JPS59221957A - 光電子増倍管 - Google Patents

光電子増倍管

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Publication number
JPS59221957A
JPS59221957A JP9637883A JP9637883A JPS59221957A JP S59221957 A JPS59221957 A JP S59221957A JP 9637883 A JP9637883 A JP 9637883A JP 9637883 A JP9637883 A JP 9637883A JP S59221957 A JPS59221957 A JP S59221957A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating
anode
tube
hole
dynode
Prior art date
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Pending
Application number
JP9637883A
Other languages
English (en)
Inventor
Junichi Takeuchi
純一 竹内
Shinichi Muramatsu
新一 村松
Akihiro Sawaki
沢木 昭弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Priority to JP9637883A priority Critical patent/JPS59221957A/ja
Publication of JPS59221957A publication Critical patent/JPS59221957A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04Electron multipliers
    • H01J43/06Electrode arrangements

Landscapes

  • Hybrid Cells (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分’J’f ) 本発明は透過形の光電面、アノード、平板ダイノー1が
互いに平行にこの順に配置されている光電了増(B’r
管、さらに詳しく言えば管内の光電子等の走行に悪い影
■4を与える磁界が存在する不本意)、; 15j境に
」2jいての測定等に適した光電子増倍管に関する。
(1JL来技術の説明) まず前記形式の従来の光電子増倍管の構成を第1図お6
1、び第2図を参照して簡単に説明する。
第1図は前記光電子増倍管を管軸を含む平面で切+g7
シて示した1υ?面図、第2図は前記光電子増倍管を管
軸に垂直な平面で切断して示した断面図である。
:82を備えた気密容器1の窓2の内面に透過形の光電
面3が形成されている。
前記光電面3から発生させられた光電子は絹状のアノー
ド4の方向に加速される。加速された光電子は紺1状の
部分を透過し、平板状ダ・イノード5に衝突して二次電
子を放出する。
この二次電子は11:1記紺1伏アノ−1′4により捕
捉されて取り出される。
細状のアノ−1゛4の外形は第2図Bに示すように略円
板状であって、そのl1rl状部を包囲する外周4aの
外側に支11に固定されるための・1個の突出部分4b
が設けられ、各突出部4bには孔4cが設番ノられてい
る。
板状のダイノード5の外形も第2図へに示すように略同
じ円板状であって、その円周の外側に支柱に固定される
ための4個の突出部分5aが設LJられ各突出部分5a
に孔51〕が設けられている。
前記突出部を除いたダイノート5の外周5aと気密容器
1の内壁間に放射方向に4mmの間隙が存在している。
なお気密容器1の内壁の直1蚤は74. m mである
。      □本願発明:′1イ等は、前記光電子増
倍管の磁界中の振イ、舞いを種々検d・1シた結果、前
記突出部の存在のために、気密容器1の内壁とダイノー
ド5との間に形成されるiij記間隙が、増倍率につい
て、無視できない影IIをりえていることを見い出した
その理由は次のように理IWできる。
この間隙に相当する分だけIIMI状のアノ−I・4.
平板状ダイノー15の面積の光電面3の面積に対応する
比率が6表少し、磁界により走行方向を修正された電子
の−・部がダイノードに到達できないで無駄になること
、およびその無駄になる量が磁界の強さに従属すること
によると考えられる。
実験の結果、管軸方向に磁界が存在すると、増倍率はO
〜約500ガウスで急激に減少し、約500ガウンで出
力はに2%になり、それ以上の磁界ではゆるやかに減少
