JPH022264B2

JPH022264B2 -

Info

Publication number: JPH022264B2
Application number: JP21237782A
Authority: JP
Inventors: Takefumi Kato
Original assignee: Iwatsu Electric Co Ltd
Current assignee: Iwatsu Electric Co Ltd
Priority date: 1982-12-03
Filing date: 1982-12-03
Publication date: 1990-01-17
Also published as: JPS59103254A

Description

【発明の詳細な説明】技術分野本発明はストレージオシロスコープ、Ａ−Ｄ変
換器等に使用する走査変換型蓄積管の動作方法に
関し、更に詳細には、書き込み又は読み取り又は
消去を単一の蓄積ターゲツト上で選択的に行うこ
とが可能な蓄積管の動作方法に関する。

従来技術電気信号を偏向板に印加し、信号に対応した波
形を電子ビームによつて蓄積ターゲツト上に書き
込み、必要に応じて蓄積された波形を電気信号と
して読み出すことが出来る走査変換型蓄積管即ち
スキヤンコンバータ管は公知である。また、特開
昭55−1066号公報には、第１図及び第２図に概略
的に示す如く、絶縁物単結晶基板１の上に、単一
のコレクタ電極２を設け、絶縁物単結晶からなる
蓄積面３を電子ビームで衝撃することによつて電
子−正孔対を発生させ、これを書き込みに利用し
て書き込み速度を向上させる構造の蓄積ターゲツ
トが開示されている。

ところで、従来の蓄積管に於いて、電子ビーム
を制御すれば、書き込み、読み取り、消去を選択
的に行うことが原理的には可能となる。しかし、
２つの波形を蓄積ターゲツトに書き込み、この内
の一方のみを読み取つたり、又は一方のみを消去
することは極めて困難であつた。

発明の目的そこで、本発明の目的は、選択的な書き込み又
は読み取り又は消去を容易に行うことが可能な蓄
積管の動作方法を提供することにある。

発明の構成上記目的を達成するための本発明は、好ましく
は10¹²Ω・cm以上の抵抗率の単結晶、多結晶、非
晶質等の絶縁物質からなる蓄積基体上に３個以上
のコレクタ電極を電気的に絶縁した状態で互いに
平行に配置した構造の蓄積ターゲツトに電子ビー
ムを偏向して投射して電気信号の書き込み、又は
読み取り、又は消去を行う際に、前記３個以上の
コレクタ電極から選択された第１の組み合せの２
つのコレクタ電極の間の第１の蓄積面の前記電子
ビームに対する応答特性と前記３個以上のコレク
タ電極から選択された第２の組み合せの２つのコ
レクタ電極の間の第２の蓄積面の前記電子ビーム
に対する応答特性とに差が生じるように前記３個
以上のコレクタ電極に電圧を印加した状態で前記
電子ビームを前記蓄積ターゲツト上に投射して選
択的な書き込み又は読み取り又は消去を行うこと
を特徴とする走査変換型蓄積管の動作方法に係わ
るものである。

作用効果上記発明に基づいてコレクタ電極の電圧を制御
し、例えば、第１の蓄積面を書き込み又は読み取
り又は消去を行うことが可能な電圧状態となし、
第２の蓄積面を書き込み又は読み取り又は消去を
行うことが不可能な電圧状態とすれば、選択動作
を極めて容易に達成することが出来る。従つて、
例えば２つの波形を同一ターゲツト上に書き込
み、この内の一方のみを読み出すこと、又は一方
のみを消去すること等を容易に行うことが出来
る。

