JPS5934292B2 - photoresist material - Google Patents
photoresist materialInfo
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- JPS5934292B2 JPS5934292B2 JP7913975A JP7913975A JPS5934292B2 JP S5934292 B2 JPS5934292 B2 JP S5934292B2 JP 7913975 A JP7913975 A JP 7913975A JP 7913975 A JP7913975 A JP 7913975A JP S5934292 B2 JPS5934292 B2 JP S5934292B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はホトレジスト材料に関するものであり、さらに
詳しくは支持体上に光重合性組成物の層を有するホトレ
ジスト材料に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to photoresist materials, and more particularly to photoresist materials having a layer of a photopolymerizable composition on a support.
従来プリント配線板の作製用のホトレジスト材料として
は、重クロム酸塩とグルー、重クロム酸塩とポリビニル
アルコール等とを組み合わせた感光液、ポリ桂皮酸ビニ
ルと増感剤を主成分とした感光液、天然ゴムまたは環化
ゴムと架橋剤を主成分とした感光液等のいわゆる「溶液
型」のホトレジスト材料が多量に使用されてきた。さら
に他のホトレジスト材料としては、2枚のプラスチック
フィルムの間に感光層が介在する「フィルム型」のホト
レジスト材料がある。Conventional photoresist materials for producing printed wiring boards include photosensitive liquids that combine dichromate and glue, dichromate and polyvinyl alcohol, etc., and photosensitive liquids that mainly contain polyvinyl cinnamate and a sensitizer. So-called "solution type" photoresist materials, such as photosensitive liquids containing natural rubber or cyclized rubber and a crosslinking agent as main components, have been widely used. Still other photoresist materials include "film-type" photoresist materials in which a photosensitive layer is interposed between two plastic films.
この材料の使い方としては使用者が一方のプラスチック
フィルムを剥がして感光層を露出させ、この感光層をプ
リント配線用の銅基板に積層したのち、残りのプラスチ
ックフィルム側から画像露光を行い、次いでプラスチッ
クフィルムを除去し、有機溶剤或いはアルカリ水溶液等
の適当な現像液で現像を行う。光の照射により硬化した
部分は銅基板上に残り、未照射の部分は現像液により溶
解除去される。このようにして目的とするプリント配線
回路用のレジストパターンが形成される。しかし上記の
「溶液型」および「フィルム型」のホトレジスト材料は
共に現像過程が有機溶剤、アルカリ水等の液体を使用す
る点で煩雑であり、しかも公衆衛生を害する恐れがある
点で好ましくない。近年、かかる溶液現像型記録材料に
代わつて、乾式現像可能な記録材料が提案されている。
即ち、特公昭38−9663号、米国特許第3、353
1955号(特公昭43−22901号)および同第3
、770、438号(特開昭47−7728号)の各公
報に記載されているように感光性(光重合性)組成物の
露光部分と非露光部分の支持体との接着力の差を利用す
ることにより画像を形成する方法である。この方法は、
一般にはプラスチックフィルム、金属、紙等の基材の上
にバインダー用のポリマー、不飽和モノマー、光重合の
開始剤を主成分とする光重合性組成物の層を設け、更に
その上に薄い透明フィルムを置きカバーとなし、このカ
バーの上から原稿を用いて露光し、カバーを剥がすこと
により感光層の露光部分、若しくは未露光部のいずれか
一方を基材上に残し、残余の部分をカバー上に残し、基
材上とカバー上に各々ネガとポジ(またはポジとネガ)
の画像を形成する方法である。この記録材料を使用する
場合には前記の溶液現像型記録材料を使用した場合に比
較していわゆる液体による現像工程が省略され、カバー
フイルムを剥がすだけでレジストパターンが作成される
。この方法は「剥離現像」といわれ、またこの方法によ
るホトレジスト材料は「剥離現像型」のホトレジスト材
料といわれている。この方法をプリント配線板の作製工
程に利用した場合には大幅な省力化が期待される。さら
に従来の溶液現像型のホトレジスト材料に比してレジス
トの剥離除去が非常に容易にできることから使用上の問
題点もほぼ解決した非常に進歩した技術であることは言
を待たない。To use this material, the user peels off one plastic film to expose the photosensitive layer, laminates this photosensitive layer on a copper substrate for printed wiring, performs image exposure from the remaining plastic film side, and then The film is removed and developed with a suitable developer such as an organic solvent or an alkaline aqueous solution. The portions cured by light irradiation remain on the copper substrate, and the unirradiated portions are dissolved and removed by a developer. In this way, a resist pattern for the intended printed wiring circuit is formed. However, both the above-mentioned "solution type" and "film type" photoresist materials are undesirable because the development process is complicated because they use liquids such as organic solvents and alkaline water, and there is a risk of harming public health. In recent years, dry-developable recording materials have been proposed in place of such solution-developable recording materials.
That is, Japanese Patent Publication No. 38-9663, U.S. Patent No. 3,353
No. 1955 (Special Publication No. 43-22901) and No. 3
, No. 770, No. 438 (Japanese Unexamined Patent Publication No. 47-7728), the difference in adhesive strength between the exposed portion and the non-exposed portion of the photosensitive (photopolymerizable) composition is determined. This is a method of forming images by using This method is
Generally, a layer of a photopolymerizable composition whose main components are a binder polymer, an unsaturated monomer, and a photopolymerization initiator is provided on a base material such as a plastic film, metal, or paper, and then a thin transparent Place the film as a cover, expose the cover to light using an original, and peel off the cover to leave either the exposed or unexposed part of the photosensitive layer on the base material and cover the remaining part. negative and positive (or positive and negative) on the base material and cover respectively.
This is a method of forming an image. When this recording material is used, compared to the case where the solution-developable recording material described above is used, a so-called liquid development step is omitted, and a resist pattern can be created simply by peeling off the cover film. This method is called "peel development," and the photoresist material produced by this method is called a "peel development type" photoresist material. If this method is used in the manufacturing process of printed wiring boards, significant labor savings are expected. Furthermore, compared to conventional solution-developable photoresist materials, the resist can be peeled off and removed much more easily, so it goes without saying that this is a very advanced technology that has almost solved the problems in use.
このような「剥離現像型」のホトレジスト材料において
レジストパターンを作製する場合には露光部分と未露光
部分の境界線での感光層の破壊が必要とされる。When producing a resist pattern using such a "peel-and-develop" photoresist material, it is necessary to destroy the photosensitive layer at the boundary line between exposed and unexposed areas.
そのために使用する高分子バインダー、単量体の性質は
特に重要な点となる。中でも高分子バインダーの性質、
例えば分子量、軟化点、結晶性、他の素材との混合性、
基材への接着性は重要なポイントである。更に形成され
た画像は、その後の種々用途に供されるが、その使用時
に要求される特性、例えば耐摩耗性、耐候性等を具備し
ていることが好ましい。以上、バインダー用の高分子物
質と単量体及び重合開始剤の組合せ系より成る感光性材
料における使用素材の重要性を説明したが、従来技術の
中に見られる材料に関しては、必らずしも満足できる性
能を有しているものは少なく、画像形成も充分には達成
され得なかつた。The properties of the polymer binder and monomer used for this purpose are particularly important. Among them, the properties of the polymer binder,
For example, molecular weight, softening point, crystallinity, mixability with other materials,
Adhesion to the base material is an important point. Furthermore, the formed image is used for various subsequent uses, and it is preferable that the image has properties required during its use, such as abrasion resistance and weather resistance. The importance of materials used in photosensitive materials consisting of a combination system of a polymeric substance for a binder, a monomer, and a polymerization initiator has been explained above. However, few of them have satisfactory performance, and image formation has not been achieved satisfactorily.
例えば、特公昭38−9663号公報には、粘着性附与
剤の一部としてのバインダー用の高分子物質を用いてい
るが、その中にはポリビニルブチラール、ポリビニルア
セテート、ポリビニルピロリドン、ゼラチン、クマロン
インデン樹脂、シリコン樹脂、ゴム等が用いられている
。又、米国特許第3,770,438号明細書の中には
、「結合剤」として、例えばビニリデンクロリド共重合
体、セルロースエーテル、合成ゴム、ポリビニルアセテ
ート共重合体、ポリアクリレート、ポリ塩化ビニル等が
用いられる旨記載されている。しかし、これ等の高分子
物質と種々の単量体及びその重合開始剤との組合わせの
系を用いて実際に試験を行なつても、必ずしも満足でき
る結果が得られなかつた。本発明者等は、かかる従来技
術の欠点を解消するため種々研究を重ねた結果、塩素化
ポリオレフインがバインダー用の高分子物質として卓越
した性能を有していることを見い出し、支持体上に光重
合性組成物の層を有し、必要により該層の上に保護フイ
ルムを有する記録材料において、該光重合性組成物が塩
素化ポリオレフイン、付加重合性不飽和結合を有する単
量体、および光重合開始剤からなるホトレジスト材料を
発明した(特開昭49−123021、対応する西ドイ
ツ特許出願公開(0LS)第2,414,240号)。For example, in Japanese Patent Publication No. 38-9663, a polymeric substance for a binder is used as a part of the tackifying agent, but some of these include polyvinyl butyral, polyvinyl acetate, polyvinylpyrrolidone, gelatin, Maron indene resin, silicone resin, rubber, etc. are used. Further, in US Pat. No. 3,770,438, examples of "binding agents" include vinylidene chloride copolymers, cellulose ethers, synthetic rubbers, polyvinyl acetate copolymers, polyacrylates, polyvinyl chloride, etc. It is stated that is used. However, even when tests were actually conducted using combination systems of these polymeric substances, various monomers, and their polymerization initiators, satisfactory results were not necessarily obtained. The present inventors have conducted various studies to overcome the drawbacks of the prior art, and have discovered that chlorinated polyolefin has excellent performance as a polymeric material for binders. In a recording material having a layer of a polymerizable composition and optionally a protective film on the layer, the photopolymerizable composition contains a chlorinated polyolefin, a monomer having an addition-polymerizable unsaturated bond, and a photopolymerizable composition. He invented a photoresist material consisting of a polymerization initiator (JP-A-49-123021, corresponding German Patent Application No. 2,414,240).
