JPS59228417A - Analog-digital converter - Google Patents

Analog-digital converter

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JPS59228417A
JPS59228417A JP10264583A JP10264583A JPS59228417A JP S59228417 A JPS59228417 A JP S59228417A JP 10264583 A JP10264583 A JP 10264583A JP 10264583 A JP10264583 A JP 10264583A JP S59228417 A JPS59228417 A JP S59228417A
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JP
Japan
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circuit
switch
switched capacitor
charge injection
output
Prior art date
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Pending
Application number
JP10264583A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Ueno
雅弘 上野
Takashi Sase
隆志 佐瀬
Kozaburo Kurita
公三郎 栗田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP10264583A priority Critical patent/JPS59228417A/en
Publication of JPS59228417A publication Critical patent/JPS59228417A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/06Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)

Abstract

PURPOSE:To eliminate the effect of leakage current on an AD converting gain by driving a switch connected to an integration circuit among switches being components of a switched capacitor circuit in an identical prescribed period. CONSTITUTION:A switch Sr2 of a reference charge injection circuit 12 repeats turning on/off at all times in synchronizing with the operation of a switch Si2 and only a switch Sr1 is turned in synchronizing with an output of a comparator circuit 14. Thus, since the leakage current does not give any effect on the gain, the gain is not largely susceptible to the effect of conditions such as ambient temperature and manufacture process.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はA−D変換器に係シ、特に高精度で、かつ、L
 S I (Lage 5c31e Integrat
ion )化に好適なA−D変換器に関するものである
[Detailed Description of the Invention] [Field of Application of the Invention] The present invention relates to an A-D converter, and particularly to an A-D converter that is highly accurate and
S I (Lage 5c31e Integrat
ion).

〔発明の背景〕[Background of the invention]

第1図は本発明の出願人が先に提案したA−D変換器の
回路ブロック図である。第1図において、11は電圧入
力回路で、バッファアンプ21とスイッチSu、Sst
およびコンデンサCIからなるスイツチトキャパシタ回
路22とから構成しである。12は基準電荷注入回路で
、バッファアンプ23とスイッチSrt I Sr2お
よびコンデンサC2とからなるスイツチトキャパシタ回
路24とから構成しである。13は積分回路、14は比
較回路、15はスイッチ制御回路、16はタイミング制
御回路、17はディジタル処理回路である。
FIG. 1 is a circuit block diagram of an A-D converter previously proposed by the applicant of the present invention. In FIG. 1, 11 is a voltage input circuit, which includes a buffer amplifier 21 and switches Su and Sst.
and a switched capacitor circuit 22 consisting of a capacitor CI. Reference numeral 12 denotes a reference charge injection circuit, which is composed of a buffer amplifier 23 and a switched capacitor circuit 24 consisting of a switch Srt I Sr2 and a capacitor C2. 13 is an integration circuit, 14 is a comparison circuit, 15 is a switch control circuit, 16 is a timing control circuit, and 17 is a digital processing circuit.

第2図は第1図の動作を示すタイムチャートで、第2図
(イ)、(ロ)はそれぞれタイミング制御回路16によ
シ駆動されるスイツチトキャパシタ回路22のスイッチ
S11.SL2の動作を示し、高レベルはスイッチのオ
ン状態を示し、スイッチ8+tのオンでコンデンサCI
に入力電圧V+に比例する電荷qI=CI ・Vt(C
tはコンデンサCIの容量値)を充電し、スイッチ81
2のオンのときにその電荷を積分回路13へ転送する。
FIG. 2 is a time chart showing the operation of FIG. 1, and FIGS. 2(a) and 2(b) show the switches S11. of the switched capacitor circuit 22 driven by the timing control circuit 16. Indicates the operation of SL2, a high level indicates the on state of the switch, and when the switch 8+t is on, the capacitor CI
The charge qI = CI ・Vt(C
t is the capacitance value of the capacitor CI), and the switch 81
2 is on, the charge is transferred to the integrating circuit 13.