実施例次に図面を参照して本発明の実施例について述
べる。尚、以下の説明での各部の電位又は電圧は
特に指定しない限り、陰極に対する電位又は電圧
である。

第１の実施例（第３図〜第６図）第３図〜第４図に原理的に示す第１の実施例に
係わる蓄積ターゲツト４は、絶縁物単結晶である
サフアイヤ単結晶基板５の平坦な一方の主表面上
に、互いに電気的に分離された第１のコレクタ電
極６と第２のコレクタ電極７と第３のコレクタ電
極８とを有する。サフアイヤ単結晶基板５は電気
的絶縁物であるので、第１、第２及び第３のコレ
クタ電極６，７，８を分離して配置すれば両者は
電気的に絶縁される。第１、第２及び第３のコレ
クタ電極６，７，８はクロム（Cr）等の金属を
厚さ0.05μm〜数μmに被着させ、ホトレジスト技
術によつて所定パタンに形成したものであり、幅
0.5μm〜50μm程度の線条部分６ａ，７ａ，８ａ
を夫々有する。

第１及び第２のコレクタ電極６，７はくし歯状
に形成され、第１のコレクタ電極６の線条部分６
ａの相互間に第２のコレクタ電極７の線条部分７
ａが挿入されている。第３のコレクタ電極８は第
１のコレクタ電極６と第２のコレクタ電極７との
間に蛇行状に配置されている。従つて中央のター
ゲツト有効域に於いては第１のコレクタ電極６の
線条部分６ａ、第３のコレクタ電極８の線条部分
８ａ、第２のコレクタ電極７の線条部分７ａ、第
３のコレクタ電極８の線条部分８ａ、第１のコレ
クタ電極６の線条部分６ａの順に各線条部分６
ａ，７ａ，８ａがストライプ状に配列され、第１
と第３のコレクタ電極６，８からなる第１の組み
合せ部分である第１の線条部分６ａと第３の線条
部分８ａとの間に第１の蓄積面９ａが生じ、第２
と第３のコレクタ電極７，８からなる第２の組み
合せ部分である第２の線条部分７ａと第３の線条
部分８ａとの間に第２の蓄積面９ｂが生じてい
る。蓄積面９ａ，９ｂは単結晶基板５からなる蓄
積領域５ａ即ち蓄積層の露出表面であり、電子ビ
ームの径よりも小さい数μm〜数100mμの幅を有
する。

第５図は第３図及び第４図に示す蓄積ターゲツ
ト４を内蔵する走査変換型蓄積管を示す。この蓄
積管は、真空包囲体１０の内に、電子銃１１と、
偏向系１２と、コリメーシヨン系１３と、蓄積タ
ーゲツト４とを順次に配すことによつて構成され
ている。尚電子銃１１は順次に配された陰極１
４、制御電極１５、加速電極１６、集束電極１
７、及びアステイグ電極１８から成り、ターゲツ
ト４の方向に向う電子ビームを生み出す。偏向系
１２はビームパスに沿つて配置された一対の垂直
偏向板からなる垂直偏向系１９と、一対の水平偏
向板からなる水平偏向系２０とから成り、垂直方
向と水平方向との２つの直交方向に電子ビームを
偏向する。コリメーシヨン系１３はウオール電極
２１とフイルドメツシユ電極２２とから成り、読
み取り等に於ける低エネルギ電子ビームをターゲ
ツト４に垂直に入射させるためのコリメーシヨン
レンズ（凸レンズ）の働きをなす。蓄積ターゲツ
ト４には、第１、第２及び第３のコレクタ電極
６，７，８に異なる電圧を印加する手段として第
１、第２及び第３のリード部材２３，２４，２５
が接続され、これ等は包囲体１０の外に夫々導出
されている。第１、第２及び第３のリード部材２
３，２４，２５は第１、第２、及び第３のコレク
タ電極６，７，８にモードに応じて種々の電圧を
供給することが可能な第１、第２、及び第３の電
源回路２６，２７，２８に抵抗２９，３０，３１
を介して接続されている。また、各リード部材２
３，２４，２５はスイツチ３２，３３，３４とコ
ンデンサ３６とを介して読み取り出力ライン３５
に接続されている。尚、電源回路２６，２７，２
８はポテンシヨメータ形式で原理的に示されてい
るが、実際にはスイツチ操作によつて種々の電圧
を供給するように構成されている。