しかし前述の発明における光重合性組成物の層は、銅板
やアルミニウム板等の基材の表面に積層し、画像露光し
、剥離現像により良好なパターンが基材の表面に形成さ
れるが、場合によつては基材の表面に残るべき部分が一
部分支持体とともに剥離時に持ち去られて基材の表面の
レジストパターンの切断や部分的な欠損を生じることが
あることが判明した。この現象は光重合性組成物の層が
基材に対して一様に強固な接着性を十分に有していない
ことによるものと考えられる。本発明者等はロジンおよ
びロジンエステル類等がゴムに対する軟化剤および粘着
剤として用いられることに注目し、ロジンおよびロジン
エステノレ類等(以下において、ロジン系の粘着付与剤
という)を高分子物質と混合してみたところ、塩素化ポ
リオレフイン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化
ビニル、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセテート
、塩化ビニル一酢酸ビニル共重合物、塩化ビニリデン−
アクリロニトリル共重合物、ポリイソプレン、塩化ゴム
およびポリ(クロルスルホン化エチレン)等の広い範囲
の高分子物質と良好に混合されうることならびにその混
合物が種種の材質の表面に対して良好な接着性を示すこ
とを見出した。However, the layer of the photopolymerizable composition in the above-mentioned invention is laminated on the surface of a base material such as a copper plate or aluminum plate, imagewise exposed, and peeled and developed to form a good pattern on the surface of the base material. It has been found that in some cases, a portion of the resist pattern that should remain on the surface of the substrate may be removed together with the support during peeling, resulting in breakage or partial loss of the resist pattern on the surface of the substrate. This phenomenon is thought to be due to the fact that the layer of the photopolymerizable composition does not have sufficient uniformly strong adhesion to the substrate. The present inventors have focused on the fact that rosin and rosin esters are used as softeners and adhesives for rubber. When mixed with chlorinated polyolefin, polymethyl methacrylate, polyvinyl chloride, polyvinyl butyral, polyvinyl acetate, vinyl chloride monovinyl acetate copolymer, vinylidene chloride.
It can be mixed well with a wide range of polymeric materials such as acrylonitrile copolymers, polyisoprene, chlorinated rubber and poly(chlorosulfonated ethylene), and the mixtures exhibit good adhesion to the surfaces of a variety of materials. I found out that it shows.
前述の知見にもとずいて、本発明者等は、前述の発明の
光重合性組成物の系にさらにロジン系の粘着付与剤を含
有させることにより、光重合性組成物からなるホトレジ
スト層が露光後に基材(例えば銅板およびアルミニウム
板など)により強固に一様に接着し、剥離現像時に基材
表面上のレジストパターンの切断や部分的な欠損が生じ
ないことおよび光重合性組成物の感光度はロジン系の粘
着付与剤を含有しない光重合性組成物の感光度よりも高
められることを見出し本発明を完成するに至つた。Based on the above-mentioned knowledge, the present inventors further included a rosin-based tackifier in the photopolymerizable composition system of the above-mentioned invention, thereby creating a photoresist layer made of the photopolymerizable composition. The photopolymerizable composition must adhere firmly and uniformly to the substrate (e.g., copper plate, aluminum plate, etc.) after exposure, and the resist pattern on the substrate surface will not be cut or partially damaged during peeling and development, and the photopolymerizable composition must be photosensitive. The present inventors have discovered that the sensitivity is higher than that of a photopolymerizable composition that does not contain a rosin-based tackifier, and have completed the present invention.
本発明の目的は露光後において硬化した部分が基板に強
固に一様に接着し、剥離現像時にレジストパターンの切
断および部分的欠損が生じないところの剥離現像型のホ
トレジスト材料を提供することにある。An object of the present invention is to provide a peel-and-develop type photoresist material in which the hardened portion adheres firmly and uniformly to a substrate after exposure, and the resist pattern is not cut or partially damaged during peel-and-develop. .
本発明の他の目的は高い感光度を有する剥離現像型のホ
トレジスト材料を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a peel-and-develop type photoresist material having high photosensitivity.
本発明のさらに他の目的はよりシヤープな端部を有する
レジストパターンを与える剥離現像型のホトレジスト材
料を提供することにある。本発明のさらに他の目的は露
光前において感光性組成物の層が一様に基材に接着し、
かつ露光後の剥1雅現像時においては硬化していない未
露光部分が完全に基材から除去されうる剥離現像型のホ
トレジスト材料を提供することにある。Yet another object of the present invention is to provide a peel-and-developable photoresist material that provides a resist pattern with sharper edges. Still another object of the present invention is that the layer of the photosensitive composition uniformly adheres to the substrate before exposure;
Another object of the present invention is to provide a peel-and-develop type photoresist material in which the uncured, unexposed portions can be completely removed from the substrate during peel-off development after exposure.
本発明は、支持体上に少なくとも皮膜形成性高分子物質
、付加重合性不飽和結合を少なくとも1個有する単量体
および光重合の開始剤を含有する光重合性組成物の層が
設けられてなり、支持体を剥離することによつて現像す
る剥離現像型ホトレジスト材料において、該光重合性組
成物にさらにロジン系の粘着付与剤が含有されているこ
とを特徴とするホトレジスト材料からなつている。In the present invention, a layer of a photopolymerizable composition containing at least a film-forming polymeric substance, a monomer having at least one addition-polymerizable unsaturated bond, and a photopolymerization initiator is provided on a support. A peel-and-develop photoresist material that is developed by peeling off a support, characterized in that the photopolymerizable composition further contains a rosin-based tackifier. .
本発明に用いることができるロジン系の粘着付与剤とし
ては、天然樹脂としてのロジン(例えばガムロジン、ウ
ツドロジン、トールオイルロジン等)、重合ロジン、部
分水素添加ロジン、部分水素添加ロジンのペンタエリト
リトールエステル、グリセリンエステル系のロジン、ペ
ンタエリトリトールエステル系のロジン、モノエチレン
グリコールエステル系のロジン、アビエチン酸メチル、
アブエチン酸メチルの水添物、アビエチン酸ジエチレン
グリコール、2−ヒドロアビエチン酸ジエチレングリコ
ーブレ等がある。光重合性組成物の感光度の増大性、え
られるレジストパターンの基材への接着性および耐エツ
チング液性、入手のしやすさ、低価格性ならびに光重合
性組成物の調製しやすさ等を考慮すると、これらのうち
で好ましいロジン系の粘着付与剤は、天然樹脂としての
ロジン(例えばガムロジン、ウツドロジン、トールオィ
ルロジン等)、重合ロジン、部分水素添加ロジン、部分
水素添加ロジンのペンタエリトリトールエステル、グリ
セリンエステル系のロジンおよびノペンタエリトリトー
ルエステル系のロジンである。Examples of the rosin-based tackifier that can be used in the present invention include rosin as a natural resin (for example, gum rosin, oil rosin, tall oil rosin, etc.), polymerized rosin, partially hydrogenated rosin, pentaerythritol ester of partially hydrogenated rosin, Glycerin ester rosin, pentaerythritol ester rosin, monoethylene glycol ester rosin, methyl abietate,
Examples include hydrogenated methyl abuetate, diethylene glycol abietate, diethylene glycol 2-hydroabietate, and the like. The ability to increase the photosensitivity of the photopolymerizable composition, the adhesion of the resultant resist pattern to the substrate and the resistance to etching liquids, the ease of availability, low price, and ease of preparing the photopolymerizable composition, etc. Considering these, preferred rosin-based tackifiers include rosin as a natural resin (for example, gum rosin, uddrosin, tall oil rosin, etc.), polymerized rosin, partially hydrogenated rosin, and partially hydrogenated rosin pentaerythritol. ester, glycerin ester-based rosin, and nopentaerythritol ester-based rosin.
