JPS5935688A - アリ−ル酢酸及びアリ−ルプロピオン酸の製法 - Google Patents

アリ−ル酢酸及びアリ−ルプロピオン酸の製法

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JPS5935688A
JPS5935688A JP58126822A JP12682283A JPS5935688A JP S5935688 A JPS5935688 A JP S5935688A JP 58126822 A JP58126822 A JP 58126822A JP 12682283 A JP12682283 A JP 12682283A JP S5935688 A JPS5935688 A JP S5935688A
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ジヤン−フランソワ・フオ−ヴアルク
アニ−・ジユタン
クロ−ド・シユヴロ
フエルナンド・プフリユジエ
ミシエル・トル−ペル
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Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
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    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25BELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B3/00Electrolytic production of organic compounds
    • C25B3/20Processes
    • C25B3/25Reduction

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は1式 %式%) 〔弐1ζArは置換又は未置換の芳香族基、Xはハロゲ
ンを示1−′J で示さhるベンジル型ノ10ゲン化物からアリール酢酸
及びアリールフロピオン酸を製造する方法に係る。 アリール酢酸及びアリールフロピオン酸は抗炎庁剤及び
麻酔剤として多用されるものでありまたペニシリン製造
に於ける前駆動物質としても使用さ第1るので、その製
造は極めて重要であると考えら脅1ろ。 当該物質をベンジル型ノ・ロゲン化物のシアン化。 炭酸添加又はカルボニル化によって製造する方法は公知
である。しカル乍らこJlらの反応は、多(の場合離し
く選択性が低く効率も悪い。 更に、有機ニッケル錯体から成る触媒を使用し大気圧下
で芳香族)・ロゲン化物とCO2と力1ら芳香族カルボ
ンrRA r C02Nを電気合成(electro−
synt、hese ) シ得ることも公知である。 前記の如き方法は例えばヌボ・ジュルナル・ドウ0シミ
Nouveau Journal de Chlmle
、 5巻。 12号、19F11年、621ページ以後に収載のTR
0UPEL、PFRICHON、FAUVARQtJE
及びROLLINの研究に関する論文に記載されている
Oより詳細には該方法では、有機ニッケル錯体な形成す
るためにトリフェニルホスフィンp(c6H,)3が使
用された。 しかし乍ら、該方法がノ・ロゲン化ベンジルに使用され
た場合にはビベンジル化合物の形成しか観察さねないた
め、該方法をノ・ロゲン化ベンジルに直接使用すること
はできない。即ち一方法が塩化ベンジルC6H,CH2
Cl  K使用された場合ジベンジルC,H,−CH,
−CH,−C,Hs Lか得ら第1ない。 本発明によれば、前記欠点が除去され電気合成によって
アリール酢酸及びアリールプロピオン酸が容易に得られ
る。 本発明の目的は、二酸化炭素雰囲気に於ける式ArCH