第５図の蓄積管を動作させるために、例えば、
制御電極１５には陰極１４の電位（実際の電位は
−1kV）を基準にして０〜−75V程度の電圧、加
速電極１６には＋1kV、集束電極１７及びアステ
イグ電極１８には電子ビームの量に応じて最適に
調整された電圧、ウオール電極２１には＋1kV、
フイールドメツシユ電極２２には2.3kVを印加す
る。

動作次に、この蓄積管による信号の選択的書き込
み、読み取り、消去の代表的な方法について述べ
る。まず消去状態を得るために、第１、第２、及
び第３のコレクタ電極６，７，８に、電源２６，
２７，２８から２次電子放出率（２次電子数／１
次電子数）が最初に１になる第１交差電位以上の
電圧（例えば2350V）を夫々に印加する、そし
て、この電圧印加状態を保つて電子ビームでター
ゲツト４の有効走査領域の全部を衝撃する。これ
により、蓄積面９ａ，９ｂの電位はコレクタ電極
６，７，８の電位と同じ2350Vとなる。

次に、第１のコレクタ電極６と第１の蓄積面９
ａとの間に第１の消去電位差V_E1を得、第２のコ
レクタ電極７と第２の蓄積面９ｂとの間に第２の
消去電位差V_E2を得るために、例えば、第１のコ
レクタ電極６に第１交差電位以下の＋8V、第２
のコレクタ電極７に第１交差電位以下の＋12V、
第３のコレクタ電極８に第１交差電位以下の＋
10Vを夫々印加し、ターゲツト４をビームで均一
に全面走査する。これにより、第１及び第２の蓄
積面９ａ，９ｂは陰極電位となり、第１のコレク
タ電極６と第１の蓄積面９ａとの間に約８〜10V
の第１の消去電位差V_E1が得られ、第２のコレク
タ電極７と第２の蓄積面９ｂとの間に平均で約10
〜12Vの第２の消去電位差V_E2が得られる。尚上
記の動作方法は蓄積面９ａ，９ｂに異なる消去電
位差を与える一例である。

消去状態を得る第２の方法は第１のコレクタ電
極６を第１交差電位以上（例えば150V）第２の
コレクタ電極７を第１交差電位以下（例えば−
30V）第３のコレクタ電極８を第１交差電位近傍
（例えば15V）に設定し電子ビームでターゲツト
４の有効走査域の全域を衝撃する。これにより蓄
積面９ａの電位は近似的に第１のコレクタ電極の
電位に、一方蓄積面９ｂは第２のコレクタ電極７
の電位的な遮蔽効果によりビームが到達せず、電
位の変化はない。次に第１のコレクタ電極６に第
１交差電位以下の電位を印加し電子ビーム衝撃す
ると蓄積面９ａは陰極と同電位になる。このよう
にして消去電位差V_E1を得ることができる。この
消去によつて蓄積面９ａのみが消去され蓄積面９
ｂは変化していない。即ち部分消去が実施された
ことになる。

次に選択書き込みの方法の１例について述べ
る。尚説明を簡単にするため蓄積面９ａと９ｂは
同じ消去電位差V_E（例えば15V）に消去されてい
るものとする。まず蓄積ターゲツト４に第１の波
形を書き込むために、第１のコレクタ電極６に第
１交差電位よりも高い例えば10.1kVを印加し、
第２及び第３のコレクタ電極７，８に10kVを印
加し、第１の波形信号でビームを偏向し、ビーム
でターゲツト４を衝撃する。これによつて蓄積面
９ａ，９ｂに波形に対応した書き込み部分が生
じ、第６図に示す波形Ａの書き込みが終了する。

