JPS59224037A - 走査変換型蓄積管の動作方法 - Google Patents
走査変換型蓄積管の動作方法Info
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- JPS59224037A JPS59224037A JP9075784A JP9075784A JPS59224037A JP S59224037 A JPS59224037 A JP S59224037A JP 9075784 A JP9075784 A JP 9075784A JP 9075784 A JP9075784 A JP 9075784A JP S59224037 A JPS59224037 A JP S59224037A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
産業上の利用分野
本発明は走査変換型蓄積管の動作方法に関し。
更に詳細には、絶縁＠単結晶基板を用いた蓄積ターゲッ
ト葡内蔵する走査変換型蓄積管におｙ゛”’（短時間で
むらの少ない状態に消去することが可能な動作方法に関
する。 従来技術 従来の走査変換型蓄積管は、一般に第１図に概Ｖ＠市に
示す如（、真空外壁用、陰極（２ｊ、開側ｊグリッド（
３ｊ、刀０速電極（４）、コリメーション電′Ｉｆ！！
Ａ＋５フ、フィールドメツシュ電極（６）、蓄積ターゲ
ット（７）、偏向コイル（８ｊ、及び集束コイル（９）
から成る。そして。 蓄積ターゲット（７）として、背面爾極葡自′１−るシ
リコン基板上にＳｉｎ、蓄積層をストライプ状又は島状
に設けたもの又は第２図に示す如くカラス基板＋１ｔｌ
ｌの上に、ストライプ状、六角形、正方形、長方形。 円筒等の開孔？：規則的に有するフレフ電極棒旧ｊを設
けたものが使用されて（・る。この糧の走査変換型蓄積
管によれば１画像又はその畑の情報を電荷パターンで配
録し非破壊絖み取りを行うことが可能である。ところが
Ｓ ｉＯ，蓄積層又はガラス基板ＧＯＪの２次竜子放出
をオ０用して情報の書き込みを行うものであるたぬに、
ｓＩｏ、蓄積層又はガラス基板（ＩＱＩの２次電子放
出率δによって書き込み速度が制限され０周波数換算で
数ＭＨｚのｉ）ぎ込み速度しか得られず、高速過渡現象
や繰返しの少な（・高周波信号′？１１−曹き込むこと
は不可能であり、王として書き込み速度の違い画像蓄積
の分野で使用されている。尚従来の蓄積管の沓ぎ込み速
度は、電磁偏向によっても制限されるが、仮りに電磁偏
向による制限がなくとも、蓄積ターゲット（７）におけ
る２次電子放出率によって上述の数Ｍ Ｉ−１ｚに１ｌ
ｆｌＪ限される。 発明がｍ決しようとする間鴎点 上述の如き欠点を解決するものとして本願発明者等は絶
縁物単結晶基板を用いた蓄積ターゲットな提案１−だ。 ところが、この新しい蓄積ターゲットに対し又従来の蓄
積管にどける消去方法を適用しても良好な消去が不可能
であることが判明した。 ｊｉ’ｌｌち、従来は１例えば陰極＋２１ ’＆接地、
制御グリッド＋ａ＋を０〜−７５■、加速電極（４１を
３５０Ｖ、コリメーション１ｔ＆１５）ｋ ３００ Ｖ
、 フィールドメツシュ電極ｔ６Ｊン６５０Ｖとし
、コレクタ電極（１１Ｊには消去、−ｉｆぎ込み、絖み
欧りで要求される電圧を団刀口して動作させて（・る。 そして消去は１例えはプライムモードとしてコレクタ電
極ａυに第１交差電圧Ｖ、 （カラス基板の場合約３０
■〕以上の３００Ｖの市１圧を１ｄｌ ７１０１−て全
面電子ビーム衝撃化なし。 蓄積面（１２１にコレクタ電極（１υと同市、位とし、
しがる後、コレクタ電、極（ｌυに汐０えば２０Ｖを印
刀口［−１第１交差電圧■１以下の状態の蓄積面（１２
１を電子ビーム衝撃し、蓄積面（１２１を陰極電位とす
ることによって行われていた。ところが、この方法をＰ
３縁吻単結晶基板ン用いた蓄積管に適用しても短時間で
むらの少ない消去ン行うことが不可能である。 そこで１本発明の目的は絶縁単結晶基板を用いた蓄積管
に於（・１．むらの少ない消去を行うことが可能な動作
方法な提供することにある。 問題点な解決するための手段 上記目的を達成するための本発明は、フィールドメツシ
ュ粛、極を有する靜電果末静電偏向ｍ電子絖と、絶縁物
単結晶基板上に少なくともフレフタ゛電極を設けた蓄積
ターゲットとを言む走査変換型蓄積管に於（・て。 Ｖ、 ＋ ’Ｖ＋ ＜ Ｖｃ ＜ ＶＭ（但し、ｖＫは
前記電子銃の陰極の電位、ＶｌはｍＪ配蓄積ターゲット
の蓄積面の２久電子放出率δが１となる第〕交走電圧、
■ｏは前記コレクタ電極の電位、 ＶＭは前記フィール
ドメツシュ電極の電位である）の条件が満足するように
前記コレクタ電、極の電位■。ン設定して前記蓄積ター
ゲットヶ電子ビームで衝撃し１次に、Ｖｏ＜ＶＫ’ｖ満
足すると共にＶＫ＜ｖｓ＜ＶＫ十Ｖ、を満足するように
前記コレクタ電極の電１位Ｖ。ン設足して前記蓄積ター
ゲットな電子ビームで衝撃し、しかる後、ＶＫ≦Ｖ８＜
Ｖ、＋Ｖ＋の条件を満足させ且つ前記蓄積面を電子ビー
ムで衝撃しながら前記コレクタ電極の電位Ｖ。ｋ前記陰
極の電位■えよりも高い値寸で上昇さゼて消去電位差′
ｌ？を得ることを特徴とする走査変換型蓄積管の動作方
法に係わるものである。 本願の別の発明は、フィールドメツシュ電極ケ有する静
電集束静電、偏向型電子翫と、絶縁物単結晶基板上に少
なくともコレクタ電憧ン設けた蓄積ターゲットとを含む
走査変換型蓄積管に於（・て。 ＶＫ ＋ Ｖ＋ ＜ Ｖ（） ＜ ＶＭ（但し、■えは
前記電、子絖の陰極の指付、 Ｖ＋は前記蓄積ターゲッ
トの蓄積面の２久電子放出率δが１になる第１父差篭圧
、Ｖｏは前記コレクタを極の電位、 ＶＭは＝Ｕ配スフ
イールドメツシュ電極電位である）の条件が満足するよ
うに前記コレクタ電極の電位Ｖｃ奢設定しｔ前記蓄積タ
ーゲットな電子ビームで衝撃し１次に、ｖｃ＜４十ＶＩ
の条件を満足するまで前記コレクタ可、極の電１位Ｖ。 を低下させ且つ前記フィールドメツシュ１１極の電位Ｖ
Ｍ？！−下げるか又は前記蓄積ターゲットの背面電極の
電位紫下げることによつ℃容量結合的に前記蓄積面の電
位ｖ８を■２≦■８＜ｖＫ＋■１の条件を満足する値と
して前記蓄積ターゲットを電、子ビームで衝撃すること
を含んで消去電位差を得ることを％徴とする走査変換型
蓄積管の動作方法に係わるものである。 作用 上記それぞれの発明の最初のステップ（プライムモート
ノにお（・て、従来の方法と同様にコレクタ爾、極の電
位Ｖ。はフィールドメツシュ１．極の電位■Ｍよりも低
く設定されるが６本発明のターゲットは絶縁物単結晶基
板からなるので、蓄積面の市位ｖｓが従来より高くなる
。このため、仮りに１次のステップで従来の方法に従っ
てコレクタ市、極の電位■。を陰極に対Ｉ−て第１交差
電圧以下に設定
ト葡内蔵する走査変換型蓄積管におｙ゛”’（短時間で
むらの少ない状態に消去することが可能な動作方法に関
する。 従来技術 従来の走査変換型蓄積管は、一般に第１図に概Ｖ＠市に
