JPS61245139A - Scanning system for optical modulating element - Google Patents

Scanning system for optical modulating element

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JPS61245139A
JPS61245139A JP8539785A JP8539785A JPS61245139A JP S61245139 A JPS61245139 A JP S61245139A JP 8539785 A JP8539785 A JP 8539785A JP 8539785 A JP8539785 A JP 8539785A JP S61245139 A JPS61245139 A JP S61245139A
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JP
Japan
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scanning
liquid crystal
signal
modulation element
optical modulation
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JP8539785A
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Japanese (ja)
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Shinjiro Okada
伸二郎 岡田
Yutaka Inaba
豊 稲葉
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Canon Inc
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Canon Inc
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Abstract

PURPOSE:To decrease the number of lead-out wires and to realize a scanning system which suits to a large screen and high density by providing a gate circuit between a scanning electrode and a source line for supplying a scanning signal thereto and controlling the gate circuit by a shift register. CONSTITUTION:Display signal electrodes 6 and scanning signal electrodes 7 are arranged in a matrix and transistors (TR) TR1-TR6 are arranged at input terminals of scanning lines S1-S6 and controlled with signals Q0-Q6 of the shift register 9. When an on signal is outputted is outputted to the Q0-Q5 successively,the TRs TR1-TR6 also turn on successively and a signal from a terminal Vs is read in and a scanning signal is applied to a liquid crystal layer. Thus, a gate 8 is provided to the scanning line, so time-division driving becomes possible and the driving is performed only during this period, so only one common signal input line is required. Consequently, the number of lead-out lines is decreased and the scanning system which suits to a large screen and high density is realized.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、光学変調素子の走査方式に関し、特に記憶性
を有する強誘電液晶素子をマトリクスに構成した回路で
駆動する走査方式に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a scanning method for an optical modulation element, and more particularly to a scanning method in which ferroelectric liquid crystal elements having memory properties are driven by a circuit configured in a matrix. .

[従来の技術] 液晶表示素子としては、従来は、TN方式等のマルチブ
レックス駆動が主流であったが、時分割駆動の本数のた
め大画面化と高密度化に限界があった。これに対して、
最近注目を集めているのは。
[Prior Art] Conventionally, multi-plex drive such as the TN system has been the mainstream for liquid crystal display elements, but there has been a limit to increasing the screen size and density due to the number of time-division drives. On the contrary,
What has been attracting attention recently?

いわゆる強誘電性液晶を使用する表示素子で、配向状態
の記憶性を有するため、走査ラインの分割には制限がな
く、高精細なディスプレイが期待できる。
This is a display element that uses so-called ferroelectric liquid crystal and has the ability to memorize orientation states, so there is no limit to the division of scanning lines, and high-definition displays can be expected.

[発明が解決しようとする問題点J しかしながら、強誘電液晶素子を用いた表示素子では、
マトリクス電極を高密度に配線する必要があり、引き出
し線が複雑かつ多岐になり易く、クロストークや製造費
などを含めて、引き出し線の本数が無視できない問題に
なり、また、走査回路の出力段を構成する素子数を減少
させることも望まれている。さらに、マトリクス駆動を
行う場合に、透明電極部の抵抗と液晶層の容量とによっ
て、駆動波形がなまってしまう現象もあり、これらは、
パネルが大画面、大容量になるほど顕著になる傾向があ
った。
[Problem to be solved by the invention J However, in display elements using ferroelectric liquid crystal elements,
It is necessary to wire the matrix electrodes at a high density, and the lead lines tend to be complex and diverse.The number of lead lines becomes a non-negligible problem, including crosstalk and manufacturing costs.Also, the output stage of the scanning circuit It is also desired to reduce the number of elements constituting the device. Furthermore, when performing matrix driving, there is a phenomenon in which the driving waveform becomes dull due to the resistance of the transparent electrode part and the capacitance of the liquid crystal layer.
The problem tended to become more pronounced as the panel size and capacity increased.

