JPS59221957A - 光電子増倍管 - Google Patents
光電子増倍管Info
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- JPS59221957A JPS59221957A JP9637883A JP9637883A JPS59221957A JP S59221957 A JPS59221957 A JP S59221957A JP 9637883 A JP9637883 A JP 9637883A JP 9637883 A JP9637883 A JP 9637883A JP S59221957 A JPS59221957 A JP S59221957A
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- Japan
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- insulating
- anode
- tube
- hole
- dynode
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
Landscapes
- Hybrid Cells (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分’J’f )
本発明は透過形の光電面、アノード、平板ダイノー1が
互いに平行にこの順に配置されている光電了増(B’r
管、さらに詳しく言えば管内の光電子等の走行に悪い影
■4を与える磁界が存在する不本意)、; 15j境に
」2jいての測定等に適した光電子増倍管に関する。
互いに平行にこの順に配置されている光電了増(B’r
管、さらに詳しく言えば管内の光電子等の走行に悪い影
■4を与える磁界が存在する不本意)、; 15j境に
」2jいての測定等に適した光電子増倍管に関する。
(1JL来技術の説明)
まず前記形式の従来の光電子増倍管の構成を第1図お6
1、び第2図を参照して簡単に説明する。
1、び第2図を参照して簡単に説明する。
第1図は前記光電子増倍管を管軸を含む平面で切+g7
シて示した1υ?面図、第2図は前記光電子増倍管を管
軸に垂直な平面で切断して示した断面図である。
シて示した1υ?面図、第2図は前記光電子増倍管を管
軸に垂直な平面で切断して示した断面図である。
:82を備えた気密容器1の窓2の内面に透過形の光電
面3が形成されている。
面3が形成されている。
前記光電面3から発生させられた光電子は絹状のアノー
ド4の方向に加速される。加速された光電子は紺1状の
部分を透過し、平板状ダ・イノード5に衝突して二次電
子を放出する。
ド4の方向に加速される。加速された光電子は紺1状の
部分を透過し、平板状ダ・イノード5に衝突して二次電
子を放出する。
この二次電子は11:1記紺1伏アノ−1′4により捕
捉されて取り出される。
捉されて取り出される。
細状のアノ−1゛4の外形は第2図Bに示すように略円
板状であって、そのl1rl状部を包囲する外周4aの
外側に支11に固定されるための・1個の突出部分4b
が設けられ、各突出部4bには孔4cが設番ノられてい
る。
板状であって、そのl1rl状部を包囲する外周4aの
外側に支11に固定されるための・1個の突出部分4b
が設けられ、各突出部4bには孔4cが設番ノられてい
る。
板状のダイノード5の外形も第2図へに示すように略同
じ円板状であって、その円周の外側に支柱に固定される
ための4個の突出部分5aが設LJられ各突出部分5a
に孔51〕が設けられている。
じ円板状であって、その円周の外側に支柱に固定される
ための4個の突出部分5aが設LJられ各突出部分5a
に孔51〕が設けられている。
前記突出部を除いたダイノート5の外周5aと気密容器
1の内壁間に放射方向に4mmの間隙が存在している。
1の内壁間に放射方向に4mmの間隙が存在している。
なお気密容器1の内壁の直1蚤は74. m mである
。 □本願発明:′1イ等は、前記光電子増
倍管の磁界中の振イ、舞いを種々検d・1シた結果、前
記突出部の存在のために、気密容器1の内壁とダイノー
ド5との間に形成されるiij記間隙が、増倍率につい
て、無視できない影IIをりえていることを見い出した
。
。 □本願発明:′1イ等は、前記光電子増
倍管の磁界中の振イ、舞いを種々検d・1シた結果、前
記突出部の存在のために、気密容器1の内壁とダイノー
ド5との間に形成されるiij記間隙が、増倍率につい
て、無視できない影IIをりえていることを見い出した
。
その理由は次のように理IWできる。
この間隙に相当する分だけIIMI状のアノ−I・4.