2X又はArCH(CH,l)X のベンジル型ハロゲ
ン化物の電気化学的還元を含んでおり前記還元が二部配
位子又は四部配位子に結合した遷移金属から誘導さまた
少くとも1種の有機金属錯体を含む触媒の存在下で生起
さtすることを特徴とするアリール酢酸及びアリールプ
ロピオン酸の製法を枡供することである。 二部配位子とは使用金属に対し・C2つの配位座を有す
る配位子を意味する。四座配(17子とは使用金属に対
して4つの配位座を有1゛る配位子を意味する、 遷移金属としては、前記配位子2共に、還元形でベンジ
A塑ハロゲン化物と反応し得るW、気還元性有機金属錯
体を形成するものが選択される。該全屈はニッケルとコ
バルトとを含むグループから選択されるのが有利である
。 本発明によ第1ば、有機金属錯体は、一方ではニッケル
ビスシクロオクタジエン他方では式〔式中、Yはハロゲ
ン。 Lはビピリジル又は式PR2−(CT(2) n−PR
2(式中−Pは配位座たるリン+ 11はフェニル基と
脂肪族基とから成るグル・−1から選択さまた基、nは
4以下の整数)で示されるジホスフィン型配位子である
〕で示される配位金属ハロゲン化物から形成されるグル
ープから選択される。 Rがフェニル基のときには2.3又は4に等しい値をと
り得る。Rがメチル基のときI−1は好ましくは2であ
る。 本発明の1つの実施態様によねば、配位子りとして式 %式%) のジフェニルホスフィノエタン(DPPE )が使用さ
第1る、 また1式 p(c、tt、l) 2−(CH2)、−p(c6■+
5)、Lのジプ工ニルホス7−jノフロパン(I)PP
E)−又は式 %式%) のジメチルホスフィノエタン(1)MPE) の使用モ
可能である。 本発明の別の実施態様によりげ、触媒が錯体。 八4′す・レン(qnlpn)であり1式中のM′はニ
ッケル又はコバルトを示し’ !Ialen ’は凹座
配位子、ビスーリーリヂリデンエチレンジアミンを示す
、該触媒は次式で示さハろ。 ニッケルの対応する錯体よりもtz、還元し易い錯体を
配位子′Vp+11Pη” と共に形成1乙)コノくル
トを使用するのが有利である。 本発明の有機金属触媒は単独又は混合物のいずれの形状
で使用されてもよい。 また、当該触媒に式 %式% 〔式中、■、′は式PR;  の配位子でありR: は
アルキル基とアリール基とから成るグループから選択さ
れており11 Mlは遷移金属好ましくはニッケルであ
る〕 で示されろ配位金属ハロゲラ化物から成る助触媒を添加
してもよい。 この場合、第2の配位子L′として式P(C6IT、l
)3のトリフェニルホスフィン(Tpp)、式p(C4
H9)3のトリブチルホスフィン、式P(C6H,、)
3のトリシクロへキシルホスフィンを使用し得ろ、 使用触媒が一第2錯r4<M、y2t′21モル当h1
″肖り第1錯体MY2L約4モル邑情を含むのが有利で
ある。世し関’;JM、に同義?あ乙。 本発明の別の特徴によ幻ば、触媒は、前記タイプの有機
金属錯体を少くとも1種類と該錯体に耐加された前記タ
イプの単座配位子又は二部配位子例えばシクロオクタジ
エン〔(”o D )  又はビピリジルとを含む、 本発明の別の利点は1本発明の種々の実施例に関する以
下の記載より明らかにさJlろであろう、添附の図は5
本発明の実施に使用さJl得る電解槽の極めて概略的1
(説明図である。 槽は符号!で示さJlており一別hグ)2つの一隔室。 即ち陰極寅2と陽極室3とを有ゴーろ、陰極4を」炭素
繊維フェルト、炭素繊維布−炭素り維網又番す水銀層か
ら成り表面樗約20fflである。銅線から成る陰極導
体は符号5で示さh 7.。 陽極6は、酸化性電解質c例ヌt−1′シコーウ酸塩)
と共存したとき、変性し易いタイプの金属例えばリチウ
ム、鋼等から構成されてル、よく、変性し緋いタイプの