これらのうちで特に好ましいロジン系の粘着付与剤は部
分水素添加ロジンのグリセリンエステル、部分水素添加
ロジンのペンタエリトリトールエステルおよびロジンの
ペンタエリトリトールエステルである。前述の物質の単
独または任意の二種以上を混合して光重合性組成物中に
含有させて用いることができる。ロジン系の粘着付与剤
の含有量は、光重合性組成物の全固型分中の0.1wt
%から30wt01)までの範囲で用いることができ、
好ましくは同じく1w1%から10wt%の範囲で用い
ることができる。ロジン系の粘着付与剤の含有量が前述
の範囲に満たない場合には、光重合性組成物の層が基材
の表面に一様に強固に接着する性質が失われ、画像露光
後の剥離現像時に基材表面上のレジストパターンの切断
や部分的欠損が生じやすくなり、また同時に光重合性組
成物の感光度の増大もみられない。逆にロジン系の粘着
付与剤の含有量が前述の範囲を越えた場合には、感光性
組成物の調製および塗布が行いにくくなり、その感光度
の増大する効果が失われ、また最終的にえられる基材表
面上のレジストパターンの固化が十分におこなわれずに
粘着性がいつまでも残存しかつレジストパターンの強度
が低下する等の不都合が生じる。本発明に用いられる皮
膜形成高分子物質としては、塩素化ポリオレフイン(た
とえば塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン)、
ポリメチルメタアクリレート、ポリメチルアクリレート
、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルアセテート、塩化ビニル酢酸ビニ
ル共重合物、塩化ビニリデンーアタリロニトリル共重合
物、ポリイソプレン、塩化ゴム、ポリクロロプレン、ポ
リクロルスルホン化エチレンおよびポリクロルスルホン
化プロピレンなどがある。Among these, particularly preferred rosin-based tackifiers are glycerin esters of partially hydrogenated rosins, pentaerythritol esters of partially hydrogenated rosins, and pentaerythritol esters of rosin. The above-mentioned substances can be used alone or in a mixture of two or more of them in the photopolymerizable composition. The content of the rosin-based tackifier is 0.1wt in the total solid content of the photopolymerizable composition.
% to 30wt01),
Preferably, it can be used in a range of 1w1% to 10wt%. If the content of the rosin-based tackifier is less than the above range, the layer of the photopolymerizable composition will lose its ability to adhere uniformly and firmly to the surface of the substrate, resulting in peeling after image exposure. During development, the resist pattern on the surface of the substrate is likely to be cut or partially damaged, and at the same time, no increase in photosensitivity of the photopolymerizable composition is observed. On the other hand, if the content of the rosin-based tackifier exceeds the above-mentioned range, it becomes difficult to prepare and apply the photosensitive composition, its photosensitivity increasing effect is lost, and ultimately The resulting resist pattern on the surface of the substrate is not sufficiently solidified, resulting in problems such as tackiness remaining and the strength of the resist pattern being reduced. Film-forming polymeric substances used in the present invention include chlorinated polyolefins (e.g., chlorinated polyethylene, chlorinated polypropylene),
Polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinyl butyral, polyvinyl acetate, vinyl chloride vinyl acetate copolymer, vinylidene chloride-atarylonitrile copolymer, polyisoprene, chlorinated rubber, polychloroprene, Examples include polychlorosulfonated ethylene and polychlorosulfonated propylene.
これらのうちで好ましい皮膜形成高分子物質は塩素化ポ
リエチレン、塩素化ポリプロピレンおよびポリメチルメ
タアクリレートである。次に、本発明に用いることがで
きる付加重合性不飽和結合を少なくとも1個有する単量
体としては、広範な付加重合性単量体があげられる。そ
の例としては、アクリル酸エステル類、アクリルアミド
類、メタアクリル酸エステル類、メタアクリルアミド類
、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類
、N−ビニル化合物、スチレン類、クロトン酸エステル
類などがある。付加重合性不飽和結合を1個有する化合
物の具体例としては、アクリル酸エステル類、例えば、
アクリル酸、アルキルアクリレート(例えばアクリル酸
プロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸アミル、アク
リル酸エチルヘキシル、アクリル酸オクチル)、メタア
クリル酸エステル類、例えば、メタアタリル酸、アルキ
ルメタアクリレート(例えばメチルメタアクリレート、
エチルメタアクリレート、プロピルメタアクリレート、
イソプロピルメタアクリレート)、アクリルアミド類、
例えばアクリルアミド、N−アルキルアクリルアミド、
(該アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、
ブチル基、イソプロピル基、t−ブチル基、エチルヘキ
シル基などがある。)、メタアクリルアミド類、例えば
メタアクリルアミド、N−アルキルメタアクリルアミド
(該アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプ
ロピル基、t−ブチル基、エチルヘキシル基などがある
。)、アリル化合物、例えばアリルエステル類(例えば
酢酸アリル、カプロン酸アリル、力フリル酸アリル、ラ
ウリン酸アリル、パルミチン酸アリル)、ビニルエーテ
ル類、例えばアルキルビニルエーテル(例えばヘキシル
ビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、デシ ニル
ビニルエーテル、エチルヘキシルビニルエーテル)、ビ
ニルエステル類、例えばビニルブチレート、ビニルイソ
ブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエ
チルアセテート、ビニルバレレート、ビニルカプロエー
ト等がある。他にス ,こチレン類、例えばスチレン、
メチルスチレン、クロルメチルスチレン、アルコキシス
チレン、ハロゲン化スチレン、安息香酸スチレン等があ
る。クロトン酸エステル類としてはクロトン酸メチル、
クロトン酸エチル、クロヘン酸ブチル、タロトン c酸
ヘキシル、クロトン酸イソプロピルなどがある。次に、
付加重合性不飽和結合を2個以上有する化合物の具体例
を例示するが、これらは上記付加重合性不飽和結合を1
個有する化合物よりも、好適に使用される。先ずアクリ
ル酸エステル類及び 4メタアクリル酸エステル類とし
ては、多価アルコールのポリアクリレート類及びポリメ
タアクリレート類(ここで「ポI月とはジアクリレート
以上を指す。)がある。上記多価アルコールとしては、
ポリエチレングリコール、ポリプロピレンオキシド、ポ
リブチレンオキシド、ビス(β−ヒドロヰシエトキシ)
ベンゼン、グリセリン、ジグリセリン、ネオペンチルグ
リコール、トリメチロールプロパン、トリエチロールプ
ロパン、ペンタエリトリトール、ジペンタエリトリトー
ル、ゾルビタン、ソルビトール、1,4−ブタンジオー
ル、1,2,4−ブタントリオール、2−ブテン−1,
4−ジオール、2−ブチル−2−エチル−プロパンジオ
ール、2−ブテン−1,4−ジオール、1,3−プロパ
ンジオール、トリエタノールアミン、デカリンジオール
、3−クロル−1,2−プロパンジオール等がある。こ
れらのアクリル酸エステル類、及びメタアクリル酸エス
テル類のうち、好ましいものは、エチレングリコールジ
アクリレート、ジエチレングリコールジメタアクリレー
ト、ポリエチレングリコールジアクリレート、ペンタエ
リトリトールトリアクリレート、ペンタエリトリトール
ジメタアクリレート、ジペンタエリトリトールペンタア
クリレート、グリセリントリアクリレート、ジグリセリ
ンジメタアクリレート、1,3−プロパンジオールジア
クリレート、エチレンオキシド付加したトリメチロール
プロパンのトリアクリル酸エステル等である。Among these, preferred film-forming polymeric materials are chlorinated polyethylene, chlorinated polypropylene and polymethyl methacrylate. Next, examples of the monomer having at least one addition-polymerizable unsaturated bond that can be used in the present invention include a wide range of addition-polymerizable monomers. Examples include acrylic esters, acrylamides, methacrylic esters, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, N-vinyl compounds, styrenes, crotonic esters, and the like. Specific examples of compounds having one addition-polymerizable unsaturated bond include acrylic esters, such as
Acrylic acid, alkyl acrylates (e.g. propyl acrylate, butyl acrylate, amyl acrylate, ethylhexyl acrylate, octyl acrylate), methacrylic esters such as methacrylic acid, alkyl methacrylates (e.g. methyl methacrylate,
Ethyl methacrylate, propyl methacrylate,
isopropyl methacrylate), acrylamides,
For example, acrylamide, N-alkylacrylamide,
(The alkyl group includes, for example, a methyl group, an ethyl group,
Examples include butyl group, isopropyl group, t-butyl group, and ethylhexyl group. ), methacrylamides, such as methacrylamide, N-alkylmethacrylamide (the alkyl groups include methyl, ethyl, isopropyl, t-butyl, ethylhexyl, etc.), allyl compounds, such as allyl esters vinyl ethers such as alkyl vinyl ethers (such as hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether, decyl vinyl ether, ethylhexyl vinyl ether), vinyl ethers, Examples include vinyl butyrate, vinyl isobutyrate, vinyl trimethyl acetate, vinyl diethyl acetate, vinyl valerate, vinyl caproate, and the like. In addition, styrenes such as styrene,
Examples include methylstyrene, chloromethylstyrene, alkoxystyrene, halogenated styrene, and styrene benzoate. Crotonate esters include methyl crotonate,
Examples include ethyl crotonate, butyl crotonate, hexyl tarotonate, and isopropyl crotonate. next,
Specific examples of compounds having two or more addition-polymerizable unsaturated bonds are shown below.
