JPS592348B2 - Pulse response waveform measurement method - Google Patents

Pulse response waveform measurement method

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JPS592348B2
JPS592348B2 JP14634076A JP14634076A JPS592348B2 JP S592348 B2 JPS592348 B2 JP S592348B2 JP 14634076 A JP14634076 A JP 14634076A JP 14634076 A JP14634076 A JP 14634076A JP S592348 B2 JPS592348 B2 JP S592348B2
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input
gate
signal
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「つたえ」 大島
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は繰り返し波形入力による被測定回路のパルス
応答試験を高精度にしかも自動的に行なうことのできる
パルス応答測定方式に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a pulse response measurement method that allows highly accurate and automatic pulse response testing of a circuit under test by repeatedly inputting a waveform.

半導体装置の特性試験において、入力端に入力信号とし
て高速の折り返しパルスを供給し、出力端から出力する
パルス応答波形を観測測定するパルス応答試験は、極め
て重要な試験の1つである。上記パルス応答試験におい
て、その応答波形は多くの場合周期が短かくしかも急峻
な傾斜部分を持つために、従来では前記半導体装置の出
力端から出力した応答波形をオシロスコープ等の直視装
置によつて観測測定するか、あるいは上記応答波形を一
旦サンプルホールド回路等のアナログ回路を用いてディ
ジタル量に変換して一旦記憶させ、その後必要に応じて
アナログ量に再び変換してオシロスコープ等の直視装置
で観測測定するような方法がとられている。上記従来の
測定方法では、いずれの方法でも目視によつて応答信号
の波形を観測するので、高精度に応答信号を解析するこ
とはできずしかも測定試験に要する時間も多い。また、
測定の精度を高めようとすれば直視装置に高速度のもの
を用いる必要がある。一般に高速度の直視装置は大変高
価なものであり、たとえ高速度の直視装置を用いても最
終的には目視による判断が伴なうので測定の精度に限界
がある。この発明は上記のような事情を考慮してなされ
たもので、被測定回路のパルス応答測定を高精度にしか
も自動的に行ない得ると共に装置構成が低価格で実現で
きるようなパルス応答波形の測定方式を提供することに
ある。
In testing the characteristics of semiconductor devices, a pulse response test is one of the most important tests, in which a high-speed folded pulse is supplied as an input signal to an input terminal, and a pulse response waveform outputted from an output terminal is observed and measured. In the above pulse response test, the response waveform often has a short period and a steeply sloped part, so conventionally the response waveform output from the output end of the semiconductor device is observed using a direct viewing device such as an oscilloscope. Alternatively, the above response waveform can be converted into a digital quantity using an analog circuit such as a sample hold circuit, stored temporarily, and then converted back to an analog quantity as necessary for observation and measurement using a direct viewing device such as an oscilloscope. A method is being adopted to do so. In all of the conventional measurement methods described above, the waveform of the response signal is visually observed, so the response signal cannot be analyzed with high precision, and moreover, the measurement test requires a lot of time. Also,
In order to improve measurement accuracy, it is necessary to use a high-speed direct viewing device. Generally, high-speed direct-viewing equipment is very expensive, and even if high-speed direct-viewing equipment is used, there is a limit to the accuracy of measurement because final judgments are made by visual inspection. The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and is a method for measuring pulse response waveforms that enables highly accurate and automatic pulse response measurement of a circuit under test, and that allows the device configuration to be realized at a low cost. The goal is to provide a method.