炭素又は金属から構成されてもよい。 銅線から成る陽極導体は符号7で示される。 電気化学的還元を行なうために導体5,7は適当な発電
機に接続されている。 符号8は2つの隔室を隔離するフリットガラスを示す。 符号9は媒体の攪拌に使用される帯磁棒を示す。 雷、解質の触媒は、9<容の非プロトン性浴媒例えばテ
トラヒドロフラン(THF)と%容の二極性非゛70ト
ン性溶媒例えばヘキサメチルホスホロトリアミド(HM
PT)又はN−メチルピロリドン又はテトラメチルウレ
アとを含む混合物から形成される。 陽極室3及び陰極室2に於いて同じ電解質が選択されて
もよく又は異なる電解質が選択されてもよい。電解質は
約0.1乃至03モル/lの濃度で使用される。従って
陽極室3の電解質IOは酸化性のタイプ好ましくはシュ
ウ酸ナトリウムもしくはシュウ酸リチウムでもよく、又
は可溶陽極と共存する非酸化性のタイプ例えば過塩素酸
リヂウムrL1cio  )又はブトラフルjロホウ酸
デトラブヂルアンモニウム((C4It、 )、NRF
’4)でもよい。 陰極室2では、非還元性電解質++(過塩素酸リヂウノ
1.テトラフルオロホヮ酸デトラブチルアンモニウム)
が使用され、該11fJ質にベンジル型のハロゲン化物
と本発明の触媒とが導入される一朗[0,1モル/lの
過塩素酸釧を含む非プロトン性溶媒溶液に浸漬された鎖
線から成る参照電極lR[よって陰極の電位が測定され
得る一矢印12,13は、必要な場合陽極室3及び陰極
室2に導入される不活性ガスを示1−0更に、管14を
介して陰極雷、wl液に大気圧又は大気圧を少し上回る
炭酸ガスを導入し得る、 二次反応を阻止するために、電解媒体に含−まれた残留
水は入念に除去される。 残留水の除去は例えば、グリニヤール試薬例えばCHM
 X’C式中41 x’は/”Itffゲン例えばBT
〕*ll1l のエーテル溶液又はテトラヒドロフラン溶液を添加し

行なわれる。 フェニル酢酸C6)(、CI、CO,)(を製造するた
めに、5ミリモルの塩化ベンジルC,HI、CH2Cl
 ”k陰極室2に導入する。更に本発明の触媒を、1モ
ルの塩化ベンジル当り0.1グラム原子の遷移金属に相
当する量で添加する。 次に、大気圧又は大気圧をやや上回る圧力で二酸化炭素
を檜の陰極室2に吹込む。 反応媒体を周囲温度に維持するか、又は、冷水の外部循
環によって冷却する、 次に調整電位で宿、気化学的還元を行なう。 例えば攪拌水銀層の電位はAg/AgClO4系に対し
て約−2,6VKl14持される。 通過電流鍍が所定値に達−5゛ろか又は電流が零になる
まで准気化学的瀘元が続けられる。 還元開始の際の電流密仄は約35 mA/ctl  で
ある。 次に溶液を酸性媒体中で加水分解しエーテル抽出する。 エーテル相な水酸化ナトリウム水溶液と共Ki拌し次に
分離する。 エーテル相の気相クロマトグラフ分析によって残留C,
TI、CH,CI の薩と形成(コ。TI、−CH2−
C1■。 −C6H,の縫とを算出し得る。 塩基性水相を酸性化しNRCI  ¥ハイ11させ次に
エーテル軸出−[る。ニー1ル相をM RF+ 04で
乾−燥し次いで蒸発させる。 前記の如く形成さf+fこフェニル酢酸を回収−1°ろ
。 ベクトルとl!k1点とによつ゛U侍性f’tHられる
。 配位ニッケルハロゲン化物N%Y、Lの存G下で塩化ベ
ンジルからフェニル酢酸を製造−fるために上記に開示
した方法は以下の原理に基く6最初の段階では遷移金属
例えばニッケルが塩化ベンジルのC−Cl結合に挿入さ
れて申開錯体が電気化学的に形成される。 第1段階では以下の反応が生起する。 NjY 2 L+  2n−−+   Ni  °L 
・ト 2Y−0価のニッケル錯体例えげN1(COT)
)2を使用するときはこの第1段階は不要である。しか
し乍らこのような錯体は空気中で極めて酸化し易いr=
め取扱いが難しい。 錯体N I ’ L  は通常極めて反応性で力】り安
定性が良くない。N101、を軽度に錯化するように選