It is more preferably used than individual compounds. First, as acrylic esters and 4-methacrylic esters, there are polyacrylates and polymethacrylates of polyhydric alcohols (herein, "Polymer" refers to diacrylate or higher).The above polyhydric alcohols as,
Polyethylene glycol, polypropylene oxide, polybutylene oxide, bis(β-hydroxyethoxy)
Benzene, glycerin, diglycerin, neopentyl glycol, trimethylolpropane, triethylolpropane, pentaerythritol, dipentaerythritol, sorbitan, sorbitol, 1,4-butanediol, 1,2,4-butanetriol, 2-butene- 1,
4-diol, 2-butyl-2-ethyl-propanediol, 2-butene-1,4-diol, 1,3-propanediol, triethanolamine, decalindiol, 3-chloro-1,2-propanediol, etc. There is. Among these acrylic esters and methacrylic esters, preferred are ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, polyethylene glycol diacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol dimethacrylate, and dipentaerythritol pentaacrylate. These include acrylate, glycerol triacrylate, diglycerol dimethacrylate, 1,3-propanediol diacrylate, and triacrylic acid ester of trimethylolpropane added with ethylene oxide.
かかる付加重合性不飽和結合を少なくとも1個有する単
量体は2種以上を併用して用いることもできる。Two or more types of such monomers having at least one addition-polymerizable unsaturated bond can also be used in combination.
これらの単量体は皮膜形成高分子物質100重量部に対
して10重量部から500重量部、好ましくは30から
200重量部の範囲で用いられる。一方、本発明に用い
られる光重合の開始剤としては、従来公知のものを好適
に用いることができ、例えば、J.コーサ一著[ライト
ーセンシテイブシステムズG.KOsar:゛Ligh
t−SensitiveSystems55(JOhn
Wiley&SOns,Inc.,l965,NewY
Ork)第5章に記載されているようなカルボニル化合
物、有機硫黄化合物、過酸化物、レドツクス系化合物、
アゾ並びにジアゾ化合物、ハロゲン化合物、光還元性色
素などがある。These monomers are used in an amount of 10 to 500 parts by weight, preferably 30 to 200 parts by weight, based on 100 parts by weight of the film-forming polymeric substance. On the other hand, as the photopolymerization initiator used in the present invention, conventionally known initiators can be suitably used. Written by Hajime Kosa [Light Sensitive Systems G. KOsar:゛Light
t-Sensitive Systems55 (JOhn
Wiley & SOns, Inc. ,l965,NewY
Ork) carbonyl compounds, organic sulfur compounds, peroxides, redox compounds as described in Chapter 5,
Examples include azo and diazo compounds, halogen compounds, and photoreducible dyes.
代表的な具体例を挙げれば、カルボニル化合物としては
例えばベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾ
フエノン、アントラキノン、2−メチルアントラキノン
、2−t−ブチルアントラキノン、9,10−フエナン
トレンキノン、ジアセチル、ベンジル、更には下記一般
式で示される化合物等が有用である。式中R1は通常シ
アニン色素で知られているアルキル基を示し、例えばメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピ
ル基などの未置換の低級アルキル基、ヒドロキシアルキ
ル基、アルコキシアルキル基、カルボキシアルキル基、
スルホアルキル基、アラルキル基を示す。Typical specific examples include carbonyl compounds such as benzoin, benzoin methyl ether, benzophenone, anthraquinone, 2-methylanthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, 9,10-phenanthrenequinone, diacetyl, benzyl, and Compounds represented by the following general formula are useful. In the formula, R1 represents an alkyl group commonly known in cyanine dyes, such as unsubstituted lower alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, and isopropyl group, hydroxyalkyl group, alkoxyalkyl group, and carboxy group. alkyl group,
Indicates a sulfoalkyl group and an aralkyl group.
R2はアルキル基(例えばメチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、イソプロピル基などの低級アルキル基
が好ましい。)、アリール基(例えばフエニル基、p−
ヒドロキシフエニル基、p−メトキシフエニル基、p−
クロロフエニル基、ナフチル基などが好ましい。)叉は
チエニル基を示す。Zは通常シアニン色素で用いられる
窒素を含む複素環核、例えばベンゾチアゾリ7環、ナフ
トチアゾリン環、ベンゾセレナゾリン環、ナフトセレナ
ゾリン環、ベンゾオキサゾリン環およびナフトオキサゾ
リン環等を形成するのに必要な非金属原子群をあられす
。上記一般式で表わされる化合物の具体例としては、例
えば2−ベンゾイルメチレン一3−メチル−β−ナフト
チアゾリン、2−ベンゾイルメチレン一3−エチル−β
−ナフトチアゾリン、3−エチル−2−(2−テノイノ
(ハ)メチレン一β−ナフトチアゾリン、3−エチル−
2−プロピオニルメチレン−β−ナフトチアゾリン、5
−クロル−3ーエチル−2−p−メトキシベンゾイルメ
チレンベンゾチアゾリンなどがある。R2 is an alkyl group (for example, a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, or an isopropyl group is preferable), an aryl group (for example, a phenyl group, a p-
Hydroxyphenyl group, p-methoxyphenyl group, p-
Chlorophenyl group, naphthyl group, etc. are preferred. ) or thienyl group. Z is a non-containing compound necessary to form a nitrogen-containing heterocyclic ring usually used in cyanine dyes, such as a benzothiazoly heptad ring, a naphthothiazoline ring, a benzoselenazoline ring, a naphthoselenazoline ring, a benzoxazoline ring, and a naphthoxazoline ring. Hail metal atoms. Specific examples of the compound represented by the above general formula include 2-benzoylmethylene-3-methyl-β-naphthothiazoline, 2-benzoylmethylene-3-ethyl-β
-Naphthothiazoline, 3-ethyl-2-(2-thenoino(c)methylene-β-naphthothiazoline, 3-ethyl-
2-propionylmethylene-β-naphthothiazoline, 5
-chloro-3-ethyl-2-p-methoxybenzoylmethylenebenzothiazoline and the like.
有機硫黄化合物としては、ジブチルジスルフイド、ジオ
クチルジスルフイド、ジベンジルスルフイド、ジフエニ
ルジスルフイド、ジベンゾイルジスルフイド、ジアセチ
ルジスルフイドなどがある。Examples of organic sulfur compounds include dibutyl disulfide, dioctyl disulfide, dibenzyl sulfide, diphenyl disulfide, dibenzoyl disulfide, and diacetyl disulfide.
過酸化物としては、過酸化水素、ジ一t−ブチルベルオ
キシド、過酸化ベンゾイル、メチルエチルケトンペルオ
キシドなどがある。レドツクス系化合物は、過酸化物と
還元剤の組合わせからなるものであり、第一鉄イオンと
過酸化水ム第一鉄イオンと過硫酸イオン、第二鉄イオン
と過酸化物などがある。Examples of peroxides include hydrogen peroxide, di-t-butyl peroxide, benzoyl peroxide, and methyl ethyl ketone peroxide. Redox compounds consist of a combination of a peroxide and a reducing agent, and include ferrous ions and water peroxide, ferrous ions and persulfate ions, ferric ions and peroxides, and the like.
アゾ及びジアゾ化合物としては、α,α5−アゾビスイ
ソブチロニトリル、2−アゾビス−2一メチルブチロニ
トリル、1−アゾ−ビス−シクロヘキサンカルボニトリ
ル、p−アミノジフエニルアミンのジアゾニウム塩など
がある。Examples of azo and diazo compounds include α,α5-azobisisobutyronitrile, 2-azobis-2-methylbutyronitrile, 1-azo-bis-cyclohexanecarbonitrile, and diazonium salt of p-aminodiphenylamine. be.
ハロゲン化合物としてはクロルメチルナフチルクロリド
、フエナシルクロリド、クロルアセトン、β−ナフタレ
ンスルホニルクロリド、キシレンスルホニルクロリドな
どがある。Examples of the halogen compound include chloromethylnaphthyl chloride, phenacyl chloride, chloroacetone, β-naphthalenesulfonyl chloride, and xylene sulfonyl chloride.
光還元性色素としては、ローズベンガル、エリスロシン
、エオシン、アタリフラピン、リボフラビン、チオニン
などがある。Examples of photoreducible pigments include rose bengal, erythrosin, eosin, atariflapine, riboflavin, and thionin.
これらの光重合開始剤のうちで好ましいものは、2−メ
チルアントラキノン、2−エチルアントラキノン、2−
イソプロピルアントラキノンおよび2−t−ブチルアン
トラキノンなどのアントラキノン誘導体、9,10−フ
エナントレンキノン、ベンゾインメチルエーテルなどの
ベンゾイン誘導体、ならびに2−ベンゾイルメチレン一
3−メチル−β−ナフトチアゾリン、2−ベンゾイルメ
チレン一3−エチル−β−ナフトチアゾリン、3−エチ
ル−2−(2−テノイノ(ハ)メチレン一β−ナフトチ
アゾリンおよび3−エチル−2−プロピオニルメチレン
−β−ナフトチアゾリンなどのナフトチアゾリン誘導体
である。Among these photopolymerization initiators, preferred are 2-methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, and 2-methylanthraquinone.
Anthraquinone derivatives such as isopropylanthraquinone and 2-t-butylanthraquinone, benzoin derivatives such as 9,10-phenanthrenequinone, benzoin methyl ether, and 2-benzoylmethylene-3-methyl-β-naphthothiazoline, 2-benzoylmethylene Naphthothiazoline derivatives such as -3-ethyl-β-naphthothiazoline, 3-ethyl-2-(2-tenoino(ha)methylene-β-naphthothiazoline) and 3-ethyl-2-propionylmethylene-β-naphthothiazoline. .