以下図面を参照してこの発明の一実施例によるピーク値
検出回路を説明する。
A peak value detection circuit according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図においてT1は入力端子で、この入力端子T1は
被測定回路例えば供試半導体素子(図示せず)の出力端
に接続される。さらに上記入力端子T1は第1のバッフ
ァアンプ1を介して、レベル比較回路2の入力端に接続
される。このレベル比較回路2の入力端の他端は、後述
の基準レベル発生回路の出力端に接続される。上記レベ
ル比較回路2の出力端は、第1桁〜第n桁のn個のアン
ドゲート31、32、・・・3nからなる第1のゲート
回路3のそれぞれのアンドゲートに並列的に接続される
。この第1のゲート回路3を構成するn個のアンドゲー
ト31、32、・・・3nそれぞれの他の入力端は一括
して後述の制御回路の出力端に接続される。上記第1の
ゲート回路3を構成するn個のアンドゲート31、32
、・・・3nそれぞれのもう1つの入力端は、後述のカ
ウンタ回路の第1桁〜第n桁の出力端に並列的に接続さ
れる。前記第1のゲート回路3の出力端は、例えばn個
のR−Sフリップフロップ等からなる第1の記憶回路4
の入力端に並列的に接続される。この第1の記憶回路4
の出力端は、第2の記憶回路5の入力端子に並列的に接
続されると共に、第1桁〜第n桁のn個のオアゲート6
1,62,・・・6nからなる第2のゲート回路6のそ
れぞれのオアゲートに並列的に接続される。7は例えば
n進のリングカウンタ等からなるカウンタ回路で、この
カウンタ回路7の第1桁〜第n桁のn個の出力端は、上
記第2のゲート回路6を構成するn個のオアゲートの入
力端にそれぞれ並列的に接続されると共に、前記第1の
ゲート回路3を構成する各桁のアンドゲート31,32
,・・・3nの入力端に並列的に接続される。
In FIG. 1, T1 is an input terminal, and this input terminal T1 is connected to the output terminal of a circuit under test, such as a semiconductor device under test (not shown). Further, the input terminal T1 is connected to an input terminal of a level comparison circuit 2 via a first buffer amplifier 1. The other input end of the level comparison circuit 2 is connected to the output end of a reference level generation circuit, which will be described later. The output terminal of the level comparison circuit 2 is connected in parallel to each AND gate of a first gate circuit 3 consisting of n AND gates 31, 32, . . . 3n for the first to nth digits. Ru. The other input terminals of each of the n AND gates 31, 32, . n AND gates 31 and 32 forming the first gate circuit 3
, . . 3n are connected in parallel to the output terminals of the first to nth digits of a counter circuit, which will be described later. The output terminal of the first gate circuit 3 is connected to a first memory circuit 4 consisting of, for example, n R-S flip-flops.
is connected in parallel to the input terminal of. This first memory circuit 4
The output terminal of is connected in parallel to the input terminal of the second memory circuit 5, and the n OR gates 6 of the first to nth digits are connected in parallel to the input terminal of the second memory circuit 5.
1, 62, . . . 6n are connected in parallel to the respective OR gates of the second gate circuit 6. 7 is a counter circuit consisting of, for example, an n-ary ring counter, and n output terminals of the first to nth digits of this counter circuit 7 are connected to the n OR gates constituting the second gate circuit 6. AND gates 31 and 32 of each digit are connected in parallel to the input terminals and constitute the first gate circuit 3;
, . . . 3n are connected in parallel to the input terminals.

前記第2のゲート回路6の各桁の出力端は、並列的に基
準レベル発生回路8の第1桁〜第n桁の入力端に接続さ
れる。なおこの基準レベル発生回路8については後に詳
述する。そして上記基準レベル発生回路8の出力端は、
前記レペル比較回路2の入力端に接続されると共に、第
2のバツフアアンプ9を介して出力端子TOlに接続さ
れる。10は制御回路で、この制御回路10のクロツク
パルス入力端は、入力端子T2に接続される。
The output terminals of each digit of the second gate circuit 6 are connected in parallel to the input terminals of the first to nth digits of the reference level generating circuit 8. Note that this reference level generating circuit 8 will be described in detail later. The output terminal of the reference level generating circuit 8 is
It is connected to the input terminal of the level comparison circuit 2, and is also connected to the output terminal TOl via the second buffer amplifier 9. 10 is a control circuit, and a clock pulse input terminal of this control circuit 10 is connected to an input terminal T2.

また上記制御回路10、前記第1の記憶回路4および前
記カウンタ回路7のそれぞれのりセツト端子は、一括し
て入力端子T3に接続される。また前記第2の記憶回路
5の第1桁〜第n桁の各出力端は、それぞれ出力端子T
O2−1?TO2−2?゜゜゜T02−nに接続される
O第2図は前記基準レベル発生回路8の1例を示す回路
構成図で、前記第2のゲート回路6の第1桁〜第n桁の
出力端は、並列的に入力端子TlO−1〜TlO−。に
それぞれ接続される。上記入力端子TlO−1〜TlO
−。にはそれぞれ電源電圧Vsが与えられた第1桁〜第
n桁のn個のC−MOSインバータ211,212,・
・・21nが接続される。さらに上記各C−MOSイン
バータ211,212,・・・21nは、それぞれ同値
の抵抗221〜22nを介して、上記抵抗220〜22
nの1/2の抵抗値を持つn−1個の抵抗231〜23
。〜1の直列回路の最前点aおよび各接続点b・・に順
次接続される。そして上記最前点aすなわち上記抵抗2
31と前記抵抗221の接続点は、出力端子TOlOに
接続される。また前記n−1個の抵抗23,〜23n−
1の直列回路の最後点Cは、前記抵抗221〜22nと
同抵抗値の抵抗24を介して接地される。次に上記のよ
うに接続構成された回路の動作を第3図、第4図を併用
して説明する。
Further, the set terminals of the control circuit 10, the first memory circuit 4, and the counter circuit 7 are collectively connected to the input terminal T3. Further, each output terminal of the first to nth digits of the second memory circuit 5 is connected to an output terminal T.
