JPS5926663B2 - 無電解メツキ反応の測定装置 - Google Patents

無電解メツキ反応の測定装置

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JPS5926663B2
JPS5926663B2 JP14385879A JP14385879A JPS5926663B2 JP S5926663 B2 JPS5926663 B2 JP S5926663B2 JP 14385879 A JP14385879 A JP 14385879A JP 14385879 A JP14385879 A JP 14385879A JP S5926663 B2 JPS5926663 B2 JP S5926663B2
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【発明の詳細な説明】 本発明は無電解メッキ反応の測定装置に関し、特に無電
解メッキ反応による析出重量、析出膜厚を迅速かつ正確
に求める事ができ、さらにメッキ速度、メッキ膜の表面
状態、メッキ液状態およびメッキ膜の密着状態等をも検
出することのできる無電解メッキ反応の測定装置に関す
る。
従来から無電解メッキ反応の測定として、メッキによる
析出重量、メッキ膜厚、メッキ速度、メッキ液状態など
を個々に測定する方法は知られている。
例えばマイクロメータや無電解メッキ前後における重量
変化による析出重量、メッキ膜厚などの測定では、測定
に長時間を要し、さらにメッキ速度等の他の要因を測定
する事は困難であつた。
メッキ液管理方法としては、メッキ液のpH、温度、金
属イオン濃度等の測定によるものも知られているが、メ
ッキ速度等を正確に測定する事は困難であり、メッキ液
管理の点でも充分なものとは言えなかつた。さらに無電
解メッキ反応が、還元剤のアノード酸化反応と金属イオ
ンのカソード還元反応の組み合せによる一種の電気化学
的混成反応である点に着目し、メッキ液中に浸漬した金
属の混成電位(無電解析出電位E_E_L_P)の測定
によりメッキ速度を測定する方法も提案されている。
しかしながら上記方法においてはメツキ速度を直接測定
するものではなく、メツキ速度以外の要因を含むため、
正確な測定を行う事が困難な場合があつた。またメツキ
液中に浸漬された試料金属片に微少な分極を行い、その
時の分極値と外部電流との関係からメツキ析出反応の反
応抵抗RLEPを求め、さらにメッキ速度を推定する方
法がある。しかしながら、上記方法では試料金属片に長
時間に亘つて電流を流す事が必要なため自然メツキ状態
を乱し、さらに無電解メツキ液の反応抵抗が小さいため
、メツキ液の溶液抵抗が比較的に小さい場合でも反応抵
抗に比べて無視できず、測定誤差を含む可能性があつた
。この様に従来から無電解メツキにおける反応状態を個
々に測定する方法は知られているが、それぞれ実用上問
題点があり、さらに無電解メツキにおける反応状態を総
合的に測定する方法は今だに見い出されていない。
本発明は上記の点に鑑み、無電解メツキ反応における、
析出重量、メッキ速度、メツキ膜厚、メツキ膜の表面状
態、メツキ液状態およびメツキ膜の密着状態などを総合
的に迅速かつ正確に検出する事のできる無電解メツキ反
応の測定装置を提供する事を目的とする。
本発明は無電解メツキ液中に浸漬される被メツ牛処理物
又は試料金属片からなる作用電極を有する無電解メツキ
反応測定用プローブと、前記作用電極に付与する所定量
の電荷を蓄積するコンデンサと、前記コンデンサに電荷
を供給する電源と、前記コンデンサの電圧測定機構と、
前記コンデンサに蓄積された電荷を瞬間的に前記作用電
極に付与する電荷付与機構と、所定量の電荷が作用電極
に付与された時の前記作用電極の電位変化を分極値(η
)一時間(t)の関係として求める電位差記録機構と、
前記電位差記録機構で得られた分極値(ηヒ時間(t)
の関係から、無電解メツキ反応の反応抵抗RELP.タ
ーフエル勾配βA,βc、析出電流IELPを求める解