示す如（、真空外壁用、陰極（２ｊ、開側ｊグリッド（
３ｊ、刀０速電極（４）、コリメーション電′Ｉｆ！！
Ａ＋５フ、フィールドメツシュ電極（６）、蓄積ターゲ
ット（７）、偏向コイル（８ｊ、及び集束コイル（９）
から成る。そして。 蓄積ターゲット（７）として、背面爾極葡自′１−るシ
リコン基板上にＳｉｎ、蓄積層をストライプ状又は島状
に設けたもの又は第２図に示す如くカラス基板＋１ｔｌ
ｌの上に、ストライプ状、六角形、正方形、長方形。 円筒等の開孔？：規則的に有するフレフ電極棒旧ｊを設
けたものが使用されて（・る。この糧の走査変換型蓄積
管によれば１画像又はその畑の情報を電荷パターンで配
録し非破壊絖み取りを行うことが可能である。ところが
Ｓ ｉＯ，蓄積層又はガラス基板ＧＯＪの２次竜子放出
をオ０用して情報の書き込みを行うものであるたぬに、
ｓＩｏ、蓄積層又はガラス基板（ＩＱＩの２次電子放
出率δによって書き込み速度が制限され０周波数換算で
数ＭＨｚのｉ）ぎ込み速度しか得られず、高速過渡現象
や繰返しの少な（・高周波信号′？１１−曹き込むこと
は不可能であり、王として書き込み速度の違い画像蓄積
の分野で使用されている。尚従来の蓄積管の沓ぎ込み速
度は、電磁偏向によっても制限されるが、仮りに電磁偏
向による制限がなくとも、蓄積ターゲット（７）におけ
る２次電子放出率によって上述の数Ｍ Ｉ−１ｚに１ｌ
ｆｌＪ限される。 発明がｍ決しようとする間鴎点 上述の如き欠点を解決するものとして本願発明者等は絶
縁物単結晶基板を用いた蓄積ターゲットな提案１−だ。 ところが、この新しい蓄積ターゲットに対し又従来の蓄
積管にどける消去方法を適用しても良好な消去が不可能
であることが判明した。 ｊｉ’ｌｌち、従来は１例えば陰極＋２１ ’＆接地、
制御グリッド＋ａ＋を０〜−７５■、加速電極（４１を
３５０Ｖ、コリメーション１ｔ＆１５）ｋ ３００ Ｖ
、 フィールドメツシュ電極ｔ６Ｊン６５０Ｖとし
、コレクタ電極（１１Ｊには消去、−ｉｆぎ込み、絖み
欧りで要求される電圧を団刀口して動作させて（・る。 そして消去は１例えはプライムモードとしてコレクタ電
極ａυに第１交差電圧Ｖ、 （カラス基板の場合約３０
■〕以上の３００Ｖの市１圧を１ｄｌ ７１０１−て全
面電子ビーム衝撃化なし。 蓄積面（１２１にコレクタ電極（１υと同市、位とし、
しがる後、コレクタ電、極（ｌυに汐０えば２０Ｖを印
刀口［−１第１交差電圧■１以下の状態の蓄積面（１２
１を電子ビーム衝撃し、蓄積面（１２１を陰極電位とす
ることによって行われていた。ところが、この方法をＰ
３縁吻単結晶基板ン用いた蓄積管に適用しても短時間で
むらの少ない消去ン行うことが不可能である。 そこで１本発明の目的は絶縁単結晶基板を用いた蓄積管
に於（・１．むらの少ない消去を行うことが可能な動作
方法な提供することにある。 問題点な解決するための手段 上記目的を達成するための本発明は、フィールドメツシ
ュ粛、極を有する靜電果末静電偏向ｍ電子絖と、絶縁物
単結晶基板上に少なくともフレフタ゛電極を設けた蓄積
ターゲットとを言む走査変換型蓄積管に於（・て。 Ｖ、 ＋ ’Ｖ＋ ＜ Ｖｃ ＜ ＶＭ（但し、ｖＫは
前記電子銃の陰極の電位、ＶｌはｍＪ配蓄積ターゲット
の蓄積面の２久電子放出率δが１となる第〕交走電圧、
■ｏは前記コレクタ電極の電位、 ＶＭは前記フィール
ドメツシュ電極の電位である）の条件が満足するように
前記コレクタ電、極の電位■。ン設定して前記蓄積ター
ゲットヶ電子ビームで衝撃し１次に、Ｖｏ＜ＶＫ’ｖ満
足すると共にＶＫ＜ｖｓ＜ＶＫ十Ｖ、を満足するように
前記コレクタ電極の電１位Ｖ。ン設足して前記蓄積ター
ゲットな電子ビームで衝撃し、しかる後、ＶＫ≦Ｖ８＜
Ｖ、＋Ｖ＋の条件を満足させ且つ前記蓄積面を電子ビー
ムで衝撃しながら前記コレクタ電極の電位Ｖ。ｋ前記陰
極の電位■えよりも高い値寸で上昇さゼて消去電位差′
ｌ？を得ることを特徴とする走査変換型蓄積管の動作方
法に係わるものである。 本願の別の発明は、フィールドメツシュ電極ケ有する静
電集束静電、偏向型電子翫と、絶縁物単結晶基板上に少
なくともコレクタ電憧ン設けた蓄積ターゲットとを含む
走査変換型蓄積管に於（・て。 ＶＫ ＋ Ｖ＋ ＜ Ｖ（） ＜ ＶＭ（但し、■えは
前記電、子絖の陰極の指付、 Ｖ＋は前記蓄積ターゲッ
トの蓄積面の２久電子放出率δが１になる第１父差篭圧
、Ｖｏは前記コレクタを極の電位、 ＶＭは＝Ｕ配スフ
イールドメツシュ電極電位である）の条件が満足するよ
うに前記コレクタ電極の電位Ｖｃ奢設定しｔ前記蓄積タ
ーゲットな電子ビームで衝撃し１次に、ｖｃ＜４十ＶＩ
の条件を満足するまで前記コレクタ可、極の電１位Ｖ。 を低下させ且つ前記フィールドメツシュ１１極の電位Ｖ
Ｍ？！−下げるか又は前記蓄積ターゲットの背面電極の
電位紫下げることによつ℃容量結合的に前記蓄積面の電
位ｖ８を■２≦■８＜ｖＫ＋■１の条件を満足する値と
して前記蓄積ターゲットを電、子ビームで衝撃すること
を含んで消去電位差を得ることを％徴とする走査変換型
蓄積管の動作方法に係わるものである。 作用 上記それぞれの発明の最初のステップ（プライムモート
ノにお（・て、従来の方法と同様にコレクタ爾、極の電
位Ｖ。はフィールドメツシュ１．極の電位■Ｍよりも低
く設定されるが６本発明のターゲットは絶縁物単結晶基
板からなるので、蓄積面の市位ｖｓが従来より高くなる
。このため、仮りに１次のステップで従来の方法に従っ
てコレクタ市、極の電位■。を陰極に対Ｉ−て第１交差
電圧以下に設定
【、て電子ビームで蓄積面な衝撃１．て
も、蓄積向火陰極電位にすることが困難である。これに
対し℃１本願の第１合口の発明では、コレクタ電極の宵
１位■。 ン陰極電位■□よりも低下させるステップを設け。 第２番目の発明では、フィールドメツシュ’Ｗｔｌ＆又
は背面電極の電位を低下させるステップ′８１−設けて
。 蓄積面の電位を低下させるので、Ｆｌ＋定の消去電位差
ンむらの少ない状態で短時間の内に得ることが出来る。 実施例 以下０図面を参照して本発明の実施例にっ（゛て述べる
。 本発明の実施例に係わる静菫楽宋静電偏向走畳変換型蓄
積管は第３図に説明的に示す如く、真空外ｅ（２０Ｌ
［１ｉｔ２１１．制御グリッドの、加速電： ｉ ｃｈ
ｉ 。 果宋′電極Ｑル、アスティグ電極Ｑ５）、垂直偏向板し
６１゜水平偏向＆ （２７１、コリメーション電極端、
フィールドメツシュ電、極（ハ）、及び蓄積ターゲット
山がら成る。ｐＩＪち、静電集束ｍ電子銃と、静電偏向
板と。 コリメーションｉｆｆ、 極（２ａｌと、フィールドメ
ツシュ電極ｃｌ！９）ト、このフィールドメツシュ１ｉ
！ Ｚ９１に対向配置された蓄積ターゲット（３（１
とから成る。 蓄積ターゲット嬢は第４図に示すように絶縁物単結晶基
板ＣＩＩＪと、該絶縁物単結晶基板３υの一万の表面に
そ漸し且つ規則的に配列された被数の開孔（３２ａ）を
有する２Ｎ＝電性コレクタ電極６カとを有する。 上記絶縁物単結晶基板間は、電子ビーム＆Ｊ撃によつ″