平板状ダイノー15の面積の光電面3の面積に対応する
比率が6表少し、磁界により走行方向を修正された電子
の−・部がダイノードに到達できないで無駄になること
、およびその無駄になる量が磁界の強さに従属すること
によると考えられる。
平板状ダイノー15の面積の光電面3の面積に対応する
比率が6表少し、磁界により走行方向を修正された電子
の−・部がダイノードに到達できないで無駄になること
、およびその無駄になる量が磁界の強さに従属すること
によると考えられる。
実験の結果、管軸方向に磁界が存在すると、増倍率はO
〜約500ガウスで急激に減少し、約500ガウンで出
力はに2%になり、それ以上の磁界ではゆるやかに減少
し、10 Kガウスでは58%にlずご」ごとか1il
li a忍できゾこ。
〜約500ガウスで急激に減少し、約500ガウンで出
力はに2%になり、それ以上の磁界ではゆるやかに減少
し、10 Kガウスでは58%にlずご」ごとか1il
li a忍できゾこ。
(発明の詳細な説明)
本発明の目的t’、l: 、 1iii記網状アノード
と平板状のダイノードの形状に原因する前記問題を解決
した光電子IQ倍管を提(」(することにある。
と平板状のダイノードの形状に原因する前記問題を解決
した光電子IQ倍管を提(」(することにある。
(構成および作用の説明)
前記目的を達成するために本発明による光電子増倍管ば
、窓を有する気密容器内に光電面を設は前記光電面から
の光電子を増倍して取り出す光電子増倍管において、網
状部分、この網状部分を気密容器内の内周よりもわずか
に小さい外周で包囲し、取付用の孔を持つ複数の覗付用
耳を前記外周から前記&121状部分に突出させたアノ
ードと、前記アノードとIn3等しい外形で前記アノー
ドの取付用の孔に対応する複数の数例用の孔をもつダイ
ノートと、管軸を含む平面で切断したときの断面がL形
で一辺側が前記気密容器内壁面の導体膜に接続される板
ばねと、前記アノードおよびダイノードの取代孔に挿入
される絶縁管と、複数の絶縁性の環状スペーサと、導体
棒とを用意し、前記板ばね。
、窓を有する気密容器内に光電面を設は前記光電面から
の光電子を増倍して取り出す光電子増倍管において、網
状部分、この網状部分を気密容器内の内周よりもわずか
に小さい外周で包囲し、取付用の孔を持つ複数の覗付用
耳を前記外周から前記&121状部分に突出させたアノ
ードと、前記アノードとIn3等しい外形で前記アノー
ドの取付用の孔に対応する複数の数例用の孔をもつダイ
ノートと、管軸を含む平面で切断したときの断面がL形
で一辺側が前記気密容器内壁面の導体膜に接続される板
ばねと、前記アノードおよびダイノードの取代孔に挿入
される絶縁管と、複数の絶縁性の環状スペーサと、導体
棒とを用意し、前記板ばね。
第1の絶縁性の環状スペーサ、 ’+iif記アノード
アノード絶縁性の環状スペーサ、前記ダイノード、第3
の絶縁性の環状スペーサ、を前記各部の孔を揃えてこの
順に市ねて前記絶縁管を挿入し、前記導体棒を前記絶縁
管に挿入貫通し前記導体棒を前記(ルば永It:二’+
1気的に接結〕さ−Uてアノ−1゛とダイノー1と(k
ぽねの組マfを構成しである。
アノード絶縁性の環状スペーサ、前記ダイノード、第3
の絶縁性の環状スペーサ、を前記各部の孔を揃えてこの
順に市ねて前記絶縁管を挿入し、前記導体棒を前記絶縁
管に挿入貫通し前記導体棒を前記(ルば永It:二’+
1気的に接結〕さ−Uてアノ−1゛とダイノー1と(k
ぽねの組マfを構成しである。
前記構成C1二よれは、まずアノ−1−およびダイノー
1の面積か拡大することができる。その結果、θl 5
1,1中においでも出力の低下が少なくなった。
1の面積か拡大することができる。その結果、θl 5
1,1中においでも出力の低下が少なくなった。
:l;た前記導体1tば光電面を回路に接続する導体に
利用できる。
利用できる。
(実施例の説明)
lり下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく1税明
する。
する。
第53図G、1本光明による光電子増倍管の実施例を示
す断面図、第4図は組み(=Jり部分を拡大して示した
断面図である。
す断面図、第4図は組み(=Jり部分を拡大して示した
断面図である。
第5図番:1実施例装置を管軸に垂直方向で切断して示
した断面図である。
した断面図である。
第6目口:1板ばねを覗り出して示した図である。
円筒ガラス容2:)6の一底面が窓7を形成し、この窓
7の内壁全面に透過形光型面8が形成されている。ti
ll状アノ−110,平板ダイノード11は光電面10
からこの順で平行に配置されている。
7の内壁全面に透過形光型面8が形成されている。ti
ll状アノ−110,平板ダイノード11は光電面10
からこの順で平行に配置されている。
