JPS58137883A - Liquid crystal display body - Google Patents

Liquid crystal display body

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Publication number
JPS58137883A
JPS58137883A JP1943682A JP1943682A JPS58137883A JP S58137883 A JPS58137883 A JP S58137883A JP 1943682 A JP1943682 A JP 1943682A JP 1943682 A JP1943682 A JP 1943682A JP S58137883 A JPS58137883 A JP S58137883A
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JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
display
electrode
heating
display body
Prior art date
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Pending
Application number
JP1943682A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
裕 竹下
永田 光夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Suwa Seikosha KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suwa Seikosha KK filed Critical Suwa Seikosha KK
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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 現在、2枚の偏光板と、ネマチック液晶を用いた、TN
(ツイスト−ネマチック)液晶表示体が、電卓やウォッ
チ、或いは1〜2ラインのキャラクタ−表示を行うのに
さかんに使用されている。
[Detailed Description of the Invention] Currently, TN using two polarizing plates and nematic liquid crystal.
(Twisted-nematic) liquid crystal displays are commonly used in calculators, watches, and to provide one or two line character displays.

しかしこれらは、あくまでも電圧平均化法を用いたマル
チプレックス方式で駆動されているため、より高密度を
必要とする表示体には、不向きである。特に最近はコン
ビエータ一端末用の高密度、フラットパネルの要求が強
く、従って従来のTN型液晶にかわってより高密度化が
期待できるスメクチック相を用いた表示体の開発が提案
されている。
However, since these are driven by a multiplex method using a voltage averaging method, they are not suitable for display bodies that require higher density. Particularly recently, there has been a strong demand for high-density, flat panels for use in combiator terminals, and therefore, it has been proposed to develop a display using a smectic phase that can be expected to achieve higher density in place of the conventional TN-type liquid crystal.

例えば、スメクチック人相のオーダー状部と、ランダム
状態を、熱及び電圧印加の両手段を用いて制御し、キャ
シクターや、グラフィック、或いは動面を表示しようと
する試みがそれに当る。
For example, attempts have been made to display cassictors, graphics, or moving surfaces by controlling the ordered parts and random states of smectic physiognomy using both means of heat and voltage application.

その原理は、第1図に模式的に示した図で説明できる。The principle can be explained by the diagram schematically shown in FIG.

スメクチック液晶を加熱し、クリアlインドT。Heat the smectic liquid crystal and clear l India T.

以上にすると、液晶は等方性となる。(101)この時
電圧を印加せずに急激に冷却すると、液晶はネマチック
相(102)を通りて、ランダム状態のスメクチック相
(103)となり、外周光に対して、光散乱を起す。こ
れに対し、冷却中に出現するネマチック液晶の、スレッ
シュホルド電圧vth 以上の電圧を印加した状態で冷
却を続けると、光散乱を起さない、高いオーダー性を持
った、スメクチック相(105)が出現する。
If the value is above, the liquid crystal becomes isotropic. (101) At this time, when the liquid crystal is rapidly cooled without applying a voltage, the liquid crystal passes through the nematic phase (102) and becomes a random smectic phase (103), causing light scattering with respect to the peripheral light. On the other hand, if cooling is continued while a voltage higher than the threshold voltage vth of the nematic liquid crystal that appears during cooling is applied, a smectic phase (105) with high orderliness that does not cause light scattering is formed. Appear.

この光散乱状態と、光散乱のない2つのスメクチック状
態を、加熱−冷却と、電圧の有無の組み合せによりコン
トロールして、表示するのが本表示体の原理である。熱
源としては、レーザーを用いた方式の他、抵抗加熱を利
用する方式も検討されている。
The principle of this display is to control and display this light scattering state and the two smectic states without light scattering by a combination of heating/cooling and the presence/absence of voltage. As a heat source, in addition to methods using lasers, methods using resistance heating are also being considered.

抵抗加熱方式を用いて、具体的に次の様な、マトリクス
表示体が提案されている。
Specifically, the following matrix display bodies have been proposed using a resistance heating method.