′ｃ２次電子ン放出するのみならず、固体内に電子−正
孔対ン発生し、電子及び正孔が比較的長い寿命ン有する
ものでなげればならず、この実施例の場合は９９．９％
以上の純度を有し、且つ室温で１０１４Ωｃｍ以上の抵
抗値ン有する菱面体晶糸に稿するＡＩ、０３単結晶（サ
ファイヤ）で形成されている。絶縁物単結晶基板ＣＩＩ
ＪはＡｌｔＯｉ ＄結晶に限ることなく１等軸晶糸に楕
するＭｇＯ＋ Ａｌａｒｍ単結晶（スピネル） 、 Ｍ
ｇＯ単結晶、 ＣａＦ、単結晶等で形成し又もよ〜・。 尚Ａｌ 、０．単結晶の場合は異方性を有するが（・ず
れの面方位でも実施可能であり１％にＲＩＴｈ（］ １
０２）、Ａ面（１０１０）、Ｃ面（００１１Ｊ等が望ま
しい。 絶縁物単結晶基板ｃ３υの上に密着しているコレクタ電
極（３力は、クロムを蒸着又はスパッタで約１μｍ以下
に被着さぞ、微細加工蚊術でストライプ状開孔（３２ａ
）ケ規則的に設け、蓄積面（狗を規則的に露出させたも
のである。勿論、コレクタ電極（３２の開孔（３２ａ）
を六角形、正方形、艮方形１円形等にしても差支えなく
、またこのコレクタ電極６２はクロム以外の金楓又は導
電性が得られる半導体薄膜で形成しても差支えな（・。 次に本発明の第１の実施例に係わる蓄積管の動作につい
て述べる。この蓄積管を使用するに当っテハ１例えは、
陰極（２］Ｉノ電位ＶＫ’Ｙ−９００ Ｖ、 ｔｌｊｌ
Ｊ御グリッド■２）ン陰極電位Ｖ、＝−９ＵＯＶ’＆基
準にして０〜−７５■、加速電極のとアステイグ電、極
シ５）とコリメーション電極轍と２接地、集束電極Ｑ４
ケー５ｏｏｖ、フィールドメツシュ電極（２９１の電位
ＶＩＶ、 ”Ｋ ］ ４００ Ｖとし、コレクタ市、極
６２１の電位ｖ。はグライム、消去、督き込み、ｍみ取
りのもモードで要求される値とする。 まず、消去モードについて述べると、第１の消去モード
（プライムモード］として第５図に示す如（スイッチ（
Ｓ）によってコレクタ電極１３２１プライム用電源（Ｐ
、）に接続し、コレクタ市、極６ｚの電位Ｖｏ’に、蓄
積面關の２次電子放出率δ娑】以上にすることが用油な
電、圧即ちＶ、＋ＶＩ以上の電圧で月つフィールドメツ
シュ電極Ｉ２９）の電位ＶＪＶ、（例えは陰極に対して
２３００Ｖ ）以下の例えば陰極Ｑ〃に対して２００へ
１００ＯＶに設定して蓄積ターゲット圓の全面即ちすべ
ての蓄積面（３３１Ｋ電子ビーム衝撃する。史に具体的
にはターゲット電＃ｃＯ，］〜０．２μＡｌ７）状態で
２フレームのテレビジョン走査に相当する走査な行う。 この実施例の場合、加速エネルギー即ちターゲット（コ
レクタ）電圧に対する２次電子放出率（２次電子数／１
次電子数うδの変化が第６図のようになり、第１交差電
圧■１が約１５ＶのＡ１１ＩＯ，単結晶（サファイヤン
が基板帆として使用されて（・るので、δ〉］の領域で
電子ビーム衝撃していることになる。この走査の時はフ
ィールドメツシュ電１極ｃｐｓ ｏ ’ｉ 位がコレク
タ電極ωの電位よりも高いので蓄積面（３３）から放出
された２次電子はフィールドメツシュｔ ＆ １２９＋
に捕獲され、蓄積面出ノの電位ｖｓはコレクタ電極６Ｚ
の電位Ｖ。よりも数十〜百ボルト高いプライム状ｆＤと
なり、プライム前に於ける＊き込み部分と非書き込み部
分との区別を＃英に無く′３″ことが出来る。 次に、コレクタ劃１２の宙１位ｙ。を陰極１位Ｖ、
１よりも低く且つ蓄積面（凋の２次電子放出率Ｊ’
＆１よりも小さくする電位（■え＋■１以下の電位）で
６る例えば−９５０〜−１０００＞？”ルト（陰極１２
１＋に対して−５０〜−１００ポル））として蓄積面Ｑ
の全部す電子ビームで衝撃する。即ち。 Ｖ、 ＜ Ｖｓ＜ Ｖ、 ＋Ｖ＋の状態となるようにコ
レクタ電位Ｖ。を設定してビーム走査する。この結果、
第１回目の電子ビーム衝撃で高められた蓄槓拘曽の１′
１位Ｖｓが陰極筒５位ＶＫ程度まで下り、プライム電位
差ｖＰも下がる。尚コレクタ電極Ｉ３２の電位Ｖ。は＠
ｌｆＭｃｌＤの電位よりも低く設定されているので、ビ
ーム走査後には、陰極電位■□と等しくなった蓄積面（
３階の電位ｖｓはコレクタ電位Ｖ。よりも高くなる。 次に、ＶＫ≦ＶＳ＜ Ｖ、 ＋ Ｖ＋の条件を満足させ
且つ電子ビームで蓄積面（３３１を電１子ビームで衝撃
しながら、コレクタＩＩ２の電位Ｖ。を徐々に上げ、陰
極しυの宵１位■によりも高くする。この場合コレクタ
電極Ｃ＋ａの電、位■。を上けることによって、蓄積面
３：１の電位もこれに追従して止弁しようとするが、蓄
積面（３：ｉｌはδ〈］の状態即ちＶｓ＜■や＋■１の
状態に保たれ又いるので、電子ビーム衝撃でほぼ陰極電
位■ＫＫ戻され、最終的にコレクタ＊ ＊ １３２＋と
蓄積面（３３１との間に消去−；位差Ｖ、 ＝ Ｖｏ−
ＶＳ （ｆｉｔえは１０Ｖ）が生じる。これにより、
書き込入可能な状態になる。 今消去電位差■１」】交差電圧Ｖ１よりも低（１０Ｖに
設定する場合につ（・て述べたが、もし。 消去電位差ｖヨナ第１交差電圧Ｖ１よりも高くしたい場
合には、蓄積向（３３１に電子ビーム衝撃をしてここを
陰極電位に保った状態でコレクタ１！極Ｃ３２＋の電圧
な例えば−８８（ｌ Ｖとし、消去電位差’＆２０Ｖと
する。 ところで、絶縁基板６υを用いた蓄積ターゲット開は非
常に書き込入速度が速いために、書き込み過ぎ等によっ
て部分的にプライムしたと同様になり、プライム電位差
■１が大きくなり、従来の方法では消去が実行出来ない
場合が発生した。しかし。 本発明の方法によれば、消去可能になる。又通常の動作
に於いても残像が長時間消えない場合があるが、このよ
うな場合も１本発明の方法により均一に消去することが
可能である。 単結晶基板Ｇ３υを使用した場合に従来方法で消去が難
しく゛理由について述べると、基板（３Ｄとして絶縁物
単結晶を使用しているために、蓄積面ｔ３ｘｉの絶縁性
がよく、蓄積面［有］がより高い電位に維持されること
によってプライム後の電位■アが大きくなり。 消去時にコレクタ電極（３力を陰極Ｆ２１＋に対して第
１９差電圧Ｖ１以下に設定しても、蓄積面（３３）の電
位■ｓがコレクタ電１極（３２１の電位Ｖ とプライム
電１位ＶＰとの和となり、これが第１交差電圧Ｖ＋Ｙ越
えるためと思われる。又、サファイヤ単結晶基板（３１
〕の場合。 第１９差電圧Ｖ１が約１５Ｖであり、ｓｉｏ、糸基板に
載べて低（・ことも影響して（・ると思われる。 蓄積面Ｇ３１に情報を薔き込むとぎには、変調電子ビー
ムによってターゲット出に選釈的に衝撃する。 尚この際、コレクタ電極６２をスイッチ（Ｓ）によって
薔ぎ込み電源（’ＶＶ）に接続し、コレクタ電極（３２
１にフィールドメツシュ電！ （２９＋の電圧（１４０
０Ｖ ）よりも高いｆｌｌえは＋９．１ ｋＶ （陰極
に対して＋１０ｋＶ ）ンばＪ７７Ｄする。この書き込
みは、蓄積面（３３１の電位をカンードに対して第１交
差電位■１以上で行うので、ビーム衝撃で曹き込入がな
された蓄積面關の電位は、電子ビーム衝撃量に応じて９
０９０■（カンードに対して９９９０Ｖ）からコレクタ
