JPS5934683A - 半導体レ−ザの駆動方法およびその駆動回路 - Google Patents
半導体レ−ザの駆動方法およびその駆動回路Info
- Publication number
- JPS5934683A JPS5934683A JP14501082A JP14501082A JPS5934683A JP S5934683 A JPS5934683 A JP S5934683A JP 14501082 A JP14501082 A JP 14501082A JP 14501082 A JP14501082 A JP 14501082A JP S5934683 A JPS5934683 A JP S5934683A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse
- semiconductor laser
- circuit
- laser
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はパルス発振を呈する半導体レーザの駆動方法お
よび駆動回路に関するものである。
よび駆動回路に関するものである。
従来例の構成とその問題点
半導体レーザは光変換効率が高く、光を一点に絞り易く
、発光波長が単一であるなどの多くの利点から各種の光
源に用いられている。その反面、入力対光出力特性で、
しきい値を境界にして光変換効率が１〜２桁も大きくな
り、レーザ動作時には少しの入力揺らぎが発光出力の大
きな侶らぎとなる欠点がある。また大出力動作を続ける
と端面の劣化がおこり内部の結晶欠陥の成長も加速され
るためレーザ寿命が低下するなどの欠点がある。
、発光波長が単一であるなどの多くの利点から各種の光
源に用いられている。その反面、入力対光出力特性で、
しきい値を境界にして光変換効率が１〜２桁も大きくな
り、レーザ動作時には少しの入力揺らぎが発光出力の大
きな侶らぎとなる欠点がある。また大出力動作を続ける
と端面の劣化がおこり内部の結晶欠陥の成長も加速され
るためレーザ寿命が低下するなどの欠点がある。
そのため、半導体レーザの駆動には光出力を許容範囲内
の一定出力で安定化させる方法をとる必要がある。
の一定出力で安定化させる方法をとる必要がある。
さて半導体レーザは応答速度が速いためパルス発振は有
効であり、また寿命が連続発振させる場合より延び、電
力消費も少なくなることから、簡易な用途ではパルス動
作で安定な光出力を得ることが望筐れている。
効であり、また寿命が連続発振させる場合より延び、電
力消費も少なくなることから、簡易な用途ではパルス動
作で安定な光出力を得ることが望筐れている。
従来連続発振時の電流注入型レーザの駆動にはＡ Ｐ
Ｃ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ −Ｐｏｗｅｒ −Ｃｏｎｔｒ
ｏｌｌ ）回路と云われる安定回路が用いられ、光出力
の一部を常にモニターして、駆動回路に負帰還をかける
方法が用いられていた。しかしこの方法は連続動作時に
は有効だが、パルス動作時には同期をとるのがｆｆｌシ
＜ 、パルスでのＡＰＣ回路は実現していなかった。
Ｃ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ −Ｐｏｗｅｒ −Ｃｏｎｔｒ
ｏｌｌ ）回路と云われる安定回路が用いられ、光出力
の一部を常にモニターして、駆動回路に負帰還をかける
方法が用いられていた。しかしこの方法は連続動作時に
は有効だが、パルス動作時には同期をとるのがｆｆｌシ
＜ 、パルスでのＡＰＣ回路は実現していなかった。
発明の１」的
本発明は、パルス動作時に尖頭光出力を安定化せしめる
ことを目的とする。
ことを目的とする。
発明の構成
本発明はパルス光出力の一部をモニターして駆動回路に
帰還をかけることを可能にする半導体レーザの駆動方法
および駆動回路を提供するつ寺を＃拍＃≠４ものである
。
帰還をかけることを可能にする半導体レーザの駆動方法
および駆動回路を提供するつ寺を＃拍＃≠４ものである
。
実施例の説明
以下実施例をあげて具体的に説明する。
第１図は本発明の実施例による半導体レーザの駆動回路
を示すブロックダイヤグラムである。同図においてレー
ザ１より出たパルス光出力の一部を受光器２でモニター
し−パルス波形を積分回路３で直流成分（ＤＣ：）に変
換する。ＤＣ基準電圧４と」二記の直流成分に整形され
た光出力とが比較器５で比較され、その差分の電力が電
力供給部６全通してレーザ１に供給される。レーザ１は
パルス発振器７により変調され、パルス発振の動作を行
う。
を示すブロックダイヤグラムである。同図においてレー
ザ１より出たパルス光出力の一部を受光器２でモニター
し−パルス波形を積分回路３で直流成分（ＤＣ：）に変
換する。ＤＣ基準電圧４と」二記の直流成分に整形され
た光出力とが比較器５で比較され、その差分の電力が電
力供給部６全通してレーザ１に供給される。レーザ１は
パルス発振器７により変調され、パルス発振の動作を行
う。
なお、従来のＡＰＣ回路では積分回路が設けられていな
いため、レーザを単にパルス変調しただけでは比較器で
発振してしまい正常なＡＰＣ動作ができなかった。
いため、レーザを単にパルス変調しただけでは比較器で
発振してしまい正常なＡＰＣ動作ができなかった。
第２図に本発明による半導体レーザの駆動回路の実施例
を示す。トランジスタＴｒ＋でドライブされたレーザＬ
Ｄ１より放出された光の一部を受光器のｐｉｎダイオー
ドＰＤ１で受光する。受光出力はＲ＋、Ｇ＋で形成され
た積分回路を通してオペアンプＯＰ −Ａ４１１ｐ１に
入る。この電圧とツェナー基準電圧を比較し、それに見
合った電力がＴｒ＋に供給される。トランジスタＴｒ２
はＬノ−ザＬＤ１に流れる電流をパルス発振器ＰＧ１に