析機構と、前記析出電流1ELPの経時変化を積分する
事により無電解メッキによる析出重量、析出膜厚を求め
る積分機構とを具備した無電解メツキ反応の測定装置で
あり、さらに、前記無電解メツキ反応測定用プローブと
しては、被メッキ処理物又は試料金属片からなる作用電
極と、前記作用電極の分極値(η)を測定する際の基準
電極となる参照電極と、所定量の電荷を付与する際の対
極とからなる3電極タイプのものを用いてもいいし、ま
た対極の機能を兼ね備えた参照電極を用いて2電極タイ
プとする事もできる。
つまり本発明装置は、被メツキ処理物又は試料金属片か
らなる作用電極に所定量の電荷を瞬間的に与え、これに
伴う分極の時間変化を測定、解析するいわゆるクーロス
タツト法を用いて無電解メツキ反応を沖淀するものであ
る。
また上記において、コンデンサ、電荷付与機構、電源を
これ等と同様の機能を有する定電気量パルス発生器に置
き換える事もできる。
以下本発明を詳述する。
まず無電解メツ牛における金属析出の機構は以下の如く
考えられる。一般に無電解メツキは、還元剤のアノード
酸化反応と金属イオンのカソード還元反応の組み合せに
よる一種の電気化学的混成反応であることが知られてい
る。すなわち、無電解メツキ反応は還元剤のアノード酸
化反応(Red→0xd+Ne)と金属一 n+
イオンのカソード還元反応(M +Ne→M)の混成反
応で、各々の反応の電流(一速度)が等しい状態で反応
は進行すると考えられる。
この時の電流値を無電解析出電流1ELP、電位を無電
解析出電位EELPとすると、電位をEELPから変化
させる、すなわち分離させたとき分極値ηと外部電流1
との間には(1)式の関係が欣立する。2,3RT ここでβa−?でアノード反応のターフエαりNF ル勾配であり、βc一丘±ユ五でカソード反応の夕αR
nF一フエル勾配である。
Udllr鴨し11f (1)式から、η《??の条件下では n1] η0▲ 理論的に(2)式の関係が得られる。
ここで、前記条件下でのη/iを無電解メツキにおける
反応抵抗RELPとすると、(2)式は(3)式のよう
に変形される。
したがつて、分極値の小さい範囲で外部電流1と分極値
ηとの関係からRELPを求めた上で、もしその系にお
けるアノードおよびカソードターフニル勾配βaおよび
βcを知ることができれば(3)式を用いて1ELPを
求めることができる。
そしてIELPと無電解メツキ速度VELPとの間には
(4)式の関係が成立するので、IELPが求められれ
ば無電解メツキ速度が簡単に計算できる。ここでMは析
出金属の原子量、nは析出金属イオンの原子価数、Fは
フアラデ一定数である。
また、処理時間をTとすれば、その間の析出電気量QE
LPは(5)式で与えられ、これより析出重量WELP
が(6)式によつて求められる。以上のような無電解メ
ツキ反応の速度論的性質を利用した本発明装置の原理を
、基本的回路図を示す第1図を用いて説明する。
第1図において1は一定の電気量パルスを発生するパル
ス発生器を、2は作用電極としての被メッキ処理物又は
試料金属片を、3は参照電極を、4は対極を、また5は
電位差記録計をそれぞれ示す。しかして、第1図の回路
を用いて被メツキ処理物又は試料金属片からなる作用電
極の反応抵抗RELPおよびターフエル勾配βA,βc
を求める場合は、無電解析出電位EELP(自然電位E
ELP)にある被メツキ処理物又は試料金属片2に、対
極4を介して例えば数μs〜数Ms程度の短かい定電気
量パルス(電荷)を与え、被メ゛ノキ処理物あるいは試
料金属片2の電気二重層を瞬間的に充電する。この場合
与える電荷の大きさは被メツキ処理物又は試料金属片の
分極値の絶対値1η1が、反対抵抗RELPを測定する
場合には30mV以下好ましくは10mV以下になるよ
うにし、ターフエル勾配βA,βcを求めるときには分
極値の絶縁値1η1が50mV以上好ましくは60mV
以上になるようにする。かくして瞬間的に付与された一
定量の電荷は無電解メツキ反応によつて作用電極2とし
