様にな、つた
。(Figure 7, see) As a result, the heat dissipation J+ was tested once, and it became so that it could not withstand repeated use for 2 seconds at 1111.
こノ1によりやや近いが部分書き直しが可能となりワー
じプロセッサー用、表示体としての用途も可能となった
。This 1 has made it possible to partially rewrite parts of the image, making it possible to use it as a word processor and as a display.
tIIa 、構成がゆるせるなら用途に応じては、t+
:q放熱板を冷却水で強制冷10する事により、より高
速のくり返し周3(ハが得られる事は実施例1.2から
推察できる。tIIa, depending on the application if the configuration is lenient, t+
:q It can be inferred from Example 1.2 that by forcibly cooling the heat dissipation plate with cooling water, a faster repeating cycle 3 (c) can be obtained.
第1図・・スメクチック相を用いた表示体の熱−電、書
き込み消去方式の原理図。
(1) 11を圧印加状伸での熱ヒステリシ2(II
)無電圧状態での熱ヒステリシス第2図・・スメクチッ
ク相を用いた熱−・11・、平)き込み消去方式による
マトリクスアドレス表示、Sネルの電極構成。
201・・・・・・金属′ポ棲(pow笥椿)202・
・・・・・工TO透明電極(On1wns璽極)第3図
・・本害施例に用いたマトリクス アドレス表示体の駆
動回路、ブロック図。
301 ・・・・・・ CPU
302・・・・・・フレームメモリー
303・・・・・・キャラクタ−、ジェネレーター30
4・・・・・・キャラジェネ用、ラッチ305・・・・
・・パラレルアシリアル変換回路306・・・・・・デ
ーター信号中シフトレジスター307・・・・・・デー
ター用ラッチ
508・・・・・・チーター信号用ドライバー309・
・・・・・発振器
310・・・・・・アドレス、カウンター311・・・
・・・コントロールユニット312・・・・・・スキャ
ン側、シフトレジスタ313・・・・・・同ドライバー
314・・・・・・マトリクスティスプレィ第4図・・
本発明の実施例1のセル構成図。
401 ・・・・・・アルミナ七うミクス基板402・
・・・・・加熱用フルミRow11f極403・・・・
・・透明ガラス基板
404・・・・・・ITOCi号鴇゛徐405・・・・
・・スペーサー
406・・・・・・スメクチック液晶
第5図・・実施例2のセル構成図。
507・・・・・・放熱用組板
508 ・・・・・・餉蒸着層
以上
出顛人 株式会ネI 諏訪精工舎
伏理人 弁理士 最十 務Fig. 1: Principle diagram of thermo-electric writing/erasing method of display using smectic phase. (1) Thermal hysteresis 2 (II
) Thermal hysteresis in a no-voltage state Figure 2: Heat using smectic phase - 11., Flat) Matrix address display using write-in erasure method, electrode configuration of S channel. 201...Metal 'Pow' (pow camellia) 202.
...Work TO transparent electrode (On1wns seal) Figure 3...A block diagram of the drive circuit of the matrix address display body used in the main damage example. 301...CPU 302...Frame memory 303...Character, generator 30
4...For character generation, latch 305...
...Parallel-to-serial conversion circuit 306...Data signal shift register 307...Data latch 508...Cheetah signal driver 309.
...Oscillator 310...Address, counter 311...
...Control unit 312...Scan side, shift register 313...Driver 314...Matrix display Fig. 4...
FIG. 1 is a cell configuration diagram of Example 1 of the present invention. 401 ・・・・・・Alumina seven mix substrate 402・
...Fulmi Row 11f pole 403 for heating...
...Transparent glass substrate 404...ITOCi No. 405...
. . . Spacer 406 . . . Smectic liquid crystal FIG. 5 . . . Cell configuration diagram of Example 2. 507... Heat dissipation assembly plate 508... More than a porcelain vapor deposited layer Developer NEI Co., Ltd. Suwa Seikosha Furijin Patent attorney Saiju Tsumu
Claims (1)
、少なくとも、セルの片側基板がアルミナ セラミクス
により構成されている事を特徴とするスメクチック液J
l、fi示体。In a display cell using smectic thermal and W field effects, at least one substrate of the cell is composed of alumina ceramics.
l, fi display.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14839182A JPS5937523A (en) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | Smectic liquid crystal display body |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14839182A JPS5937523A (en) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | Smectic liquid crystal display body |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5937523A true JPS5937523A (en) | 1984-03-01 |
Family
ID=15451722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14839182A Pending JPS5937523A (en) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | Smectic liquid crystal display body |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5937523A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63276023A (en) * | 1987-05-08 | 1988-11-14 | Hitachi Ltd | Projection type liquid crystal display device |
-
1982
- 1982-08-26 JP JP14839182A patent/JPS5937523A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63276023A (en) * | 1987-05-08 | 1988-11-14 | Hitachi Ltd | Projection type liquid crystal display device |
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