第5図へに示すように前記アノード10の細状部分は気
密容器1の内周よりもわずかに小さい外周10、〕によ
り包囲されている。
密容器1の内周よりもわずかに小さい外周10、〕によ
り包囲されている。
この外周]Oaから411Mの耳部10bが前記i、1
4状部分に突出させられて設けられている。
4状部分に突出させられて設けられている。
各耳部10 bにはそれぞれ取付用の孔10Cが設けら
れている。
れている。
平板ダイノート11は第5図13に示すように、前記ア
ノード10とDI!を等しい外形をもつ一枚板であって
、前記アノードの数例用の孔10cに対応する位置に俄
イク]用の孔11aが設りられている。
ノード10とDI!を等しい外形をもつ一枚板であって
、前記アノードの数例用の孔10cに対応する位置に俄
イク]用の孔11aが設りられている。
外周のへこみ1.1 bはアノ−IS10を電源に接続
するためのり−1:線を通過させるための逃げ孔である
。
するためのり−1:線を通過させるための逃げ孔である
。
第6図に示すように、仮ばね9は円筒環91+で一体に
設けられており、数例部にさらに板ばね9aが設げられ
ている。この板ばね9aが固定されている部分の断面は
L形である。
設けられており、数例部にさらに板ばね9aが設げられ
ている。この板ばね9aが固定されている部分の断面は
L形である。
なお前記アノード10およびダイノート11の直径はそ
れぞれガラス容器6の内(¥より2mm小さい。
れぞれガラス容器6の内(¥より2mm小さい。
絶j3管IFのりL flは前記細状アノード°10.
平板グイノー111の取イ・I用の孔1.Oc、lla
に対応するi¥を持しこの孔に117人されている。
平板グイノー111の取イ・I用の孔1.Oc、lla
に対応するi¥を持しこの孔に117人されている。
ごの絶「メ管13に絶!I′、t f!Iの円環スペー
サ16a。
サ16a。
!、111状アノー1” ] 0 、絶縁性の円環スペ
ーク−16b 。
ーク−16b 。
41扱ダイノート11.絶縁性の円環スペーサ16cか
この順ではめ込まれている。
この順ではめ込まれている。
絶縁性の円1.(Jスペーサ16aの前面に扱ばね9、
絶縁性の円環スペーサ16cの後面にワッシャ1Σ)を
あ−とワソシート18側から先端部の径が細くなってい
【、アルミニュノ・棒17を突き通し先端部を曲げて板
はね9に接続して固定する。なお絶縁管1:3と円環ス
ペーサ16a〜16bはアルミナセフミック盟晶ごある
・ 板ばね9の9.3部はガラス容器6の窓7よりの内周に
形成されている光電面8に1妾続されている導体層20
に圧接さ−Uられている。
絶縁性の円環スペーサ16cの後面にワッシャ1Σ)を
あ−とワソシート18側から先端部の径が細くなってい
【、アルミニュノ・棒17を突き通し先端部を曲げて板
はね9に接続して固定する。なお絶縁管1:3と円環ス
ペーサ16a〜16bはアルミナセフミック盟晶ごある
・ 板ばね9の9.3部はガラス容器6の窓7よりの内周に
形成されている光電面8に1妾続されている導体層20
に圧接さ−Uられている。
円筒ガラス容2))6の他の底面には、接続用のピン1
2が複数本固定されている。
2が複数本固定されている。
光電面8は導体層20、板ばね9およびアルミニュム棒
17副゛リード線を介して底面のピン12に、アノ−+
=−i oはダイノー1ζ11の一部を切欠した部分1
9を貫通ずる図示しないり一1線によって他のピン12
に、アノード′10も同様に図示しないり−1−線によ
ってざらに他のピン12に接続されている。
17副゛リード線を介して底面のピン12に、アノ−+
=−i oはダイノー1ζ11の一部を切欠した部分1
9を貫通ずる図示しないり一1線によって他のピン12
に、アノード′10も同様に図示しないり−1−線によ
ってざらに他のピン12に接続されている。
前述した光電子増倍管の磁界中での動作例を説明する。
第7図に前記光電子増倍管の回1洛接続を示す。
光電面7に一1000Vを印加し、アノードは電流計2
1を介してI要地する、ダイノーFllは、前記−]
000 Vと接地間に接続された2個の400I(Ωの
抵抗により分圧された一500Vの電圧を印加する。
1を介してI要地する、ダイノーFllは、前記−]
000 Vと接地間に接続された2個の400I(Ωの
抵抗により分圧された一500Vの電圧を印加する。
第8図は横軸を光電子増倍管かおかれた磁界の強さ、縦
軸を光電子増倍管の出力とし、先行技術として説明した
光電子増倍管と前記実施例に係る光電管の特性を比較し
て示した図である。
軸を光電子増倍管の出力とし、先行技術として説明した
光電子増倍管と前記実施例に係る光電管の特性を比較し
て示した図である。
同図において曲線Δは本発明の光電子増倍管の特111