本発明は、上記の問題点を解決し、強誘電性液晶等の記
憶性を有する光学変調素子に適したマトリクス駆動回路
の走査方式を提供することを目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and provide a scanning method for a matrix drive circuit suitable for an optical modulation element having memory properties such as a ferroelectric liquid crystal.

[問題点を解決するための手段] 本発明において、上記の問題点を解決するための手段は
、記憶性を有する光学変調素子を、表示信号電極と走査
信号電極とのマトリクス構成で駆動する駆動回路の走査
方式において、走査信号電極に走査信号を与えるソース
線と、そのソース線と走査信号電極との間に介設された
ゲート回路と、ゲート回路を周期的に駆動するシフトレ
ジスタ回路とを駆動回路に備えて構成されることを特徴
とする光学変調素子の走査方式である。
[Means for Solving the Problems] In the present invention, a means for solving the above problems is to drive an optical modulation element having a memory property with a matrix configuration of display signal electrodes and scanning signal electrodes. In a circuit scanning method, a source line that applies a scanning signal to a scanning signal electrode, a gate circuit interposed between the source line and the scanning signal electrode, and a shift register circuit that periodically drives the gate circuit are used. This is a scanning method for an optical modulation element, which is characterized in that it is configured in a drive circuit.

本発明は、上記の走査方式においても、特に、それらの
回路をTFTで形成することにより、もしくは、駆動回
路の出力端を電極の両端又は複数個所に接続することに
より、効果を増大するものであり、また、記憶性を有す
る光学変調素子としては強誘電性液晶、特にスメチック
C”、I’、F・tJ”IG・、H゛の各液晶相を好適
とする。なお、ゲート回路としては、通常、FETが使
用される。
The present invention also increases the effects of the above-mentioned scanning method by forming these circuits with TFTs or by connecting the output ends of the drive circuit to both ends or multiple locations of the electrodes. In addition, ferroelectric liquid crystals, particularly smectic C", I', F. Note that an FET is usually used as the gate circuit.

本発明で用いられる強誘電性物質としては、加えられる
電界に応じて第1の光学的安定状態と第、2の光学的安
定状態とのいずれかをとる、すなわち電界に対する双安
定状態を有する物質、特にこのような性質を有する液晶
が用いられる。
The ferroelectric substance used in the present invention is a substance that takes either a first optically stable state or a second optically stable state depending on an applied electric field, that is, a bistable state with respect to an electric field. In particular, liquid crystals having such properties are used.

本発明で用いることができる双安定性を有する強誘電性
液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクティッ
ク液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメクティッ
クC相(S■C”) 、またH相(SsH”)の液晶が
適している。この強誘電性液晶については、“ル・ジュ
ールナル・ド・フィジーク・ルチール” (“LE J
OURNAL DE PHYSIOUELETTERS
”) 1975年、 3B(L−89)号に掲載の「フ
ェロエレクトリック・リキッド・クリスタルス」(rF
erroelectric Liquid Cryst
alg ) ; “アプライド・フィジックス・レター
ズ(“AppliedphysicsLetters”
) 1380年、 3B (11)号に掲載の「サブミ
クロ・セカンド・バイスティプル・エレクトロオプティ
ック・スイッチング・イン・リキッド・クリスタルスJ
  (rsubmicro 5econdBistab
le  Electrooptic  Switchi
ng  in  LiquidCrystalsJ);
  “固体物理”1981年、l[I(141)号に掲
載の「液晶」等に記載されていて1本発明ではこれらに
開示された強誘電性液晶を用いることができる。
As the ferroelectric liquid crystal having bistability that can be used in the present invention, chiral smectic liquid crystal having ferroelectricity is most preferable, and among these, chiral smectic C phase (S■C'') and H phase (SsH'') are most preferable. LCD is suitable. Regarding this ferroelectric liquid crystal, “Le Journal de Physique Rutile” (“LE J
OURNAL DE PHYSIOUELETTERS
”) In 1975, “Ferroelectric Liquid Crystals” (rF) published in issue 3B (L-89)
error electric liquid crystal
``Applied Physics Letters''
) 1380, ``Submicro Second Bisteple Electro-Optic Switching in Liquid Crystals J'' published in Issue 3B (11)
(rsubmicro 5econdBistab
le Electrooptic Switch
ng in Liquid CrystalsJ);
It is described in "Liquid Crystal" published in "Solid State Physics", 1981, No. 1 (141), and the ferroelectric liquid crystal disclosed in these can be used in the present invention.