液晶は第2図(201)で示される1本の抵抗線で、線
状に加熱される。この加熱用抵抗線が何本も基板上に配
置され、第2図ROW電極、ROW−1 、 Rot−
2、ROW−5、・・・・・・を形成している。ビデオ
信号は表示体のOotumn電極0−1 、 O−2、
O−5、・・・1・・に印加される。
The liquid crystal is linearly heated by one resistance wire shown in FIG. 2 (201). A number of these heating resistance wires are arranged on the substrate, and the ROW electrodes, ROW-1, Rot-
2, ROW-5, . . . are formed. The video signal is sent to the Otumn electrodes 0-1, O-2, and O-2 of the display body.
It is applied to O-5, . . . 1 .

アドレスはItineづつ線順次で行われる。Addressing is performed line sequentially, one by one.

第一番目のRot−2in@ Row−1に加熱パルス
が印加され、 tin・上が均一に加熱されている間に
、ビデオ信号はシフトレジスターに順次蓄積される。加
熱パルスがartとなると同時に、ビデオ信号が各0.
otumnに印加され、信号に応じて散乱もしくは透明
ドツトが形成される。この信号は加熱パルス印加が終了
した後の冷却期間だけ印加(実際にはネマチック状態を
取って、いる間だけ有効)される。
A heating pulse is applied to the first Rot-2in@Row-1, and the video signal is sequentially stored in the shift register while the top of the tin is heated uniformly. At the same time as the heating pulse goes to art, the video signal goes to 0.
scattered or transparent dots are formed depending on the signal. This signal is applied only during the cooling period after the application of the heating pulse ends (actually, it takes a nematic state and is valid only during that period).

例えば、5■厚、ガラス基板2枚、Rowll極に金属
 Oo7umn電極に工Toを用い、250RO’Wと
2400otumn、ピッチα375簡(電極幅(L3
25園)有効面積94X90−のキャラクタ−セルを試
作した例が報告されており、それによると1 ti !
l e約108紅の書き込みスピードと、書き込み時の
消費電力15Wが報告さ、れている。
For example, 5cm thick, 2 glass substrates, metal for the Rowll electrode, 7umn for the electrode, 250RO'W and 2400otumn, pitch α375 (electrode width (L3
25) An example of a prototype character cell with an effective area of 94 x 90 has been reported, and according to it, 1 ti!
It has been reported that the writing speed is approximately 108cm and the power consumption during writing is 15W.

書き込みスピードは、基板も含めた熱応答特性できまり
、特に冷却スピードが問題となる。よってアドレス時間
を短かくし、高速応答性を確保するには、この熱応答性
、特に冷却速度の改善が必要であり、前述のディスプレ
イでは、一画面を表示するには、数秒の時間が必要であ
る。又消費電力に関しては、この液晶が、メモリー機能
(熱ヒステリシス現象)を持つ事から、書き込み時の数
秒間だけ、15Wの消費電力を必要とするが、書き込み
が終った後には、電力を必要とせず、平均的には、コン
ビ、−タ一端末として用い蕃場合、n、5w以下になる
。しかし書き込み時の電力が極めて大きいため、回路上
、設計上の問題が起り、応答スピードの遅い事と相いま
って、この方式の応用面の妨げになっている。
The writing speed is determined by the thermal response characteristics of the substrate, and the cooling speed is particularly important. Therefore, in order to shorten the address time and ensure high-speed response, it is necessary to improve this thermal response, especially the cooling speed.The above-mentioned display requires several seconds to display one screen. be. Regarding power consumption, since this liquid crystal has a memory function (thermal hysteresis phenomenon), it requires 15W of power for only a few seconds when writing, but after writing is finished, no power is required. On average, when used as a combination terminal, the power consumption is less than 5W. However, the extremely large amount of power required during writing causes circuit and design problems, which, combined with the slow response speed, hinders the application of this method.

本発明の目的は、かかる点を考慮に入れ、より高速でよ
り低パワーな大容量ディスプレイを開発する事にある。
An object of the present invention is to take these points into consideration and develop a high-speed, low-power, large-capacity display.

以下に本発明の表示体のより詳細な説明を、実施例をも
とに記す。
A more detailed explanation of the display body of the present invention will be given below based on examples.