このような動作の繰シ返し後、積分回路13の出力電圧
が比較回路14のしきい値を越えると、比較回路14の
出力が反転する。比較回路14の動作は第2図(ハ)に
示しである。この比較回路14の出力電圧の反転によシ
スイッチ制御回路15は、基準電荷注入回路12のスイ
ツチトキャパシタ回路24のスイッチ8rl HSe2
を1回駆動する。スイッチSt1,8t2の動作を第2
図に)、(ホ)に示す。すなわち、基準電荷注入回路1
2のスイツチトキャパシタ回路24は、比較回路14の
出力に同期して動作する。このような基準電荷注入回路
12の動作によシ、基準電荷qr=vt ’ cr  
<vrは基準電圧、C1はコンデンサCFの容量値)が
1回毎に積分回路13に転送される。したがって、基準
電荷qrの極性を入力電荷qlの極性と逆にしておけば
、基準電荷注入回路12の動作によシ、積分回路13内
の電荷の平衡が保たれ、出力電圧はもとに戻シ、したが
って、比較回路14の出力電圧ももとに戻る。いま、電
圧入力回路11のスイッチトキャパシタ回路22の駆動
周波数をf、、A−D変換時間をT1この間の基準電荷
注入回路12のスイッチトキャパシタ回路24の動作回
数をNとすると、積分回路13の電荷平衡条件よシ次式
が成立する。
After repeating such operations, when the output voltage of the integrating circuit 13 exceeds the threshold value of the comparing circuit 14, the output of the comparing circuit 14 is inverted. The operation of the comparator circuit 14 is shown in FIG. 2(C). Due to the inversion of the output voltage of the comparison circuit 14, the switch control circuit 15 controls the switch 8rl HSe2 of the switched capacitor circuit 24 of the reference charge injection circuit 12.
Drive once. The operation of switches St1 and 8t2 is
) and (e). That is, the reference charge injection circuit 1
The second switched capacitor circuit 24 operates in synchronization with the output of the comparison circuit 14. Due to the operation of the reference charge injection circuit 12, the reference charge qr=vt' cr
<vr is the reference voltage, C1 is the capacitance value of the capacitor CF) is transferred to the integrating circuit 13 every time. Therefore, if the polarity of the reference charge qr is reversed to the polarity of the input charge ql, the operation of the reference charge injection circuit 12 will maintain the balance of the charges in the integration circuit 13, and the output voltage will return to its original value. Therefore, the output voltage of the comparator circuit 14 also returns to its original state. Now, if the driving frequency of the switched capacitor circuit 22 of the voltage input circuit 11 is f, and the A/D conversion time is T1, and the number of operations of the switched capacitor circuit 24 of the reference charge injection circuit 12 during this period is N, then the charge of the integrating circuit 13 is According to the equilibrium condition, the following equation holds true.

ql”s・T−V薯・CI”L・T=V、・C2・Nミ
q、・N・・・・・・・・・(1) したがって、 この結果、基準電荷注入回路12の動作回数Nは入力電
圧V+に比例し、動作回数Nは入力電圧V+をディジタ
ル変換した値となる。
ql"s・TV薯・CI"L・T=V,・C2・Nmiq,・N・・・・・・・・・・・・(1) Therefore, as a result, the operation of the reference charge injection circuit 12 The number of times N is proportional to the input voltage V+, and the number of operations N is a value obtained by digitally converting the input voltage V+.

しかし、第1図に示す構成によれば、スイツチトキャパ
シタ回路22をオンチップしたLSIで実現することが
可能であるが、全体として高インピーダンス回路となる
ため、さらに高精度化をはかろうとすると、リーク電流
による誤差を無視できなくなるという欠点を生ずる。
However, according to the configuration shown in FIG. 1, it is possible to realize the switched capacitor circuit 22 with an on-chip LSI, but since the circuit as a whole becomes a high impedance circuit, it is difficult to achieve even higher precision. , this results in the disadvantage that errors due to leakage current cannot be ignored.