ところで第１、第２、及び第３のコレクタ電極
６，７，８を上述のような電位に設定すれば、第
１及び第３のコレクタ電極６，８間には100ボル
トのコレクタ間電位差V_Wが生じ、一方、第２及
び第３のコレクタ電極７，８間には電位差が生じ
ない。このため、第１のコレクタ電極６と第１の
蓄積面９ａとの間には、15Vの消去電位差V_E1に
100Vのコレクタ間電位差V_wに基づく寄与分が加
算された電位差V_E＋V_W1/2が得られ、消去電位
差を増大させたと等価な作用効果が生じ、ビーム
衝撃で発生した２次電子及び電子−正孔対の電子
が集収効果の大きい状態でコレクタ電極６に集め
られる。即ち、放出された２次電子は高電位の第
１のコレクタ電極６に集収され、一方、固体内に
発生した電子−正孔対は分離され、その電子は大
きなドリフト速度でコレクタ電極６に向う。また
正孔は表面準位に獲えられ、負電荷を中和して蓄
積面９ａの電位上昇に寄与する。これにより、第
１の波形Ａを第１の蓄積面９ａに深いレベル（高
いレベル）に書き込むこるが出来る。第２の蓄積
面９ｂにも第１の波形Ａに対応したビーム衝撃が
なされるが、コレクタ間電位差V_Wの無い状態で
の書き込みとなるので、第２の蓄積面９ｂには第
１の波形Ａが浅いレベル（低いレベル）で書き込
まれる。

なお、書き込みレベルは蓄積面９ａ，９ｂとコ
レクタ電極６，７との間の電位差（ドリフト電
界）に比例する。要するにドリフト電界が大きけ
れば、電子ビーム投射で生じる２次電子及び固体
内の電子は、効果的にコレクタ電極６，７に集収
され、深い書き込みレベルを得ることができる。
この書き込みは蓄積面９ａ，９ｂをそれぞれ等価
コンデンサとして考えることにより、理解するこ
とができる。電位差V_Eを与えられた第１の蓄積
管９ａは高いレベルに充電され、電位差V_Eが与
えられない第２の蓄積面９ｂは消去電位差V_E2の
みに基づいて低いレベルに充電される。

次に、第２の波形Ｂを書き込む際には、第２の
コレクタ電極７に第１交差電位よりも高い例えば
10.1kVを印加し、第１及び第３のコレクタ電極
６，８に10kVを印加し、第２の波形信号でビー
ムを偏向し、ビームでターゲツト４を選択的に衝
撃する。これによつて蓄積面９ａ，９ｂに波形に
対応した書き込み部分が生じ、第６図に示す波形
Ｂの書き込みが終了する。

ところで、この第２の波形Ｂの書き込みの場合
には、第２及び第３のコレクタ電極７，８間には
100ボルトのコレクタ間電位差V_Wが生じ、一方、
第１及び第３のコレクタ電極６，８間には電位差
が生じない。このため、第２のコレクタ電極７と
第２の蓄積面９ｂとの間には、15Vの消去電位差
V_Eに100Vのコレクタ間電位差V_Wに基づく寄与分
が加算された電位差（V_E＋V_W1/2）が得られ、
消去電位差を増大させたと等価な作用効果が生
じ、ビーム衝撃で発生した２次電子及び電子−正
孔対の電子が集収効果の大きい状態でコレクタ電
極７に集められ、第２の蓄積面９ｂには第２の波
形Ｂが深いレベル（高いレベル）で書き込まれ
る。これに対して、第１の蓄積面９ａには第２の
波形Ｂが浅いレベル（低いレベル）で書き込まれ
る。