O2-1? TO2-2?゜゜゜O connected to T02-n FIG. 2 is a circuit configuration diagram showing an example of the reference level generation circuit 8, in which the output terminals of the first to nth digits of the second gate circuit 6 are connected in parallel. Input terminals TlO-1 to TlO-. are connected to each. The above input terminals TlO-1 to TlO
−. have n C-MOS inverters 211, 212, 211, 212, .
...21n is connected. Furthermore, each of the C-MOS inverters 211, 212, .
n-1 resistors 231 to 23 with a resistance value of 1/2 of n
. .about.1 series circuits are sequentially connected to the foremost point a and each connection point b... And the foremost point a, that is, the resistance 2
A connection point between the resistor 31 and the resistor 221 is connected to the output terminal TOIO. In addition, the n-1 resistors 23, to 23n-
The last point C of one series circuit is grounded via a resistor 24 having the same resistance value as the resistors 221 to 22n. Next, the operation of the circuit connected and configured as described above will be explained with reference to FIGS. 3 and 4.

ここでは例えば第3図AVC.示すような繰り返し波形
の入力パルスP−Gを被測定回路例えば供試半導体装置
に入力し、この被測定回路の出力端から得られる第3図
bに示すような入力パルスに対する応答信号V.Oにお
いて、そのピークレベルVpを検知する場合について説
明する。先ずパルス発生器(図示せず)から出力する第
4図aに示すような入力パルスP−Gが供試半導体装置
(図示せず)に入力する。このとき供試半導体装置から
は第4図bに示すような応答信号V。が出力する。上記
応答信号oは入力端子T1から第1のバツフアアンプ1
を介してレベル比較回路2の入力端に入力する。一方前
記パルス発生器は、前記入力パルスP−Gと同期した第
4図cに示すような入カクロツクパルスP−Gcを出力
する。次に上記パルス発生器から出力する入カクロツク
パルスP−Gcが、入力端子T2を介して制御回路10
に入力される。上記制御回路10は、上記入カクロツク
パルスP・Gcをカウンタ回路7に入力すると共に、第
4図eに示すような繰り返し波形のゲート制御信号G・
Pを、第1のゲート回路3を構成する第1桁〜第n桁の
アンドゲート31,32,・・・3nのそれぞれの入力
端に入力する。前記入カクロツクパルスP・Gcが入力
したカウンタ回路7は上記入カクロツクパルスP−Gc
を順次計数する。そして、先ずカウンタ回路7のn個の
出力端のうち第1桁の出力端は第4図D,に示すように
所定期間論理レベル1F゛となる。したがつて第2のゲ
ート回路6を構成するn個のオアゲートのうち、第1桁
のオアゲート6,の入力端も論理レベル“ビとなると共
に、第1のゲート回路3を構成するn個のアンドゲート
のうち、第1桁のアンドゲート30の入力端も論理レベ
ル゛ビとなる。したがつて上記第1桁のオアゲート6,
の出力端も論理レベル“ビとなり、第2図に示す基準レ
ベル発生回路8の第1桁の入力端子TlO−1は論理レ
ベル3゛ビとなる。すなわち、この第1桁の入力端子T
lO−1に接続された第1桁のC−MOSインバータ2
1,VC入力信号が与えられたことになる。したがつて
このとき、第1桁のC−MOSインバータ211は、そ
の電源電圧Vsを出力する。ここで例えば抵抗221〜
22n卦よび抵抗24の値を200KΩ、抵抗231〜
23nの値を100KΩとしたとき、出力端子TOlO
VC.は1/2Vsの電圧レベルが生ずる。すなわち1
/2Vsが基準レベルとしてレベル比較回路2VC入力
する。上記レペル比較回路2は、入力端子T1を介して
繰り返し入力される前記応答信号VOと上記基準レベル
発生回路8から入力した1/2Vsなる基準レベルを比
較する。そして第4図TO−T1に示すように基準レベ
ル1/2Vsが応答信号V。.のピークレベルVpの範
囲内にあれば、上記レベル比較回路2の出力端は論理レ
ベル゛″F゛となる。このレベル比較回路2から出力さ
れた論理レベル゛1″″の信号は、第2のゲート回路3
のそれぞれのアンドゲート3,〜3nに並列的に入力す