より具体的には1本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−P′−ア
ミノ−2−メチルブチルシンナメート(DOBAMBC
) 、ヘキシルオキシベンジリデン−p′−アミノ−2
−クロロプロピルシンナメート(HOBACPC)およ
び4−o−(2−メチル)−ブチルレゾルシリチン−4
′−オクチルアニリン(MBRA6)等が挙げられる。
More specifically, an example of a ferroelectric liquid crystal compound used in the method of the present invention is decyloxybenzylidene-P'-amino-2-methylbutylcinnamate (DOBAMBC).
), hexyloxybenzylidene-p'-amino-2
-Chloropropyl cinnamate (HOBACPC) and 4-o-(2-methyl)-butylresorsilitin-4
'-octylaniline (MBRA6) and the like.

これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物がS腸C”相又はSmH−相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。
When constructing an element using these materials, in order to maintain the temperature state such that the liquid crystal compound becomes the S-C" phase or the SmH- phase, the element may be placed in a copper block with a heater embedded, etc., as necessary. It can be supported by

第5図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもノ
テある。1と1′は、In2O3,5n02やITO(
Indium−Tin−Oxide)等の透明電極がコ
)、&れた基板(ガラス板)であり、その間に液晶分子
層2がガラス面と垂直になるように配向したSac”相
の液晶が封入されている。太線で示された線3が液晶分
子を表わしてして、この液晶分子3は、その分子に直交
する方向に双極子モーメント(Pム)4を有している。
Note that FIG. 5 schematically depicts an example of a ferroelectric liquid crystal cell. 1 and 1' are In2O3, 5n02 and ITO (
A transparent electrode such as Indium-Tin-Oxide (Indium-Tin-Oxide) is formed on a curved substrate (glass plate), and a Sac'' phase liquid crystal in which the liquid crystal molecular layer 2 is oriented perpendicular to the glass surface is sealed between them. A thick line 3 represents a liquid crystal molecule, and this liquid crystal molecule 3 has a dipole moment (P) 4 in a direction perpendicular to the molecule.

基板lと1′上の定極間に一定の閾値以上の電圧を印加
すると、液晶分子3のらせん構造がほどけ、双極子モー
メント(P↓)4はすべて電界方向へ向くように、液晶
分子3の配向方向を変える。ことができる、液晶分子3
は細長い形状で、その長袖方向と短軸方向とで屈折率異
方性を示し、従って、例えばガラス面の上下に互いにク
ロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、電圧
印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子と
なることは、容易に理解される。さらに液晶セルの厚さ
を充分に薄くした場合(例えば1jL)には、第6図に
示すように、電界を印加していない状態でも、液晶分子
のらせん構造はほどけ(非らせん構造)、その双極子モ
ーメントP又はP′は上向き(4a)又は下向き(4b
)のどちらかの状態をとる。このようなセルに第6図に
示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界E又はE′
を所定時間付与すると、双極子モーメントは電界E又は
E′の電界ベクトルに対応して上向き(4a)又は下向
き(4b)と向きを変え、それq応じて液晶分子はit
の配向状態5もしくは第2の配向状態5′のいずれか一
方に配向する。
When a voltage higher than a certain threshold is applied between the constant electrodes on the substrates l and 1', the helical structure of the liquid crystal molecules 3 is unraveled, and the liquid crystal molecules 3 are twisted so that all the dipole moments (P↓) 4 are directed in the direction of the electric field. change the orientation direction. Liquid crystal molecules 3
has an elongated shape and exhibits refractive index anisotropy in its long axis direction and short axis direction. Therefore, for example, if polarizers are placed above and below the glass surface in a crossed nicol positional relationship, the optical It is easily understood that this becomes a liquid crystal optical modulation element whose characteristics change. Furthermore, when the thickness of the liquid crystal cell is made sufficiently thin (for example, 1jL), the helical structure of the liquid crystal molecules unravels (non-helical structure) even when no electric field is applied, as shown in Figure 6. The dipole moment P or P' is directed upward (4a) or downward (4b
). In such a cell, as shown in FIG. 6, an electric field E or E' of different polarity above a certain threshold value is applied.
is applied for a predetermined period of time, the dipole moment changes its direction upward (4a) or downward (4b) in response to the electric field vector of the electric field E or E', and in response to this, the liquid crystal molecules
orientation state 5 or second orientation state 5'.

このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は、応答速度が極めて速いことと、液晶分子の
配向が双安定状態を有することであって、例えば、第6
図において、電界Eを印加すると液晶分子は第1の配向
状態5に配向するが、この状態は電界を切っても安定で
ある。また、逆向きの電界E′を印加すると液晶分子は
第2の配向状態5′に配向して、その分子の向きを変え
るが、やはり電界を切ってもこの状態の留まる。また、
与える電界Eが一定の閾値を越えない限り、それぞれの
配向状態はやはり維持されている。このような応答速度
の速さと、双安定性が有効に実現されるには、セルとし
ては出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、0.5
 %〜20終、特にIIL〜5川が適している。この種
の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液
晶−電気光学装置は1例えばクラークとラガバルにより
、米国特許第4367924号明細書で提案されている
The advantages of using such a ferroelectric liquid crystal as an optical modulation element are that the response speed is extremely fast and that the orientation of the liquid crystal molecules has a bistable state.
In the figure, when an electric field E is applied, the liquid crystal molecules are aligned in a first alignment state 5, but this state remains stable even when the electric field is turned off. Further, when an electric field E' in the opposite direction is applied, the liquid crystal molecules are aligned to a second alignment state 5' and the orientation of the molecules is changed, but this state remains even after the electric field is cut off. Also,
As long as the applied electric field E does not exceed a certain threshold value, each orientation state is still maintained. In order to effectively realize such fast response speed and bistability, it is preferable for the cell to be as thin as possible, and generally, the thickness is 0.5
%~20 end, especially IIL~5 river is suitable. A liquid crystal-electro-optical device having a matrix electrode structure using ferroelectric liquid crystals of this kind has been proposed, for example, by Clark and Ragabal in US Pat. No. 4,367,924.

[作 用] 走査ラインにゲートを設けることにより、時分割駆動が
可能になる。そこで、それぞれのゲートがオンになって
いる期間だけ各走査ラインを駆動させればよいので、走
査ラインの信号入力線は共通の1本でよく、その1本に
並列に接続すればよいことになる。ゲート回路としてF
ETを使用すれば、その接続点を機械的に兼務すること
になって、更に論理的である。そして、前記時分割駆動
と走査信号入力との同期を制御するために、シフトレジ
スタもしくは同等の回路を接続し、クロックによるタイ
ミングを調整すればよい。
[Function] By providing a gate in the scanning line, time-division driving becomes possible. Therefore, since it is only necessary to drive each scanning line during the period when each gate is on, the signal input line for the scanning line can be a single common signal input line, and it can be connected in parallel to that one line. Become. F as a gate circuit
If ET is used, it will mechanically serve as the connection point, which is even more logical. Then, in order to control the synchronization between the time division drive and the scanning signal input, a shift register or an equivalent circuit may be connected and the timing by a clock may be adjusted.

[実施例1 以下、本発明を実施例とその図面を参照して詳細に説明
する。
[Example 1] Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples and drawings thereof.