を示す。同図において曲線Bは従来の光電子増(ri’
!・の)1冒11を示ず。なお先行技術として説明した
光重r増イ;3管の%iの直i¥は本発明の光電子増倍
管と等り、 <接続は第7図に示した接続と異ならない
。
を示す。同図において曲線Bは従来の光電子増(ri’
!・の)1冒11を示ず。なお先行技術として説明した
光重r増イ;3管の%iの直i¥は本発明の光電子増倍
管と等り、 <接続は第7図に示した接続と異ならない
。
名尤電了増(i’!、’管の光電面から数cmMIすれ
たところにあ【〕発光ピーク波IN 555 nano
mの緑色LE1’+にI OmΔ程度の直流電流を
流して直流的に点月さ−1,1〃、li& l&を用い
゛ζ光電面全体に光を均一に照射する。
たところにあ【〕発光ピーク波IN 555 nano
mの緑色LE1’+にI OmΔ程度の直流電流を
流して直流的に点月さ−1,1〃、li& l&を用い
゛ζ光電面全体に光を均一に照射する。
従来の光電了増イ;贋コ・は第8図の曲線Bが示ずよう
番ご、比11シ的(11,い管軸方向磁界により、出力
が急激にθ表少さ・1!りれる。
番ご、比11シ的(11,い管軸方向磁界により、出力
が急激にθ表少さ・1!りれる。
・vi軸方向研界が500ガウスに連すると、初期値(
磁界0ガウスのときの出力)の62%にまで低1−U7
、それ以北の磁界では出力はゆるやかにさらに減少さ一
已cしれ?〕。
磁界0ガウスのときの出力)の62%にまで低1−U7
、それ以北の磁界では出力はゆるやかにさらに減少さ一
已cしれ?〕。
伯・軸方向磁界がIOKガウスに達すると出力は初ll
J目1)1858%まで(氏子する。
J目1)1858%まで(氏子する。
これに対して本発明による光電子増倍管は第5図の曲線
Δか示すように、比較的低い磁界では前記従来の光電子
増(iλ管に比較して、ゆるやがな出力の減少を示す。
Δか示すように、比較的低い磁界では前記従来の光電子
増(iλ管に比較して、ゆるやがな出力の減少を示す。
管軸方向磁界が500ガウスに達したときの出力は初期
値の95%程度に留まっている。
値の95%程度に留まっている。
管軸方向磁界が500ガウス以上においても極めてゆる
やかに減少し、10 ’にガウスの磁界で78%になり
出力の減少は入りダ4に改善される。
やかに減少し、10 ’にガウスの磁界で78%になり
出力の減少は入りダ4に改善される。
(発明の詳細な説明)
この発明による光電子増倍管は前述の構造によりアノー
ド、ダイノードを気密容器側壁一杯にまで広げ、従来の
光電子増倍管よりは、アノード。
ド、ダイノードを気密容器側壁一杯にまで広げ、従来の
光電子増倍管よりは、アノード。
ダイノート゛の面積を大きくしである。
したがって、磁界により走行方向を修正されダイノード
に到達できないでfi駄な電子を少なくすることができ
る。
に到達できないでfi駄な電子を少なくすることができ
る。
その結果として磁界の強さに従属す名無状になる量を少
なくでき、磁界の変動に出力が従属しにくい光電子増イ
e Q’Jを提供することができた。
なくでき、磁界の変動に出力が従属しにくい光電子増イ
e Q’Jを提供することができた。
したがって、本発明による光電子増倍管ば、従来は不可
能とされていた磁界の変動する場所におけ;!〕測測定
1+’通に利用(きる。
能とされていた磁界の変動する場所におけ;!〕測測定
1+’通に利用(きる。
第1図はiiL未の光電子増倍管を管軸を含む平面で切
…iして示した断面図である。 第2図は前記tjL来の光電子増倍管を管軸に垂直なi
12面でりJ断し″(示したLlfi面図である。 第3図番31本発明による光電子増イ(λ管の実施例装
置を性情を含む!11面でりJ 1lli シて示した
断面図である。 第4図は組立部の構造を拡大して示した断面図である。 第5図は前記光電子増倍管を管軸に垂直な平面ですJ
IJJiして示した1υi面図である。 第6図ば板ばねを取り出して示した図である。 第7図は光電子増倍管の接続例を示す回路図である。 第8図は横軸を光電了増イ1ηU・がおかれた磁界の強
さ、縦軸を光市了増イ1η管の出力として、従来の光電
了増イ1”9管と本発明による光電子増倍管の特性を比
較して〉■りした線図である。 1・・・気密容2:)2・・・窓 3・・・光電面 4・・・アノード5・・
・平板状ダイノード 6・・・円筒ガラス容器7・・
・窓 8・・・透過形光型面9・・・
4及ばね 10・・・アノ−1−11・
・・平板状のダイノー1− 12・・・ピン 13・・・絶縁管16a
〜16c・・・アルミナのスペーーリ・17・・・導体
棒1 B・・・ワッシャ20・・・導体層 特許出願人 浜松ホ1−二クス株式会社代理人 弁理士
井 ノ ロ 壽 しD 図 (A) CB) 勅 a−ρ餅あの シー6断面図]三〜