る。このとき第1桁のアンドゲート31VCのみ前記カ
ウンタ回路7の論理レベル1ビが入力しているので、第
1桁のアンドゲート3,のみが第1の記憶回路4に第4
図f1に示すような論理レベル”ビの信号を出力する。
上記第1の記憶回路4は、上記第1桁のアンドゲート3
1が出力した論理レベル゛ビの信号を一旦記憶すると共
に、その出力端から論理レベル″F″の信号を出力する
。上記第1の記憶回路4から出力した論理レベル゛1”
の信号は、第2の記憶回路5および第2のゲート回路6
の第1桁のオアゲート61に入力する。したがつて基準
レベル発生回路8の第1桁の入力端子TlO−1は、こ
の後常に論理レベル゛1”に保たれる。また上記第2の
記憶回路5は入力した論理レベル゛1”の信号を一旦記
憶する。次にカウンタ回路7が、制御回路10から供給
される入カクロツクパルスP−Gcを計数して、今度は
第2桁の出力端から第4図D2に示すように所定期間論
理レベル゛ビの信号を出力する。上記カウンタ回路7の
第2桁の出力端から出力した論理レベル゛1″″の信号
は、第1のゲート回路3の第2桁のアンドゲート32に
入力すると共に、第2のゲート回路の第2桁のオアゲー
ト62に入力する。上記第2のゲート回路の第2桁のオ
アゲート62に入力した論理レペル゛ビの信号は、前記
基準レベル発生回路8の第2桁の入力端子TlO−2に
印加される。このとき基準レベル発生回路8には第1、
第2桁の入力端子TlO−1,T10−2の両端子に入
力信号が印加される。したがつて第1、第2桁のC−M
OSインバータ211,212が動作し、出力端子TO
lOVCは、前記1/2Vsレペルの他に1/2×1/
2Vsすなわち1/4Vsレベルが発生し総合的に(1
/2+1/4)Vsのレベルが発生する。そしてレペル
比較回路2VCは、上記(1/2+1/4)Vsの基準
レベルが入力する。上記レベル比較回路2は、入力端子
T1を介して繰り返し入力される前記応答信号VOと、
上記基準レベル発生回路8から入力した(1/2+1/
4)Vsなる基準レベルとを比較し、基準レベルが応答
信号VOのピークレベルVpの範囲にあれば、第4図T
2〜T3に示すような期間に論理レベル゛1゛″の信号
を出力する。このレベル比較回路2から出力する信号は
、第2のゲート回路3のそれぞれのアンドゲート31〜
3nに並列的に入力する。このとき第2桁のアンドゲー
ト32のみに前記カウンタ回路7の信号が入力している
ので、第2桁のアンドゲート32のみが第1の記憶回路
4に第4図F2に示すような論理レベル゛ビの信号を出
力する。上記第1の記憶回路4は、上記第2桁のアンド
ゲート32が出力した論理レベル゛1”の信号を一旦記
憶すると共に、その出力端から出力する。上記第1の記
憶回路4から出力した信号は、第2の記憶回路5および
第2のゲート回路6の第2桁のオアゲート62に入力す
る。したがつて基準レベル発生回路8の第2桁の入力端
子TlO−2は、この後常に論理レベル゛ビに保たれる
。また上記第2の記憶回路5は入力した信号を一旦記憶
する。いま仮りに基準レベルが応答信号VOのピークレ
ベルVp以上であればレベル比較回路1の出力端は論理
レベル1『″のままである。すなわち、このときには該
アンドゲートの出力端は論理レベル3゛05′のままで
ある。したがつて基準レベル発生回路8の該桁の入力端
子は論理レベル゛O″に保たれる。以下同様に、カウン
タ回路7が入カクロツクパルスP−Gcを計数する毎に
、基準レベル発生回路8は、レベル比較回路2にn通り
の異なつた基準レベルを順次出力する。したがつて第4
図T4を経過して最終的に上記基準レベル発生回路8は
、前記応答信号VOのピークレベルVplfC相当する
レベルVs(1/21b1+1/22b2)+・・・+
1/2nbn)を出力する。ただしb1〜Bnは基準レ
ベル発生回路8の入力端子に印加されている論理レベル
3゛ビまたば『゛の信号である。そして上記ピークレベ
ルVpに相当するレベルは、第2のバツフアアンプ9を
介して出力端子TOlに印加される。な訃第2の記憶回
路5の各出力端子TO,−,〜TO2−。からは、ピッ
クレベルVpのデイジタル情報が出力する。上記回路に
おいて、第1、第2のゲート回路3,6およびカウンタ
回路7等のビツト数nを必要に応じて増加させることに
より、ピークレペルVpをより高精度に検出することが
できる。
Here, for example, FIG. 3 AVC. An input pulse PG having a repetitive waveform as shown in FIG. A case will be described in which the peak level Vp is detected at O. First, an input pulse PG as shown in FIG. 4a outputted from a pulse generator (not shown) is input to a semiconductor device under test (not shown). At this time, the semiconductor device under test generates a response signal V as shown in FIG. 4b. outputs. The response signal o is sent from the input terminal T1 to the first buffer amplifier 1.