第1図は1本発明を実施した光学変調素子の駆動回路の
一例を示す回路構成図である。第1図において、光学変
調素子の駆動回路は、表示信号電極6の信号線■1〜I
nと走査信号電極7の信号線S1力ψ′ 〜S6とをマトリクス構成されていて、走査信号線s、
 −s6の入力端には、ゲート8としてのトランジスタ
trl”tr6が配設され、このトランジスタtrl 
〜tr6が液晶駆動用の走査信号列VSのパルス群によ
り時分割されてオン−オフされ、走査信号線Sl −3
6に走査信号を供給する。このトランジスタtrl〜t
r6は、液晶パネルの走査電極に電源を接続するFET
であり、シフトレジスタ9から送られて来る信号Qo 
” Qsにより制御される。
FIG. 1 is a circuit configuration diagram showing an example of a drive circuit for an optical modulation element embodying the present invention. In FIG. 1, the drive circuit of the optical modulation element includes the signal lines ■1 to I of the display signal electrode 6.
n and the signal lines S1 to S6 of the scanning signal electrode 7 are arranged in a matrix, and the scanning signal lines
A transistor trl"tr6 serving as a gate 8 is disposed at the input end of -s6, and this transistor trl"tr6 is disposed as a gate 8.
~tr6 is turned on and off in a time-divided manner by the pulse group of the scanning signal train VS for driving the liquid crystal, and the scanning signal line Sl-3
A scanning signal is supplied to 6. This transistor trl~t
r6 is a FET that connects the power supply to the scanning electrode of the liquid crystal panel
and the signal Qo sent from the shift register 9
” Controlled by Qs.

第2図は、本発明を実施した上記の駆動回路に使用され
るシフトレジスタの一例を示す回路構成図である。第2
図において、Vddはハイレベル電圧(5v)であり、
vbbはゲートを常時オンにする電圧(例えば2V)で
ある、φtおよびφ2には同期クロック信号を入力し、
00M端子はグラウンドしておくIIVINは、シフト
レジスタの情報入力端子であり、lフレームを走査する
にあたり1回オン信号を入力する。
FIG. 2 is a circuit configuration diagram showing an example of a shift register used in the above-mentioned drive circuit embodying the present invention. Second
In the figure, Vdd is a high level voltage (5v),
vbb is a voltage (e.g. 2V) that keeps the gate on all the time; a synchronous clock signal is input to φt and φ2;
The 00M terminal is grounded. IIVIN is an information input terminal of the shift register, and an ON signal is input once when scanning 1 frame.

第3図は、上記の駆動回路の動作の一例を示すタイムチ
ャートである。第3図において、第1段のVsには、各
走査信号線にパルスを分割する以前のパルス列が与えら
れているが、ここでT、は選択信号時間に対応し、 T
2はそのインターバルで、走査周波数は1/(TFT2
)である。
FIG. 3 is a time chart showing an example of the operation of the above drive circuit. In FIG. 3, the first stage Vs is given the pulse train before dividing the pulses to each scanning signal line, where T corresponds to the selection signal time, and T
2 is the interval, and the scanning frequency is 1/(TFT2
).

シフトレジスタの動作として、VINで1フレームを走
査する先頭にHを入力すると、Hの信号はφ1 、φ2
のクロックに従って順次ビット間を転送され、シフトレ
ジスタの出力端Qo”Qsにφ2のクロックに従った時
間だけHレベルを出力する。
As for the operation of the shift register, when H is input at the beginning of scanning one frame with VIN, the H signal will be φ1, φ2.
The bits are sequentially transferred according to the clock of φ2, and the H level is outputted to the output terminal Qo''Qs of the shift register only for the time according to the clock of φ2.

Qo”Qsに順次オン信号が出力されると、同時にトラ
ンジスタTr1〜Trb もオンになり、VSからの信
号を読込み、液晶層に走査信号を印加することになる。
When ON signals are sequentially output to Qo''Qs, the transistors Tr1 to Trb are also turned on at the same time, reading the signal from VS and applying a scanning signal to the liquid crystal layer.

なお、上記のφ1 、φ21VINのパルス巾は、第2
図で入力端に最も近く配設されたトランジスタTr2に
並列的に存在する容量の充電時間を越えていればよい。
Note that the pulse widths of φ1 and φ21VIN mentioned above are
It is sufficient that the charging time of the capacitor existing in parallel with the transistor Tr2 disposed closest to the input end in the figure is exceeded.