糸ダ5 ネ11i 正 +U:昭和58年
6月28日 1小イシ;の表示 昭pH5f1年11!f 許 間第96378号2、
発明の名称 光電了増イ:)、管 3、 !l!I許1!1願人 4、代理人 (31Wet:48〒八売1♀千だ行目から同第19行
行目光電管J ’?c r光電子]工 糸売 、?l市
j−1冊 2占(方式)1、小骨の表示 昭Ill 58年特 許 1頭第9 [i 378八)
2、発明の名称 )し電子11り倍管 3.1山+1−をする者 串1″1.との関1糸 特許用1幌友4、代 理
人 6、袖1”1:の対象 図 面オ・2 (A) (B)
…iして示した断面図である。 第2図は前記tjL来の光電子増倍管を管軸に垂直なi
12面でりJ断し″(示したLlfi面図である。 第3図番31本発明による光電子増イ(λ管の実施例装
置を性情を含む!11面でりJ 1lli シて示した
断面図である。 第4図は組立部の構造を拡大して示した断面図である。 第5図は前記光電子増倍管を管軸に垂直な平面ですJ
IJJiして示した1υi面図である。 第6図ば板ばねを取り出して示した図である。 第7図は光電子増倍管の接続例を示す回路図である。 第8図は横軸を光電了増イ1ηU・がおかれた磁界の強
さ、縦軸を光市了増イ1η管の出力として、従来の光電
了増イ1”9管と本発明による光電子増倍管の特性を比
較して〉■りした線図である。 1・・・気密容2:)2・・・窓 3・・・光電面 4・・・アノード5・・
・平板状ダイノード 6・・・円筒ガラス容器7・・
・窓 8・・・透過形光型面9・・・
4及ばね 10・・・アノ−1−11・
・・平板状のダイノー1− 12・・・ピン 13・・・絶縁管16a
〜16c・・・アルミナのスペーーリ・17・・・導体
棒1 B・・・ワッシャ20・・・導体層 特許出願人 浜松ホ1−二クス株式会社代理人 弁理士
井 ノ ロ 壽 しD 図 (A) CB) 勅 a−ρ餅あの シー6断面図]三〜
糸ダ5 ネ11i 正 +U:昭和58年
6月28日 1小イシ;の表示 昭pH5f1年11!f 許 間第96378号2、
発明の名称 光電了増イ:)、管 3、 !l!I許1!1願人 4、代理人 (31Wet:48〒八売1♀千だ行目から同第19行
行目光電管J ’?c r光電子]工 糸売 、?l市
j−1冊 2占(方式)1、小骨の表示 昭Ill 58年特 許 1頭第9 [i 378八)
2、発明の名称 )し電子11り倍管 3.1山+1−をする者 串1″1.との関1糸 特許用1幌友4、代 理
人 6、袖1”1:の対象 図 面オ・2 (A) (B)
Claims (6)
- (1)窓を有ずろ気密容器内に光電面を設は前記光電面
からの光電子を増倍して則り出す光電子増倍管において
、網状部分、この網状部分を気密容器内の内周よりもわ
ずかに小さい外周で包囲し、取付用のI’Lを持つ複数
の取付用耳を前記外周から前記網状部分に突出させノこ
アノ−1−と、前記アノ−1、と略等しい外形で前記了
ノートの取イ4用の孔にり・)応する複数の数例用の孔
をもつダイノードと、管軸を含む平面で切断したときの
断面がL形で一辺側が前記気密容器内壁面の導体膜に接
続される板ばねと、1111記アノードおよびダイノー
Iこの数例孔に挿入される絶縁管と、複数の絶縁性の環
状スペーサと、導体棒とを用意し、前記板ばね、第1の
絶縁性の環状スペーサ、前記アノード、第2の絶縁性の
環状スペーサ、前記ダイノード、第3の絶縁性の環状ス
ペーサ、を前記各部の孔を揃えてこの順に市ねて前記絶
縁管を挿入し、前記導体棒を前記絶縁管に挿入貫通し前
記導体棒を前記板ばねに電気的に接続させて了ノー1と
ダイノー1−と仮ばねのA;II立を構成したことを特
徴とする光電子増倍管。 - (2)前記−辺が前記気密容器内壁面の導体膜に接続さ
れる板ばねの他辺には前記絶縁管の孔よりも小さい孔が
設りられており、前眼導体棒の先a111はこの孔を貫
いた後に曲げ戻されて、前記板ばねの他辺に接続される
特許請求の範囲第1項記載の光’;’d −7−Lをク
イ′2f管。 - (3) 前記アノードは一枚の板をエツチング加工し
たものである特許請求の範囲第1項記載の光電子増倍管
。 - (4)前記絶縁性スペーサと絶縁管の44料はアルミナ
である特許請求の範囲第1項記載の光電子増倍管。 - (5)前記ダイノートの外周の一部にアノードを接続す
るためのリード線を通す逃げが設けられている特許請求
の範囲第1項記載の光電子増倍管。 - (6)前記窓を有する気密容器は円筒状である特許l情
求の範囲第1項記載の光電子増倍管。 (力 前記板ばねは複数個一体に設りられている特許、