次に、この問題を詳述する。第1図に示しであるように
、第1のリーク電流は、積分回路13に接続されている
スインfulle 8tzの積分回路13側で発生する
リーク電流Iz11@ Itrlである8、゛このリー
ク電流Itut Izrlは、スイッチ8I2.Se2
の動作に関係なく、常に積分回路13に流れ込む。
Next, this problem will be explained in detail. As shown in FIG. 1, the first leakage current is the leakage current Iz11@Itrl generated on the integration circuit 13 side of the swing circuit 13 connected to the integration circuit 13. Izrl is connected to switch 8I2. Se2
The signal always flows into the integrating circuit 13 regardless of the operation of the circuit.

第2のリーク電流は、スイッチSH,Srsの積分回路
13と反対側で発生するリーク電流ItI!*Izrx
である。このリーク電流I t1!、  I twsは
各スイッチのオン時にのみ積分回路13に流れ込む。こ
れらのリーク電流を考慮すると、電荷平衡条件は次式の
ようになる。
The second leakage current is a leakage current ItI! generated on the side opposite to the integrating circuit 13 of the switches SH and Srs. *Izrx
It is. This leakage current I t1! , I tws flow into the integrating circuit 13 only when each switch is turned on. Considering these leakage currents, the charge balance condition is as follows.

(3)式よシ、 −XZア1)              ・・・・・
・(4)ただし、スイッチS11.SI!のデユティは
各50チ、スイッチ82118tjJのオン時間は各ス
イッチSo+Stxと同一であるとする。すなわち、(
4)式はリーク電流Itrlによシゲイン誤差を発生し
、また、他のリーク電流はオフセット誤差の原因になる
ことを意味している。さらにリーク電流は、LSI製造
プロセスあるいは製造ロンドによるばらつきが大きく、
管理の困難な要素の1つであシ、また、温度によシ大き
く変化する性質を有してお、す、A−D変換特性の温度
ドリフトの原因になシ、高精度化、高インピーダンス化
による省電力化を阻害している。
(3) Formula Yoshi, -XZA1) ・・・・・・
(4) However, switch S11. SI! It is assumed that the duty of each switch is 50, and the on time of the switch 82118tjJ is the same as that of each switch So+Stx. That is, (
Equation 4) means that the leakage current Itrl causes a gain error, and other leakage currents cause an offset error. Furthermore, the leakage current has large variations due to the LSI manufacturing process or manufacturing process.
It is one of the difficult elements to manage, and has properties that vary greatly depending on temperature.It is not the cause of temperature drift in A-D conversion characteristics.High precision and high impedance This impedes power saving through

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の第1の目的は、高インピーダンス回路方式とし
ても、リーク電流によるゲイン誤差を発生しないA−D
変換器を提供することにある。第2の目的は、高インピ
ーダンス回路方式としてもリーク電流によるオフセット
誤差を軽減ないしは除去できるA−D変換器を提供する
ことにある。
The first object of the present invention is to provide an A-D circuit that does not generate gain errors due to leakage current even when using a high impedance circuit.
The purpose is to provide a converter. A second object is to provide an A-D converter that can reduce or eliminate offset errors due to leakage current even when using a high impedance circuit system.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明は、スイツチトキャパシタ回路を含む電圧入力回
路および基準電荷注入回路の出力電荷を積分回路で積分
し、この積分回路の出力を比較回路に入力し、この比較
回路の出力に応じて上記基準電荷注入回路を作動させて
、電荷の平衡を取ってA−D変換する際、出力値に対応
して上記基準電荷注入回路を作動させることがリーク電
流による誤差発生の要因になることに着目して行われた
もので、上記リーク電流の影響が出力値によらず一定に
なるように、上記基準電荷注入回路を含め、スイツチト
キャパシタ回路を構成するスイッチのうち少なくとも上
記積分回路側に接続されたスイッチはそれぞれ同一の一
定周期で駆動する構成としたことを特徴としている。
The present invention integrates the output charges of a voltage input circuit including a switched capacitor circuit and a reference charge injection circuit in an integrating circuit, inputs the output of this integrating circuit to a comparator circuit, and uses the above-mentioned reference according to the output of this comparator circuit. We focused on the fact that when the charge injection circuit is operated to balance the charges and perform A-D conversion, operating the reference charge injection circuit in accordance with the output value causes errors due to leakage current. At least one of the switches constituting the switched capacitor circuit, including the reference charge injection circuit, is connected to the integration circuit side so that the influence of the leakage current is constant regardless of the output value. The switch is characterized in that it is configured to be driven at the same constant cycle.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下本発明を第4図に示した実施例および第3図、第5
図を用いて詳細に説明する。
The embodiment of the present invention shown in FIG. 4 and FIGS. 3 and 5 are as follows.
This will be explained in detail using figures.