択された媒体中に別の二部配位子例えばCOD又はビピ
リジルが存在するとN1°L の安定性が増す。これら
の配位子は0価ニッケルの比較的弱い配位子であるから
後に生1:るN10T、  と塩化ベンジルとの反尾、
を殆んど妨害L l:rい。 第2p′:F!Vでは、以下θ)反ct、が生起する、
NI’L + (’:6)1.CH2Cl→C,、H,
CH3NlCl L総合す2)とtJ、下の結果になる
。 NIY、L + C,1M、(コIr2C1+  2e
−−IC6H,C112NICIL +  2rこの錯
体は次式によって五■、気化学的に菫を元さJ]得る、 CTT (IT NiCl+、、 42e−−+CI、
H,(’ll2NI1.−4CI−6!!2 この中間体をよジベンジルc6y−t、l−CH2−c
o、、 −C6H。 Vr、変化し得ろがC02の存在中ではO価ニッケル釦
体の再生を伴IKってフェニル酢酸が生成する。 C,n1IC)T2Nit7 +CO,→c 、T(5
CTI 2co○−+N10Lこのように電量にシイク
ルが続行され、総合すると以下の尺りらとlfる6 本発明による他の有機金属錯体を使用した場合にも同様
の反応が生じる。 C6H,CTI、CI  を出発物質とし触媒物質の種
類及び媒体の温度を変更していくつかの製造テストを実
施例 これr)の実施例に於いては、 06H,CI、CI 
の出発量に対する消費量のパーセンテージ1゛1  と
。 C,I(I、CH2Cl  消費量に対するC、H5C
T(2COO)i生成量のパーセンテージRC(化学的
効率)と。 C6H,、CH2Cl  出発量に対1゛るC、H5−
CH2−CH,−C61(、生成qのパーセンテージT
3 と、電解効率RFとを測定した。電解効率は、化学
晴論的方程式を想定したときの消費電気肴に対する酸生
成lの比で示される・ 全部の実施例に於いて、!r〒別な記載がない限り反応
媒体はC6H5CH2Cl  1モル当りニッケル0.
1原士 #羊グラムを含有しており、 CO2の圧力は1気圧で
あり、■1位G1−2.fiVに維持された。電解質の
溶媒と1−°〔はT HF/)TM P ’r fa:
実hf1例I 乃至+ 2轟−C”は%−4≦及び実施
例1:’1.14では騒せ梗の容積比で使用17た。電
解質として実施例1乃至9では0、I MのLiCIO
4を使用し、実施例口0乃至+2では0.3Mのテトラ
フルオロホウ酸テトラプ又ルアンモニウノ・から成る陰
極電Wl質及び0.IMのシュウ酸リチウムから成る陽
極電解質を炭素陽極と共に使用し、9!:施1flJ 
l 3 、 l 4でG↑(1,2MのしIcl04%
’便用した。 実施例1 触媒 モル比II/10) NICI2. Dl’PT
i:とNICI2゜(TPP ) 2 温度 20 Y: 。 電流Oのとき1.解停止。 実施例2 触媒 モル比AのNICI2* t、)ppト:とNI
CI2゜(TPP)2 温度 0℃。 8時間後に電解停止。 0°では20℃のときよりも電解がはるかに緩慢である
ことが判明。 実施例3 +9 触媒 モル比イのNlCl、 、 DPPEとNICI
2゜(TPP)2 温度 20℃。 8時間後Km解停止。 実施例4 触媒 モル比イのNlCl、 、 DPPEとNiCl
2゜(TPP)2 温度 0℃ 15時間後に電界停止。 実施例5 触媒 モル比イのNIC1,、DMpFとNICI2゜
(TPF’)2 温度 20 ”に 。 電流が過度に弱まったとき1り2WF停止、実施例6 触媒 モル比イのNiCl2. Dλ4PEとN5ct
、、 +(TPP ) 2 実施例5と同じ条件。 実施例7 触媒 モル比名のNlCl、 、 Dr’l’PとNi
C1,、。 (TPP)2 実施例5と同じ条件。 実施例8 触媒 モル比/のNICl7. DPrEと実施例5と