The signal is input to the input terminal of the level comparator circuit 2 via. On the other hand, the pulse generator outputs an input clock pulse P-Gc as shown in FIG. 4c, which is synchronized with the input pulse P-G. Next, the input clock pulse P-Gc output from the pulse generator is sent to the control circuit 10 via the input terminal T2.
is input. The control circuit 10 inputs the input clock pulses P·Gc to the counter circuit 7, and also inputs the gate control signals G·Gc having a repetitive waveform as shown in FIG. 4e.
P is input to each input terminal of AND gates 31, 32, . The counter circuit 7 to which the input clock pulses P and Gc are input receives the input clock pulses P and Gc.
are counted sequentially. First, the output terminal of the first digit among the n output terminals of the counter circuit 7 is at the logic level 1F' for a predetermined period of time as shown in FIG. 4D. Therefore, among the n OR gates constituting the second gate circuit 6, the input terminal of the first digit OR gate 6 also becomes the logic level "B", and the n OR gates constituting the first gate circuit 3 Among the AND gates, the input terminal of the first digit AND gate 30 also has a logic level of 1. Therefore, the first digit OR gate 6,
The output terminal of the reference level generating circuit 8 shown in FIG.
1st digit C-MOS inverter 2 connected to lO-1
1, VC input signal is given. Therefore, at this time, the first digit C-MOS inverter 211 outputs its power supply voltage Vs. Here, for example, the resistor 221~
22n trigram and resistance 24 value is 200KΩ, resistance 231~
When the value of 23n is 100KΩ, the output terminal TOIO
V.C. produces a voltage level of 1/2Vs. i.e. 1
/2Vs is input to the level comparison circuit 2VC as a reference level. The level comparison circuit 2 compares the response signal VO repeatedly inputted via the input terminal T1 with a reference level of 1/2Vs inputted from the reference level generation circuit 8. As shown in FIG. 4 TO-T1, the reference level 1/2Vs is the response signal V. .. If the peak level Vp is within the range of the peak level Vp of gate circuit 3
are input in parallel to each AND gate 3, to 3n. At this time, only the AND gate 31VC of the first digit is input with the logic level 1V of the counter circuit 7, so only the AND gate 3 of the first digit is input to the fourth
A signal of logic level "B" as shown in FIG. f1 is output.
The first memory circuit 4 includes the AND gate 3 of the first digit.
The signal of logic level ``F'' outputted by 1 is temporarily stored, and the signal of logic level ``F'' is output from its output terminal. Logic level "1" output from the first memory circuit 4
The signal is transmitted to the second memory circuit 5 and the second gate circuit 6.
input to the OR gate 61 of the first digit. Therefore, the input terminal TlO-1 of the first digit of the reference level generation circuit 8 is always kept at the logic level "1" after this. Also, the second storage circuit 5 stores the input terminal of the logic level "1". Memorize the signal once. Next, the counter circuit 7 counts the input clock pulses P-Gc supplied from the control circuit 10, and this time, from the output terminal of the second digit, as shown in FIG. Output a signal. The logic level "1" signal outputted from the output terminal of the second digit of the counter circuit 7 is input to the AND gate 32 of the second digit of the first gate circuit 3, and also inputs to the AND gate 32 of the second digit of the first gate circuit 3. Input to 2-digit OR gate 62. The logic level repeat signal input to the second digit OR gate 62 of the second gate circuit is applied to the second digit input terminal TlO-2 of the reference level generating circuit 8. At this time, the reference level generating circuit 8 includes the first,
An input signal is applied to both input terminals TlO-1 and T10-2 of the second digit. Therefore, the first and second digits C-M
The OS inverters 211 and 212 operate, and the output terminal TO
In addition to the above 1/2Vs level, lOVC is 1/2×1/
2Vs or 1/4Vs level occurs, and overall (1
/2+1/4)Vs level is generated. The reference level of (1/2+1/4)Vs is input to the level comparison circuit 2VC. The level comparison circuit 2 receives the response signal VO repeatedly inputted via the input terminal T1;
(1/2+1/
4) Compare the reference level Vs with the reference level, and if the reference level is within the range of the peak level Vp of the response signal VO, the
A signal of logic level "1" is output during the period shown as 2 to T3.The signal output from the level comparison circuit 2 is outputted to each of the AND gates 31 to 31 of the second gate circuit 3.