まず、本発明の一実施例を第3図によシ説明する。第3
図は第1図に示す構成のA−D変換器の制御方法を本発
明に係るように改良した場合の第2図に相当するタイム
チャートで、第3図の(イ)〜(ホ)は第2図の(イ)
〜(ホ)に対応している。第3図においては、第1図の
基準電荷注入回路12のスイッチSr2は、第3図に)
に示すように、同図(ロ)に示すスイッチS1の動作と
同期して常時オン、オフを繰シ返しておシ、スイッチS
11のみが、同図に)に示すように、同図(ハ)に示す
比較回路14の出力に同期してオンしている。この場合
、変換時間T内に電圧入力回路11および基準電荷注入
回路12から積分回路13に注入される電荷Q+は、ス
イッチ動作条件を(3)、 (4)式の導出条件と同一
とする・・・・・・(5) で表わされ、基準電荷Q、もリーク電流に関しては(5
)式と同じ条件となシ、 で表わされる。以上の結果、変換時間T内の電荷平衡条
件からNを求めると、 となる。すなわち、リーク電流は、ゲインに影響する分
母の項には現れて来ない。
First, an embodiment of the present invention will be explained with reference to FIG. Third
The figure is a time chart corresponding to Figure 2 when the control method for the A-D converter configured as shown in Figure 1 is improved according to the present invention, and (A) to (E) in Figure 3 are (a) in Figure 2
It corresponds to ~(e). In FIG. 3, the switch Sr2 of the reference charge injection circuit 12 in FIG. 1 is replaced by the switch Sr2 in FIG.
As shown in FIG.
11 is turned on in synchronization with the output of the comparator circuit 14 shown in (C) of the same figure, as shown in FIG. In this case, the charge Q+ injected into the integrating circuit 13 from the voltage input circuit 11 and the reference charge injection circuit 12 within the conversion time T is calculated by setting the switch operating conditions to be the same as the conditions for deriving equations (3) and (4). ...(5) The reference charge Q is also expressed as (5) with respect to the leakage current.
) with the same conditions as the expression. As a result of the above, when N is determined from the charge balance condition within the conversion time T, it becomes as follows. That is, the leakage current does not appear in the denominator term that affects the gain.

要するに、本実施例によれば、周囲温度および製造プロ
セス等の条件の影響を大きく受けるリーク電流がA−D
変換ゲインに対して与える影響をなくするととが可能と
カシ、ゲインのばらつき、ゲインドリフト等のA−D変
換特性を大幅に改良(9) することができる。
In short, according to this embodiment, the leakage current, which is greatly affected by conditions such as ambient temperature and manufacturing process, is reduced from A to D.
If the effect on conversion gain is eliminated, A-D conversion characteristics such as distortion, gain variation, and gain drift can be significantly improved (9).

第4図は本発明の他の実施例を示す回路図で、第1図と
同一部分は同じ符号で示し、ここでは説明を省略する。
FIG. 4 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention, in which the same parts as in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and their explanation will be omitted here.

第5図は第4図の動作のタイムチャートである。第4図
においては、電圧入力回路11の前段にスイッチ831
 + 8J!が付加してアシ、また、積分回路13に一
定バイアス電荷を注入するバイアス電荷注入回路18が
設けである。電荷注入回路18は、バッファアンプ25
とスイツチトキャパシタ回路26とよりなり、スイツチ
トキャパシタ回路26は、スイッチSb1.8bzおよ
びコンデンサC1よシ構成しである。
FIG. 5 is a time chart of the operation shown in FIG. In FIG. 4, a switch 831 is provided before the voltage input circuit 11.
+8J! Additionally, a bias charge injection circuit 18 for injecting a constant bias charge into the integrating circuit 13 is provided. The charge injection circuit 18 includes a buffer amplifier 25
and a switched capacitor circuit 26, and the switched capacitor circuit 26 includes a switch Sb1.8bz and a capacitor C1.