電極６りの電位にほぼ等しい９］００Ｖ （カンードに
対して］０．０００Ｖ）の間になる。また電子ビームが
衝撃されない蓄積面（３３）の電、位はコレクタ電極首
位■。から消去電位差Ｖ、、＝ＩＯＶｋ差し引（・た９
０９０ボルト（カンードに対して９９９０Ｖ）となる。 これにより、ターゲ・ント面に【エコレクタ′１１極（
３２＋に対し１０〜−１０Ｖの電１位差のある電荷パタ
ーンが形成される。 この蓄積管で１１き込み電、子ビーム衝撃すれば。 ＠積面Ｃ旬が絶縁物単結晶基板６Ｄで形成されて（・る
ために、２次市１子が放出されるのみならず、基板１３
１１内ｊｉ’ｌ］ち固体内に爾子−正孔対が発生する。 絶縁物単結晶基板１３］１は、亀子−正孔対の寿命τが
長（易動度μが大きい低不純物濃度、低結晶欠陥のサフ
ァイヤであるから、電子ビーム衝撃で蓄積面から深さｆ
Ｊ］μｍ以内に発生した電子−正孔対は。 第７図の一次元バンドダイヤグラムに示すように電界に
よって分離され、正孔（ｈ）は蓄積面ｃ３：＜＋の負電
荷ン中和し表面電位を上ける。電、子（ｅ）はドリフト
し１コレクタ電極（３りに捕獲される。捕獲効率は前述
した基板Ｕｌｌの不純物濃度及び結晶欠陥即ち電子、止
孔の寿命τ、及び易動度μに依存するのみならず、コレ
クタ電１極６２１の形状、基板６υの厚さ。 蓄積面（３３１とコレクタ電極１３カとの電位差等にも
依存する。 上述の如くこの蓄積管では２次電子放出効果と。 固体内電子−正孔発生による固体内増幅効果との両方で
曹き込みがなされ、力ロ速エネルギーが大きい領域では
第８図に示す如く固体内項＠効果によって支配的になさ
れる。第８図は電子ビームの加速エネルギー（ｋｅＶ）
と、沓ぎ込み速度と比例関係な有する電子衝撃効果（相
対値）との関係に示し、ａは２次電、子放出効果による
寄与を示し、ｂは固体的増幅効果による寄与を示す。こ
の第８図から明らかなように、約３ｋｅＶまでは２次電
子放出効果が電子衝撃効果（ｔぎ込み速度）に寄与する
が、これ以上では殆んど寄与しない。これに対して、固
体面増幅＠来は加速エネルギーに比例して太ぎくなる。 尚第８図で廃線で示すフィールドメツシュ電位ＶＩ７□
（陰極に灼して２３００Ｖ ）に対比、する加速エネル
ギーヶ越える領域では、２次電子が蓄積面ａ：ｓ＋ Ｋ
杓分布１−るために、ａで示す２次電子放出効果は固有
のものからずれ℃いる。本実施例に係わる蓄積ターゲラ
） Ｇ４＋１１は上述の如く固体的増幅効果を有するが
、従来の非晶質又は多結晶債の蓄積層のターゲットでは
固体的増幅効果を殆んど有さない。 薔き込みによって生じた電荷パターンな読み取る時には
、コレクタ電極（３２１をスイッチ（Ｓ）’＆介して絖
み取り電源（Ｒ）に接続し、陰極＋２１１に対して例え
ば＋５Ｖ程度に設定し、無変調電子ビームによって例え
ばテレビジョン受像機に於ける定食と則株な走査をなし
、電荷パターンケ欣み散る。この場合書き込みがなされ
た部分の電位は原理的には１１υに対して一５ｖ〜＋５
■の間の電位になって（・るが、普通は消去状態の蓄積
面（３３ｊに対して＋］Ｖも書き込みがなされて（・れ
ば光分読み敗りを行うことが出来る。従って書き込み状
態の蓄積面Ｇ３１の電位ン隘極Ｕに対して−５〜−４Ｖ
相度とする。書き込み部分は蓄積面６：３ｊの電位が上
昇しているため耽み取りビームは豊さ込みレベルに応じ
て変調されコレクタ電極（３２１に流入するが非書き込
み部分は平面グリッド効果が大きく読み取りビームのコ
レクタへの流入な阻止する。これによって曹ぎ込入に対
応した電荷パターンの読み取りが可能になる。蓄積面□
□□の電位は書き込まれた部分で陰Ｔｊ＃Ｉ２Ｄに対し
て例えば−４Ｖ、誓ざ込まれなかった部分で陰極Ｑυに
対して例えは−５Ｖとなり、陰極よりも１電４位になっ
て（・るため読み取りビームは蓄積面間には到達しな（
・。このため耽み喉りン行なっても、蓄積面稗の電荷パ
ターンは破壊されない。このような読み堆り力弐を非破
壊読み敗りと呼んで（・るが、この蓄積管ではこれが１
ｌｌｉ］能である。 次に、第２の実施例に係わる動作力法につい又述べる。 この第２の実施例におけるプライムモードは第１の実施
例のプライムモードと同じである。 す１」ち、コレクタ電極Ｃ３２ｊＩ７）電位Ｖ。を蓄積
面（、（３＋をδく］にすることが可能な電圧（、Ｖ、
＋ Ｖ＋以上の電圧〕で且つフィールドメツシュ電ｉ
（ＩＪ！ｉの電位ｖＭ以下の例えは陰極Ｑυに対して
２００〜１００ＯＶに設定して、蓄積面出）を電子ビー
ムで衝撃する。これにより、実施例２と同じプライム状
態が得られる。次にＶ８≦Ｖｏ＜寵＋ｖＩを満足するま
でコレクタ電位Ｖ。を下け、しかる後電源（Ｍ）に接続
されたフィールドメツシュ電極困の電位ＶＪｖ＋を数１
００ｖル上（例えは１００ＯＶ）低下させて蓄積面關の
皇位Ｖｓを容量結合的に低下させ、蓄積面６３（の電位
ｖ８を寵≦Ｖ８＜ Ｖ、 ＋ Ｖｌの状態とし、蓄積面
６３）を電子ビームで衝撃″１−る。これにより蓄積面
ｉ：（：ｉの皇位■８はほぼ陰極電位腎になる。そして
。 δく］の状態での電子ビーム衝撃を維持しつつコレクタ
電極３カの電位を上昇させて所定の消去電位差（例えは
］ＯＶ）を得る。葉たこのδく］の状態での電、子ビー
ム衝撃中にフィールドメツシュ電。 極（ハ）の司２位を元に戻す。なお、容量結合的に電位
ｖ６を下げる時にｖＫ＜ｖ。に設定されていれは。 電子ビーム衝撃でＶ８＝ｖＫとなった時にＶ。−ｖＫの
消去皇位差が得られる。 この実施例に於（゛て、ターゲット山に背面１″５極を
設けなくとも所定の消去管１位差ｖ８を得ることは可能
であるが、説明の都合上、第１０図に示す如く背面電極
１３４＋があるとすれは、蓄積面（３３ｊとコレクタ電
ｆ１２１．フィールドメツシュ電＆ （２９＋ 、及び
背面電極図との間に容量Ｃ６，ＣＮ１．及びＣＢが生じ
。 フィールドメツシュ電極電位Ｖｌいを低下させると。 蓄積面（３３１の電位ｖＳも容量結合的に低下し。 Ｖｘ ≦Ｖ’３ ≦ＶＫ ＋ Ｖｌを満足さゼることが
可能になる。 次に本発明の第３の実施例につ（・て述べる。この実施
例は第２の実施例の変形であって、第９図及び第１０図
に示す如く背面電極（３４Ｉを設け、第２の実施例でフ
ィールドメツシュ電極（ハ）の電位を下げて蓄積面−の
皇位を容量結合的に低下させる代りに、背面電極（３４
ＩＩ７）１ａ、位を下げて蓄積面６４の皇位ｖ８を下け
る方法に係わる。従って、背面電極ｃ１４Ｉには第９図
に示す如く背面電、極用電源（Ｂ）が接続されている。 この実施例では１例えば背面電極間をコレクタ電極６２
と同電位にして、第１及び第２の実施例と同様なプライ
ム動作をなし、プライム状態を得る。しかる後、コレク
タ電極ｃ１２１の市１位Ｖ。を下げてｖＫ≦ｖｏ≦Ｖえ
＋Ｖ、を満足させる。しかる後、背面電極−の電位ＶＢ
を例えば１００ｖ程度下げ、容量ＣＢによる結合をオＩ
Ｉ用して蓄積面Ｑの電位Ｖ８ｋＶＫ＋ＶＩ以下ＫＬ、Ｖ
Ｋ≦ＶＢ ＜ ＶＫ＋ Ｖ、 ノ状態を作り、電子ビー
ム衝撃をなす。そして蓄積面−の電位ｖｓをほぼ陰極電
