JPS5926626B2 - フムロン化合物 - Google Patents
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフムロンに関する。
本発明はフムロンは一般式:
(I)
(式中RはCl−6のアルキル基を表わす。
)を有する化合物である。前記一般式(I)の化合物は
一般式: (■) (式中Rは前記と同じ意味を有する。
一般式: (■) (式中Rは前記と同じ意味を有する。
)を有する化合物を酸化して一般式:(■)
(式中Rは前記と同じ意味を有する。
)を有するハイドロパーオキサイドを得、次いで前記一
般式()のハイドロパーオキサイドを還元して前記一般
式(1)の化合物を生成して製造する。一般式(1)の
化合物は一般式:(式中Rは前記と同じ意味を有する。
般式()のハイドロパーオキサイドを還元して前記一般
式(1)の化合物を生成して製造する。一般式(1)の
化合物は一般式:(式中Rは前記と同じ意味を有する。
)を有する公知の苦昧物質製造用の中間体であり、これ
ら一般式()の化合物は公知異性化方法によつて一般式
()の化合物に変えることができる。一般式()の化合
物は、たとえばビール醸造のような飲料工業において重
要な化合物である。
ら一般式()の化合物は公知異性化方法によつて一般式
()の化合物に変えることができる。一般式()の化合
物は、たとえばビール醸造のような飲料工業において重
要な化合物である。
すなわち、たとえばビール醸造において麦芽汁をホツプ
と共に煮沸する間に該ホツプ中に存在するフムロン〔R
がイソブチルである化合物()〕がイソフムロン〔Rが
イソブチルである化合物()〕に変化し、それによつて
快い苦味をビールに加えるのである。該方法は前記一般
式(1)の化合物、また一般式()の化合物をも好収率
で製造することを可能ならしめるものであり、このこと
は従来においては不可能であつたのである〔リードル(
Riedl)C1−6のアルキル基の例としては上記イ
ソブチル基の他に、メチル、イソプロピル〔化合物(1
)−コフムロン〕、第二ブチル〔化合物(1)=アドフ
ムロン〕、エチル〔化合物(1)=ポストフムロン〕、
イソアミル〔化合物(1)−プレフムロン〕がある。
と共に煮沸する間に該ホツプ中に存在するフムロン〔R
がイソブチルである化合物()〕がイソフムロン〔Rが
イソブチルである化合物()〕に変化し、それによつて
快い苦味をビールに加えるのである。該方法は前記一般
式(1)の化合物、また一般式()の化合物をも好収率
で製造することを可能ならしめるものであり、このこと
は従来においては不可能であつたのである〔リードル(
Riedl)C1−6のアルキル基の例としては上記イ
ソブチル基の他に、メチル、イソプロピル〔化合物(1
)−コフムロン〕、第二ブチル〔化合物(1)=アドフ
ムロン〕、エチル〔化合物(1)=ポストフムロン〕、
イソアミル〔化合物(1)−プレフムロン〕がある。
一般式()のハイドロパーオキサイドは新規であり、本
発明の首題である。
発明の首題である。
一般式()のハイドロパーオキサイドを生成させるため
の一般式()の化合物の酸化は元素状酸素の使用によつ
て好都合に行われる。
の一般式()の化合物の酸化は元素状酸素の使用によつ
て好都合に行われる。
該方法〔すなわち一般式()の化合物の一般式()の化
合物への転換〕は塩基および非プロトン性極性溶媒の存
在において、好ましくは低温において、特にO℃以下(
たとえばO℃と−50℃との間)の温度において好都合
に行われる。
合物への転換〕は塩基および非プロトン性極性溶媒の存
在において、好ましくは低温において、特にO℃以下(
たとえばO℃と−50℃との間)の温度において好都合
に行われる。
塩基としては、たとえば低級第三アルカノール(たとえ
ばカリウムt−ブチレート)から誘導されるアルカリ金
属アルコラードのような非常に強い塩基を使用すること
が好ましい。しかしアルカリ金属水酸化物(たとえば水
酸化ナトリウムまたは水酸化カリウム)もまた使用する
ことができる。該塩基は過剰に、たとえば少くとも2倍
過剰に使用することが好ましい。非プロトン性極性溶媒
の性質は臨界的ではなく、実際上その選択は、比較的に
低温である本発明の実施温度よりもその凝固点が低温で
なければならないということによつてのみ限定される。
ばカリウムt−ブチレート)から誘導されるアルカリ金
属アルコラードのような非常に強い塩基を使用すること
が好ましい。しかしアルカリ金属水酸化物(たとえば水
酸化ナトリウムまたは水酸化カリウム)もまた使用する
ことができる。該塩基は過剰に、たとえば少くとも2倍
過剰に使用することが好ましい。非プロトン性極性溶媒
の性質は臨界的ではなく、実際上その選択は、比較的に
低温である本発明の実施温度よりもその凝固点が低温で
なければならないということによつてのみ限定される。
好適な非プロトン性極性溶媒の例としてはエーテル類(
たとえばテトラヒドロフラン)、ジ(低級アルコキシ)
一低級アルカン)類(たとえばジメトキシエタン)、ジ
(低級アルキル)アミンのようなアミン類(たとえばジ
メチルアミン)、ニトリル類(たとえばアセトニトリル