上記の回路は、液晶基板上にTFT  (薄膜トランジ
スタ)を形成することにより、基板上の透明電極と−・
体形成することが可能であり、その場合には、走査信号
系で引き出し線が少数本で足りるという利点が生じる。
The above circuit is constructed by forming a TFT (thin film transistor) on a liquid crystal substrate, and connecting it to a transparent electrode on the substrate.
In this case, there is an advantage that only a small number of lead lines are required in the scanning signal system.

第4図は、本発明を実施したマトリクス駆動回路の別な
一例を示す回路構成図である。第4図に示されるように
、マトリクス・パネル10を構成するストライプ電極の
両側に、シフトレジスタ9aおよび9bを配設し、スト
ライプ電極の両端から選択信号を入力することにより、
ストライプ電極の抵抗と液晶層における容量とによって
、波形が鈍化する現象を改善することができる。なお、
この場合、2つのシフトレジスタ9aおよび9bを共用
することも、電源を共用することも可能である。出力端
も両側と限らず、複数が可能である。
FIG. 4 is a circuit configuration diagram showing another example of a matrix drive circuit embodying the present invention. As shown in FIG. 4, shift registers 9a and 9b are provided on both sides of the stripe electrodes constituting the matrix panel 10, and selection signals are input from both ends of the stripe electrodes.
The phenomenon of waveform blunting can be improved by the resistance of the stripe electrodes and the capacitance in the liquid crystal layer. In addition,
In this case, it is possible to share the two shift registers 9a and 9b and to share the power supply. The output ends are not limited to both sides, and can be multiple.

上記の実施例の方法によれば、液晶パネルの走査出力段
を1ラインにして、その後段からFETで分割するため
1回路を構成する素子数が減らせて、構成自体も容易に
なる。さらに、上記の回路をTFTを用いて液晶基板上
に形成すると、パネルの走査線数に比して、引き出し!
!I数は飛躍的に減少する0例えば1本実施例では、シ
フトレジスタから5本、電源から1本の計6本で、走査
線は何本でも駆動することができる。
According to the method of the above embodiment, the scanning output stage of the liquid crystal panel is set to one line, and the subsequent stages are divided by FETs, so that the number of elements constituting one circuit can be reduced, and the construction itself can be simplified. Furthermore, if the above circuit is formed on a liquid crystal substrate using TFTs, the number of drawers will increase compared to the number of scanning lines of the panel.
! For example, in this embodiment, there are six lines in total, five from the shift register and one from the power supply, and any number of scanning lines can be driven.

さらに、応用例で示したように、マトリクス・パネルの
片側基板上のストライプ電極の両側の端子に同一波形の
電圧パルスを印加することにより1回路の抵抗と容量と
による波形のなまりを減少させること、ができ、この場
合も、 TFTで基板上に形成すれば、従来の駆動回路
の引き出し線よりも飛躍的に少数の線で駆動できる。
Furthermore, as shown in the application example, by applying voltage pulses of the same waveform to terminals on both sides of the stripe electrode on one side of the substrate of the matrix panel, the rounding of the waveform due to the resistance and capacitance of one circuit can be reduced. In this case as well, if TFTs are formed on the substrate, driving can be achieved with a significantly smaller number of lead lines than the lead lines of conventional drive circuits.