これらの光重合開始剤は一般には単独で用いられるが、
必要に応じて2種以上を組合せて用いることもできる。These photoinitiators are generally used alone, but
Two or more types can be used in combination if necessary.
これ等の光重合開始剤は単量体100重量部に対して0
.1から20重量部の範囲で用いるが、好ましくは1か
ら10重量部の範囲である。These photopolymerization initiators are 0% per 100 parts by weight of monomer.
.. It is used in a range of 1 to 20 parts by weight, preferably in a range of 1 to 10 parts by weight.
本発明に使用される光重合性組成物は、上記成分からな
るものであるが、更に熱重合防止剤を加えることができ
る。The photopolymerizable composition used in the present invention consists of the above-mentioned components, but a thermal polymerization inhibitor can be further added thereto.
熱重合防止剤の具体例としては、例えばパラメトキシフ
エノール、ヒドロキノン、アルキル若しくはアリール置
換ヒドロキノン、t−ブチルカテコール、ピロガロール
、塩化第一銅、フエノチアジン、クロラニール、ナフチ
ルアミン、β−ナフトール、2,6−ジ一t−ブチルー
p−クレゾール、ピリジン、ニトロベンゼン、ジニトロ
ベンゼへp−トルイジン、メチレンブルー、有機酸銅(
例えば酢酸銅など)などがある。これらの熱重合防止剤
は単量体100重量部に対して0.001から5重量部
の範囲で含有させるのが好ましい。本発明に使用される
光重合性組成物には、更に着色剤、可塑剤などの各種添
加剤を含有させることができる。Specific examples of thermal polymerization inhibitors include paramethoxyphenol, hydroquinone, alkyl- or aryl-substituted hydroquinone, t-butylcatechol, pyrogallol, cuprous chloride, phenothiazine, chloranil, naphthylamine, β-naphthol, 2,6-di -t-Butyl-p-cresol, pyridine, nitrobenzene, dinitrobenzene to p-toluidine, methylene blue, organic acid copper (
For example, copper acetate). These thermal polymerization inhibitors are preferably contained in an amount of 0.001 to 5 parts by weight per 100 parts by weight of the monomer. The photopolymerizable composition used in the present invention can further contain various additives such as colorants and plasticizers.
着色剤としては、例えばカーボンブラツク、酸化鉄、フ
タロシアニン系顔料、アゾ系顔料などの顔料や、メチレ
ンブルー、クリスタルバイオレツト、ローダミンB1フ
クシン、オーラミン、アゾ系染料、アントラキノン系染
料などの染料があるが、使用される着色剤が光重合開始
剤の吸収波長の光を吸収しないものが好ましい。かかる
着色剤は、皮膜形成性高分子物質と単量体の合計量10
0重量部に対して顔料の場合は0.1から30重量部、
染料の場合は0.01から10重量部、好ましくはいず
れも0.1から3重量部の範囲で含有させるのが好まし
い。可塑剤としては、ジメチルフタレート、ジエチルフ
タレート、ジブチルフタレート、ジイソブチルフタレー
ト、ジオタチルフタレートなどのフタル酸エステル類、
ジメチルグリコールフタレート、エチルフタリルエチル
グリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブ
チルフタリルブチルグリコレート、トリエチレングリコ
ールジカプリル酸エステルなどのグリコールエステル類
、トリクレジルホスフエート、トリフエニルフオスフエ
ートなどの燐酸エステル類、クエン酸トリエチル、グリ
セリントリアセチルエステル、ラウリン酸ブチルなどが
ある。本発明に使用される光重合性組成物は溶剤に溶解
して塗布液となし、これを適当な支持体に塗布し乾燥さ
れる。塗布液の溶剤としては、例えばアセトン、メチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサ
ノン、ジイソブチルケトンなどの如きケトン類、例えば
酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、蟻酸メチル、プ
ロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル
などの如きエステル類、例えばトルエン、キシレン、ベ
ンゼン、エチルベンゼンなどの如き芳香族炭化水素、例
えば四塩化炭素、トリクロルエチレン、クロロホルム、
1,1,1−トリクロルエタン、モノクロルベンゼン、
クロルナフタリンなどの如きハロゲン化炭化水素、例え
ばテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレング
リコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノ
エチルエーテルアセテートなどの如きエーテル類、ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどがある。Examples of colorants include pigments such as carbon black, iron oxide, phthalocyanine pigments, and azo pigments, and dyes such as methylene blue, crystal violet, rhodamine B1 fuchsin, auramine, azo dyes, and anthraquinone dyes. It is preferable that the colorant used does not absorb light at the absorption wavelength of the photopolymerization initiator. Such a coloring agent has a total amount of film-forming polymeric substance and monomer of 10
0.1 to 30 parts by weight in the case of pigments to 0 parts by weight;
In the case of a dye, it is preferably contained in a range of 0.01 to 10 parts by weight, preferably 0.1 to 3 parts by weight. Examples of plasticizers include phthalate esters such as dimethyl phthalate, diethyl phthalate, dibutyl phthalate, diisobutyl phthalate, and diotatylphthalate;
Glycol esters such as dimethyl glycol phthalate, ethyl phthalyl ethyl glycolate, methyl phthalyl ethyl glycolate, butylphthalyl butyl glycolate, triethylene glycol dicaprylate, tricresyl phosphate, triphenyl phosphate, etc. These include phosphoric acid esters, triethyl citrate, glycerin triacetyl ester, and butyl laurate. The photopolymerizable composition used in the present invention is dissolved in a solvent to form a coating solution, which is coated on a suitable support and dried. Examples of the solvent for the coating solution include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, diisobutyl ketone, etc., such as ethyl acetate, butyl acetate, amyl acetate, methyl formate, ethyl propionate, dimethyl phthalate, and ethyl benzoate. esters such as toluene, xylene, benzene, ethylbenzene, etc., aromatic hydrocarbons such as carbon tetrachloride, trichlorethylene, chloroform,
1,1,1-trichloroethane, monochlorobenzene,
Examples include halogenated hydrocarbons such as chlornaphthalene, ethers such as tetrahydrofuran, diethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether acetate, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, and the like.
支持体の表面には必要に応じて光重合性組成物の層と支
持体との結合が良好になるために必要な他の塗布層およ
び或いはハレーシヨン防止層等を設けることもできる。
本発明に用いられる支持体は光重合性組成物を光重合さ
せうる光の透過性が良好であること及び表面が均一であ
ることが必要である。If necessary, other coating layers and/or antihalation layers necessary for good bonding between the photopolymerizable composition layer and the support can be provided on the surface of the support.
The support used in the present invention needs to have good transmittance to light that can photopolymerize the photopolymerizable composition and a uniform surface.
一例として波長範囲290nmから500nmにおいて
、光の透過率が少なくとも3001)、好ましくは少な
くとも65%であるような波長領域を有していてかつ表
面が均一であることが必要である。具体的にはポリエチ
レンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、
三酢酸セルロース、二酢酸セルロース、ポリ塩化ビニル
、ポリビニルアルコール、ポリカルボネート、ポリスチ
レン、セロフアン、ポリ塩化ビニリデン共重合物、ポリ
アミド(たとえば6−ナイロン、6,6−ナイロン、6
,10一ナイロンなど)、ポリイミド、塩化ビニル一酢
酸ビニル共重合物、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ
トリフルオロエチレン等の多種のプラスチツクフイルム
が使用できる。更にこれ等の二種以上からなる複合材料
も使用することができる。支持体は、一般的には10か
ら150μmの厚さのもの、好ましくは20から50μ
mの厚さのものが使用されるが、上記範囲以外のもので
も使用することができる。支持体上に設けられる。For example, in the wavelength range from 290 nm to 500 nm, it is necessary that the light transmittance is at least 3001), preferably at least 65%, and that the surface is uniform. Specifically, polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene,
Cellulose triacetate, cellulose diacetate, polyvinyl chloride, polyvinyl alcohol, polycarbonate, polystyrene, cellophane, polyvinylidene chloride copolymer, polyamide (e.g. 6-nylon, 6,6-nylon, 6
, 10-nylon, etc.), polyimide, vinyl chloride monovinyl acetate copolymer, polytetrafluoroethylene, polytrifluoroethylene, and the like can be used. Furthermore, a composite material consisting of two or more of these types can also be used. The support is generally of a thickness of 10 to 150 μm, preferably 20 to 50 μm.
A thickness of m is used, but thicknesses outside the above range can also be used. provided on a support.
前記光重合性組成物の層の厚さは、最終的に形成される
画像が所望の機能を果たすような厚さが設けられるが、
一般的には乾燥後、すなわち溶剤が存在しない状態での
厚さが5から100μmの範囲であり、より好ましくは
10から60μmの範囲である。本発明の記録材料は、
支持体上に光重合性組成物の層を設けた構成からなるも
のであるが、必要に応じて光重合性組成物の層の上に保
護フイルムを設けることができる。The thickness of the layer of the photopolymerizable composition is set such that the finally formed image performs the desired function,
Generally, the thickness after drying, ie in the absence of solvent, is in the range of 5 to 100 μm, more preferably in the range of 10 to 60 μm. The recording material of the present invention is
Although it consists of a layer of a photopolymerizable composition provided on a support, a protective film can be provided on the layer of the photopolymerizable composition if necessary.