第3図は、熱線書き込みタイプの表示体の駆動回路原理
図である。キャラクタ−ジェネレーター(305)から
出たビデオ信号は、ラッチ(304)を通って、データ
ーとして、シフ)レジスター(306)に導入され、さ
らにラッチ(307)に−担たくわえられる。その間、
コントロール回路(311)からは、スキャン信号が1
0w側のシフトレジス#(312)に入力され、ドライ
バーを通じて、液晶表示体のROW電極側の始めの1t
in・(R−1)を加熱する。加熱パルスを供給する。
FIG. 3 is a diagram showing the principle of a drive circuit for a hot-wire writing type display. The video signal output from the character generator (305) passes through a latch (304), is introduced as data into a shift register (306), and is further stored in a latch (307). meanwhile,
The control circuit (311) outputs a scan signal of 1
It is input to the shift register # (312) on the 0w side and is passed through the driver to the first 1t on the ROW electrode side of the liquid crystal display.
Heating in・(R-1). Provide heating pulses.

加熱パルスが印加し終ると同時に、コントロール回路と
同期した状態で、ラッチ(307)に記憶された、ビデ
オ信号がドライが−を通して、全00 L u m h
  O1e O@ ”・・・・OfLに印加され、始め
の1time(R−1)が書き込まれる。ビデオ信号が
Oo l u m nに印加されている間、10w側に
印加される加熱パルスは、次のRow  tine(R
−2)に印加され、R−2timeを加熱している。R
−2の加熱パルスが印加されている間、ビデオ信号は、
シフトレジスターからラッチへ記憶され、加熱パルスO
ffと同時に全0otntrnに、第2Line(R−
2)のデーター信号として印加される。こうして1画面
書き終るまでR−5,R−4,・・・・・・と順次書き
込みが進められる。この書き込みスピードは前述した様
に、各tinsの熱応答スピードが速い程、短時間で完
了でき、単位時間に書き込めるtino数は多くなる。
At the same time as the heating pulse finishes applying, in synchronization with the control circuit, the video signal stored in the latch (307) is connected to the entire 00 L um h
O1e O@ ”... is applied to OfL, and the first 1 time (R-1) is written. While the video signal is applied to Oo l um n, the heating pulse applied to the 10W side is Next Row tine (R
-2) and heats R-2time. R
While −2 heating pulses are applied, the video signal is
Stored from shift register to latch, heating pulse O
At the same time as ff, the second Line (R-
2) is applied as a data signal. In this way, the writing is sequentially continued in the order of R-5, R-4, . . . until one screen is written. Regarding the writing speed, as described above, the faster the thermal response speed of each tin, the faster the writing can be completed, and the greater the number of tinos that can be written in a unit time.

加熱スピードは、印加電圧を高めれば速くなるが、冷却
スピードは自然の放熱現象に依存するため、放熱部周辺
の物質の熱容量熱伝導度、或いは周囲との温度こうばい
俵により強く影響を受ける。又加熱に必要な消費電力は
、加熱物質面積が大きい程多く必要な事は言うまでもな
い。これらの事を考慮に入れた場合従来の単純なtin
e加熱方式では、スピード、消費電力の点で極めてロス
の多い電極構成である事に我々は気づいた。本発明は、
低消費電力、と高速応答スピードを目的とした表示体を
提供するものである0例えば、従来方式でセルを構成す
ると、比抵抗2.6X10″″・Ω・国のAtを用い、
厚さくL24μ、幅[1525m、長さ90mのlll
極”t’Lf&を加熱するのには15Wの電力が必要で
あった。しかし実際の表示に必要なドツト部は全体の長
さ90鰭に対し78wmであり、そのドツト部だけ加熱
するのが理想と言える。
The heating speed increases as the applied voltage increases, but the cooling speed depends on natural heat dissipation phenomena and is strongly influenced by the heat capacity thermal conductivity of the material around the heat dissipation part or the temperature difference with the surroundings. It goes without saying that the larger the area of the heating substance, the greater the power consumption required for heating. If you take these things into consideration, the conventional simple tin
We have noticed that the e-heating method has an electrode configuration that has extremely high losses in terms of speed and power consumption. The present invention
It provides a display with low power consumption and high response speed.0 For example, if a cell is constructed using the conventional method, the specific resistance will be 2.6 x 10''・Ω・Using the country's At,
Thickness: L24μ, width: 1525m, length: 90m
15 W of power was required to heat the pole "t'Lf&. However, the dot part required for actual display is 78 wm for the entire length of 90 fins, so it is difficult to heat just that dot part. It can be said to be ideal.