次に、以上の回路構成における動作を説明する。Next, the operation of the above circuit configuration will be explained.

まず、入力電圧ViをA−D変換する場合、スイッチ8
Nをオン、sJ*をオフして入力電圧vIを取シ込む。
First, when converting the input voltage Vi from A to D, switch 8
Turn on N, turn off sJ*, and input the input voltage vI.

第5図(イ)、(ロ)は、それぞれ電圧入力回路11の
スイツチトキャパシタ回路22のスイッチ811. S
ixの動作を示しておシ、第3図の場合と全く同様の動
作である。第5図(イ)、(ロ)は、また、バイアス電
荷注入回路18のスイッチトキャパシ(10) 夕回路26のスイッチ8bl、Sb2の動作をそれぞれ
示しておシ、バイアス電荷注入回路18の動作は、電圧
入力回路11の動作と同一である。したがって、両回路
から変換時間T内に積分回路13にそれぞれ注入される
電荷Q、、Q、は(3)、 (4)式の導出条件と同い
と考えると、 となる。この結果、第1図の場合と同様、比較回路14
の出力は、積分回路13の出力電圧がしきい値を越えた
時点で反転する。比較回路14の動作を第5図(ハ)に
示す。比較回路14の出力電圧に応じてスイッチ制御回
路15は、基準電荷注入回路12のスイツチトキャパシ
タ回路24のスイッチ5vIH8rtの動作を制御する
。このスイッチ5y118rzの動作を第5図に)、(
ホ)に示す。すなわち、コンデンサC1へ基準電圧V、
から充電するだめのスイッチSr!は、第3図の場合と
同様、比(11) 較回路14の出力に対応して動作させる。しかし、積分
回路13へ電荷を注入するために積分回路13側に接続
されたスイッチ8rzは、スイッチSI2.81+2と
同様、これらに同期させて一定周期で動作させる。この
結果、リーク電流IA、2の積分回路13への流入は、
比較回路14の動作とは無関係となシ、基準電荷注入回
路12から積分回路13へ時間T内に注入される電荷Q
、′は、次式で表わされる。ただし、スイッチ8 yl
 s Sr2の動作条件は第2図の場合と同様とする。
5(a) and 5(b) respectively show the switch 811 of the switched capacitor circuit 22 of the voltage input circuit 11. S
The operation of ix is exactly the same as that shown in FIG. 5(a) and (b) also show the operation of the switches 8bl and Sb2 of the switched capacitor (10) circuit 26 of the bias charge injection circuit 18, respectively, and the operation of the bias charge injection circuit 18 is as follows: The operation is the same as that of the voltage input circuit 11. Therefore, assuming that the charges Q, , Q, respectively injected from both circuits into the integrating circuit 13 within the conversion time T are the same as the conditions for deriving equations (3) and (4), the following equations are obtained. As a result, as in the case of FIG.
The output of the integrating circuit 13 is inverted when the output voltage of the integrating circuit 13 exceeds the threshold value. The operation of the comparison circuit 14 is shown in FIG. 5(C). Depending on the output voltage of the comparison circuit 14, the switch control circuit 15 controls the operation of the switch 5vIH8rt of the switched capacitor circuit 24 of the reference charge injection circuit 12. The operation of this switch 5y118rz is shown in Figure 5), (
Shown in e). That is, the reference voltage V to the capacitor C1,
Switch Sr that prevents you from charging! As in the case of FIG. 3, the ratio (11) is operated in response to the output of the comparison circuit 14. However, the switch 8rz connected to the integrating circuit 13 side in order to inject charge into the integrating circuit 13 is operated at a constant cycle in synchronization with the switches SI2.81+2. As a result, the leakage current IA,2 flowing into the integrating circuit 13 is:
The charge Q injected from the reference charge injection circuit 12 to the integration circuit 13 within time T is unrelated to the operation of the comparison circuit 14.
, ' are expressed by the following equation. However, switch 8yl
s The operating conditions for Sr2 are the same as in the case of FIG.