かかる保護フイルムとしては前記支持体に使用されるも
のおよび、紙、例えばポリエチレン、ポリプロピレンな
どがラミネートされた紙などの中から適宜選ぶことがで
きる。厚さは8から80μmの範囲が一般的であり10
から50μmの範囲がより好ましい。その際、光重合性
組成物と支持体の接着力Aと光重合性組成物と保護フイ
ルムの接着力BがA>Bとなるようにする必要がある。
例えば、次の第1表の如き組み合わせで、支持体と保護
フイルムを使用することができる。上記の如き支持体と
保護フイルムを相互に異種 1のものから選ぶ方法のほ
かに、支持体および保護フイルムの少なくとも一方を表
面処理することにより、前記の如く接着力の関係を満た
すようにすることができる。Such a protective film can be appropriately selected from those used for the support and paper such as paper laminated with polyethylene, polypropylene, etc. The thickness is generally in the range of 8 to 80 μm, and 10
More preferably, the range is from 50 μm to 50 μm. At that time, it is necessary to make sure that the adhesive force A between the photopolymerizable composition and the support and the adhesive force B between the photopolymerizable composition and the protective film satisfy A>B.
For example, the support and the protective film can be used in combinations as shown in Table 1 below. In addition to the method of selecting the support and the protective film from mutually different types as described above, it is also possible to surface-treat at least one of the support and the protective film so as to satisfy the adhesive force relationship as described above. I can do it.
支持体の表面処理は光重合性組成物との接着力を高める
為に施されるのが一般的 :であり、例えば下塗層の塗
設、コロナ放電処理、火焔処理、紫外線照射処理、高周
波照射処理、グロー放電照射処理、活性プラズマ照射処
理、レーザー光線照射処理などがある。また、保護フイ
ルムの表面処理は、上記支持体の表面処理とは逆に、光
重合性組成物との接着力を低めるために施されるが一般
的であり、例えばポリオルガノシロキサン、弗素化ポリ
オレフイン、ポリフルオロエチレンなどを下塗り層とし
て設ける方法がある。The surface treatment of the support is generally performed to increase the adhesive strength with the photopolymerizable composition, such as applying an undercoat layer, corona discharge treatment, flame treatment, ultraviolet irradiation treatment, and high frequency treatment. Examples include irradiation treatment, glow discharge irradiation treatment, active plasma irradiation treatment, and laser beam irradiation treatment. In addition, the surface treatment of the protective film is generally carried out in order to reduce the adhesive force with the photopolymerizable composition, contrary to the surface treatment of the support described above. There is a method of providing an undercoat layer of polyfluoroethylene or the like.
次に、本発明のホトレジスト材料を使用した画像形成方
法を説明する。Next, an image forming method using the photoresist material of the present invention will be explained.
本発明のホトレジスト材料が保護フイルムを有する場合
には、その保護フイルムを剥してから、ホトレジスト材
料の感光性組成物の層を所望の基体に圧着させる。When the photoresist material of the present invention has a protective film, the protective film is peeled off, and then the layer of the photosensitive composition of the photoresist material is pressed onto a desired substrate.
次に透明支持体を通して、画像露光する。光源としては
350から450nmの範囲の波長の光を含む光源、例
えば高圧水銀灯、キセノン灯、カーボンアーク灯、複写
用の螢光管などを使用することができる。その他に、レ
ーザー光線、電子線、X線など光源として使用してもよ
い。画像露光後、支持体を剥離すると、画像露光におけ
る露光部分は硬化して基体上に残存するが、非露光部分
は硬化しないまま支持体と共に除去され、基体上に画像
が形成される。本発明の記録材料はレジスト画像の作製
に特に有利に使用されるが、写真、光学的複製、レリー
フ型の製作、平版印刷及び凸版印刷等の刷版の作成等に
も使用することができる。Next, image exposure is carried out through the transparent support. As the light source, a light source containing light with a wavelength in the range of 350 to 450 nm, such as a high-pressure mercury lamp, a xenon lamp, a carbon arc lamp, a fluorescent tube for copying, etc., can be used. In addition, laser beams, electron beams, X-rays, etc. may be used as light sources. When the support is peeled off after image exposure, the exposed portions in the image exposure are cured and remain on the substrate, but the unexposed portions are removed together with the support without being cured, and an image is formed on the substrate. The recording material of the invention is particularly advantageously used for the production of resist images, but can also be used for photography, optical reproduction, production of relief molds, production of printing plates such as lithography and letterpress printing, etc.
本発明のホトレジスト材料は従来の溶液型ホトレジスト
材料に比して、よりシヤープな端部を有するレジストパ
ターンを与え、また微細なパターンの形成も良好に行う
ことができる。The photoresist material of the present invention provides a resist pattern with sharper edges than conventional solution type photoresist materials, and can also form fine patterns well.
ロジン系の粘着付与剤を含有しない光重合性組成物の系
を有するホトレジスト材料に比して、感度が高く、かつ
光重合性組成物の層の露光後における基材への接着力が
増強され、えられるレジストパターンの断線、部分的な
欠損等の欠点が生ずることがないというすぐれた効果を
本発明のホトレジスト材料は有している。本発明のホト
レジスト材料により作製したレジストはプリント配線回
路基板作成用レジストとして、とくに卓越した性能を有
していることが判明した。また、本発明のホトレジスト
材料により作製したレジストは耐魔耗性、耐薬品性に優
れていることが判明した。以下に実施例によつて具体的
に説明するが、本発明はこの実施例によつて限定される
ものではない。Compared to photoresist materials having a photopolymerizable composition system that does not contain a rosin-based tackifier, the sensitivity is higher and the adhesion of the photopolymerizable composition layer to the substrate after exposure is enhanced. The photoresist material of the present invention has the excellent effect of not causing defects such as disconnection or partial defects in the resist pattern that can be obtained. It has been found that the resist produced using the photoresist material of the present invention has particularly excellent performance as a resist for producing printed wiring circuit boards. It was also found that the resist produced using the photoresist material of the present invention has excellent wear resistance and chemical resistance. The present invention will be specifically explained below using Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
TO
(米スーパークロンCPE−907LTNま40重量%
トルエン溶液の25℃における粘度が約90cpsであ
り、塩素含有率が66重量%以上の化合物である。TO (U.S. Super Chron CPE-907LTN 40% by weight
The compound has a toluene solution having a viscosity of about 90 cps at 25° C. and a chlorine content of 66% by weight or more.
)上記組成物をメチルエチルケトン1001f11およ
びジメチルホルムアミド20dからなる混合溶媒に溶解
して光重合性組成物の溶液を作成した。) The above composition was dissolved in a mixed solvent consisting of methyl ethyl ketone 1001f11 and dimethyl formamide 20d to prepare a solution of the photopolymerizable composition.
この液の一部を厚さ25μmのポリエチレンテレフタレ
ートフイルムの上に塗布し、80℃で20分乾燥した。
乾燥後の光重合性組成物の層の厚さは15μmであつた
。ついで清浄化したプリント配線用の銅基板(グラスフ
アイバ一を混入して強化した厚さ1.21mのエポキシ
樹脂板に厚さ35μmの銅の薄板を積層した基板で、大
きさは10cm×15CI!L)の銅の層の上に加圧積
層した。この状態で配線回路パターンを持つた陰画原稿
をホトレジスト材料の支持体表面上に密着させ、陰画原
稿を通して2KWの高圧水銀灯光源から50cmの距離
で1分露光を行なつた。直ちに支持体のポリエチレンテ
レフタレートフイルムを剥離すると、銅基板の銅の層の
上に陰画原稿に対応する光硬化された光重合性組成物の
層が残つてポジ画像が形成され、陰画原稿に対応する未
硬化部分の光重合性組成物の層はポリエチレンテレフタ
レートフイルムとともに除去された。銅基板上に形成さ
れたレジストパターンには断線、欠損等の欠点は全くな
かつた。同様の処理を同じ材質の同じ大きさの銅基板9
枚についてくりかえし行つたところ、同様に欠点のない
レジストパターンが形成された。次にこのようにして形
成されたレジストパターンを有する銅基板を38wt%
の塩化鉄()水溶液を用いて40℃の温度で銅の層のエ
ツチング処理を行なつた。この処理中も感光層は銅面に
強固に接着し、剥がれたりピンホールを発生する現象は
全く生じなかつた。感光層の剥離はメチレンクロリドに
より簡単に行ない得た。従来のフオトレジストフイルム
(例えば、デユポン(DuPOnt)社の[リストン(
RlstOn)」を用いた場合には最後のレジストの剥
離が固難である欠点が見られたが、本実施例の場合には
剥離が容易で、その点でも優れた性能をもつていること
が見出された。比較例 1実施例1の組成において部分
水素添加ロジンのグリセリンエステルを除いて光重合性
組成物を作成し、以下同様の方法により塗布、乾燥を行
つた。A portion of this liquid was applied onto a polyethylene terephthalate film having a thickness of 25 μm and dried at 80° C. for 20 minutes.