第６図に示すように書き込まれた第１及び第２
の波形Ａ、Ｂの内の蓄積面９ａに書き込まれた部
分のみを選択して読み取る場合には、第１のコレ
クタ電極６に例えばターゲツトカツトオフ電圧よ
りも高い10Vを印加し、第２のコレクタ電極７に
は例えば−5Vを印加し、第３のコレクタ電極８
には例えば10Vを印加する。これにより、第１の
蓄積面９ａの第１の波形Ａの書き込み部分の電位
は例えば−4Vとなり、第２の波形Ｂの浅い書き
込み部分の電位は例えば−4.5Vとなり、また非
書き込み部分の電位は例えば−5Vとなる。一方
第２の蓄積面９ｂの電位はコレクタ電極７の電位
が−5Vになつているため波形Ａ、Ｂの書き込ま
れた部分も含めて−5V以下となる。従つて蓄積
面９ｂに書かれた信号はコレクタ電極７と８に対
してカツトオフ以下の電位になつている。この状
態で電子ビームで読み取りを行なうとコレクタ電
極６と８に蓄積面９ａに書き込まれた波形Ａ、Ｂ
に対応した電子ビームが到達し信号として取り出
すことが出来る。又、コレクタ電極６と８をター
ゲツトカツトオフ電圧より低い電位（例えば
9.5V）にすると波形Ｂに対応した部分もターゲ
ツトカツトオフ以下の電位になり信号を読み出す
ことが出来なくなり結果として蓄積面９ａの波形
Ａの信号のみを読み出すことになる。

なお、第１の蓄積面９ａの電位が、第１の波形
Ａの書き込み部分において例えば−4V、第２の
波形Ｂの書き込み部分において例えば−4.5V、
非書き込み部分において例えば−5Vのように異
なる値になるのは、第１の蓄積面９ａにおいて第
１の波形Ａは第２の波形Ｂよりも深いレベルに書
き込まれているためである。要するに、書き込み
レベルの差に対応して読み取り時に蓄積面の電位
に差が生じる。

電子ビームをカツトオフする蓄積面９ａの電位
（カツトオフ電位）を例えば−5Vとすれば、第１
及び第２の波形Ａ、Ｂが書き込まれている領域に
は電子ビームが流入し、非書き込み領域には電子
ビームが流入しない。これにより、第１の蓄積面
９ａから波形Ａ、Ｂを読み取ることが可能にな
る。

また、第１の蓄積面９ａから第１の波形Ａのみ
を読み取る時には、第１の波形Ａが書き込まれて
いる領域に電子ビームが流入し、第２の波形Ｂが
書き込まれている領域に電子ビームが流入しない
ようにコレクタ電極の電位を設定すればよい。

第２の波形Ｂのみを選択して読み取る場合に
は、第２のコレクタ電極７に例えば9.5Vを印加
し、第１のコレクタ電極６には例えば−5Vを印
加し、第３のコレクタ電極８には例えば9.5Vを
印加する。これにより、蓄積面９ｂに於けるミス
コンバる第２の波形Ｂの書き込み部分の電位は例
えば−4.5Vとなり、第１の波形Ａの浅い書き込
み部分の電位は例えば−5Vとなり、また非書き
込み部分の電位は例えば−5.5Vとなる。一方、
第１のコレクタ電極６に対しては−5Vが印加さ
れているので、蓄積面９ａは書き込みがなされた
部分を含めてターゲツトカツトオフ以下になる。
従つて、第２の蓄積面９ｂの第２の波形Ｂの書き
込み部分以外はカツトオフ状態となり、結局、タ
ーゲツト４の全面の読み取りビーム走査により、
第２の波形Ｂのみが読み取られる。

尚、第５図のターゲツト４に於いて、各コレク
タ電極６，７，８をスイツチ３２，３３，３４で
並列接続すれば、単一コレクタ電極のターゲツト
と全く同様に使用することが出来る。また、例え
ば第２及び第３のコレクタ電極７，８のみをスイ
ツチ３３，３４で並列接続し、この２つのコレク
タ電極７，８と第１のコレクタ電極６とに異なる
電圧を印加して使用することも出来る。

上述から明らかなように、本実施例の方式によ
れば、第１及び第２の波形Ａ、Ｂを選択して読み
取ることが可能になり、一方のみの波形表示、又
は一方のみのＡ−Ｄ変換を容易に達成することが
出来る。