例えばレーザーを用いた方式は、それに近いものである
。実効表示部だけを加熱するには約13Wの電力が必要
となるのに対し、この方式では15Wの消費電力となっ
ている。
For example, a method using a laser is close to that. While approximately 13 W of power is required to heat only the effective display section, this method consumes 15 W of power.

つまり不要な部分も加熱しているわけであり、そのため
に電力ロスだけでなく、冷却スピードをも悪化させてい
る。
In other words, unnecessary parts are also heated, which not only causes power loss but also worsens cooling speed.

第4図は本発明の電極構成、特に、加熱)(ルスが印加
されるROW電極の原理図である。
FIG. 4 is a principle diagram of the electrode structure of the present invention, in particular, a ROW electrode to which heating (lux) is applied.

第4図の様にRow電極は異なる抵抗値R,rが交互に
くり返された幅1325μの抵抗線よりなっている。具
体的には比抵抗′L6X10″′−Ω−のAtがガラス
基板501上に輻α325μで蒸着されており、蒸着ア
ルミ厚さが、゛R部分がα12μ、r部分が(L48μ
となっている。又R部の長さが(L525μ、r部がα
05μとなり、R部が対極のOOtu va n電極と
対応している。第6図にその状態を模式的に示しである
。前述した試作例と同じ250Rov、2400otu
mnよりなり、有効面積94X90−の場合を試作する
とRow  /、in・の直列抵抗は、 R” (Rtt + Rtt +++++*++mmR
,fi ) + (r11+rs*+”−・・rt、3
−t)  Rx、t=Rx、t=・・””Rt、nl、
1    1,1     1,8       1唱
+1−’、R* n・(Rtt + rts )となる
As shown in FIG. 4, the Row electrode consists of a resistance line with a width of 1325 μm in which different resistance values R and r are alternately repeated. Specifically, At having a resistivity of 'L6X10'''-Ω- is deposited on the glass substrate 501 at a radius of α325μ, and the thickness of the deposited aluminum is α12μ for the R portion and (L48μ for the r portion).
It becomes. Also, the length of the R part is (L525μ, the r part is α
05μ, and the R portion corresponds to the counter electrode OOtu van electrode. FIG. 6 schematically shows this state. 250Rov, 2400otu same as the prototype example mentioned above
mn, and the effective area is 94x90-, the series resistance of Row/in is R” (Rtt + Rtt +++++++*++mmR
, fi ) + (r11+rs*+"-...rt, 3
-t) Rx, t=Rx, t=...””Rt, nl,
1 1, 1 1, 8 1 chant + 1-', R* n・(Rtt + rts).

今前述のディメンジ嘗ンのAtt極の場合、RH+ 4
Ω 、  r11+TwΩ となりn =240から R= 5−4. OΩとなる。
In the case of the Att pole of the dimension mentioned above, RH+ 4
Ω, r11+TwΩ, and from n = 240, R = 5-4. It becomes OΩ.

この抵抗線に印加電圧27. OVの電圧を印加すると
、[L5A(7)電流が流れ、(L525X(Li2S
−のドツト部に必要な電力(熱)が供給される。
Applied voltage 27. to this resistance wire. When a voltage of OV is applied, [L5A(7) current flows and (L525X(Li2S
- Necessary power (heat) is supplied to the dot part.

この時の全消費電力は、 W=54X[L5嘗=1五5ワットとなり、はぼ理想の
電力消費に近い値となった。
The total power consumption at this time was W = 54X [L5 = 155 watts, which is a value close to the ideal power consumption.