以上の結果、時間T内の電荷平衡条件から動作回数NI
を求めると、 Q+ + Q−= Q−・・・・・・αυ・・・・・・
aの (12) となる。同様にしてスイッチSNをオフし、スイッチS
j!をオンして電圧入力回路11に零電圧を入力し、時
間Tの間A−D変換すると、バイアス出力であるスイッ
チ8+4の動作回数N0は、aつ式にてV I=Oと置
くことによって得られ、となる。したがって、 となシ、入力電圧に比例したA−D変換出力値Newt
が得られる。なお、スイッチS J 1 # 812の
制御は、タイミング制御回路16で行い、また、(14
)式の演算は、ディジタル処理回路17で行う。
As a result of the above, from the charge balance condition within time T, the number of operations NI
When calculating, Q+ + Q-= Q-・・・・・・αυ・・・・・・
(12) of a. Similarly, switch SN is turned off, and switch S
j! is turned on, zero voltage is input to the voltage input circuit 11, and A-D conversion is performed for a period of time T. The number of operations N0 of switch 8+4, which is the bias output, can be calculated by setting V I = O in the a formula. obtained, becomes. Therefore, the A-D conversion output value Newt is proportional to the input voltage.
is obtained. Note that the switch S J 1 #812 is controlled by the timing control circuit 16, and (14
) is performed by the digital processing circuit 17.

以上述べたように、上記した本発明の実施例によれば、
リーク電流が出力計数値に及ぼす影響がオフセットに変
換されるので、先に述べた第1の実施例と同様、ゲイン
誤差への影響を排除できる(13) ほか、例えば、第1の実施例の場合の(7)式において
V I=Oのとき、リーク電流によシ出力値Nが負にな
る危険性をバイアス電荷の注入によシ除去することがで
きる。さらに、vI=0にしたときのオフセット出力を
別途計数し、(14)式の如くオフセット補正すること
により、オフセット誤差をも排除することができる。ま
た、結果的には、リーク電流による誤差をオフセット誤
差に転換しているので、オフセット補正を行うことによ
、!り、(14)式に示す如く、ゲイン誤差、オフセッ
ト誤差がともにリーク電流の影響を受けることがなく、
安定度がよく、容易に高精度化が可能なA−D変換器を
得ることができる。
As described above, according to the embodiments of the present invention described above,
Since the influence of the leakage current on the output count value is converted into an offset, the influence on the gain error can be eliminated as in the first embodiment described above (13). In equation (7), when VI=O, the risk that the output value N becomes negative due to leakage current can be eliminated by injecting bias charges. Furthermore, offset errors can also be eliminated by separately counting the offset output when vI=0 and performing offset correction as in equation (14). Also, as a result, the error due to leakage current is converted into an offset error, so by performing offset correction! Therefore, as shown in equation (14), both the gain error and offset error are not affected by leakage current, and
It is possible to obtain an A-D converter that has good stability and can easily be made highly accurate.