選択的書き込みの他の例として、コレクタ電極
６，７，８を適切な電位に設定し、例えば蓄積面
９ａ，９ｂの一方のみに書き込みを実施する方法
がある。次にこれを具体的に説明する。但しコレ
クタ電極６，７，８の電位操作と電子ビームの作
用により前述の方法により既に消去（消去電位差
15V）が実施されているものとして以下説明す
る。まずコレクタ電極８を第１交差電位（例えば
15V）に設定する。コレクタ電極６を陰極より低
い電位（例えば−15V）に、一方コレクタ電極７
に第１交差電位より高い電位（例えば200V）に
する。このコレクタ電極の電位配置によつて、蓄
積面９ａは陰極より負電位、一方蓄積面９ｂは第
１交差電位より平均して高い電位となる。この状
態で書き込みを実施して電子ビームで蓄積面９ｂ
のみを衝撃し、蓄積面９ｂのみに信号に対応した
電荷パターンを形成する。蓄積面９ａのみに書き
込みをするときは、コレクタ電極６を第１交差電
位以上（例えば200V）、コレクタ電極８は第１交
差電位（例えば15V）、コレクタ電極７を負電位
（例えば−15V）にすればよい。これによつて蓄
積面９ａは平均して第１交差電位以上、一方蓄積
面９ｂは負電位となる。この状態で書き込みをす
れば、蓄積面９ａのみに電荷パターンを形成する
ことが出来る。

第２の実施例（第７図）第７図に原理的に示す蓄積ターゲツトは第４の
コレクタ電極３７及び第４のリード部材３８を追
加し、線条部分６ａ，７ａ，８ａ，３７ａを有効
走査領域にストライプ状に配したものである。こ
のように４つのコレクタ電極６，７，８，３７を
有するものに於いては、３つの蓄積面９ａ，９
ｂ，９ｃが独立に生じるので、第１の実施例と同
様な方法で各コレクタ電極６，７，８，３７の電
位を設定して消去、書き込み、読み取りを選択的
に行えば、３つの波形の選択的読み取りが可能に
なる。

第３の実施例（第８図）第８図に示すターゲツトは、格子状の第３のコ
レクタ電極８を最下層に設け、この上に絶縁層３
９を設け、この絶縁層３９によつて第３のコレク
タ電極８と絶縁して第１及び第２のコレクタ電極
６，７をくし歯状に設けたものである。このよう
に構成しても、線条部分６ａ，７ａ，８ａは有効
走査領域でストライプ状に配列され、第１の実施
例と同様な書き込み、読み取りが可能である。
尚、この実施例では、第１の線条部分６ａ、第３
の線条部分８ａ、第２の線条部分７ａの順に配列
され、第１、第２、及び第３の蓄積面９ａ，９
ｂ，９ｃが順次に設けられ、且つ第３の蓄積面９
ｃの幅が第１及び第２の蓄積面９ａ，９ｂの幅よ
りも広く設定されている。このため、第１及び第
２の蓄積面９ａ，９ｂを形成するコレクタ電極間
の静電容量が大きくなり、第１及び第２の蓄積面
９ａ，９ｂは低速掃引書き込みに好適な領域とな
る。一方、第３の蓄積面９ｃは高速掃引書き込み
に好適な領域となる。

変形例以上、本発明の実施例について述べたが、本発
明はこれに限定されるものでなく、例えば次の変
形例をとることが出来るものである。

(A) 第１、第２、及び第３のコレクタ電極６，
７，８を格子状に形成し、有効走査領域外でこ
れ等を絶縁分離する構成としてもよい。

(B) 基板５の背面に背面電極を設け、適当な電圧
を印加してもよい。

(C) 基板５の代りに、シリコンの上に多結晶構造
のSiO₂層を設け、このSiO₂層を絶縁物蓄積層
として使用してもよい。またサフアイヤ単結晶
基板５の代りに、MgO、CaF₂、MgF₂等の絶
縁物単結晶基板を使用してもよい。また基板５
をガラス等の非晶質絶縁物としてもよい。多結
晶絶縁物、非晶質絶縁物で蓄積領域を形成する
場合には、書き込みに２次電子が支配的に関係
するが、単結晶絶縁物の場合と同様な方法で書
き込むことが出来る。