ての被メツキ処理物又は試料金属片の近傍で消費され、
この被メツキ処理物又は試料金属片の電位は元の状態で
ある無電解析出電位(自然電位)EELPに戻る傾向を
示すのでその電位変化(η)と時間(t)の関係を電位
差記録計5で記録する。なお、電位差記録計5として入
力インピーダンスの大きいものを用いる限り被メツキ処
理物又は試料金属片2と参照電極3との間の電流は無視
でき、また対極4との間にも高抵抗が存在するため事実
上開回路状態での測定が可能となる。
しかして30mV以下好ましくは10mV程度の電位範
囲内における被メツキ処理物又は試料金属片の電気二重
層の微分容量CDの変化を無視し、分極値(η)が充分
に小さいときの無電解メツキ反応によるフアラデ一電流
1、反応抵抗RELPおよび分極値η間の関係は上記の
如くである故、測定される分極値η一時間t曲線は理論
的に次のように導かれ、(式中η。
は被メツキ処理物又は試料金属片に電荷を与えた直後の
分極値である。)さらに として導かれる。
従つて分極値ηを求めTOηを時間tに対してプロツト
したとき直線が得られればその直線を時間t−0に外挿
することによりη0を求め得る。しかして被メツキ処理
物又は金属試料片に電荷を与えた直後の分極値η。
と被メツキ処理物又は試料金属片に与えた電荷密度の変
化量Δqとから次式によつて微分容量Cdを求め、さら
にこれらのη。
およびCdの値を用いれば上記TOη−t直鎖の傾きか
ら反応抵抗RELPを求め得る。他方、ターフエル勾配
βA,βcを求めるには、次のようにする。
すなわち、ηが数50mV以上特に60mV以上のとき
には(4)式はきい正の電荷を与えた直後より、ある程
度の時間tが経過してηiになつたときの時間をt−0
とすれば、ある時間t(〉0)におけるηとtとの関係
は理論的に次式の形に導かれる。
ここに、Cdは被メツキ処理物又は試料金属の電気二重
層の微分容量で弊少電位範囲内においては一定と考えて
よい。この(5)式をみれば、測定したη−t曲線より
、異なる3個の時間T,,t2,t3に対してそれぞれ
分極値η,,η2,η3を読みとることにより、3個の
方程式が得られることが判る。
(12)式から(13)式ほ辺々引くと (15)式を(16)式で辺々わつて (1の式より、異なる3個の時間T,,t2,t3に対
応した分極値η,,η2,η3が判ればβaが求まるこ
とがわかる。
ところで、いま、η,〉η2〉η3でη,一η2+Δη
,η3−η2−Δηになるようなη1,η2,η3を考
え、これらの分極値に対応するT,,t2,t3をそれ
ぞれ得られたη−t曲線よりサンプリングしたとする。
(ただし、Δη〉Oである)すなわち、η,−η2−η
2−η3になるようにηDη2Fη3を定め、これに対
する時間をそれぞれサンプリングするわけである。この
ようなη,,η2,η3を用いると(17)式の左辺は
の形に簡単化される。
したがつて、 (18)式から、βaは測定したη−t曲線(η》0)
より、ある時間T2におけるη2をまず求め、さらにη
2からΔηだけ大きいη1−η2+Δη,Δηだけ小さ
いη3−η2−Δηに対応する時間、それぞれT,,t
2を読みとれば、それらのT,,t2,t3およびΔη
を用いることにより簡単に計算しうることが判る。
ところで、上記の解析方法ではIELPやCdを含む項
がうまい具合に消去されるので簡単ではあるが、Δηを
大きくとりすぎるとη,とη2、η2とη3との差が大
きくなりすぎてCdの電位変化が生じてくる危険性が考
えられる。
したがつて、Δηはたとえば10mV以下にするとかし
てCdf)電位変化が無視できるように十分小さくする
必要がある。以上は、η〉50mV好ましくは60mV
のときであつたが、逆にη〈−50mV好ましくは一6
0mのときは(1)式はのように書ける。
したがつて、〜定量の負の電荷を与えた直後より、ある
程度時間が経過してη1になつたときの時間をt=oと
すれば、ある時間tにおけるηとtとの関係は理論的に
次式の形に導かれる。
ここで、η,〈η2〈η3、η,−η2一Δη、η3=