なお、スイツチトキャパシタ回路は、上記した構成と異
なる構成であってもよく、同一効果を得ることができる
。また、オフセット補正手段は、他の方法、例えば、ア
ナログ的手段であってもよいことはいうまでもない。
Note that the switched capacitor circuit may have a configuration different from that described above, and the same effect can be obtained. Furthermore, it goes without saying that the offset correction means may be implemented using other methods, such as analog means.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上脱兎したように、本発明によれば、高イン(14) ピーダンス回路方式としてもリーク電流によるゲイン誤
差を発生しないようにでき、容易に高精度化が可能であ
るという効果がある。
As discussed above, according to the present invention, gain errors due to leakage current can be prevented even when using a high impedance (14) impedance circuit, and high precision can be easily achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は先に提案したA−D変換器の構成を示す回路ブ
ロック図、第2図は第1図のこれまでの動作を示すタイ
ムチャート、第3図は第1図の構成における本発明の一
実施例の動作のタイムチャート、第4図は本発明のA−
D変換器の他の実施例を示す回路ブロック図、第5図は
第4図の動作を示すタイムチャートである。 11・・・電圧入力回路、12・・・基準電荷注入回路
、13・・・積分回路、14・・・比較回路、15・・
・スイッチ制御回路、16・・・タイミング制御回路、
17・・・ディジタル処理回路、18・・・バイアス電
荷注入回路、21,23.24・・・バッファアンプ、
22゜24.26・・・スイツチトキャパシタ回路、S
It+812  g   8rtl   Srz  I
  Sb 11   Sbz  +   811  +
   812  自・−スイッチ、CI + Cr @
 Cb・・・コンデンサ。 代理人 弁理士 高橋明夫 (15) 第 /E (ホ) 千4m (む
Fig. 1 is a circuit block diagram showing the configuration of the A-D converter proposed earlier, Fig. 2 is a time chart showing the conventional operation of Fig. 1, and Fig. 3 is the present invention in the configuration of Fig. 1. FIG. 4 is a time chart of the operation of one embodiment of the present invention.
A circuit block diagram showing another embodiment of the D converter, and FIG. 5 is a time chart showing the operation of FIG. 4. DESCRIPTION OF SYMBOLS 11... Voltage input circuit, 12... Reference charge injection circuit, 13... Integrating circuit, 14... Comparison circuit, 15...
- Switch control circuit, 16... timing control circuit,
17... Digital processing circuit, 18... Bias charge injection circuit, 21, 23.24... Buffer amplifier,
22゜24.26...Switched capacitor circuit, S
It+812 g 8rtl Srz I
Sb 11 Sbz + 811 +
812 Self-switch, CI + Cr @
Cb... Capacitor. Agent Patent Attorney Akio Takahashi (15) No./E (E) 1,400m (M)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、スイツチトキャパシタ回路を有する電圧入力回路と
、該電圧入力回路の出力電荷を積分する積分回路と、該
積分回路の入力に接続されたスイツチトキャパシタ回路
を有する基準電荷注入回路と、前記積分回路の出力を入
力とする比較回路と、該比較回路の出力に応じて前記基
準電荷注入回路を制御するスイッチ制御回路と、ディジ
タル処理回路と、全体の動作タイミングを制御するタイ
ミング制御回路とを備え、前記各スイッチトキャパシタ
回路を構度するスイッチのうち少なくとも前記積分回路
側に接続されたスイッチはそれぞれ同一の一定周期で駆
動する構成としであることを特徴とするA−D変換器。 2、前記積分回路の入力にはスイッチトキャパシタ回路
を有するバイアス電荷注入回路も接続されておシ、該バ
イアス電荷注入回路のスイッチトキャパシタ回路の構成
スイッチのうち少なくも前記積分回路側に接続されたス
イッチは、前記電圧入力回路および基準電荷注入回路の
スイッチトキャパシタ回路の前記積分回路側のスイッチ
と同一の一定周期で駆動する構成としである特許請求の
範囲第1項記載のA−D変換器。
[Claims] 1. A voltage input circuit having a switched capacitor circuit, an integrating circuit that integrates the output charge of the voltage input circuit, and a reference charge having a switched capacitor circuit connected to the input of the integrating circuit. an injection circuit, a comparison circuit that receives the output of the integration circuit as an input, a switch control circuit that controls the reference charge injection circuit according to the output of the comparison circuit, a digital processing circuit, and controls the overall operation timing. and a timing control circuit, wherein at least the switches connected to the integrating circuit side among the switches configuring each of the switched capacitor circuits are configured to be driven at the same constant cycle. converter. 2. A bias charge injection circuit having a switched capacitor circuit is also connected to the input of the integrating circuit, and at least one of the switches constituting the switched capacitor circuit of the bias charge injection circuit is connected to the integrating circuit side. 2. The A/D converter according to claim 1, wherein said voltage input circuit and reference charge injection circuit have a switched capacitor circuit driven at the same constant cycle as a switch on said integration circuit side.
JP10264583A 1983-06-10 1983-06-10 Analog-digital converter Pending JPS59228417A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63254826A (en) * 1987-04-10 1988-10-21 Nec Corp Oversampling type a/d converter

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JPS63254826A (en) * 1987-04-10 1988-10-21 Nec Corp Oversampling type a/d converter

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