)、低級脂肪族カルボン酸から誘導されるN−N−ジ(
低級アルキル)アミドのようなアミド類(たとえばN−
N−ジメチルホルムアミドおよびN−N−ジメチルアセ
トアミド)およびリン酸誘導体類(たとえばヘキサメチ
ルリン酸トリアミド)などである。本方法は無水媒体中
で行うことにより一層好収率が得られるが、しかし僅少
量(すなわち数%)の水の存在は収率を実質的に妨げな
い。
たとえばテトラヒドロフラン)、ジ(低級アルコキシ)
一低級アルカン)類(たとえばジメトキシエタン)、ジ
(低級アルキル)アミンのようなアミン類(たとえばジ
メチルアミン)、ニトリル類(たとえばアセトニトリル
)、低級脂肪族カルボン酸から誘導されるN−N−ジ(
低級アルキル)アミドのようなアミド類(たとえばN−
N−ジメチルホルムアミドおよびN−N−ジメチルアセ
トアミド)およびリン酸誘導体類(たとえばヘキサメチ
ルリン酸トリアミド)などである。本方法は無水媒体中
で行うことにより一層好収率が得られるが、しかし僅少
量(すなわち数%)の水の存在は収率を実質的に妨げな
い。
ブ般式()のハイドロパーオキサイドを還元して一般式
(1)の化合物を生成するためには下記の要件を満たす
還元剤を使用するのがよい。
(1)の化合物を生成するためには下記の要件を満たす
還元剤を使用するのがよい。
すなわち(1)還元剤は使用条件下において酸素により
酸化されないこと、および(2)還元剤は使用条件下に
おいて、一般式()のハイドロパーオキサイドが一般式
()または()の化合物と反応して収率を低下させるこ
とがないように該ハイドロパーオキサイドを速やかに還
元すること、である。
酸化されないこと、および(2)還元剤は使用条件下に
おいて、一般式()のハイドロパーオキサイドが一般式
()または()の化合物と反応して収率を低下させるこ
とがないように該ハイドロパーオキサイドを速やかに還
元すること、である。
特に好適な還元剤としては、たとえばトリエチルホスフ
アイト、トリメチルホスフアイトまたはトリブチルホス
フアイトのようなトリ(低級アルキル)ホスフアイトで
ある。
アイト、トリメチルホスフアイトまたはトリブチルホス
フアイトのようなトリ(低級アルキル)ホスフアイトで
ある。
該方法の好ましい実施態様によれば、一般式()の化合
物の酸化と、一般式()のハイドロパーオキサイドの還
元とは全く同一の操作で、該オキサイドを単離すること
なく行われる。
物の酸化と、一般式()のハイドロパーオキサイドの還
元とは全く同一の操作で、該オキサイドを単離すること
なく行われる。
すなわち還元剤は本方法の頭初において上記混合物中に
全部をまたは一部を添加するのである。たとえば該還元
剤は、一般式()の化合物が消費されて、=般式()の
ハイドロバーオキサイドが該化合物から生成するとき、
該混合物に添加することができる。一般式()の化合物
の消費はたとえばクロマトグラフイ一(たとえばガスク
ロマトグラフイ一)により求めることができる。該方法
の更に好ましい実施態様によれば、アルコール(たとえ
ば低級アルカノール)を上記混合物に添加する。
全部をまたは一部を添加するのである。たとえば該還元
剤は、一般式()の化合物が消費されて、=般式()の
ハイドロバーオキサイドが該化合物から生成するとき、
該混合物に添加することができる。一般式()の化合物
の消費はたとえばクロマトグラフイ一(たとえばガスク
ロマトグラフイ一)により求めることができる。該方法
の更に好ましい実施態様によれば、アルコール(たとえ
ば低級アルカノール)を上記混合物に添加する。
好ましいアルコールとしては第二アルコールおよび特に
第三アルコールである。たとえば2−プロパノール、2
−メチル−2−ブタノールおよびt−ブタノールである
。該方法を完了するために要する時間は数分ないし数時
間(たとえば10時間)にわたつて変動することができ
る。
第三アルコールである。たとえば2−プロパノール、2
−メチル−2−ブタノールおよびt−ブタノールである
。該方法を完了するために要する時間は数分ないし数時
間(たとえば10時間)にわたつて変動することができ
る。
本方法の過程は分析的(たとえば薄層クロマトグラフイ
一により)に追跡することができる。該化合物から一般
式(1)の化合物を単離するのは、たとえば鉱酸(たと
えば希塩酸または希硫酸)で希釈した該混合物をエーテ
ルのような有機溶媒を用いて抽出するような、それ自体
公知の方法で行うことができる。
一により)に追跡することができる。該化合物から一般
式(1)の化合物を単離するのは、たとえば鉱酸(たと
えば希塩酸または希硫酸)で希釈した該混合物をエーテ
ルのような有機溶媒を用いて抽出するような、それ自体
公知の方法で行うことができる。
一般式(1)の化合物を続いて一般式()の化合物に異
性化する場合には、該混合物を直接にこの異性化に供す
ることができるので単離は不要である。
性化する場合には、該混合物を直接にこの異性化に供す
ることができるので単離は不要である。
次の例によつて本発明を説明する。
製造例 1
デソキシコフムロン〔Rがイソプロピルである一般式(
)の化合物〕6.647、カリウムt−ブチレート5.