lh求の範囲第1項記載の光電子増倍管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9637883A JPS59221957A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 光電子増倍管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9637883A JPS59221957A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 光電子増倍管 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59221957A true JPS59221957A (ja) | 1984-12-13 |
Family
ID=14163298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9637883A Pending JPS59221957A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 光電子増倍管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59221957A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007099958A1 (ja) | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | 光電子増倍管、放射線検出装置および光電子増倍管の製造方法 |
US7838810B2 (en) | 2006-02-28 | 2010-11-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube and a radiation detecting device employing the photomultiplier tube |
US7847232B2 (en) | 2006-02-28 | 2010-12-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube and radiation detecting device employing the photomultiplier tube |
US7902509B2 (en) | 2006-02-28 | 2011-03-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube and radiation detecting device |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP9637883A patent/JPS59221957A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007099958A1 (ja) | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | 光電子増倍管、放射線検出装置および光電子増倍管の製造方法 |
US7812532B2 (en) | 2006-02-28 | 2010-10-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube, radiation detecting device, and photomultiplier tube manufacturing method |
US7838810B2 (en) | 2006-02-28 | 2010-11-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube and a radiation detecting device employing the photomultiplier tube |
US7847232B2 (en) | 2006-02-28 | 2010-12-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube and radiation detecting device employing the photomultiplier tube |
US7902509B2 (en) | 2006-02-28 | 2011-03-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube and radiation detecting device |
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