し、10 Kガウスでは58%にlずご」ごとか1il
li a忍できゾこ。
(発明の詳細な説明) 本発明の目的t’、l: 、 1iii記網状アノード
と平板状のダイノードの形状に原因する前記問題を解決
した光電子IQ倍管を提(」(することにある。
(構成および作用の説明) 前記目的を達成するために本発明による光電子増倍管ば
、窓を有する気密容器内に光電面を設は前記光電面から
の光電子を増倍して取り出す光電子増倍管において、網
状部分、この網状部分を気密容器内の内周よりもわずか
に小さい外周で包囲し、取付用の孔を持つ複数の覗付用
耳を前記外周から前記&121状部分に突出させたアノ
ードと、前記アノードとIn3等しい外形で前記アノー
ドの取付用の孔に対応する複数の数例用の孔をもつダイ
ノートと、管軸を含む平面で切断したときの断面がL形
で一辺側が前記気密容器内壁面の導体膜に接続される板
ばねと、前記アノードおよびダイノードの取代孔に挿入
される絶縁管と、複数の絶縁性の環状スペーサと、導体
棒とを用意し、前記板ばね。
第1の絶縁性の環状スペーサ、 ’+iif記アノード
アノード絶縁性の環状スペーサ、前記ダイノード、第3
の絶縁性の環状スペーサ、を前記各部の孔を揃えてこの
順に市ねて前記絶縁管を挿入し、前記導体棒を前記絶縁
管に挿入貫通し前記導体棒を前記(ルば永It:二’+
1気的に接結〕さ−Uてアノ−1゛とダイノー1と(k
ぽねの組マfを構成しである。
前記構成C1二よれは、まずアノ−1−およびダイノー
1の面積か拡大することができる。その結果、θl 5
1,1中においでも出力の低下が少なくなった。
:l;た前記導体1tば光電面を回路に接続する導体に
利用できる。
(実施例の説明) lり下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく1税明
する。
第53図G、1本光明による光電子増倍管の実施例を示
す断面図、第4図は組み(=Jり部分を拡大して示した
断面図である。
第5図番:1実施例装置を管軸に垂直方向で切断して示
した断面図である。
第6目口:1板ばねを覗り出して示した図である。
円筒ガラス容2:)6の一底面が窓7を形成し、この窓
7の内壁全面に透過形光型面8が形成されている。ti
ll状アノ−110,平板ダイノード11は光電面10
からこの順で平行に配置されている。
第5図へに示すように前記アノード10の細状部分は気
密容器1の内周よりもわずかに小さい外周10、〕によ
り包囲されている。
この外周]Oaから411Mの耳部10bが前記i、1
4状部分に突出させられて設けられている。
各耳部10 bにはそれぞれ取付用の孔10Cが設けら
れている。
平板ダイノート11は第5図13に示すように、前記ア
ノード10とDI!を等しい外形をもつ一枚板であって
、前記アノードの数例用の孔10cに対応する位置に俄
イク]用の孔11aが設りられている。
外周のへこみ1.1 bはアノ−IS10を電源に接続
するためのり−1:線を通過させるための逃げ孔である
第6図に示すように、仮ばね9は円筒環91+で一体に
設けられており、数例部にさらに板ばね9aが設げられ
ている。この板ばね9aが固定されている部分の断面は
L形である。
なお前記アノード10およびダイノート11の直径はそ
れぞれガラス容器6の内(¥より2mm小さい。
絶j3管IFのりL flは前記細状アノード°10.
平板グイノー111の取イ・I用の孔1.Oc、lla
に対応するi¥を持しこの孔に117人されている。
ごの絶「メ管13に絶!I′、t f!Iの円環スペー
サ16a。
!、111状アノー1” ] 0 、絶縁性の円環スペ
ーク−16b 。
41扱ダイノート11.絶縁性の円環スペーサ16cか
この順ではめ込まれている。
絶縁性の円1.(Jスペーサ16aの前面に扱ばね9、
絶縁性の円環スペーサ16cの後面にワッシャ1Σ)を
あ−とワソシート18側から先端部の径が細くなってい
【、アルミニュノ・棒17を突き通し先端部を曲げて板
はね9に接続して固定する。なお絶縁管1:3と円環ス
ペーサ16a〜16bはアルミナセフミック盟晶ごある
・ 板ばね9の9.3部はガラス容器6の窓7よりの内周に
形成されている光電面8に1妾続されている導体層20
に圧接さ−Uられている。
円筒ガラス容2))6の他の底面には、接続用のピン1
2が複数本固定されている。
光電面8は導体層20、板ばね9およびアルミニュム棒
17副゛リード線を介して底面のピン12に、アノ−+
=−i oはダイノー1ζ11の一部を切欠した部分1
9を貫通ずる図示しないり一1線によって他のピン12
に、アノード′10も同様に図示しないり−1−線によ
ってざらに他のピン12に接続されている。
前述した光電子増倍管の磁界中での動作例を説明する。