位叛に保ちつつコレクタ電極６カの電５位を上昇させ所
定の消去電位差ｖ８を得る。なお、第１交差童圧よりも
高い消去市、位差を得る場合には、第１の実施例におい
て説明した方法を採用するか、又は背面電極図にコレク
タ電＆１３２１の重圧よりも高い電圧を団加した状態で
電子ビーム衝撃音なし、しかる後背面電極（陣の電圧を
低下さゼて蓄積面６：３ｊの電位會下げることによって
蓄積面（’、（３＋とコレクタ奄、極（３渚との曲に第
１交差宵。 比以上の電位差を生じさせる。 紀１０図に示すターゲラ） （３０ａ）の容量結合を史
に詳しく説明する。今、コレクタ市、極（３２ｊはスト
ライプ状に形成され紙面に垂直に延びているものとし、
この方向をＹ軸と定ぬる。コレクタ１！極１３２）の幅
は２１で、ピッチは２Ｌとする。又犀みは０．１ ｐｍ
程度であるが、ここでは無視するものとする。コレクタ
電、極１３２１と向父する蓄８１面（ｄ：ｉの方向をＸ
軸、蓄積面（３３１に直交１−る方向にＺ軸を選ぶ。 フィールドメツシュＩｔ ＊ ａ９＋は蓄積面（凋から
ＺＤ、＆板い１）の厚さはＺｌでその位置に背面電極図
があるものとする。このように幾何学糸を決めると、蓄
積ｆｆｉ ｔ３３＋のＸ方向の容量分布Ｃ（ｘｉが次式
で与えられる。 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・ （１（ここで
ε。は真空の誘電率、εＳは基板６１］の失効的な誘電
、率である。ｉｌ１式の第１項は蓄＃ｊ面（３３）とコ
レクタ電極Ｕカの容量結合の関係を示し、第２項は背面
市１憧ｃ１４Ｉとの結合ＣＢの関係を示し、第３項はフ
ィールドメツシュ電極のとの結合ＣＮｌの関係を示１項
である。電装なことは蓄＆面（３３＋に於（゛て容量結
合の大きさがＸに依存することである。このため４！ｒ
電極の単位を変化さゼると蓄積面（Ｊｉ（＋の電位■８
は容量結合の強さによってＸの関数になる。従って本発
明に於（・ては蓄積面（、：ｆ３１の苛１位は必だかも
一定のように扱ったが失効的な平均電位と解釈されるべ
ぎである。コレクター電極Ｃ句が他の形状をとる場合も
当然であるが蓄積面（３Ｊの電位Ｖ８は形状の関数にな
る。従つ又蓄積面（３りの電位Ｖｓは実効的な平均電位
と解釈′１−る。第１０図の例により山式が導かれるが
、容量結合の大きさは幾何字形状依存性が非常に太きい
。従って本発明ではこれらに応じて通切な動作電位を設
定しなければならな（ゝ０ 以上０本発明の実施例につ（・て：１７１Ｓべたが１本
発明はこれに限定されるものではなく、更に変形可能な
ものである。例えは、第１及び第２の実施例と同一方法
で、背面電極（３４１ｋ有するターゲットに於ける消去
をすることが出来る。 発明の効果 上述から明らかな如く０本発明によれば、絶縁物単結晶
基板を使用したターゲットであっても。 むらのない消去を行うことが出来る。
も、蓄積向火陰極電位にすることが困難である。これに
対し℃１本願の第１合口の発明では、コレクタ電極の宵
１位■。 ン陰極電位■□よりも低下させるステップを設け。 第２番目の発明では、フィールドメツシュ’Ｗｔｌ＆又
は背面電極の電位を低下させるステップ′８１−設けて
。 蓄積面の電位を低下させるので、Ｆｌ＋定の消去電位差
ンむらの少ない状態で短時間の内に得ることが出来る。 実施例 以下０図面を参照して本発明の実施例にっ（゛て述べる
。 本発明の実施例に係わる静菫楽宋静電偏向走畳変換型蓄
積管は第３図に説明的に示す如く、真空外ｅ（２０Ｌ
［１ｉｔ２１１．制御グリッドの、加速電： ｉ ｃｈ
ｉ 。 果宋′電極Ｑル、アスティグ電極Ｑ５）、垂直偏向板し
６１゜水平偏向＆ （２７１、コリメーション電極端、
フィールドメツシュ電、極（ハ）、及び蓄積ターゲット
山がら成る。ｐＩＪち、静電集束ｍ電子銃と、静電偏向
板と。 コリメーションｉｆｆ、 極（２ａｌと、フィールドメ
ツシュ電極ｃｌ！９）ト、このフィールドメツシュ１ｉ
！ Ｚ９１に対向配置された蓄積ターゲット（３（１
とから成る。 蓄積ターゲット嬢は第４図に示すように絶縁物単結晶基
板ＣＩＩＪと、該絶縁物単結晶基板３υの一万の表面に
そ漸し且つ規則的に配列された被数の開孔（３２ａ）を
有する２Ｎ＝電性コレクタ電極６カとを有する。 上記絶縁物単結晶基板間は、電子ビーム＆Ｊ撃によつ″
′ｃ２次電子ン放出するのみならず、固体内に電子−正
孔対ン発生し、電子及び正孔が比較的長い寿命ン有する
ものでなげればならず、この実施例の場合は９９．９％
以上の純度を有し、且つ室温で１０１４Ωｃｍ以上の抵
抗値ン有する菱面体晶糸に稿するＡＩ、０３単結晶（サ
ファイヤ）で形成されている。絶縁物単結晶基板ＣＩＩ
ＪはＡｌｔＯｉ ＄結晶に限ることなく１等軸晶糸に楕
するＭｇＯ＋ Ａｌａｒｍ単結晶（スピネル） 、 Ｍ
ｇＯ単結晶、 ＣａＦ、単結晶等で形成し又もよ〜・。 尚Ａｌ 、０．単結晶の場合は異方性を有するが（・ず
れの面方位でも実施可能であり１％にＲＩＴｈ（］ １
０２）、Ａ面（１０１０）、Ｃ面（００１１Ｊ等が望ま
しい。 絶縁物単結晶基板ｃ３υの上に密着しているコレクタ電
極（３力は、クロムを蒸着又はスパッタで約１μｍ以下
に被着さぞ、微細加工蚊術でストライプ状開孔（３２ａ
）ケ規則的に設け、蓄積面（狗を規則的に露出させたも
のである。勿論、コレクタ電極（３２の開孔（３２ａ）
を六角形、正方形、艮方形１円形等にしても差支えなく
、またこのコレクタ電極６２はクロム以外の金楓又は導
電性が得られる半導体薄膜で形成しても差支えな（・。 次に本発明の第１の実施例に係わる蓄積管の動作につい
て述べる。この蓄積管を使用するに当っテハ１例えは、
陰極（２］Ｉノ電位ＶＫ’Ｙ−９００ Ｖ、 ｔｌｊｌ
Ｊ御グリッド■２）ン陰極電位Ｖ、＝−９ＵＯＶ’＆基
準にして０〜−７５■、加速電極のとアステイグ電、極
シ５）とコリメーション電極轍と２接地、集束電極Ｑ４
ケー５ｏｏｖ、フィールドメツシュ電極（２９１の電位
ＶＩＶ、 ”Ｋ ］ ４００ Ｖとし、コレクタ市、極
６２１の電位ｖ。はグライム、消去、督き込み、ｍみ取
りのもモードで要求される値とする。 まず、消去モードについて述べると、第１の消去モード
（プライムモード］として第５図に示す如（スイッチ（
Ｓ）によってコレクタ電極１３２１プライム用電源（Ｐ
、）に接続し、コレクタ市、極６ｚの電位Ｖｏ’に、蓄
積面關の２次電子放出率δ娑】以上にすることが用油な
電、圧即ちＶ、＋ＶＩ以上の電圧で月つフィールドメツ
シュ電極Ｉ２９）の電位ＶＪＶ、（例えは陰極に対して
２３００Ｖ ）以下の例えば陰極Ｑ〃に対して２００へ
１００ＯＶに設定して蓄積ターゲット圓の全面即ちすべ
ての蓄積面（３３１Ｋ電子ビーム衝撃する。史に具体的
にはターゲット電＃ｃＯ，］〜０．２μＡｌ７）状態で
２フレームのテレビジョン走査に相当する走査な行う。 この実施例の場合、加速エネルギー即ちターゲット（コ
レクタ）電圧に対する２次電子放出率（２次電子数／１