η2+Δη、Δη〉Oのように分極値を定め、測定した
η−t曲線より、これらのη,,η2,η3に対応する
時間T,,t2,t3をそれぞれ読み取れば、βaの場
合と同様にβcはつぎの関係を用いることにより求める
ことができる。
なお以上の如くして本発明装置により反応抵抗RELP
、ターフエル勾配βA,βcを求める事ができるが、実
用上無電解メツキの進行中におけるターフエル勾配の変
化が無視できる場合には、ターフエル勾配βA,βCを
定数とし、反応抵抗RELPのみを測定し、メッキ速度
を求める事もできる。
次に本発明の一実施例である無電解メツキ反応速度抑淀
装置を第2図に示す。図中11は無電解メツキ液中に浸
漬される被メツキ処理物又は試料金属片よりなる佐用電
極、12は試料金属片の電位変化を追跡するときに用い
る参照電極、13は前記作用電極に電荷を供給する際に
用いる対極であり前記3電極により無電解メツキ反応速
度測定用プローブ14が構成されており、この中には無
電解メツキ液が満たされている。
また、15−1〜15−4は前記作用電極に付与する電
荷を予め蓄えておくためのコンデンサ、16は前記コン
デンサに予め蓄わえられていた電荷を瞬間的に前記作用
電極の方に付与するためのリレー等からなる電荷付与機
構である。このリレーの駆動回路には電池17と始動ス
イッチ18が組み込んである。なお、前記、予め電荷を
蓄わえておくコンデンサ15−1〜15−4のうち適当
な容量のものを選べるようにロータリースイツチが接続
してある。電池19、可変抵抗20で構成されるポテン
シオメータは前記コンデンサ15−1〜15−4に予め
蓄わえておく電荷を供給するための電源30である。2
1は極性切換え用のスイツチである。
22は前記コンデンサ15−1〜15−4の初期電圧を
測定するための電圧測定機構であり、23で示される演
算増幅器、24で示される電川計などより構成されてい
る。
25は前記作用電極の分極値ηの変化を記録するための
電位差記録機構、26は前記記録した分極値の変化、お
よび電圧測定機構22で測定した前記コンデンサの初期
電圧V,、および前記コンデンサの容量より微分容量C
d、分極抵抗Rp、さらにはターフエル勾配βA,βc
を解析し、さらにこれらのパラメータより無電解メツキ
の析出電流IELPを計算するところの解析機構である
27は前記計算したIELPの経時変化を記録しつつ、
IELPの時間積分((5)式参照)を行ない、さらに
(6)式の関係に従つて析出重量を求めるところの積分
機構である。
また、28は前記算出したパラメータを表示するところ
の表示機構である。29は前記記録機構25に記録した
分極値(η)一時間(t)曲線をモニタするためのシン
クロスコープである。
以上の如く構成された装置において作用電極11および
対極13として、それぞれ4dの面積を露出させた白金
板を用い、参照電極12として鍜塩化銀電極を用い、下
記の無電解メツキ液中に浸漬して以下の如く無電解メツ
キ反応の測定を行なつた。
PHl2(水酸化ナトリウムにより調整)、液温40℃
、浸漬後、4時間までの反応抵抗RELPおよびターフ
エル勾配βA,βcの経時変化を第3図に示す。
次に第3図から(3)式にしたがつて計算した無電解メ
ツキの析出電流IELPと、二重層微分容量Cdの各々
の経時変化をともに第4図に示す。無電解メツキの析出
電流1ELPはメツキ速度を表わすものであり、第4図
よりメッキ速度が時間とともに減少したことが判る。さ
らに、このIELPの経時変化を積分機構27において
時間積分し、無電解メツキの析出重量WELPを計算し
、その経時変化を求めていくと第5図のようになる。
この第5図に示された析出重量WELPは時間とともに
単調に増大する傾向を示しているが、曲線の勾配はしだ
いにゆるやかになつてきていることが判る。
これは、第4図のRELPの変化とよく対応しており時
間とともにメツキ速度が減少していることを示している
。ところで、第2図の装置を用いて求めた無電解メツキ