67、トリエチルホスフアイト3.65t.N−N−ジ
メチルホルムアミド30m1およびt−ブタノール20
m1を、スターラ一、ガス導管および温度計をそなえた
スルホン化フラスコに窒素雰囲気下添加する。
)の化合物〕6.647、カリウムt−ブチレート5.
67、トリエチルホスフアイト3.65t.N−N−ジ
メチルホルムアミド30m1およびt−ブタノール20
m1を、スターラ一、ガス導管および温度計をそなえた
スルホン化フラスコに窒素雰囲気下添加する。
この混合物を−30℃の温度に冷却し、次いで窒素の代
りに酸素を導入する。3時間の撹拌後、デソキシコフム
ロンは薄層クロマトグラフイ一分析によつてはもう存在
しない。
りに酸素を導入する。3時間の撹拌後、デソキシコフム
ロンは薄層クロマトグラフイ一分析によつてはもう存在
しない。
次いで酸素の代りに再び窒素を導入し、該混合物に2N
一塩酸100m1を注意深く添加する。該混合物を50
0m1のジエチルエーテルで3回抽出する。一つに集め
た該ジエチルエーテル抽出液を各回250m1の氷水で
4回洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、次いで30℃
の温度で減圧濃縮する。粗製生成物8.927が得られ
、これはクロマトグラフイ一分析によればコフムロン6
.4yを含有する。副生成物としては殆んどトリエチル
ホスフエートのみより成り、これは75℃/0.01m
mHgで蒸留分離することができる。更に24例の製造
例からの最も重要なデータを次の表に示す。
一塩酸100m1を注意深く添加する。該混合物を50
0m1のジエチルエーテルで3回抽出する。一つに集め
た該ジエチルエーテル抽出液を各回250m1の氷水で
4回洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、次いで30℃
の温度で減圧濃縮する。粗製生成物8.927が得られ
、これはクロマトグラフイ一分析によればコフムロン6
.4yを含有する。副生成物としては殆んどトリエチル
ホスフエートのみより成り、これは75℃/0.01m
mHgで蒸留分離することができる。更に24例の製造
例からの最も重要なデータを次の表に示す。
製造例1はこの表にfl).1としてある。=般式()
の出発材料の量は製造例1(20m1の量である)を除
く全製造例において10ミリモルである。実施例 1−
25 製造例 26 一般式()を有するハイドロパーオキサイド(R−1−
C3H7)の製造および確認デソキシコフムロン3fを
ヘキサン700m1に溶解し、水素処理により活性化し
た活性炭上の 510%バラジウム17で処理し、−
20℃の温度で8時間にわたつて空気一酸素混合物で酸
化する。
の出発材料の量は製造例1(20m1の量である)を除
く全製造例において10ミリモルである。実施例 1−
25 製造例 26 一般式()を有するハイドロパーオキサイド(R−1−
C3H7)の製造および確認デソキシコフムロン3fを
ヘキサン700m1に溶解し、水素処理により活性化し
た活性炭上の 510%バラジウム17で処理し、−
20℃の温度で8時間にわたつて空気一酸素混合物で酸
化する。
この混合物を沢過し、沢液を高真空(0.03mmHg
)下において、最高−20℃の温度で約50m1に濃縮
する。ペンタン/エーテル(1:1)1の混合溶媒を使
用し、シリカゲル〔メタノール/濃塩酸(9二1)の混
液により予備洗浄する〕上、一18℃の温度でこの溶液
をクロマトグラフイ一にかける。最初にデソキシコフム
ロン、次いでコフムロン、最後に一般式()のハイドロ
パーオキ lサイドを溶離する。薄層クロマトグラム〔
ガラス上のシリカゲルはメタノール/濃塩酸(9:1)
の混液で洗浄したもの、溶離剤はヘキサン/エ一※?テ
ル(1:1)+1%(V/V)氷酢酸〕からのそれぞれ
の画分は次の結果を示す。一般式()のハイドロパーオ
キサイドを含有する画分を集めて、−20℃の温度で真
空蒸発させ、残留物を第2のアセトン中に捕集する。
)下において、最高−20℃の温度で約50m1に濃縮
する。ペンタン/エーテル(1:1)1の混合溶媒を使
用し、シリカゲル〔メタノール/濃塩酸(9二1)の混
液により予備洗浄する〕上、一18℃の温度でこの溶液
をクロマトグラフイ一にかける。最初にデソキシコフム
ロン、次いでコフムロン、最後に一般式()のハイドロ
パーオキ lサイドを溶離する。薄層クロマトグラム〔
ガラス上のシリカゲルはメタノール/濃塩酸(9:1)
の混液で洗浄したもの、溶離剤はヘキサン/エ一※?テ
ル(1:1)+1%(V/V)氷酢酸〕からのそれぞれ
の画分は次の結果を示す。一般式()のハイドロパーオ
キサイドを含有する画分を集めて、−20℃の温度で真
空蒸発させ、残留物を第2のアセトン中に捕集する。
この溶液のNMRスペクトル〔60MH7.;−20℃
;内部標準としてTMS(テトラメチルシラン)〕から