3n in parallel. At this time, since the signal from the counter circuit 7 is input only to the AND gate 32 of the second digit, only the AND gate 32 of the second digit inputs the logic level to the first memory circuit 4 as shown in FIG. 4 F2. Outputs the signal of ゛. The first memory circuit 4 temporarily stores the logic level "1" signal output by the AND gate 32 of the second digit, and outputs it from its output terminal. The signal is input to the second storage circuit 5 and the second digit OR gate 62 of the second gate circuit 6.Therefore, the second digit input terminal TlO-2 of the reference level generation circuit 8 is always The second storage circuit 5 temporarily stores the input signal. If the reference level is equal to or higher than the peak level Vp of the response signal VO, the output terminal of the level comparison circuit 1 remains at logic level 1 ``''. That is, at this time, the output terminal of the AND gate remains at logic level 3'05'. Therefore, the input terminal of the corresponding digit of the reference level generation circuit 8 is kept at the logic level "O".Similarly, every time the counter circuit 7 counts the input clock pulses P-Gc, the reference level generation circuit 8 sequentially outputs n different reference levels to the level comparison circuit 2. Therefore, the fourth
After passing through FIG. T4, the reference level generation circuit 8 finally generates a level Vs(1/21b1+1/22b2)+...+ corresponding to the peak level VplfC of the response signal VO.
1/2nbn). However, b1 to Bn are signals of logic level 3'' or ``'' applied to the input terminal of the reference level generating circuit 8. A level corresponding to the peak level Vp is applied to the output terminal TOl via the second buffer amplifier 9. Each output terminal TO, -, ~TO2- of the second memory circuit 5. , digital information of the pick level Vp is output. In the above circuit, the peak level Vp can be detected with higher accuracy by increasing the number of bits n of the first and second gate circuits 3, 6, counter circuit 7, etc. as necessary.

なおピークレベルの分解能は1/2nで表わされる。ま
たアナログメモリ等を用いていないので高速に検知する
ことができる。また第1、第2のゲート回路3,6およ
びカウンタ回路7、第1の記憶回路4等は、一般のデイ
ジタルI−Cを用いても充分満足できる速度で応答でき
る上、何等特殊なものを用いていないので装置構成が低
価格で実現できるという利点を有する。第5図はこの発
明の応用例の1つを示すプロツク図で、第3図bに示す
応答信号に卦いて、そのピークレベルVpの90%のレ
ベルに相当する点AからピークレペルVpのO(f)の
レベルに相当する点Bまで立下るのに要する時間Tfを
測定する例を示す。
Note that the resolution of the peak level is expressed as 1/2n. Furthermore, since no analog memory or the like is used, high-speed detection is possible. Furthermore, the first and second gate circuits 3 and 6, the counter circuit 7, the first memory circuit 4, etc. can respond at a sufficiently satisfactory speed even if a general digital I-C is used. Since it is not used, it has the advantage that the device configuration can be realized at a low cost. FIG. 5 is a block diagram showing one example of application of the present invention, in which the response signal shown in FIG. An example will be shown in which the time Tf required for falling to point B corresponding to the level of f) is measured.

第5図において101はパルス発生器で、このパルス発
生器101からは互いに異なつれレベルで互いに同期し
た繰り返し波形の人力パルスP−Gおよび入カクロツク
パルスP−Gcが出力される。上記パルス発生器101
から出力される入力パルスP−Gは、パルス応答試験を
する供試半導体装置10211C供給される。一方パル
ス発生器101から出力される入カクロツクパルスP−
Gcは、ピーク値検出回路103に供給される。な卦、
このビーク値検出回路103は第1図に示すものと同様
である。前記供試半導体装置102から出力される前記
入力パルスP−Gに対応した応答信号VOは、上記ピー
ク値検出回路103VC供給されると共にバツフアアン
プ104を介して第1、第2の比較器105,106に
供給される。前記ピーク値検出回路103は、ピークレ
ベルVpを検出して第1、第2のレベル設定器107,
108VC供給すると共に、A/D変換器109に供給
する。上記A/D変換器109は、供給されるピークレ
ベルVpをA/D変換してそのデイジタル精報を端子T
lOlから出力するものである。前記第1、第2のレベ
ル設定器107,108は、それぞれピークレベルVp
をO〜100%の範囲で任意に設定したレベル信号を、
前記第71、第2の比較器105,106にそれぞれ供
給する。上記第1、第2の比較器105,106は、そ
れぞれ上記2種のレベル信号と前記応答信号VOとを比
較し、2種のレベル信号のレベルに対応した応答信号V
。のレベル点を検出しその検出タイミング信号を発生す
る。110はゲート回路で、このゲート回路110には
クロツクパルス発生器111からクロツクパルスCpが
供給される。
In FIG. 5, reference numeral 101 denotes a pulse generator, and this pulse generator 101 outputs human input pulses PG and input clock pulses PGc of repetitive waveforms that are synchronized with each other at different levels. The above pulse generator 101
The input pulse PG outputted from the test device 10211C is supplied to a semiconductor device under test 10211C for a pulse response test. On the other hand, the input clock pulse P- output from the pulse generator 101
Gc is supplied to the peak value detection circuit 103. A trigram,
This peak value detection circuit 103 is similar to that shown in FIG. A response signal VO corresponding to the input pulse PG outputted from the semiconductor device under test 102 is supplied to the peak value detection circuit 103VC and is sent to the first and second comparators 105 and 106 via the buffer amplifier 104. supplied to The peak value detection circuit 103 detects the peak level Vp and outputs the first and second level setters 107,
108 VC is supplied to the A/D converter 109. The A/D converter 109 A/D converts the supplied peak level Vp and sends the digital signal to the terminal T.