次電子数うδの変化が第６図のようになり、第１交差電
圧■１が約１５ＶのＡ１１ＩＯ，単結晶（サファイヤン
が基板帆として使用されて（・るので、δ〉］の領域で
電子ビーム衝撃していることになる。この走査の時はフ
ィールドメツシュ電１極ｃｐｓ ｏ ’ｉ 位がコレク
タ電極ωの電位よりも高いので蓄積面（３３）から放出
された２次電子はフィールドメツシュｔ ＆ １２９＋
に捕獲され、蓄積面出ノの電位ｖｓはコレクタ電極６Ｚ
の電位Ｖ。よりも数十〜百ボルト高いプライム状ｆＤと
なり、プライム前に於ける＊き込み部分と非書き込み部
分との区別を＃英に無く′３″ことが出来る。 次に、コレクタ劃１２の宙１位ｙ。を陰極１位Ｖ、
１よりも低く且つ蓄積面（凋の２次電子放出率Ｊ’
＆１よりも小さくする電位（■え＋■１以下の電位）で
６る例えば−９５０〜−１０００＞？”ルト（陰極１２
１＋に対して−５０〜−１００ポル））として蓄積面Ｑ
の全部す電子ビームで衝撃する。即ち。 Ｖ、 ＜ Ｖｓ＜ Ｖ、 ＋Ｖ＋の状態となるようにコ
レクタ電位Ｖ。を設定してビーム走査する。この結果、
第１回目の電子ビーム衝撃で高められた蓄槓拘曽の１′
１位Ｖｓが陰極筒５位ＶＫ程度まで下り、プライム電位
差ｖＰも下がる。尚コレクタ電極Ｉ３２の電位Ｖ。は＠
ｌｆＭｃｌＤの電位よりも低く設定されているので、ビ
ーム走査後には、陰極電位■□と等しくなった蓄積面（
３階の電位ｖｓはコレクタ電位Ｖ。よりも高くなる。 次に、ＶＫ≦ＶＳ＜ Ｖ、 ＋ Ｖ＋の条件を満足させ
且つ電子ビームで蓄積面（３３１を電１子ビームで衝撃
しながら、コレクタＩＩ２の電位Ｖ。を徐々に上げ、陰
極しυの宵１位■によりも高くする。この場合コレクタ
電極Ｃ＋ａの電、位■。を上けることによって、蓄積面
３：１の電位もこれに追従して止弁しようとするが、蓄
積面（３：ｉｌはδ〈］の状態即ちＶｓ＜■や＋■１の
状態に保たれ又いるので、電子ビーム衝撃でほぼ陰極電
位■ＫＫ戻され、最終的にコレクタ＊ ＊ １３２＋と
蓄積面（３３１との間に消去−；位差Ｖ、 ＝ Ｖｏ−
ＶＳ （ｆｉｔえは１０Ｖ）が生じる。これにより、
書き込入可能な状態になる。 今消去電位差■１」】交差電圧Ｖ１よりも低（１０Ｖに
設定する場合につ（・て述べたが、もし。 消去電位差ｖヨナ第１交差電圧Ｖ１よりも高くしたい場
合には、蓄積向（３３１に電子ビーム衝撃をしてここを
陰極電位に保った状態でコレクタ１！極Ｃ３２＋の電圧
な例えば−８８（ｌ Ｖとし、消去電位差’＆２０Ｖと
する。 ところで、絶縁基板６υを用いた蓄積ターゲット開は非
常に書き込入速度が速いために、書き込み過ぎ等によっ
て部分的にプライムしたと同様になり、プライム電位差
■１が大きくなり、従来の方法では消去が実行出来ない
場合が発生した。しかし。 本発明の方法によれば、消去可能になる。又通常の動作
に於いても残像が長時間消えない場合があるが、このよ
うな場合も１本発明の方法により均一に消去することが
可能である。 単結晶基板Ｇ３υを使用した場合に従来方法で消去が難
しく゛理由について述べると、基板（３Ｄとして絶縁物
単結晶を使用しているために、蓄積面ｔ３ｘｉの絶縁性
がよく、蓄積面［有］がより高い電位に維持されること
によってプライム後の電位■アが大きくなり。 消去時にコレクタ電極（３力を陰極Ｆ２１＋に対して第
１９差電圧Ｖ１以下に設定しても、蓄積面（３３）の電
位■ｓがコレクタ電１極（３２１の電位Ｖ とプライム
電１位ＶＰとの和となり、これが第１交差電圧Ｖ＋Ｙ越
えるためと思われる。又、サファイヤ単結晶基板（３１
〕の場合。 第１９差電圧Ｖ１が約１５Ｖであり、ｓｉｏ、糸基板に
載べて低（・ことも影響して（・ると思われる。 蓄積面Ｇ３１に情報を薔き込むとぎには、変調電子ビー
ムによってターゲット出に選釈的に衝撃する。 尚この際、コレクタ電極６２をスイッチ（Ｓ）によって
薔ぎ込み電源（’ＶＶ）に接続し、コレクタ電極（３２
１にフィールドメツシュ電！ （２９＋の電圧（１４０
０Ｖ ）よりも高いｆｌｌえは＋９．１ ｋＶ （陰極
に対して＋１０ｋＶ ）ンばＪ７７Ｄする。この書き込
みは、蓄積面（３３１の電位をカンードに対して第１交
差電位■１以上で行うので、ビーム衝撃で曹き込入がな
された蓄積面關の電位は、電子ビーム衝撃量に応じて９
０９０■（カンードに対して９９９０Ｖ）からコレクタ
電極６りの電位にほぼ等しい９］００Ｖ （カンードに
対して］０．０００Ｖ）の間になる。また電子ビームが
衝撃されない蓄積面（３３）の電、位はコレクタ電極首
位■。から消去電位差Ｖ、、＝ＩＯＶｋ差し引（・た９
０９０ボルト（カンードに対して９９９０Ｖ）となる。 これにより、ターゲ・ント面に【エコレクタ′１１極（
３２＋に対し１０〜−１０Ｖの電１位差のある電荷パタ
ーンが形成される。 この蓄積管で１１き込み電、子ビーム衝撃すれば。 ＠積面Ｃ旬が絶縁物単結晶基板６Ｄで形成されて（・る
ために、２次市１子が放出されるのみならず、基板１３
１１内ｊｉ’ｌ］ち固体内に爾子−正孔対が発生する。 絶縁物単結晶基板１３］１は、亀子−正孔対の寿命τが
長（易動度μが大きい低不純物濃度、低結晶欠陥のサフ
ァイヤであるから、電子ビーム衝撃で蓄積面から深さｆ
Ｊ］μｍ以内に発生した電子−正孔対は。 第７図の一次元バンドダイヤグラムに示すように電界に
よって分離され、正孔（ｈ）は蓄積面ｃ３：＜＋の負電
荷ン中和し表面電位を上ける。電、子（ｅ）はドリフト
し１コレクタ電極（３りに捕獲される。捕獲効率は前述
した基板Ｕｌｌの不純物濃度及び結晶欠陥即ち電子、止
孔の寿命τ、及び易動度μに依存するのみならず、コレ
クタ電１極６２１の形状、基板６υの厚さ。 蓄積面（３３１とコレクタ電極１３カとの電位差等にも
依存する。 上述の如くこの蓄積管では２次電子放出効果と。 固体内電子−正孔発生による固体内増幅効果との両方で
曹き込みがなされ、力ロ速エネルギーが大きい領域では
第８図に示す如く固体内項＠効果によって支配的になさ
れる。第８図は電子ビームの加速エネルギー（ｋｅＶ）
と、沓ぎ込み速度と比例関係な有する電子衝撃効果（相
対値）との関係に示し、ａは２次電、子放出効果による
寄与を示し、ｂは固体的増幅効果による寄与を示す。こ
の第８図から明らかなように、約３ｋｅＶまでは２次電
子放出効果が電子衝撃効果（ｔぎ込み速度）に寄与する
が、これ以上では殆んど寄与しない。これに対して、固
体面増幅＠来は加速エネルギーに比例して太ぎくなる。 尚第８図で廃線で示すフィールドメツシュ電位ＶＩ７□
（陰極に灼して２３００Ｖ ）に対比、する加速エネル
ギーヶ越える領域では、２次電子が蓄積面ａ：ｓ＋ Ｋ
杓分布１−るために、ａで示す２次電子放出効果は固有
のものからずれ℃いる。本実施例に係わる蓄積ターゲラ
） Ｇ４＋１１は上述の如く固体的増幅効果を有するが
、従来の非晶質又は多結晶債の蓄積層のターゲットでは
固体的増幅効果を殆んど有さない。 薔き込みによって生じた電荷パターンな読み取る時には
、コレクタ電極（３２１をスイッチ（Ｓ）’＆介して絖