同じ条件。 実施例9 触媒 NICI2. DPPg 実施例5と同じ条件、 実施例IO 触媒 NICI2.モル比AのDPPP+COD 。 温度 20℃。 5時間で電解終了。 実施例菖1 触媒  ニッケルビスシクロオクタジエン。 温度 20℃。 20時間後に電解停止。 実施例厘2 触媒 NiCl3.ビピリジル。 温度 20℃。 電解を25時間継続。 実施例鳳3 触媒 コバルト i+alen # 大気圧下のCO2# (’OIIalen  の還元電位に対し水銀陰極で−
2,3V  20時間で転換完了。 実施例−4 2気圧のC02を使用する以外は実施例13と同条件。 測定結果を次表に示す。          1実施例
温度  T、    RRCRF   T。 1  2OR7Fll    !I9−   182 
  0  25  23   92  92   @ 
ii3  20  50  42   84  84 
  84    0    fifi     42 
   76          35  20  60
  37   60        F2O20492
959−7 720554276−13 820401947−21 920602643−34 1020971’i0     −     −   
 −凰1206Fi40[)−− 鳳2209030−−− 13    20   100    63     
−     −     −14    20   1
00    80     −     −     
−電気化学的還元を1段階で行なうことが望ましいこと
が判明した。 何故なら、2段階処理の場合第1段階に相当J゛る中間
錯体C6H,CI、N ic IL  の形成は中性ガ
ス下で生起し第2段階に相当する錯体の還元がC02下
で生起するので主としてビスアリール誘導体が形成され
ることになる。 即ち、実施例10条件を使用して第一段階で−2,凰■
の電位でアルゴン下の電気化学的還元を生起し第2段階
で−2,6vの電位でCO2の存在中での還元を生起す
るとI3の値はI8から48に増加する。 更に、アリールプロピオン酸の製造に関しても同様のテ
ストを実施した。 即ち−C6HliCTT(CJT3)CIからフェニル
プロピオン酸C6H,CI((CH3)COO)I  
を合成した。 この化合物ではその構造のために付助口豹菊1°lFt
応が生じMCI  が除去されてスチレンが形成される
。 この反応を阻止−(るために一方では室温より低温例え
ば0℃で処理し他方では触媒がNI Y2L  の場合
()価ニッケルに弱く配位結合されろ付加的配位子6゛
ξイ例えばCOD又はビピリジルを話加づろのが有利で
ある、 触媒としてCo  FIalpn を°使用1−ろと付
加的配位子が不要である。 C,I(、−C1■(C1■3)CIを出発物質としC
いくつかのn造デストを実施し7た。 全ての実施例に於い′c、 c、n、Cn(ctt、)
Clの出発量に対する消費摺のパーセンテージTlと、
化!≧I“的効率RCと、電解効率RFとを測定した。 副生物lげ、スブ・レンである、全体−裏し°ζ反応は
次式で示されろ。 C1l馬CH((’Il、)C1+ CO2+ 2e 
−rO,H,−C1l(Cll3) (”:0−2+ 
CI−実施例+5乃至20に於いて反応媒体は1モルの
CHCH(CH3)C1当り0.1グラム原子のニッケ
ルを6 り電位は参照電極A g +/A g に対して約−2
,4゜−2,6Vに維持されていた。実施例2鳳では触
媒は’CORa 1 p yl  から成る。 実施例鳳5乃至20では陰極電解質は0.3Mのテトラ
フルオロホウ酸テトラブチルアンモニウムであり、実施
例21では0.2MのLiClO4であった。’tl宅
解質の溶媒はTHF−HMPT(比%、ハ)であった。 実施例+5 触媒 NICI2. nPPP 。 陽極:銅。 電流0まで電解。 TI  :40.  RC:F17.  RFニア3゜