It is output from lOl. The first and second level setters 107 and 108 each set a peak level Vp.
The level signal is arbitrarily set in the range of 0 to 100%,
The signal is supplied to the 71st and second comparators 105 and 106, respectively. The first and second comparators 105 and 106 respectively compare the two types of level signals and the response signal VO, and output a response signal V corresponding to the levels of the two types of level signals.
. detects the level point of and generates a detection timing signal. 110 is a gate circuit, and a clock pulse Cp is supplied to this gate circuit 110 from a clock pulse generator 111.

上記ゲート回路110は、前記第1、第2の比較器10
5,106で発生する検出タイミング信号から2点のレ
ベル点間の時間間隔に相当する数のクロツクパルスCp
を送出する。上記ゲート回路110から送出されるクロ
ツクパルスCpは、カウンタ回路112VCよつて計数
され前記2点のレベル点間の時間間隔が検出される。上
記カウンタ回路112で検出される時間間隔は、端子T
lO2から外部回路に供給されると共に、比較回路11
3に供給される。この比較回路113には予め規定の時
間間隔が設定されていて、この時間間隔と上記カウンタ
回路112から供給される時間間隔とを比較し、その比
較結果を端子TlO3から送出する。上記のような構成
に訃いて、先ず第1のレベル設定器107を90(fl
)に設定すると共に第2のレベル設定器108をO%に
設定する。
The gate circuit 110 connects the first and second comparators 10
A number of clock pulses Cp corresponding to the time interval between two level points are generated from the detection timing signal generated at 5,106.
Send out. The clock pulse Cp sent from the gate circuit 110 is counted by a counter circuit 112VC to detect the time interval between the two level points. The time interval detected by the counter circuit 112 is determined by the terminal T
It is supplied from lO2 to the external circuit, and the comparator circuit 11
3. A prescribed time interval is set in advance in this comparison circuit 113, and this time interval is compared with the time interval supplied from the counter circuit 112, and the comparison result is sent out from the terminal TlO3. Using the above configuration, first, the first level setter 107 is set to 90 (fl.
) and set the second level setter 108 to 0%.

さらに比較回路113において、パルス応答試験におけ
る規定の立下り時間TfOを設定して卦く。次に回路を
動作させると、第1のレベル設定器107はピーク値検
出回路103から出力するピークレベルVpの90%の
レベル信号を、第1の比較器105に出力する。一方第
2のレベル設定器107はピークレベルVpf)O%の
レベル信号を、第2の比較器106VC出力する。上記
第1、第2の比較器105,106はそれぞれ上記2種
のレベル信号と、応答信号VOとを比較して応答信号0
VCおける2点のレベル設定点を検出し、その2つの検
出タイミング信号をゲート回路110に出力する。上記
ゲート回路110はカウンタ回路112VC1上記2つ
の検出タイミング信号の間隔時間に相当するクロツクパ
ルスCpを出力する。上記カウンタ回路112は上記ク
ロツクパルスCpを計数して前記応答信号VOの2つの
設定点A,B間の時間間隔Tfを検出して比較回路11
3VC出力する。上記比較回路113は、上記時間間隔
Tfと前記設定された規定の時間間隔TfOとを比較し
、TfとTfOの大きさによつて供試半導体装置102
の良否の判定およびクラス別け等の各種の比較結果を端
子TlO3から出力する。上記のようなパルス応答波の
測定方式に}いては何等特殊な回路を用いていないので
低価格に構成できるとともに、サンプルホールド回路等
のアナログ的な要素を含まないので高速度の繰り返し入
力波形に対して極めて良好な性能が期待でき、その上全
自動的に測定試験を行なうことができる。
Further, in the comparison circuit 113, a prescribed fall time TfO in the pulse response test is set. Next, when the circuit is operated, the first level setter 107 outputs a level signal of 90% of the peak level Vp output from the peak value detection circuit 103 to the first comparator 105. On the other hand, the second level setter 107 outputs a level signal of the peak level Vpf)0% to the second comparator 106VC. The first and second comparators 105 and 106 respectively compare the two types of level signals and the response signal VO to generate a response signal 0.