The thickness of the layer of the photopolymerizable composition after drying was 15 μm. Next, we made a cleaned copper board for printed wiring (a board made by laminating a 35 μm thick copper plate on a 1.21 m thick epoxy resin board reinforced with glass fiber, and the size was 10 cm x 15 CI! It was laminated under pressure on top of the copper layer of L). In this state, a negative original having a wiring circuit pattern was brought into close contact with the surface of the support made of photoresist material, and the negative original was exposed to light for 1 minute from a 2 KW high-pressure mercury lamp light source at a distance of 50 cm. When the support polyethylene terephthalate film is immediately peeled off, a layer of photocured photopolymerizable composition corresponding to the negative original remains on the copper layer of the copper substrate, forming a positive image, corresponding to the negative original. The uncured portion of the photopolymerizable composition layer was removed together with the polyethylene terephthalate film. The resist pattern formed on the copper substrate had no defects such as disconnections or defects. Copper substrate 9 of the same size and made of the same material with similar treatment
When the process was repeated for each sheet, a resist pattern with no defects was similarly formed. Next, the copper substrate having the resist pattern formed in this way was 38wt%
The copper layer was etched using an aqueous iron chloride solution at a temperature of 40°C. Even during this treatment, the photosensitive layer adhered firmly to the copper surface, and no peeling or pinholes occurred. The photosensitive layer was easily peeled off using methylene chloride. Conventional photoresist films (for example, DuPOnt's Riston)
When using "RlstOn)", there was a drawback that it was difficult to remove the final resist, but in the case of this example, it was easy to remove, and it has excellent performance in that respect as well. discovered. Comparative Example 1 A photopolymerizable composition was prepared by removing the glycerin ester of the partially hydrogenated rosin from the composition of Example 1, and coating and drying were carried out in the same manner.
乾燥後の光重合性組成物の層の厚さは15μmであつた
。更に同一条件下で銅基板上にレジストパターンを作成
した。10枚の銅基板上にレジストパターンを形成させ
、そのレジストパターンを評価した結果、平均2枚の銅
基板に1力所の欠損(主に断線)が発生していることが
判明した。The thickness of the layer of the photopolymerizable composition after drying was 15 μm. Furthermore, a resist pattern was created on a copper substrate under the same conditions. Resist patterns were formed on 10 copper substrates, and as a result of evaluating the resist patterns, it was found that an average of two copper substrates had one damage (mainly breakage) at one point of force.
しかし38wt%の塩化鉄(Ili)水溶液によるエツ
チング処理(4『C)ではこの欠損数が更に増加するこ
とはなかつた。実施例 2
実施例1の組成において、部分水素添加ロジンのグリセ
リンエステルのかわりにロジンのペンタニリトリトール
エステル(荒川林産化学工業(株)製、ペンセル一A(
Pencel−A)を用い、実施例1と同様の組成で実
施例1と同様にして光重合性組成物を作成し、ポリエチ
レンテレフタレートフイルム(厚さ25μm)上に塗布
し、80℃で20分乾燥したのち、清浄化したフレキシ
ブル銅基板(厚さ100μmのポリイミド樹脂板の表面
に厚さ35μmの銅の薄板を積層した、全体として可撓
性を有する基板で、大きさは20crrLX20Cff
L)の銅の層の上に加圧積層した。However, the etching treatment (4'C) using a 38 wt % iron chloride (Ili) aqueous solution did not further increase the number of defects. Example 2 In the composition of Example 1, pentanylitritol ester of rosin (manufactured by Arakawa Forestry Chemical Industry Co., Ltd., Pencell 1A) was used instead of glycerin ester of partially hydrogenated rosin.
A photopolymerizable composition was prepared in the same manner as in Example 1 with the same composition as in Example 1 using Pencel-A), applied on a polyethylene terephthalate film (thickness: 25 μm), and dried at 80° C. for 20 minutes. After that, a cleaned flexible copper board (a board with a 35 μm thick copper thin plate laminated on the surface of a 100 μm thick polyimide resin board, which has flexibility as a whole, and the size is 20 crr L x 20 Cff)
It was laminated under pressure on top of the copper layer of L).
ついで、露光時間を40秒としたほかは実施例1と同様
にして露光およびホトレジスト材料の支持体の剥離を行
つて、フレキシブル銅基板の銅の層の上に陰画原稿に対
応するポジのレジストパターンを形成させた。レジスト
パターンは100μmの細線まで鮮明に形成され、その
後のエツチング処理(38wt%の塩化鉄(朋水溶液で
40℃で処理)にも充分に耐えることができた。同様に
して同じ材質で同じ大きさのフレキシブル銅基板9枚を
用いてそれぞれの銅基板の上に同じレジストパターンを
形成させた。Next, exposure and peeling of the photoresist material support were carried out in the same manner as in Example 1, except that the exposure time was 40 seconds, and a positive resist pattern corresponding to the negative original was formed on the copper layer of the flexible copper substrate. formed. The resist pattern was clearly formed down to a fine line of 100 μm, and was able to withstand the subsequent etching treatment (38 wt % iron chloride (treated with aqueous solution at 40°C)). The same resist pattern was formed on each of nine flexible copper substrates.
えられた合計10枚の銅基板上のレジストパターンにつ
いて調べたところ、レジストパターンの断線、欠損など
の欠点が非常に少ないことが判明した。すなわち、銅基
板1枚当り平均1力所の欠損が見られた。一方、本実施
例の組成において、ロジンのペンタエリトリトールエス
テルを除いて、光重合性組成物を作成し、それを用いて
本実施例と同様にして10枚のフレキシブル銅基板の上
にレジストパターンを形成させた。えられた10枚の銅
基板上のレジストパターンについて調べたところ、銅基
板1枚当り平均5力所の断線が見られた。上述の比較結
果から明らかなとおり、本発明のホトレジスト材料にお
けるロジンのペンタエリトリトールエステルの効果が大
きいことが判明した。実施例 3
次の組成液を調製した。When the resist patterns on a total of 10 copper substrates obtained were investigated, it was found that there were very few defects such as disconnections and defects in the resist patterns. That is, there was an average of one damage point per copper substrate. On the other hand, a photopolymerizable composition was prepared by removing the pentaerythritol ester of rosin from the composition of this example, and using it, a resist pattern was formed on 10 flexible copper substrates in the same manner as in this example. formed. When the resist patterns on the 10 copper substrates obtained were examined, it was found that there were breaks at an average of 5 force points per copper substrate. As is clear from the above comparison results, it was found that the effect of the pentaerythritol ester of rosin in the photoresist material of the present invention is large. Example 3 The following composition liquid was prepared.
(米スーパークロンCPP−306は40重量%のトル
エン溶液の粘度が25℃で約95cps塩素含有率が6
6重量%以上の化合物である。(U.S. Super Chron CPP-306 has a viscosity of 40% by weight toluene solution at 25°C, approximately 95 cps, and a chlorine content of 6
6% by weight or more of the compound.
)上記組成物のうちメチレンブルーを1dのエタノール
に溶解し、他は50m1のエチレンクロリドに溶解した
後、両方を混合して粘稠な着色した光重合性組成物の溶
液を作製した。これを厚さ25μmのポリエチレンテレ
フタレートフイルム上に均一に塗布して、乾燥して、光
重合性組成物の層が10μmのホトレジスト材料をえた
。ついで実施例1で用いたのと同じ銅基板に温度25℃
で積層し、2KW高圧水銀灯から距離40?で40秒露
光したほかは実施例1と同様にして、露光およびポリエ
チレンテレフタレートフイルムの剥離をおこなつて、銅
基板の層の上にレジストパターンを作製した。) Among the above compositions, methylene blue was dissolved in 1 d of ethanol, and the others were dissolved in 50 ml of ethylene chloride, and both were mixed to prepare a viscous solution of a colored photopolymerizable composition. This was uniformly applied onto a polyethylene terephthalate film having a thickness of 25 μm and dried to obtain a photoresist material having a layer of the photopolymerizable composition of 10 μm. Next, the same copper substrate used in Example 1 was heated to a temperature of 25°C.
The distance from the 2KW high pressure mercury lamp is 40? A resist pattern was produced on the copper substrate layer by exposing and peeling off the polyethylene terephthalate film in the same manner as in Example 1, except that the resist was exposed for 40 seconds.
このようにしてえられたレジストパターンを有する銅基
板を下記の組成のエツチング液で45゜Cで処理した。The copper substrate having the resist pattern thus obtained was treated at 45°C with an etching solution having the composition shown below.
エツチング液組成
A液:ペルオクソニ硫酸アンモニウム2199を水11
に溶解した水溶液。Etching liquid composition: Solution A: Ammonium peroxonisulfate 2199 to water 11
Aqueous solution dissolved in.
B液:塩化ナトリウム1469を水11に溶解した水溶
液。Solution B: An aqueous solution of sodium chloride 1469 dissolved in water 11.
使用時にA液とB液とを溶量比で1:Iで混合して用い
る。When used, liquid A and liquid B are mixed at a 1:I ratio.
この処理に対してレジストは全く変化なく、良好な耐エ
ツチング性を保持し、えられた銅の層からなる配線回路
においては、サイドエツチが非常に少ないことが判明し
た。It was found that the resist did not change at all in response to this treatment, maintained good etching resistance, and had very little side etching in the resulting wiring circuit made of the copper layer.