、コフムロンとの対照における化学シフトについて次の
データが得られる。製造例 27 製造例26により製造した一般式()のハイドロパーオ
キサイドの溶液を−20℃の湿度で高真空下において蒸
発させる。
;内部標準としてTMS(テトラメチルシラン)〕から
、コフムロンとの対照における化学シフトについて次の
データが得られる。製造例 27 製造例26により製造した一般式()のハイドロパーオ
キサイドの溶液を−20℃の湿度で高真空下において蒸
発させる。
残留物をベンゼン10m1中に捕集する。この溶液1m
1づつをそれぞれ次の試薬:と共に振とうする。
1づつをそれぞれ次の試薬:と共に振とうする。
それぞれの場合においてブ般式()のハイドロパーオキ
サイドが実際上定量的にコフムロンに還元されることを
、ベンゼン溶液の薄層クロマトグラフイ一によつて示す
ことができる。
サイドが実際上定量的にコフムロンに還元されることを
、ベンゼン溶液の薄層クロマトグラフイ一によつて示す
ことができる。
前記(c)の場合においては元素状ヨードの生成もまた
確認することができる。製造例 28 出発原料としてデソキシフムロン〔Rがイソブチルであ
る一般式()の化合物〕を使用して製造例26に記載の
方法を反復する。
確認することができる。製造例 28 出発原料としてデソキシフムロン〔Rがイソブチルであ
る一般式()の化合物〕を使用して製造例26に記載の
方法を反復する。
生成する一般式()のハィドロパーオキサイド(R=イ
ソブチル)は紫色のFeCl3反応を示し、次の質量分
析データを示す。このハイドロパーオキサイド(R=イ
ソブチル)をベンゼン中においてジメチルスルフイドに
より還元することによつて、一般式(1)のフムロン(
R−イソブチル)が得られる。
ソブチル)は紫色のFeCl3反応を示し、次の質量分
析データを示す。このハイドロパーオキサイド(R=イ
ソブチル)をベンゼン中においてジメチルスルフイドに
より還元することによつて、一般式(1)のフムロン(
R−イソブチル)が得られる。
製造例 29
デソキシメチルフムロン〔R−メチルである一般式()
の化合物〕を使用して製造例26に記載の方法を反復す
る。
の化合物〕を使用して製造例26に記載の方法を反復す
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼( I )(式中Rは
C_1_−_6のアルキル基を表わす。 )を有するハイドロパーオキサイド化合物。2 Rがメ
チル基である、特許請求の範囲第1項記載の化合物。 3 Rがイソプロピル基である、特許請求の範囲第1項
記載の化合物。 4 Rがイソブチル基である、特許請求の範囲第1項記
載の化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP66876A JPS5926626B2 (ja) | 1976-01-01 | 1976-01-01 | フムロン化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP66876A JPS5926626B2 (ja) | 1976-01-01 | 1976-01-01 | フムロン化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5283628A JPS5283628A (en) | 1977-07-12 |
JPS5926626B2 true JPS5926626B2 (ja) | 1984-06-29 |
Family
ID=11480110
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP66876A Expired JPS5926626B2 (ja) | 1976-01-01 | 1976-01-01 | フムロン化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5926626B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0316141B2 (ja) * | 1987-02-24 | 1991-03-04 | Chae Yongu Kimu |
-
1976
- 1976-01-01 JP JP66876A patent/JPS5926626B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0316141B2 (ja) * | 1987-02-24 | 1991-03-04 | Chae Yongu Kimu |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5283628A (en) | 1977-07-12 |
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