第7図に前記光電子増倍管の回1洛接続を示す。
光電面7に一1000Vを印加し、アノードは電流計2
1を介してI要地する、ダイノーFllは、前記−] 
000 Vと接地間に接続された2個の400I(Ωの
抵抗により分圧された一500Vの電圧を印加する。
第8図は横軸を光電子増倍管かおかれた磁界の強さ、縦
軸を光電子増倍管の出力とし、先行技術として説明した
光電子増倍管と前記実施例に係る光電管の特性を比較し
て示した図である。
同図において曲線Δは本発明の光電子増倍管の特111
を示す。同図において曲線Bは従来の光電子増(ri’
!・の)1冒11を示ず。なお先行技術として説明した
光重r増イ;3管の%iの直i¥は本発明の光電子増倍
管と等り、 <接続は第7図に示した接続と異ならない
名尤電了増(i’!、’管の光電面から数cmMIすれ
たところにあ【〕発光ピーク波IN 555 nano
  mの緑色LE1’+にI OmΔ程度の直流電流を
流して直流的に点月さ−1,1〃、li& l&を用い
゛ζ光電面全体に光を均一に照射する。
従来の光電了増イ;贋コ・は第8図の曲線Bが示ずよう
番ご、比11シ的(11,い管軸方向磁界により、出力
が急激にθ表少さ・1!りれる。
・vi軸方向研界が500ガウスに連すると、初期値(
磁界0ガウスのときの出力)の62%にまで低1−U7
、それ以北の磁界では出力はゆるやかにさらに減少さ一
已cしれ?〕。
伯・軸方向磁界がIOKガウスに達すると出力は初ll
J目1)1858%まで(氏子する。
これに対して本発明による光電子増倍管は第5図の曲線
Δか示すように、比較的低い磁界では前記従来の光電子
増(iλ管に比較して、ゆるやがな出力の減少を示す。
管軸方向磁界が500ガウスに達したときの出力は初期
値の95%程度に留まっている。
管軸方向磁界が500ガウス以上においても極めてゆる
やかに減少し、10 ’にガウスの磁界で78%になり
出力の減少は入りダ4に改善される。
(発明の詳細な説明) この発明による光電子増倍管は前述の構造によりアノー
ド、ダイノードを気密容器側壁一杯にまで広げ、従来の
光電子増倍管よりは、アノード。
ダイノート゛の面積を大きくしである。
したがって、磁界により走行方向を修正されダイノード
に到達できないでfi駄な電子を少なくすることができ
る。
その結果として磁界の強さに従属す名無状になる量を少
なくでき、磁界の変動に出力が従属しにくい光電子増イ
e Q’Jを提供することができた。
したがって、本発明による光電子増倍管ば、従来は不可
能とされていた磁界の変動する場所におけ;!〕測測定
1+’通に利用(きる。
【図面の簡単な説明】
第1図はiiL未の光電子増倍管を管軸を含む平面で切
…iして示した断面図である。 第2図は前記tjL来の光電子増倍管を管軸に垂直なi
12面でりJ断し″(示したLlfi面図である。 第3図番31本発明による光電子増イ(λ管の実施例装
置を性情を含む!11面でりJ 1lli シて示した
断面図である。 第4図は組立部の構造を拡大して示した断面図である。 第5図は前記光電子増倍管を管軸に垂直な平面ですJ 
IJJiして示した1υi面図である。 第6図ば板ばねを取り出して示した図である。 第7図は光電子増倍管の接続例を示す回路図である。 第8図は横軸を光電了増イ1ηU・がおかれた磁界の強
さ、縦軸を光市了増イ1η管の出力として、従来の光電
了増イ1”9管と本発明による光電子増倍管の特性を比
較して〉■りした線図である。 1・・・気密容2:)2・・・窓 3・・・光電面       4・・・アノード5・・
・平板状ダイノード  6・・・円筒ガラス容器7・・
・窓         8・・・透過形光型面9・・・
4及ばね        10・・・アノ−1−11・
・・平板状のダイノー1− 12・・・ピン       13・・・絶縁管16a
〜16c・・・アルミナのスペーーリ・17・・・導体
棒1 B・・・ワッシャ20・・・導体層 特許出願人 浜松ホ1−二クス株式会社代理人 弁理士
  井 ノ ロ  壽 しD 図 (A)         CB) 勅 a−ρ餅あの          シー6断面図]三〜
  糸ダ5  ネ11i   正  +U:昭和58年
 6月28日 1小イシ;の表示 昭pH5f1年11!f  許 間第96378号2、
発明の名称 光電了増イ:)、管 3、 !l!I許1!1願人 4、代理人 (31Wet:48〒八売1♀千だ行目から同第19行
行目光電管J ’?c r光電子]工 糸売 、?l市
 j−1冊  2占(方式)1、小骨の表示 昭Ill 58年特 許 1頭第9 [i 378八)
2、発明の名称 )し電子11り倍管 3.1山+1−をする者 串1″1.との関1糸    特許用1幌友4、代 理
 人 6、袖1”1:の対象      図   面オ・2 (A) (B)