み取り電源（Ｒ）に接続し、陰極＋２１１に対して例え
ば＋５Ｖ程度に設定し、無変調電子ビームによって例え
ばテレビジョン受像機に於ける定食と則株な走査をなし
、電荷パターンケ欣み散る。この場合書き込みがなされ
た部分の電位は原理的には１１υに対して一５ｖ〜＋５
■の間の電位になって（・るが、普通は消去状態の蓄積
面（３３ｊに対して＋］Ｖも書き込みがなされて（・れ
ば光分読み敗りを行うことが出来る。従って書き込み状
態の蓄積面Ｇ３１の電位ン隘極Ｕに対して−５〜−４Ｖ
相度とする。書き込み部分は蓄積面６：３ｊの電位が上
昇しているため耽み取りビームは豊さ込みレベルに応じ
て変調されコレクタ電極（３２１に流入するが非書き込
み部分は平面グリッド効果が大きく読み取りビームのコ
レクタへの流入な阻止する。これによって曹ぎ込入に対
応した電荷パターンの読み取りが可能になる。蓄積面□
□□の電位は書き込まれた部分で陰Ｔｊ＃Ｉ２Ｄに対し
て例えば−４Ｖ、誓ざ込まれなかった部分で陰極Ｑυに
対して例えは−５Ｖとなり、陰極よりも１電４位になっ
て（・るため読み取りビームは蓄積面間には到達しな（
・。このため耽み喉りン行なっても、蓄積面稗の電荷パ
ターンは破壊されない。このような読み堆り力弐を非破
壊読み敗りと呼んで（・るが、この蓄積管ではこれが１
ｌｌｉ］能である。 次に、第２の実施例に係わる動作力法につい又述べる。 この第２の実施例におけるプライムモードは第１の実施
例のプライムモードと同じである。 す１」ち、コレクタ電極Ｃ３２ｊＩ７）電位Ｖ。を蓄積
面（、（３＋をδく］にすることが可能な電圧（、Ｖ、
＋ Ｖ＋以上の電圧〕で且つフィールドメツシュ電ｉ
（ＩＪ！ｉの電位ｖＭ以下の例えは陰極Ｑυに対して
２００〜１００ＯＶに設定して、蓄積面出）を電子ビー
ムで衝撃する。これにより、実施例２と同じプライム状
態が得られる。次にＶ８≦Ｖｏ＜寵＋ｖＩを満足するま
でコレクタ電位Ｖ。を下け、しかる後電源（Ｍ）に接続
されたフィールドメツシュ電極困の電位ＶＪｖ＋を数１
００ｖル上（例えは１００ＯＶ）低下させて蓄積面關の
皇位Ｖｓを容量結合的に低下させ、蓄積面６３（の電位
ｖ８を寵≦Ｖ８＜ Ｖ、 ＋ Ｖｌの状態とし、蓄積面
６３）を電子ビームで衝撃″１−る。これにより蓄積面
ｉ：（：ｉの皇位■８はほぼ陰極電位腎になる。そして
。 δく］の状態での電子ビーム衝撃を維持しつつコレクタ
電極３カの電位を上昇させて所定の消去電位差（例えは
］ＯＶ）を得る。葉たこのδく］の状態での電、子ビー
ム衝撃中にフィールドメツシュ電。 極（ハ）の司２位を元に戻す。なお、容量結合的に電位
ｖ６を下げる時にｖＫ＜ｖ。に設定されていれは。 電子ビーム衝撃でＶ８＝ｖＫとなった時にＶ。−ｖＫの
消去皇位差が得られる。 この実施例に於（゛て、ターゲット山に背面１″５極を
設けなくとも所定の消去管１位差ｖ８を得ることは可能
であるが、説明の都合上、第１０図に示す如く背面電極
１３４＋があるとすれは、蓄積面（３３ｊとコレクタ電
ｆ１２１．フィールドメツシュ電＆ （２９＋ 、及び
背面電極図との間に容量Ｃ６，ＣＮ１．及びＣＢが生じ
。 フィールドメツシュ電極電位Ｖｌいを低下させると。 蓄積面（３３１の電位ｖＳも容量結合的に低下し。 Ｖｘ ≦Ｖ’３ ≦ＶＫ ＋ Ｖｌを満足さゼることが
可能になる。 次に本発明の第３の実施例につ（・て述べる。この実施
例は第２の実施例の変形であって、第９図及び第１０図
に示す如く背面電極（３４Ｉを設け、第２の実施例でフ
ィールドメツシュ電極（ハ）の電位を下げて蓄積面−の
皇位を容量結合的に低下させる代りに、背面電極（３４
ＩＩ７）１ａ、位を下げて蓄積面６４の皇位ｖ８を下け
る方法に係わる。従って、背面電極ｃ１４Ｉには第９図
に示す如く背面電、極用電源（Ｂ）が接続されている。 この実施例では１例えば背面電極間をコレクタ電極６２
と同電位にして、第１及び第２の実施例と同様なプライ
ム動作をなし、プライム状態を得る。しかる後、コレク
タ電極ｃ１２１の市１位Ｖ。を下げてｖＫ≦ｖｏ≦Ｖえ
＋Ｖ、を満足させる。しかる後、背面電極−の電位ＶＢ
を例えば１００ｖ程度下げ、容量ＣＢによる結合をオＩ
Ｉ用して蓄積面Ｑの電位Ｖ８ｋＶＫ＋ＶＩ以下ＫＬ、Ｖ
Ｋ≦ＶＢ ＜ ＶＫ＋ Ｖ、 ノ状態を作り、電子ビー
ム衝撃をなす。そして蓄積面−の電位ｖｓをほぼ陰極電
位叛に保ちつつコレクタ電極６カの電５位を上昇させ所
定の消去電位差ｖ８を得る。なお、第１交差童圧よりも
高い消去市、位差を得る場合には、第１の実施例におい
て説明した方法を採用するか、又は背面電極図にコレク
タ電＆１３２１の重圧よりも高い電圧を団加した状態で
電子ビーム衝撃音なし、しかる後背面電極（陣の電圧を
低下さゼて蓄積面６：３ｊの電位會下げることによって
蓄積面（’、（３＋とコレクタ奄、極（３渚との曲に第
１交差宵。 比以上の電位差を生じさせる。 紀１０図に示すターゲラ） （３０ａ）の容量結合を史
に詳しく説明する。今、コレクタ市、極（３２ｊはスト
ライプ状に形成され紙面に垂直に延びているものとし、
この方向をＹ軸と定ぬる。コレクタ１！極１３２）の幅
は２１で、ピッチは２Ｌとする。又犀みは０．１ ｐｍ
程度であるが、ここでは無視するものとする。コレクタ
電、極１３２１と向父する蓄８１面（ｄ：ｉの方向をＸ
軸、蓄積面（３３１に直交１−る方向にＺ軸を選ぶ。 フィールドメツシュＩｔ ＊ ａ９＋は蓄積面（凋から
ＺＤ、＆板い１）の厚さはＺｌでその位置に背面電極図
があるものとする。このように幾何学糸を決めると、蓄
積ｆｆｉ ｔ３３＋のＸ方向の容量分布Ｃ（ｘｉが次式
で与えられる。 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・ （１（ここで
ε。は真空の誘電率、εＳは基板６１］の失効的な誘電
、率である。ｉｌ１式の第１項は蓄＃ｊ面（３３）とコ
レクタ電極Ｕカの容量結合の関係を示し、第２項は背面
市１憧ｃ１４Ｉとの結合ＣＢの関係を示し、第３項はフ
ィールドメツシュ電極のとの結合ＣＮｌの関係を示１項
である。電装なことは蓄＆面（３３＋に於（゛て容量結
合の大きさがＸに依存することである。このため４！ｒ
電極の単位を変化さゼると蓄積面（Ｊｉ（＋の電位■８
は容量結合の強さによってＸの関数になる。従って本発
明に於（・ては蓄積面（、：ｆ３１の苛１位は必だかも
一定のように扱ったが失効的な平均電位と解釈されるべ
ぎである。コレクター電極Ｃ句が他の形状をとる場合も
当然であるが蓄積面（３Ｊの電位Ｖ８は形状の関数にな
る。従つ又蓄積面（３りの電位Ｖｓは実効的な平均電位
と解釈′１−る。第１０図の例により山式が導かれるが
、容量結合の大きさは幾何字形状依存性が非常に太きい
。従って本発明ではこれらに応じて通切な動作電位を設
定しなければならな（ゝ０ 以上０本発明の実施例につ（・て：１７１Ｓべたが１本
発明はこれに限定されるものではなく、更に変形可能な
ものである。例えは、第１及び第２の実施例と同一方法
