JPS5927032B2 - 磁気バブル用磁性膜測定方法 - Google Patents
磁気バブル用磁性膜測定方法Info
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- JPS5927032B2 JPS5927032B2 JP2656280A JP2656280A JPS5927032B2 JP S5927032 B2 JPS5927032 B2 JP S5927032B2 JP 2656280 A JP2656280 A JP 2656280A JP 2656280 A JP2656280 A JP 2656280A JP S5927032 B2 JPS5927032 B2 JP S5927032B2
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブル用磁性（結晶）膜の磁気異 。
方性磁界の測定方法に関する。磁気バブルメモリ製造に
おいて、磁気バブル用磁性膜の磁気異方性磁界値は、磁
気バブルメモリの動作特性に大きな影響があるので、そ
の値の測定は重要である。
おいて、磁気バブル用磁性膜の磁気異方性磁界値は、磁
気バブルメモリの動作特性に大きな影響があるので、そ
の値の測定は重要である。
しかし現在一般に用いている強磁性共鳴法による異方性
磁界測定器では、被検試料を小片にして測定しなければ
ならず、また磁性結晶のバルクとしての異方性磁界しか
測定できず、実際の薄膜状態では表面の加工によつて、
磁性膜表面から約１０００入までの表層部の異方性磁界
が変化するのに、その変化量を測定できないなどの難点
があつた。また一方では磁気バブル用磁性膜製作過程で
、磁性物質の析出、不純物混入、転位または外部からの
傷などにより、磁気バブル素子の正常動作に障害となる
ような欠陥が生じる。
磁界測定器では、被検試料を小片にして測定しなければ
ならず、また磁性結晶のバルクとしての異方性磁界しか
測定できず、実際の薄膜状態では表面の加工によつて、
磁性膜表面から約１０００入までの表層部の異方性磁界
が変化するのに、その変化量を測定できないなどの難点
があつた。また一方では磁気バブル用磁性膜製作過程で
、磁性物質の析出、不純物混入、転位または外部からの
傷などにより、磁気バブル素子の正常動作に障害となる
ような欠陥が生じる。
従つて磁気バブル用磁性膜の製作後、これら欠陥の位置
、数を測定、検査して磁気バブル用磁性膜の品質の良否
を決定することが必要である。現在の欠陥検査は顕微鏡
目視によつているが、検査員の熟練に依存し、多くの検
査工数を要し、大量検査は不可能である。本発明の目的
は、上記の様な問題がなく、磁気バブル用磁性膜につい
て、非破壊で、迅速容易に磁気異方性磁界値や、表面加
工による異方性磁界の変化を測定することができる方法
を提供することにある。上記目的を達成するために、本
発明においては、被検試料にまず磁気バブル消減磁界以
上の強いバイアス磁界を与えて、いつたんすべての磁気
バブルを消滅させたのち、バイアス磁界を磁気バブル膨
張磁界以上かつ消減磁界以下の値とし、この状態で、試
料面に直交し前記バイアス磁界と逆方向の磁界を、零か
らはじめて漸次大きくして行き、磁気バブルの発生が検
出された時の磁界の値から被検試料の磁気異方性磁界値
ＨＫを算定することとした。
、数を測定、検査して磁気バブル用磁性膜の品質の良否
を決定することが必要である。現在の欠陥検査は顕微鏡
目視によつているが、検査員の熟練に依存し、多くの検
査工数を要し、大量検査は不可能である。本発明の目的
は、上記の様な問題がなく、磁気バブル用磁性膜につい
て、非破壊で、迅速容易に磁気異方性磁界値や、表面加
工による異方性磁界の変化を測定することができる方法
を提供することにある。上記目的を達成するために、本
発明においては、被検試料にまず磁気バブル消減磁界以
上の強いバイアス磁界を与えて、いつたんすべての磁気
バブルを消滅させたのち、バイアス磁界を磁気バブル膨
張磁界以上かつ消減磁界以下の値とし、この状態で、試
料面に直交し前記バイアス磁界と逆方向の磁界を、零か
らはじめて漸次大きくして行き、磁気バブルの発生が検
出された時の磁界の値から被検試料の磁気異方性磁界値
ＨＫを算定することとした。
４πＭｓを飽和磁界値、ＨＢをバイアス磁界値とすれば
、磁化反転磁区すなわち磁気バブルが生ずる磁界Ｈは、
下記１）式の如くなる。
、磁化反転磁区すなわち磁気バブルが生ずる磁界Ｈは、
下記１）式の如くなる。
ＨＢ、４πＭｓはあらかじめわかつている値であるから
、Ｈの値からＨＫが算定できる。この様にして被検磁性
膜の異方性磁界の（欠陥のない個所の）値ＨＫがわかる
が、磁性膜に欠陥のある個所では磁化の反転が磁気異方
性磁界よりも低い磁界によつて生ずる。従つてこのこと
を利用して磁性欠陥個所の検出を行うことができる。磁
気異方性磁界値より小さい、例えば１／２の強さの、局
部的磁界を印加した際、その局部の磁化の反転（磁気バ
ブルの発生）が検出された場合には、この局部に磁性欠