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)窓を有ずろ気密容器内に光電面を設は前記光電面
    からの光電子を増倍して則り出す光電子増倍管において
    、網状部分、この網状部分を気密容器内の内周よりもわ
    ずかに小さい外周で包囲し、取付用のI’Lを持つ複数
    の取付用耳を前記外周から前記網状部分に突出させノこ
    アノ−1−と、前記アノ−1、と略等しい外形で前記了
    ノートの取イ4用の孔にり・)応する複数の数例用の孔
    をもつダイノードと、管軸を含む平面で切断したときの
    断面がL形で一辺側が前記気密容器内壁面の導体膜に接
    続される板ばねと、1111記アノードおよびダイノー
    Iこの数例孔に挿入される絶縁管と、複数の絶縁性の環
    状スペーサと、導体棒とを用意し、前記板ばね、第1の
    絶縁性の環状スペーサ、前記アノード、第2の絶縁性の
    環状スペーサ、前記ダイノード、第3の絶縁性の環状ス
    ペーサ、を前記各部の孔を揃えてこの順に市ねて前記絶
    縁管を挿入し、前記導体棒を前記絶縁管に挿入貫通し前
    記導体棒を前記板ばねに電気的に接続させて了ノー1と
    ダイノー1−と仮ばねのA;II立を構成したことを特
    徴とする光電子増倍管。
  2. (2)前記−辺が前記気密容器内壁面の導体膜に接続さ
    れる板ばねの他辺には前記絶縁管の孔よりも小さい孔が
    設りられており、前眼導体棒の先a111はこの孔を貫
    いた後に曲げ戻されて、前記板ばねの他辺に接続される
    特許請求の範囲第1項記載の光’;’d −7−Lをク
    イ′2f管。
  3. (3)  前記アノードは一枚の板をエツチング加工し
    たものである特許請求の範囲第1項記載の光電子増倍管
  4. (4)前記絶縁性スペーサと絶縁管の44料はアルミナ
    である特許請求の範囲第1項記載の光電子増倍管。
  5. (5)前記ダイノートの外周の一部にアノードを接続す
    るためのリード線を通す逃げが設けられている特許請求
    の範囲第1項記載の光電子増倍管。
  6. (6)前記窓を有する気密容器は円筒状である特許l情
    求の範囲第1項記載の光電子増倍管。 (力 前記板ばねは複数個一体に設りられている特許、
    lh求の範囲第1項記載の光電子増倍管。
JP9637883A 1983-05-31 1983-05-31 光電子増倍管 Pending JPS59221957A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007099958A1 (ja) 2006-02-28 2007-09-07 Hamamatsu Photonics K.K. 光電子増倍管、放射線検出装置および光電子増倍管の製造方法
US7838810B2 (en) 2006-02-28 2010-11-23 Hamamatsu Photonics K.K. Photomultiplier tube and a radiation detecting device employing the photomultiplier tube
US7847232B2 (en) 2006-02-28 2010-12-07 Hamamatsu Photonics K.K. Photomultiplier tube and radiation detecting device employing the photomultiplier tube
US7902509B2 (en) 2006-02-28 2011-03-08 Hamamatsu Photonics K.K. Photomultiplier tube and radiation detecting device

Cited By (5)

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WO2007099958A1 (ja) 2006-02-28 2007-09-07 Hamamatsu Photonics K.K. 光電子増倍管、放射線検出装置および光電子増倍管の製造方法
US7812532B2 (en) 2006-02-28 2010-10-12 Hamamatsu Photonics K.K. Photomultiplier tube, radiation detecting device, and photomultiplier tube manufacturing method
US7838810B2 (en) 2006-02-28 2010-11-23 Hamamatsu Photonics K.K. Photomultiplier tube and a radiation detecting device employing the photomultiplier tube
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