液に4時間浸漬後の析出重量を求めたところ18.31
119となつた。この析出重量を表面積4m1を用いて
単位面積当りに換算すると4.58η/CI!!となり
、本発明の装置を用いて求めた値4.52m9/dとよ
く一致する。したがつて、本発明の装置を用いてモニタ
ーされてきたメツキ速度は実際のメツキ速度とよく対応
していることが判つた。なお、本発明の装置で求めた、
作用電極の微分容量Cdの変化を第4図に示したが、C
dの値は浸漬時間の増大とともに減少し、メツキ開始よ
り2時間経過するころより、ほぼ一定値を示しているこ
とが判る。
時間がたつと銅の析出が進行するが、それに伴なつてC
dが小さくなつてゆくのは、析出銅層によつて作用電極
が被覆されて表面がしだいに滑らかになつていつたこと
を示す。そしてほぼ2時間後にCdの値が一定になつた
ことから、この時点で析出表面ははぼ定常的な滑らかさ
になつたことが判断できる。クーロスタツト法ではこの
ようにメツキ速度のほかに、析出面の状態をモニターで
きるという特長が認められる。また、本発明の装置を用
いた測定では、液抵抗によるオーミツク降下の補正は行
なわず、しかも′測定時間は高々数ミリセコンドのオー
ダーであつた。
以上は、作用電極、対極、参照電極の3電極を用いた場
合であつたが、参照電極として白金黒付白金電極を用い
、この白金黒付白金電極に対極の働きも兼ねさせた、2
電極法による測定も行なつてみた。
その結果は以前に記した3電極法の場合と同様であつた
。以上の結果は本発明にもとづく装置が無電解メツキ反
応速度測定のために有効であつたことを示す。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理を説明するための基本的回路、第
2図は本発明装置の実施例を示す装置の回路図、第3図
乃至第5図は本発明の装置により得た具体的特性例を示
す曲線図。 14・・・・・・無電解メツキ反応測定用プo−ブ、1
5−1〜15−4・・・・・・コンデンサ、16・・・
・・・電荷付与機構、22・・・・・・電圧測定機構、
25・・・・・・電位差記録機構、26・・・・・・解
析機構、27・・・・・・積分機構、30・・・・・・
電源。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 無電解メッキ液中に浸漬される被メッキ処理物又は
    試料金属片よりなる作用電極、作用電極の分極値(η)
    を測定する際の基準電極となる参照電極、および作用電
    極に電荷を付与するための対極からなる無電解メッキ反
    応測定用プローブと、前記作用電極に付与する所定量の
    電荷を蓄積するコンデンサと、前記コンデンサに電荷を
    供給する電源と、前記コンデンサの電圧測定機構と、 前記コンデンサに蓄積された電荷を瞬間的に前記作用電
    極に付与する電荷付与機構と、所定量の電荷が作用電極
    に付与された時の前記作用電極の電位変化を分極値(η
    )−時間(t)の関係として求める電位差記録機構と、
    前記電位差記録機構で得られた分極値(η)時間(t)
    の関係から、無電解メッキ反応の反応抵抗R_E_L_
    P、ターフエル勾配βa、βc、析出電流i_E_L_
    Pを求める解析機構と、前記析出電流i_E_L_Pの
    経時変化を積分する事により無電解メッキによる析出重
    量、析出膜厚を求める積分機構とを具備した事を特徴と
    する無電解メッキ反応の測定装置。 2 無電解メッキ反応測定用プローブが、被メッキ処理
    物又は試料金属片からなる作用電極と、前記作用電極の
    分極値(η)を測定する際の基準電極となる参照電極と
    から構成され、かつ前記参照電極が作用電極に電荷を付
    与する際の対極を兼ねている事を特徴とする特許請求の
    範囲第1項に記載の無電解メッキ反応の測定装置。
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