JPS59215714A - Method of producing film capacitor - Google Patents

Method of producing film capacitor

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JPS59215714A
JPS59215714A JP8922483A JP8922483A JPS59215714A JP S59215714 A JPS59215714 A JP S59215714A JP 8922483 A JP8922483 A JP 8922483A JP 8922483 A JP8922483 A JP 8922483A JP S59215714 A JPS59215714 A JP S59215714A
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film
capacitor
heat
film capacitor
dielectric
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正信 藤原
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Nissei Electric Co Ltd
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Nissei Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はポリエチレンテレフタレートを誘電体としたフ
ィルムとアルミ箔などの金属電極を交互に、または片面
金属化ポリエチレンテレフタレートフィルム同士を重ね
て巻回あるいは積層してなるフィルムコンデンサの耐熱
性の改善特にはんだ浸、漬時の耐熱性の改善に関するも
のである。
Detailed Description of the Invention The present invention provides a film capacitor in which polyethylene terephthalate films as a dielectric material and metal electrodes such as aluminum foil are wound or laminated alternately, or single-sided metallized polyethylene terephthalate films are stacked on top of each other. It relates to improvement of heat resistance, especially heat resistance during soldering and dipping.

近時電子部品の取付基板への実装密度を上げるため小形
化、薄形化が頓に要求されており、その1つの傾向とし
てチップ型部品が台頭して・使用されている。
In recent years, there has been an increasing demand for smaller and thinner electronic components in order to increase the density of mounting them on mounting boards, and one trend is the rise and use of chip-type components.

セラミックコンデンサやタンタル固体コンデンサなどは
早くからチップ化が行なわれている。これらのチップ型
部品は、その電極端子部分が取付基板の導体ランド部に
直接載置される形になる。従ってはんだ付は浸漬式にし
ろ、リフロ一式にしろチップ型部品は250〜270℃
附近の高温にさらされるので、耐熱性の優れたものであ
ることが要求される。その点セラミックコンデンサやタ
ンタル固体コンデンサなどは誘導体が無機または金属化
合物であり耐熱性に富むので逸早くそれらのチップ型が
開発されている所似である。
Ceramic capacitors and tantalum solid capacitors have been made into chips from an early stage. The electrode terminal portions of these chip-type components are placed directly on the conductor land portions of the mounting board. Therefore, whether soldering is done using the immersion method or a complete reflow soldering process, the temperature for chip-type parts is 250-270°C.
Since it will be exposed to nearby high temperatures, it is required to have excellent heat resistance. In this respect, chip types of ceramic capacitors and tantalum solid capacitors were quickly developed because their dielectrics are inorganic or metal compounds and have high heat resistance.

フィルムコンデンサは他のコンデンサに比較し、温度特
性のよいこと、静電容量変化が小さいこと誘電損失の少
ないことなどと共に、安定した性能をもつ特長があるの
で、小形のチップ型のものが早くから要望されていたが
現状開発が遅れている。
Compared to other capacitors, film capacitors have good temperature characteristics, small capacitance changes, and low dielectric loss, as well as stable performance, so small chip-type capacitors have long been in demand. However, the current development is delayed.

その理由は、ポリエチレンテレフタレート、ポリスチレ
ン、ポリプロピレン、ポリカーボネイトなどの誘電体が
上記の無機または金属化合物に比べると、耐熱性が低く
、はんだ付時の温度がそれらの軟化温度又は融点に近い
ので、小形のチップ型のものでは特にフィルムに著しい
収縮や溶融が起りその結果コンデンサの静電容量の減少
、絶縁抵抗低下などの不良が発生したり、またコンデン
サの体をなさなくなる。
The reason for this is that dielectric materials such as polyethylene terephthalate, polystyrene, polypropylene, and polycarbonate have lower heat resistance than the above-mentioned inorganic or metallic compounds, and the soldering temperature is close to their softening or melting points. Particularly in the case of chip-type capacitors, the film undergoes significant shrinkage and melting, resulting in defects such as a decrease in capacitance and insulation resistance, or the capacitor loses its shape.