一方で本実施例の組成のうちからガムロジンのみを除い
た光重合性組成物を用いてホトレジスト材料を作成し、
本実施例と同様にして銅の層からなる配線回路を作製し
たところ、断線があり、また銅の層のサイドエツチが見
られた。この比較結果から、本実施例のホトレジスト材
料の光重合性組成物の層から形成されたレジストパター
ンが銅基板に対して非常にすぐれた接着性をしめすこと
が判明した。実袂飽 A
実施例1の場合と同様にポリエチレンテレフタレートフ
イルム(厚さ25μm)上に塗布された光重合性組成物
の層(乾燥後の厚さ30μm)をプリント配線用の銅基
板に積層した。On the other hand, a photoresist material was prepared using a photopolymerizable composition in which only gum rosin was removed from the composition of this example,
When a wiring circuit consisting of a copper layer was prepared in the same manner as in this example, there were disconnections and side etching of the copper layer was observed. The results of this comparison revealed that the resist pattern formed from the layer of the photopolymerizable composition of the photoresist material of this example exhibited very good adhesion to the copper substrate. A: As in Example 1, a layer of the photopolymerizable composition (thickness after drying: 30 μm) coated on a polyethylene terephthalate film (thickness: 25 μm) was laminated on a copper substrate for printed wiring. .
実施例1の場合と逆の陽画原稿を用いて2KWの超高圧
水銀灯により40CTfLの距離から40秒間露光を行
ない、直ちにポリエチレンテレフタレートフイルムを剥
がすことにより銅基板上に光硬化したネガタイプのレジ
ストパターンが形成された。このパターンは部分水素添
加ロジンのグリセリンエステル無添加の系でえられたパ
ターンと比較すると鮮明度が高く、パターンの線が明確
に形成されることが判明した。このレジストパターンの
銅が露出した部分に次の組成の硼弗化浴を用いてハンダ
メツキを施した。Using a positive manuscript opposite to that used in Example 1, exposure was carried out for 40 seconds from a distance of 40CTfL using a 2KW ultra-high pressure mercury lamp, and the polyethylene terephthalate film was immediately peeled off to form a photocured negative type resist pattern on the copper substrate. It was done. It was found that this pattern had higher clarity than a pattern obtained using a partially hydrogenated rosin without the addition of glycerin ester, and the lines of the pattern were clearly formed. The exposed copper portions of this resist pattern were solder-plated using a borofluoride bath having the following composition.
陽極としてハンダ棒(錫と鉛の重量比が6:4)を用い
、浴温30℃、陰極の電流密度3.0アンペア/DTr
Iの条件により30分間メツキした。この結果良好にメ
ツキが施されたことは勿論であるが、レジストパターン
が剥がれたり、ピンホールが発生する等の欠点は全く見
られなかつた。実施例 5
次の組成の光重合性組成物の溶液を調製した。A solder rod (tin to lead weight ratio of 6:4) was used as the anode, bath temperature was 30°C, and current density of the cathode was 3.0 amperes/DTr.
It was plated for 30 minutes under the conditions of I. As a result, plating was performed satisfactorily, and no defects such as peeling off of the resist pattern or generation of pinholes were observed. Example 5 A solution of a photopolymerizable composition having the following composition was prepared.
冫く――′)ノ ′−ノ1−ト1 具↓↓ \4Jュ.
V.v...、 −一 53上記組成液をポリエチレン
テレフタレートフイルム上に塗布し、80℃で10分間
乾燥した。乾燥後の光重合性組成物の層の厚さは30μ
mであった。この感光層をプリント配線用の銅基板上に
25℃にて加圧積層した。冫く――′)ノ ′-ノ1-ト1 G↓↓ \4Jyu.
V. v. .. .. , -1 53 The above composition liquid was applied onto a polyethylene terephthalate film and dried at 80°C for 10 minutes. The thickness of the photopolymerizable composition layer after drying is 30μ
It was m. This photosensitive layer was laminated under pressure at 25° C. on a copper substrate for printed wiring.
以後露光時間を20秒としたほかは実施例4と同様に陽
画原稿を用いてメツキ用のレジストパターンを作成した
。次いで露出している銅部分に錫メツキを施こしたがメ
ツキ液に対してレジスト部分は強固に銅表面に密着して
おり、剥がれる現象は全く見られなかつた。なお、上記
組成液から部分水素添加ロジンのペンタエリトリトール
エステル(エステルガムHP)除いた光重合性組成物を
調製し、それを用いたホトレジスト材料により、本実施
例と同様にレジストパターンを作製したところ、露光時
間が40秒必要であつた。すなわち、部分水素添加ロジ
ンのペンタエリトリトールエステルを含有させることに
より、光重合性組成物の感度が2倍になることが判明し
た。実施例 6
実施例1と同様にしてホトレジスト材料を作製し、光重
合性組成物の層が乾燥してから直ちに、表面処理をして
いない、平滑な表面を有する厚さ25μmの低密度ポリ
エチレンフイルムをラミネータを用いて保護フイルムと
して光重合性組成物の層の上に積層することにより、保
護フイルムつきのホトレジスト材料をえた。Thereafter, a resist pattern for plating was created using a positive original in the same manner as in Example 4 except that the exposure time was changed to 20 seconds. Next, the exposed copper portions were tin-plated, but the resist portions adhered firmly to the copper surface against the plating solution, and no peeling phenomenon was observed. A photopolymerizable composition was prepared by removing pentaerythritol ester (ester gum HP) of partially hydrogenated rosin from the above composition solution, and a resist pattern was prepared using the photoresist material in the same manner as in this example. , an exposure time of 40 seconds was required. That is, it has been found that the sensitivity of the photopolymerizable composition can be doubled by incorporating pentaerythritol ester of partially hydrogenated rosin. Example 6 A photoresist material was prepared in the same manner as in Example 1, and immediately after the layer of the photopolymerizable composition had dried, a low-density polyethylene film with a thickness of 25 μm and a smooth surface without surface treatment was prepared. A photoresist material with a protective film was obtained by laminating the photoresist material as a protective film on a layer of the photopolymerizable composition using a laminator.
このものを18℃から25℃の温度範囲、45%から7
0%の相対湿度の範囲の暗室内に3力月保管した。その
後保護フイルムをはがしてから、光重合性組成物の層を
実施例1と同様に銅基板の上に加圧積層し、以後実施例
1と同様にしてレジストパターンを作製した。実施例1
と同様な結果がえられた。実施例 7
実施例3と同様にしてホトレジスト材料を作製し、光重
合性組成物の層が乾燥してから直ちに、表面処理をして
いない、平滑な表面を有する厚さ38μmの三酢酸セル
ロースフイルムを保護フイルムとしてラミネータを用い
て光重合性組成物の層の上に積層することにより保護フ
イルムつきのホトレジスト材料をえた。This product is in the temperature range of 18℃ to 25℃, 45% to 7
It was stored for 3 months in a dark room at a relative humidity of 0%. Thereafter, the protective film was peeled off, and a layer of the photopolymerizable composition was laminated under pressure on the copper substrate in the same manner as in Example 1, and a resist pattern was produced in the same manner as in Example 1. Example 1
Similar results were obtained. Example 7 A photoresist material was prepared in the same manner as in Example 3, and immediately after the layer of the photopolymerizable composition had dried, a cellulose triacetate film with a thickness of 38 μm and a smooth surface without surface treatment was prepared. A photoresist material with a protective film was obtained by laminating the photoresist material as a protective film on a layer of the photopolymerizable composition using a laminator.
Claims (1)
重合性不飽和結合を少なくとも1個有する単量体および
光重合の開始剤を含有する光重合性組成物の層が設けら
れてなり、支持体を剥離することによつて現像する剥離
現像型ホトレジスト材料において、該光重合性組成物に
さらにロジン系の粘着付与剤が含有されていることを特
徴とするホトレジスト材料。1 A layer of a photopolymerizable composition containing at least a film-forming polymeric substance, a monomer having at least one addition-polymerizable unsaturated bond, and a photopolymerization initiator is provided on a support; 1. A peel-and-develop photoresist material that is developed by peeling off a body, characterized in that the photopolymerizable composition further contains a rosin-based tackifier.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7913975A JPS5934292B2 (en) | 1975-06-24 | 1975-06-24 | photoresist material |
US05/847,883 US4197132A (en) | 1975-06-24 | 1977-11-02 | Photopolymer photoresist composition containing rosin tackifier adhesion improver and chlorinated polyolefin |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7913975A JPS5934292B2 (en) | 1975-06-24 | 1975-06-24 | photoresist material |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS522724A JPS522724A (en) | 1977-01-10 |
JPS5934292B2 true JPS5934292B2 (en) | 1984-08-21 |
Family
ID=13681613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7913975A Expired JPS5934292B2 (en) | 1975-06-24 | 1975-06-24 | photoresist material |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5934292B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62123444A (en) * | 1985-08-07 | 1987-06-04 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Radiation sensitive resinous composition |
JPH0249821A (en) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Marumu Mutou Kogei:Kk | Method of recovering horizontality of lightweight building ununiformly settling |
-
1975
- 1975-06-24 JP JP7913975A patent/JPS5934292B2/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS522724A (en) | 1977-01-10 |
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