At1lの作製には、マスク蒸着法を使用し、始め、0
.12μ厚のAt線を蒸着した後、低抵抗r部に対応す
る穴のあいたマスクによりr部をα48μ厚まで追加蒸
着Wた。これにより第4図対応の電極構造を得た。この
方式による試作セルは、消費電力1&5Wであり、かつ
冷却スヒ゛−ドカ(従来のものより20%程度改良され
た。このため従来171*@約10ssec必要であっ
た書き込み時間が8鵠款に改良され、25011n@を
20度で書く事が可能となりた。
A mask evaporation method was used to fabricate At1l, starting with 0
.. After depositing the At wire with a thickness of 12 μm, additional vapor deposition W was performed on the r portion to a thickness of α48 μm using a mask with a hole corresponding to the low resistance r portion. As a result, an electrode structure corresponding to FIG. 4 was obtained. The prototype cell using this method consumes only 1 and 5 W of power, and has a cooling speed (approximately 20% improved compared to conventional ones. As a result, the write time, which conventionally required 171*@approximately 10 ssec, has been reduced to 8 ssec). It became possible to write 25011n@ at 20 degrees.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図冨スメクチック相を用いた、表示体の熱−電、書
き込み消去方式の原理図 (1)  電圧印加状態での熱ヒステリシス(II) 
 無電圧状態での熱ヒステリシス第2図:スメクチック
相を用いた、熱−電、書き込み消去方式によるマトリク
スアドレス表示ノ櫂ネルの電極構成 201・・・金属電極(Row電極) 202 ・X T O透明電極(aotumn[WR)
第3図:本実施例に用いたマトリクス アドレス表示体
の駆動回路、ブロック図 301 ・・・optr 302・・・フレームメモリー 503・・・キャラクタ−、ジェネレーター304・・
・キャラジエネ用、ラッチ 305・・・パラレル−シリアル変換回路306・・・
データー信号用シフトレジスター307・・・データー
用ラッチ 308・・・データー信号用ドライバー309・・・発
振器 310・・・アドレス、カウンター 311・・・コント四−ルユニット S12・・・スキャン側、シフトレジスタ513・・・
同ドライバー 514・・・マトリクスディスプレイ 第4図8本発明に用いた電極構成原理図R・・・表示ド
ツト対応、加熱抵抗電極部r・・・ドツト間対応、Ro
t電極 第5図:電極断面図 501・・・基板ガラス 502・・・リード部 503・・・表示ドツト対応、加熱抵抗電極504・・
・ドツト間対応Row電極 601・・・Row電極 602・・・Ootumn電極 R%、・・・表示ドツト対応高抵抗部 rs W ・・・表示ドツト間、低抵抗電極部具  上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上  務
Figure 1: Principle diagram of thermo-electrical writing/erasing method for display bodies using a multi-smectic phase (1) Thermal hysteresis under voltage application (II)
Thermal hysteresis in a non-voltage state Figure 2: Electrode configuration of matrix address display paddle using smectic phase, thermoelectric, write/erase method 201... Metal electrode (Row electrode) 202 ・X TO transparent Electrode (aotumn [WR)
Figure 3: Block diagram of the drive circuit for the matrix address display used in this embodiment 301...optr 302...frame memory 503...character, generator 304...
・For carage energy, latch 305...parallel-serial conversion circuit 306...
Data signal shift register 307... Data latch 308... Data signal driver 309... Oscillator 310... Address, counter 311... Control unit S12... Scan side, shift register 513 ...
Driver 514... Matrix display Fig. 4 8 Electrode configuration principle diagram used in the present invention R... Compatible with display dots, heating resistor electrode portion R... Compatible between dots, Ro
t-electrode Figure 5: Electrode sectional view 501...Substrate glass 502...Lead portion 503...Supporting display dots, heating resistance electrode 504...
・Row electrode 601 for between dots...Row electrode 602...Otumn electrode R%...High resistance part rs W for display dots...Low resistance electrode component for between display dots Applicant Suwa Co., Ltd. Seikosha Agent Patent Attorney Tsutomu Mogami

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] スメクチック液晶の相転移現象を、熱と電界によりコン
トロールする事によって、文字、数字等を表示する、マ
トリクス、アドレス表示体に於いて、各々の発熱電極ラ
インが、低抵抗部と、高抵抗部のくり返しにより形成さ
れ、該くり返し周期は、カラム電極の間かくと同期して
いる事を特徴とする液晶表示体。
By controlling the phase transition phenomenon of smectic liquid crystal using heat and electric field, each heating electrode line is connected to a low-resistance part and a high-resistance part in a matrix or address display that displays characters, numbers, etc. A liquid crystal display body characterized in that it is formed by repeating, and the repeating period is synchronized with the spacing of column electrodes.
JP1943682A 1982-02-09 1982-02-09 Liquid crystal display body Pending JPS58137883A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11707565B2 (en) 2017-10-19 2023-07-25 Sanofi Medical pump

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