実施例16 触媒 NlCl□、DPPE+C0D DPPEとCODとはモル比1乙。 陽極:銅。 20時間雷、解− TIニア2.RC:f12.RFニア4゜実施例+7 触媒 NICI2. DPPP←C0DDPPPとCO
Dとはモル比イ。 陽極:銅。 理論的電気量の55チで電解停止。 RC’  :  7 1−  RF  :94゜実施例
+8 触媒 NICI2. I)PPP+ビピリジルDPPP
 、!:ビピリジルどはモル比イ。 陽極:銅。 Tl :R2,RC:Fll、RF :44゜実施例1
9 触媒 NlCl 2. DPPP + C0D1)p 
ppとCODとはモル比イ。 陽極:白金。 陽極電解質: o、+ Mのシュウ酸ナトリウム。 TI  : 100.RCニア6、RF’ニア5゜実施
例20 触媒 NiCl2. DPPP +C0DDPPPとC
ODとはモル比イ 陰極:水銀でなく炭素繊維網 陽極:白金。 陽極電解質:シュウ酸リチウム。 鳳2時間で電解完了。 ’l’l  :96.RC:89.RF :93゜実施
例2I 触媒 Co  q*II!n + 一気圧のC02゜ 一2V、20℃で電解。 TI:鳳00.RC:601゜ 前記の方法は、市販の抗炎症剤ナブロギセン(nnpr
ox二ne)  を反応式。 〔触媒: NICI2.1)PPI’ + C0I) 
(DPPPとCODとのモル比A) 温度Q’C,。 TI’: too、RC’:66.RF’:66)に従
って合成1゛るために直接に使用され得る。 勿論本発明は例として力見られた実施態様に限定されな
い。
【図面の簡単な説明】
図は一本発明の実施に使用され得る電解槽の極めて概略
的な説明図である。 し・・電解槽−2・・・陰極室。 3・・・陽極室、     4・・・陰極。 5・・・陰極導体、    6・・・陽極。 7・・・陽極導体−8・・・フリットガラス。 9・・・帯磁棒、      10・・・陽極室wli
’t −11・・・陰極電解質、    14・・・C
O□導入管。 +5・・・参照を極。 代11人弁理士今  村   元 頁の続き 1発  明 者 ミシエル・トルーペルフランス国77
950マンシー、ア ンパス・ドウ・う・ゴベレット 出 願 人 サンドル・ナシオナル・ドウ・う・ルシェ
ルシュ・シアンティ フィック(セ・エヌ・エール・ ニス) フランス国75700パリ・ケ・ア ナトール・フランス15

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)二酸化炭素雰囲気に於ける式 %式% 〔式中、Atは一換又は未置換の芳香族基。 X Fr、 ハo ’y’ ン’) ”’C”示すhル
    ベンジル型ハロゲン化物の電気化学的還元を含んでおり
    。 前記還元が二部配位子又は四部配位子に結合した遷移金
    属から誘導さ第1た少くとも1種の有機金属錯体を含む
    触媒の存在下で生起さJすることを特徴とするアリール
    酢酸及びアリールプロピオン酸の製法、     (4
    )(2)遷移金属がニッケルとコバルトとから成るグル
    ープから選択されることを特徴とする特許請求の範囲第
    口項に記載の方法。   (5)(3)  有機金属錯
    体が、一方ではニッケルビスシクロオクタジエン他方で
    は式 〔式中、Yはハロゲン。 Lはビピリジル又は式PR− (cIr、 −−PH1 (式中、Pはリン、Rはフェニル 基と脂肪族基とから成るグルー プから選択さ第1た基、nは4以 下の整数)で示されるジホスフ イン型配位子である〕 で示さJする配位金属ハロゲン化物から形成されるグル
    ープから選択されることを特徴とする特許nN求の範囲
    第2項に記載の方法。 Rがフェニル基でありnが2.3又は4であることを特
    徴とする特許請求の範囲第3項に記載の方法。 Rがメチル基でありnが2であることを特徴とする特許