陥があるものとするのである。欠陥検出には試料走査手
段を設け、試料各所にもれなく局部磁界を順次印加して
、その対応を調べる。磁気バブルの検出には、磁界と平
行に進行する偏光の偏光面の旋回を観察したり（フアラ
デ一効果）、ホール素子、磁気抵抗素子を利用したりす
ればよい。試料走査手段は磁気異方性磁界値の測定には
必ずしも必要でないが、この手段備えれば、異方性磁界
値の測定と、欠陥検出とを同様な装置で行うことができ
る。第１図は原理説明図で、１は被検試料（磁気バブル
用磁性膜）を、ＨＢはバイアス磁界を、Ｈは局部磁界を
示す。
、Ｈの値からＨＫが算定できる。この様にして被検磁性
膜の異方性磁界の（欠陥のない個所の）値ＨＫがわかる
が、磁性膜に欠陥のある個所では磁化の反転が磁気異方
性磁界よりも低い磁界によつて生ずる。従つてこのこと
を利用して磁性欠陥個所の検出を行うことができる。磁
気異方性磁界値より小さい、例えば１／２の強さの、局
部的磁界を印加した際、その局部の磁化の反転（磁気バ
ブルの発生）が検出された場合には、この局部に磁性欠
陥があるものとするのである。欠陥検出には試料走査手
段を設け、試料各所にもれなく局部磁界を順次印加して
、その対応を調べる。磁気バブルの検出には、磁界と平
行に進行する偏光の偏光面の旋回を観察したり（フアラ
デ一効果）、ホール素子、磁気抵抗素子を利用したりす
ればよい。試料走査手段は磁気異方性磁界値の測定には
必ずしも必要でないが、この手段備えれば、異方性磁界
値の測定と、欠陥検出とを同様な装置で行うことができ
る。第１図は原理説明図で、１は被検試料（磁気バブル
用磁性膜）を、ＨＢはバイアス磁界を、Ｈは局部磁界を
示す。
第２図は本発明の一実施例を示し、１は試料（磁気バブ
ル用磁性膜）、２はウエハ一台、３は偏光顕微鏡、４は
入射偏光、５はバイアス磁界ＨＢ発生用の大形コイル、
６はバイアス磁界の方向、７は定電流電源、８は微小な
１対のヘルムホルツコイル、９はパルス電流源、１０は
ヘルムホルツコイル８により局部的に生ずる磁界の方向
である。
ル用磁性膜）、２はウエハ一台、３は偏光顕微鏡、４は
入射偏光、５はバイアス磁界ＨＢ発生用の大形コイル、
６はバイアス磁界の方向、７は定電流電源、８は微小な
１対のヘルムホルツコイル、９はパルス電流源、１０は
ヘルムホルツコイル８により局部的に生ずる磁界の方向
である。
試料１をコイル８の間隙に挿入し、電源７を調整してバ
イアス磁界ＨＢをバブル消減磁界以上に強くして、いつ
たん試料中のバブルをすべて消滅させた後、再び電源７
を調整して、バイアス磁界を、バブル膨脹磁界以上、バ
ブル消減磁界以下の領域に下げる。つぎにパルス電流源
９により、毎回順次増大するパルス電流を微小ヘルムホ
ルツコイル８に繰返し流して、断続的に毎回順次強くな
る局部磁界を試料１に印加する。この局部で磁化反転磁
区すなわち磁気バブルが発生すれば、フアラデ一効果に
よつて、試料１の磁気バブルの所フを通過した偏光４の
偏光面は旋回するから、偏光顕微鏡３によつて磁気バブ
ルの発生は直ちに認知される。
イアス磁界ＨＢをバブル消減磁界以上に強くして、いつ
たん試料中のバブルをすべて消滅させた後、再び電源７
を調整して、バイアス磁界を、バブル膨脹磁界以上、バ
ブル消減磁界以下の領域に下げる。つぎにパルス電流源
９により、毎回順次増大するパルス電流を微小ヘルムホ
ルツコイル８に繰返し流して、断続的に毎回順次強くな
る局部磁界を試料１に印加する。この局部で磁化反転磁
区すなわち磁気バブルが発生すれば、フアラデ一効果に
よつて、試料１の磁気バブルの所フを通過した偏光４の
偏光面は旋回するから、偏光顕微鏡３によつて磁気バブ
ルの発生は直ちに認知される。
この時のパルス電流値から局部磁界値が定まり、一方飽
和磁界値、バイアス磁界値は既知であるから、前記（１
）式から磁気異方性磁界値ＨＫが算定できる。なお局部
磁界発生にパルス電流を用いるのは発熱をさけるためで
ある。局部磁界発生にヘルムホルツコイル以外の適当な
手段を用いても勿論差支えない。磁気バブル発生時の局
部磁界値が正確にわかるものならばよい。以上の如くし
て試料の磁気異方性磁界値が算定できたならば、前記の
如くバイアス磁界をいつたん強くして試料上のすべての
磁気バブルを消滅させたのち、再び前記領域の値にバイ
アス磁界をもどす。
和磁界値、バイアス磁界値は既知であるから、前記（１
）式から磁気異方性磁界値ＨＫが算定できる。なお局部
磁界発生にパルス電流を用いるのは発熱をさけるためで
ある。局部磁界発生にヘルムホルツコイル以外の適当な
手段を用いても勿論差支えない。磁気バブル発生時の局
部磁界値が正確にわかるものならばよい。以上の如くし
て試料の磁気異方性磁界値が算定できたならば、前記の
如くバイアス磁界をいつたん強くして試料上のすべての
磁気バブルを消滅させたのち、再び前記領域の値にバイ
アス磁界をもどす。
つぎにパルス電流源９を調整して、ヘルムホルツコイル
８により生ずる毎回一定の局部パルス磁界の値が、上記