よりパルス変調するために設けられている。パルス周波
数に対する回路の特性は積分回路のＣ＋、 Ｒ＋の時定
数で決１す、各々最適値が存在する。
を示す。トランジスタＴｒ＋でドライブされたレーザＬ
Ｄ１より放出された光の一部を受光器のｐｉｎダイオー
ドＰＤ１で受光する。受光出力はＲ＋、Ｇ＋で形成され
た積分回路を通してオペアンプＯＰ −Ａ４１１ｐ１に
入る。この電圧とツェナー基準電圧を比較し、それに見
合った電力がＴｒ＋に供給される。トランジスタＴｒ２
はＬノ−ザＬＤ１に流れる電流をパルス発振器ＰＧ１に
よりパルス変調するために設けられている。パルス周波
数に対する回路の特性は積分回路のＣ＋、 Ｒ＋の時定
数で決１す、各々最適値が存在する。
発明の効果
以上のような本発明の半導体レーザの駆動方法およびそ
の駆動回路によりパルス駆動時でのレーザ光出力の安定
化が達成できる。
の駆動回路によりパルス駆動時でのレーザ光出力の安定
化が達成できる。
なお、本発明に関し、実施例を挙げて述べたが半導体レ
ーザは電流注入型に限らず光励起その他の方式によるレ
ーザ駆動にも適用が可能である。
ーザは電流注入型に限らず光励起その他の方式によるレ
ーザ駆動にも適用が可能である。
第１図は本発明の半導体レーザの、駆動回路のブロック
ダイヤグラム、第２図は本発明の実施例における半導体
レーザの駆動回路の回路図である。 １・・・・・・レーザ、２・・・・・・受光器−３・・
印・積分回路、。 ４・・・・・・基準電圧発生器、６・・・・・・パルス
発振器、Ｔｒ＋ 、 Ｔｒｚ・・川・トランジスタ、Ｌ
Ｄｌ・・・・・・レーザＰＤ１・・・・・・ｐｉｎダイ
オード、ＺＤｌ・旧・・ツェナーダイオード、Ｒ１・旧
・・抵抗、ｃｌ・旧・・コンデンサ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図
ダイヤグラム、第２図は本発明の実施例における半導体
レーザの駆動回路の回路図である。 １・・・・・・レーザ、２・・・・・・受光器−３・・
印・積分回路、。 ４・・・・・・基準電圧発生器、６・・・・・・パルス
発振器、Ｔｒ＋ 、 Ｔｒｚ・・川・トランジスタ、Ｌ
Ｄｌ・・・・・・レーザＰＤ１・・・・・・ｐｉｎダイ
オード、ＺＤｌ・旧・・ツェナーダイオード、Ｒ１・旧
・・抵抗、ｃｌ・旧・・コンデンサ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図
Claims (1)
- （１）パルス発振を行なう半導体レーザの出力パルス波
形を直流成分に変換し、同直流成分を用いて前記半導体
レーザに帰還をかけることを特徴とする半導体レーザの
、駆動方法。 （功 パルス発振を行なう半導体レーザの発振出力の少
なく一部を受光する回路と、前記回路の出力を直流成分
に変換する積分回路と、前記積分回路と接続される帰還
回路とを有する半導体レーザの駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14501082A JPS5934683A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 半導体レ−ザの駆動方法およびその駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14501082A JPS5934683A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 半導体レ−ザの駆動方法およびその駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5934683A true JPS5934683A (ja) | 1984-02-25 |
Family
ID=15375354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14501082A Pending JPS5934683A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 半導体レ−ザの駆動方法およびその駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5934683A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62146012A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-30 | Omron Tateisi Electronics Co | 投光回路 |
| US4926433A (en) * | 1987-10-19 | 1990-05-15 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor laser unit |
-
1982
- 1982-08-20 JP JP14501082A patent/JPS5934683A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62146012A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-30 | Omron Tateisi Electronics Co | 投光回路 |
| US4926433A (en) * | 1987-10-19 | 1990-05-15 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor laser unit |
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