[発明の効果] 以上説明したとおり、本発明によれば、表示パネルの引
き出し線数や素子数を飛躍的に減少させ、駆動波形の鈍
化を防止し、大画面と高密度化に適した強誘電液晶等の
記憶性を有する光学変調表示素子のマトリクス駆動回路
の走査方式を提供することができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the number of lead lines and the number of elements of a display panel can be dramatically reduced, driving waveforms can be prevented from slowing down, and the strength suitable for large screens and high density can be achieved. It is possible to provide a scanning method for a matrix drive circuit of an optically modulated display element having memory properties such as a dielectric liquid crystal.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例の回路構成図、第2図はシフ
トレジスタの回路構成図、第3図は本発明によるタイム
チャート、第4図は本発明の別な実施例の回路構成図、
第5図および第6図は強誘電液晶素子の説明図である。 1・・・基板、3・・・液晶分子、6・・・表示信号電
極、7・・・走査信号電極、8・・・ゲート、9・・・
シフトレジスタ、 10・・・マトリクス・パネル。
FIG. 1 is a circuit configuration diagram of one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of a shift register, FIG. 3 is a time chart according to the present invention, and FIG. 4 is a circuit configuration diagram of another embodiment of the present invention. figure,
FIGS. 5 and 6 are explanatory diagrams of a ferroelectric liquid crystal element. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Substrate, 3...Liquid crystal molecule, 6...Display signal electrode, 7...Scanning signal electrode, 8...Gate, 9...
Shift register, 10...matrix panel.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)記憶性を有する光学変調素子を、表示信号電極と
走査信号電極とのマトリクス構成で駆動する駆動回路の
走査方式において、走査信号電極に走査信号を与えるソ
ース線と、そのソース線と走査信号電極との間に介設さ
れたゲート回路と、ゲート回路を周期的に駆動するシフ
トレジスタ回路とを駆動回路に備えて構成されることを
特徴とする光学変調素子の走査方式。
(1) In a scanning method of a drive circuit that drives an optical modulation element having a memory property with a matrix configuration of display signal electrodes and scanning signal electrodes, a source line that supplies a scanning signal to the scanning signal electrode, and a source line and scanning 1. A scanning method for an optical modulation element, characterized in that a drive circuit includes a gate circuit interposed between a signal electrode and a shift register circuit that periodically drives the gate circuit.
(2)マトリクス・パネルの走査信号電極基板と同一基
板上に、TFT(薄膜トランジスタ)により駆動回路を
形成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
の光学変調素子の走査方式。
(2) A scanning method for an optical modulation element according to claim 1, characterized in that a driving circuit is formed using a TFT (thin film transistor) on the same substrate as the scanning signal electrode substrate of the matrix panel.
(3)マトリクス・パネルの走査信号電極の複数個所に
、駆動回路の出力端を接続することを特徴とする特許請
求の範囲第1項もしくは第2項に記載の光学変調素子の
走査方式。
(3) A scanning method for an optical modulation element according to claim 1 or 2, characterized in that an output end of a drive circuit is connected to a plurality of locations of the scanning signal electrodes of the matrix panel.
(4)ストライプ状の走査信号電極の信号線の両端に駆
動回路の出力端を接続したことを特徴とする特許請求の
範囲第1項もしくは第2項に記載の光学変調素子の走査
方式。
(4) A scanning method for an optical modulation element according to claim 1 or 2, wherein output ends of a drive circuit are connected to both ends of the signal line of the striped scanning signal electrode.
(5)記憶性を有する光学変調素子が強誘性電液晶であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項〜第4項のい
ずれか1項に記載の光学変調素子の走査方式。
(5) A scanning method for an optical modulation element according to any one of claims 1 to 4, wherein the optical modulation element having memory properties is a ferroelectric liquid crystal.
(6)強誘電液晶がスメチックC^*、I^*、F^*
、J^*、G^*、H^*の各液晶相であることを特徴
とする特許請求の範囲第5項に記載の光学変調素子の走
査方式。
(6) Ferroelectric liquid crystal is smectic C^*, I^*, F^*
, J^*, G^*, and H^* liquid crystal phases according to claim 5.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7042433B1 (en) 1999-05-14 2006-05-09 Sharp Kabushiki Kaisha Signal line driving circuit and image display device
JP2007078717A (en) * 2005-09-09 2007-03-29 Koninkl Philips Electronics Nv Liquid crystal driving circuit, and liquid crystal display apparatus provided with the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7042433B1 (en) 1999-05-14 2006-05-09 Sharp Kabushiki Kaisha Signal line driving circuit and image display device
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