    請求の範囲第3項に記載の方法。 (6)触媒が錯体41 M’サレンであり1式中のM′
    はニッケル又はコバルトを示しザレンは西岸配位子、ビ
    スサリチリデンエチレンジアミンを示すことを特徴とす
    る/l¥Ft′[請求の範囲第2項に記載の方法。 (7)  触媒が更に助触媒を含んでおり助触媒が式%
    式% 〔式中、L′は式PR:の配位子であり、R′はアルキ
    ル基とアリール基とから成るグループから選択されてお
    り1M1は遷移金属である〕で示される配位金p4ハロ
    ゲン化物から成ることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項乃至第6項のいずtlかに記載の方法。 (8)  触媒が1モル轟量のM1Y2L’、  肖り
    約4モル当量のMY2L  を含むことを特徴とする特
    許請求の範囲第7項に記載の方法。 (0)触媒が有機金属錯体に加えて単座又は二部の配位
    子を含むことを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第
    6項のいす灼かに記載の方法。 a・ 前記配位子がシクロオクタジエンとビピリジルと
    から成るグループから選択されることを特徴とする特許
    請求の範囲第9項に記載の方法。 Hl  有機金属錯体と前記配位子とがモル比1/1で
    あることを特徴とする特許請求の範囲第9項又は第10
    項に記載の方法。 62  反応混合物がハロゲン化ベンジル1モル当り0
    .1グラム原子のニッケル又はコバルトを印有すること
    を特徴とする/l’Y訂請求の範囲第2項乃至第1+項
    のいずれかに記載の方法。 (1タ  製造工程中に反応媒体が室温以下に維持さ憬
    することを!庁徴とする/l¥1′「請求の範囲第1項
    乃至紀12項のいずれかに記載の方法。 αる 使用生成物が無水物であることを特徴とする’t
    ”I’ )t’l’ RI′i求の範囲第蔦項乃至第1
    3項のいずれかに記載の方法。 (・9 二6υ化炭素が大気圧又は大気圧に近い用力で
    使用さ第1ろことを’l?徴と−(るl庁r[請求の範
    囲fit項乃至第14JAのいずJlかに記載の方法。 θ角 電気化学的還元が陰極室と陽極室とを含むル解槽
    で行i1わ第1.陰極が炭素フェルト。 炭素布9炭素網又は水銀層から成り、陽極が1殿fウム
    もしくは銅の如き変性し易い金属又は髪併し難い月料か
    ら成り、山7M質がテトラヒトrJフランの如き非ノロ
    トン性溶媒と−゛・キザメヂルホスホロトリアミド、 
    N−メチルピロリドン、ブトラメチルウレアの如き二(
    ケ性lトフロトン1′(溶媒との混合物を含む溶媒かr
    −)lLることな特徴とする特許請求の範囲i1項乃至
    第15項のいずれかに記載の方法。 αη 陽極が変性し鹸い金属がら成り陽極室に存在する
    電解質がシュウ酸す) IJウム又はシュウ酸リチウム
    の如きシュウ酸塩から成ることを特徴とする特許R+’
    ?求の範囲第16項に記載の方法・ Qlt  陽極が変性し易い金属から成り陽極室に存在
    する電解質が過塩素酸リチウム又はテトラフルオロホウ
    酸テトラプヂルアンモニウムを含むことを特徴とする特
    *’fMfj求の範囲第16項に記載の方法。 01  陰極室に存在する屯解賀が過塩素酸リチウム又
    はjドラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウムを含
    むことを特徴とする/if M′「請求の範囲第16g
    4Vc記載の方法。
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