Two level setting points on VC are detected and the two detection timing signals are output to the gate circuit 110. The gate circuit 110 outputs a clock pulse Cp corresponding to the interval time between the two detection timing signals of the counter circuit 112VC1. The counter circuit 112 counts the clock pulses Cp to detect the time interval Tf between the two set points A and B of the response signal VO, and the comparator circuit 112
Outputs 3VC. The comparison circuit 113 compares the time interval Tf with the predetermined time interval TfO, and determines whether the semiconductor device under test 102
Various comparison results such as determination of quality and classification of the data are outputted from the terminal TlO3. The pulse response wave measurement method described above does not use any special circuits, so it can be constructed at low cost, and since it does not include analog elements such as sample-and-hold circuits, it can be used for high-speed repetitive input waveforms. In contrast, extremely good performance can be expected, and furthermore, measurement tests can be performed fully automatically.

この発明は上記の一実施例に限定されるものではなく、
例えば上記実施例では供試半導体装置の立下り時間を測
定する場合について説明したが、これは立下り時間の測
定に限定されるものではなく、立上り時間の測定等その
他各種測定が可能であることはいうまでもない。また上
記実施例では被測定回路として半導体装置を用いる場合
を説明したが、これは半導体装置に限定されるものでは
なく各種回路装置を用いてもよいことはもちろんである
。この他この発明は要旨を逸脱しない範囲で各種変形が
可能である。以上説明したようにこの発明によれば、被
測定回路から出力するパルス応答波形と、このパルス
:応答波形と同期して基準レベル発生回路から出力され
るn通りの異なる基準レベルとをレベル比較回路により
順次比較してパルス応答波形のピーク値を検出するよう
にしたことにより、被測定回路のパルス応答測定を高精
度かつ高速度にしかも自動的に行い得ると共に、装置構
成が低価格で実現できるようなパルス応答波形の測定方
式を提供できる。
This invention is not limited to the above embodiment,
For example, in the above embodiment, the case of measuring the fall time of the semiconductor device under test was explained, but this is not limited to measuring the fall time, and various other measurements such as the measurement of the rise time are possible. Needless to say. Further, in the above embodiments, a case has been described in which a semiconductor device is used as the circuit to be measured, but this is not limited to a semiconductor device, and it goes without saying that various circuit devices may be used. In addition, various modifications can be made to the present invention without departing from the gist thereof. As explained above, according to the present invention, the pulse response waveform output from the circuit under test and this pulse
: By detecting the peak value of the pulse response waveform by sequentially comparing n different reference levels output from the reference level generation circuit in synchronization with the response waveform using the level comparison circuit, It is possible to provide a pulse response waveform measurement method that allows pulse response measurement to be performed automatically with high accuracy and speed, and which allows the device configuration to be realized at a low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の一実施例の回路構成図、第2図は上
記実施例に用いる基準レベル発生回路の1例を示す回路
構成図、第3図}よび第4図は上記実施例を説明するた
めのタイムチヤート、第5図は上記実施例の応用例を示
すプロツク図である。 1,9,104・・・・・・バツフアアンプ、2・・・
・・・レベル比較回路、3,6・・・・・・ゲート回路
、4,5・・・・・・記憶回路、7,112・・・・・
・カウンタ回路、8・・・・・・基準レベル発生回路、
10・・・・・・制御回路、211〜21。
FIG. 1 is a circuit configuration diagram of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a reference level generation circuit used in the above embodiment, and FIGS. A time chart for explanation and FIG. 5 is a block diagram showing an example of application of the above embodiment. 1,9,104...batshuaamp, 2...
...Level comparison circuit, 3,6...Gate circuit, 4,5...Memory circuit, 7,112...
・Counter circuit, 8...Reference level generation circuit,
10... Control circuit, 211-21.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 被測定回路のパルス応答波形が繰り返し入力するレ
ベル比較回路と、このレベル比較回路にn通りの異なる
基準レベルを順次かつ上記被測定回路へのパルス入力と
同期して供給する基準レベル発生回路と、上記レベル比
較回路での比較結果を記憶する記憶回路とを具備し、上
記パルス応答波形のピーク値を検出するようにしたこと
を特徴とするパルス応答波形の測定方式。
1. A level comparison circuit to which the pulse response waveform of the circuit under test is repeatedly input, and a reference level generation circuit that supplies n different reference levels to the level comparison circuit sequentially and in synchronization with the pulse input to the circuit under test. A method for measuring a pulse response waveform, comprising: a storage circuit for storing the comparison result of the level comparison circuit, and detecting a peak value of the pulse response waveform.
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