で、背面電極（３４１ｋ有するターゲットに於ける消去
をすることが出来る。 発明の効果 上述から明らかな如く０本発明によれば、絶縁物単結晶
基板を使用したターゲットであっても。 むらのない消去を行うことが出来る。
５１ｇ１図は従来の蓄積管の概略的断面図、第２図は第
１−の蓄積管のターゲットを示す一部拡大断面図、第３
図は本発明の第１の実施例に係わる静電、集束静電偏向
走査変換型蓄積管の概略的断面図。 第４図は第３図の蓄積管のターゲットを示す一部拡大断
面図、第５図は第３図の蓄８ＦＷの動作を説明するたぬ
の説明的回路図、第６図は第３図の蓄積管における単結
晶基板の加速エネルギーと２次電子放出率との関係を示
すグラフ、第７囚は第３図の蓄積管におけるターゲット
の説明的な一次元バンドダイヤグラム、第８図は帛３因
の蓄積管におけるターゲットの２次電子放出効果と固体
面増幅効果とを示すグラフ、第９図は本発明の第２の実
施例に係わる静電集末静電偏向走査俊換型蓄積管のター
ゲット部分を説明的に示１−回路図、第１０図は第９図
のターゲットの拡大断面図である。 尚図面に用いられて（・る符号に？（・て、 Ｃ１９１
はフィールドメツシュ電極、ｃ３１１＋はターゲラ）１
３１１は絶１１＝物単結晶基板、 Ｃ＋ａはコレクタ電
極、Ｕ（５）は蓄積面である。 代 理 人 高 野 則 次（野邸酊４０
姦率ｆ車 区 ■ 峡 つ 寸 ＝Ｒ網Ｒ
１−の蓄積管のターゲットを示す一部拡大断面図、第３
図は本発明の第１の実施例に係わる静電、集束静電偏向
走査変換型蓄積管の概略的断面図。 第４図は第３図の蓄積管のターゲットを示す一部拡大断
面図、第５図は第３図の蓄８ＦＷの動作を説明するたぬ
の説明的回路図、第６図は第３図の蓄積管における単結
晶基板の加速エネルギーと２次電子放出率との関係を示
すグラフ、第７囚は第３図の蓄積管におけるターゲット
の説明的な一次元バンドダイヤグラム、第８図は帛３因
の蓄積管におけるターゲットの２次電子放出効果と固体
面増幅効果とを示すグラフ、第９図は本発明の第２の実
施例に係わる静電集末静電偏向走査俊換型蓄積管のター
ゲット部分を説明的に示１−回路図、第１０図は第９図
のターゲットの拡大断面図である。 尚図面に用いられて（・る符号に？（・て、 Ｃ１９１
はフィールドメツシュ電極、ｃ３１１＋はターゲラ）１
３１１は絶１１＝物単結晶基板、 Ｃ＋ａはコレクタ電
極、Ｕ（５）は蓄積面である。 代 理 人 高 野 則 次（野邸酊４０
姦率ｆ車 区 ■ 峡 つ 寸 ＝Ｒ網Ｒ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １１＋ フィールドメツシュ電極を有する静電集束静
電偏向型電子銃と、絶縁物単結晶基板上に少なくともコ
レクタ電極を設けた蓄積ターゲットとを含む走査変換型
蓄積管に於いて、 ＶＫ ＋Ｖｌ （Ｖｃ （ＶＭ （但し、ｖＫは前記電子銃の陰極の電位、■は前記蓄積
ターゲットの蓄積面の２次電子放出率δが１となる第１
交差電圧、Ｖｃは前記コレクタ電極の電位、ＶＭは前記
フィールドメツシュ電極の電位である）の条件が満足す
るように前記コレクタ電極の電位ＶＣ・を設定して前記
蓄積ターゲットを電子ビームで衝撃し、次に、Ｖｃ （
ＶＫを満足すると共にＶＫ ＜ Ｖｉ ＜ ＶＫ ＋
Ｖｉ を満足するように前記コレクタ電極の電位Ｖｃを
設定して前記蓄積ターゲットを電子ビームで衝撃し、し
かる後、ＶＫ≦Ｖｓ （Ｖｔ十■の条件を満足させ且つ
前記蓄積面を電子ビームで衝撃しながら前記コレクタ電
極の電位Ｖｃを前記陰極の電位Ｖｘよりも高い値まで上
昇させて消去電位差を得ることを特徴とする走査変換型
蓄積管の動作方法。 （２） フィールドメツシュ電極を有する静電集束静
電偏向型電子銃と、絶縁物単結晶基板上に少なくともコ
レクタ電極を設けた蓄積ターゲットとを含む走査変換型
蓄積管に於いて、 ＶＫ ＋ ’Ｖ； ＜ ＶＣ！ （ＶＭ（但し、ＶＫは
前記電子銃の陰極の電位、又は前記蓄積ターゲットの蓄
積面の２次電子放出率δが１になる第１交差電圧、Ｖｃ
は前記コレクタ電極の電位、ＶＭは前記フィールドメツ
シュ電極の電位である）の条件が満足するように前記コ
レクタ電極の電位Ｖｃを設定して前記蓄積ターゲットを
電子ビームで衝撃し、次に、Ｖｃ （ＶＫ 十Ｖｉ の
条件を満足するまで前記コレクタ電極の電位ＶＣを低下
させ且つ前記フィールドメツシュ電極の電位ＶＭを下げ
るか又は前記蓄積ターゲットの背面電極の電位を下げる
ことによって容量結合的に前記蓄積面の電位ＶＢをＶｘ
≦Ｖ８ （ＶＫ ＋Ｖｌ の条件を満足する値として前
記蓄積ターゲットを電子ビームで衝撃することを含んで
消去電位差を得ることを特徴とする走査変換型蓄積管の
動作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9075784A JPS59224037A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 走査変換型蓄積管の動作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9075784A JPS59224037A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 走査変換型蓄積管の動作方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53124376A Division JPS5939857B2 (ja) | 1978-10-09 | 1978-10-09 | 走査変換型蓄積管の動作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59224037A true JPS59224037A (ja) | 1984-12-15 |
| JPS6348141B2 JPS6348141B2 (ja) | 1988-09-27 |
Family
ID=14007475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9075784A Granted JPS59224037A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 走査変換型蓄積管の動作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59224037A (ja) |
-
1984
- 1984-05-07 JP JP9075784A patent/JPS59224037A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6348141B2 (ja) | 1988-09-27 |
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