(D) 電極６，７，８をCr、Al、Ni、Mo、Au等
の単一又は複合層で形成してもよい。また、
SnO₂等の透明電極としてもよい。

(E) 各実施例では線条部分６ａ，７ａ，８ａ，３
７ａの延びる方向をビームの水平走査方向に一
致させたが、両者が互いに直交するように配し
てもよい。

(F) 第５図の蓄積管ではウオール電極２１とフイ
ルドメツシユ電極２２とからなるコリメーシヨ
ン系１３を設けたが、これを省いた構成として
もよい。

(G) デジタル信号の書き込みにも適用可能であ
る。

(H) アルミナ基板等の上に絶縁物蓄積層を設ける
構成としてもよい。

(I) 異なる蓄積面に異なる消去電位差を与える際
に例えば、第１及び第３のコレクタ電極６，８
に＋10V、第２のコレクタ電極７に零又は負電
位を与えて第１回目のビーム走査をなし、次に
第２及び第３のコレクタ電極７，８に＋20V、
第１のコレクタ電極６に零又は負電位を与えて
第２のビーム走査をなしてもよい。

(J) 特定のコレクタ電極間のみを消去電位まで上
昇させて、特定の蓄積面の波形のみを消去する
ことも可能である。

(K) 消去電位差を与えずにコレクタ間電位差のみ
を与えて書き込みを行つてもよい。

(L) 第５図では各リード部材２３，２４，２５が
スイツチ３２，３３，３４を介してコンデンサ
３６に接続されているが、各リード部材２３，
２４，２５に夫々コンデンサを接続し、個々に
信号を取り出すように構成してもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のターゲツトを原理的に示す平面
図、第２図は第１図のターゲツトの―線断面
図、第３図は本発明の第１の実施例のターゲツト
を原理的に示す平面図、第４図は第３図のターゲ
ツトの―線断面図、第５図は第３図のターゲ
ツトを組み込んだ蓄積管を原理的に示す横断面
図、第６図は第３図のターゲツトに対する波形の
書き込み状態を模式的に示す正面図、第７図は第
２の実施例の蓄積ターゲツトを原理的に示す平面
図、第８図は第３の実施例のターゲツトを原理的
に示す平面図である。４……ターゲツト、５……基板、５ａ……蓄積
領域、６，７，８……コレクタ電極、９ａ，９ｂ
……蓄積面。

Claims

【特許請求の範囲】１絶縁物質からなる蓄積基体上に３個以上のコ
レクタ電極を電気的に絶縁した状態で互いに平行
に配置した構造の蓄積ターゲツトに電子ビームを
偏向して投射して電気信号の書き込み、又は読み
取り、又は消去を行う際に、前記３個以上のコレクタ電極から選択された第
１の組み合せの２つのコレクタ電極の間の第１の
蓄積面の前記電子ビームに対する応答特性と前記
３個以上のコレクタ電極から選択された第２の組
み合せの２つのコレクタ電極の間の第２の蓄積面
の前記電子ビームに対する応答特性とに差が生じ
るように前記３個以上のコレクタ電極に電圧を印
加した状態で前記電子ビームを前記蓄積ターゲツ
ト上に投射して選択的な書き込み、又は読み取
り、又は消去を行うことを特徴とする走査変換型
蓄積管の動作方法。２前記３個以上のコレクタ電極は、第１、第
２、及び第３のコレクタ電極であり、前記第１、
第２、及び第３のコレクタ電極は有効域に互いに
平行に配置された多数の線条部分を夫々有し、前
記第１のコレクタ電極の前記線条部分、前記第２
のコレクタ電極の前記線条部分、前記第３のコレ
クタ電極の前記線条部分、前記第２のコレクタ電
極の前記線条部分、前記第１のコレクタ電極の前
記線条部分の順序にて繰返して配列されているも
のである特許請求の範囲第１項記載の走査変換型
蓄積管の動作方法。