磁気異方性磁界値より小さい、例えばその１／２の値と
なるようにする。この局部磁界値に対しては、試料磁性
膜に欠陥の存在しない個所では磁気バブルは発生せず、
欠陥個所だけで磁気バブルの発生が、偏光顕微鏡３によ
つて検出される。欠陥個所探索のためには、図示してな
いが、試料１の全面がもれなく局部磁界を印加され、か
つ偏光顕微鏡視野を通過するように、ウエハ一台２ごと
試料１の面の走査を行う手段を設けておく。この様にす
れば、試料上の欠陥位置、個数等を、マイクロコンピユ
ータなどと連動させて、記録したり、あるいは現物の欠
陥個所に自動的に印をつけたりすることも容易にできる
。同様に磁気異方性磁界値の自動測定も容易にできる。
以上説明したように本発明によれば、試料は非破壊で、
迅速容易に磁気異方性磁界値が測定でき、表面加工によ
り表層部分に磁気異方性磁界の変化が生じている時も測
定に差支えなく、かつ欠陥個所の検出を容易に行える磁
気バブル用磁性膜測定方法がもたらされる。
８により生ずる毎回一定の局部パルス磁界の値が、上記
磁気異方性磁界値より小さい、例えばその１／２の値と
なるようにする。この局部磁界値に対しては、試料磁性
膜に欠陥の存在しない個所では磁気バブルは発生せず、
欠陥個所だけで磁気バブルの発生が、偏光顕微鏡３によ
つて検出される。欠陥個所探索のためには、図示してな
いが、試料１の全面がもれなく局部磁界を印加され、か
つ偏光顕微鏡視野を通過するように、ウエハ一台２ごと
試料１の面の走査を行う手段を設けておく。この様にす
れば、試料上の欠陥位置、個数等を、マイクロコンピユ
ータなどと連動させて、記録したり、あるいは現物の欠
陥個所に自動的に印をつけたりすることも容易にできる
。同様に磁気異方性磁界値の自動測定も容易にできる。
以上説明したように本発明によれば、試料は非破壊で、
迅速容易に磁気異方性磁界値が測定でき、表面加工によ
り表層部分に磁気異方性磁界の変化が生じている時も測
定に差支えなく、かつ欠陥個所の検出を容易に行える磁
気バブル用磁性膜測定方法がもたらされる。
第１図は原理説明図、第２図は本発明の一実施例図であ
る。
る。
Claims (1)
- １ 被検試料にまず磁気バブル消滅磁界以上の強いバイ
アス磁界を与えて、いつたんすべての磁気バブルを消滅
させたのち、バイアス磁界を磁気バブル膨張磁界以上か
つ消減磁界以下の値Ｈ＿Ｂとし、この状態で、前記試料
面に直交し前記バイアス磁界と逆方向の磁界を、零から
はじめて漸次大きくして行き、磁気バブルの発生が最初
に検出されたときの磁界の値Ｈ、飽和磁界値４πＭ＿Ｓ
を用いて、磁気異方性磁界値Ｈ＿Ｋを式Ｈ＿Ｋ＝Ｈ＋４
πＭ＿Ｓ−Ｈ＿Ｂから算出することを特徴とする磁気バ
ブル用磁性膜測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2656280A JPS5927032B2 (ja) | 1980-03-05 | 1980-03-05 | 磁気バブル用磁性膜測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2656280A JPS5927032B2 (ja) | 1980-03-05 | 1980-03-05 | 磁気バブル用磁性膜測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56124190A JPS56124190A (en) | 1981-09-29 |
| JPS5927032B2 true JPS5927032B2 (ja) | 1984-07-03 |
Family
ID=12196967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2656280A Expired JPS5927032B2 (ja) | 1980-03-05 | 1980-03-05 | 磁気バブル用磁性膜測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5927032B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6227528U (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-19 |
-
1980
- 1980-03-05 JP JP2656280A patent/JPS5927032B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6227528U (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-19 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56124190A (en) | 1981-09-29 |
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