従って、これらのフィルムはそのままでコンデンサを構
成させると上記のような欠点を有することになる。
Therefore, if these films are used as they are to form a capacitor, they will have the above-mentioned drawbacks.

本発明はポリエチレンテレフタレートフィルムを誘電体
としたチップ型フイルムコンデンサに関・し、上記のよ
うな欠点を改善して基板への取付時。
The present invention relates to a chip-type film capacitor using polyethylene terephthalate film as a dielectric, and improves the above-mentioned drawbacks when mounting it on a substrate.

のはんだ付耐熱性を向上させた製造方法すなわちコンデ
ンサ本体を溶融はんだに浸漬して、はんだ付できるコン
デンサの製造方法を提示するもので、機械的性質、寸法
安定性、化学的安定性などがすぐれ且つ電気的性質もよ
いポリエチレンテレフタレートフィルムの特長を生かし
た耐熱性コンデンサとして、特にチップ型においてその
効果を発揮するものである。
This paper presents a manufacturing method with improved soldering heat resistance, that is, a manufacturing method for capacitors that can be soldered by dipping the capacitor body in molten solder, and has excellent mechanical properties, dimensional stability, chemical stability, etc. It is a heat-resistant capacitor that takes advantage of the characteristics of polyethylene terephthalate film, which also has good electrical properties, and is particularly effective in chip type.

本発明では、コンデンサの構成が金属電極箔と誘電体フ
ィルムの場合には誘電体であるポリエチレンテレフタレ
ートの片面または両面に、また金属化ポリエチレンテレ
フタレートフィルム同士の場合には該金属化フィルムの
非先着面に、耐熱性樹脂の層を吹付けあるいはコーデイ
′ングなどの方法で設けた複合誘電体を用いてコンデン
サとした後、200℃以上の温度で耐熱性樹脂全加熱硬
化をすることを特徴とするものである。ここで言う加熱
硬化は巻回または積層後の・素子の状態で行ってもよい
し、あるいは外装後の状態で行ってもよい。
In the present invention, when the capacitor is composed of a metal electrode foil and a dielectric film, the capacitor is coated on one or both sides of the dielectric polyethylene terephthalate, and when the capacitor is composed of two metalized polyethylene terephthalate films, the non-first-come-first-served surface of the metallized film is coated. The capacitor is made using a composite dielectric material with a layer of heat-resistant resin provided by spraying or coding, and then the heat-resistant resin is completely heated and cured at a temperature of 200°C or higher. It is something. The heat curing mentioned here may be carried out in the state of the element after winding or lamination, or may be carried out in the state after being packaged.

このようなコンデンサは種々の実験の結果270℃10
秒間のはんだ浸漬をしても十分に耐え、静電容量、誘電
正接、絶絶抵抗などの電気的特性も全く変化しないこと
が認められた。勿論本発明によらない通常のポリエチレ
ンテレフタレートフィルムをそのまま使ったコンデンサ
では、はんだ浸漬をすると、フィルムの融点が260℃
附近にあるので、フィルムは収縮とともに軟化または溶
融する。
As a result of various experiments, such a capacitor can be heated to 270℃10
It was found that it withstood sufficiently even after being immersed in solder for seconds, and its electrical properties such as capacitance, dielectric loss tangent, and cut-off resistance did not change at all. Of course, in a capacitor that uses a normal polyethylene terephthalate film that is not based on the present invention, when immersed in solder, the melting point of the film will be 260°C.
Due to its proximity, the film softens or melts as it shrinks.

従って静電容量の減少や絶縁抵抗の低下を伴ない、時に
はコンデンサとしての機能がなくなることがある。
Therefore, it is accompanied by a decrease in capacitance and insulation resistance, and sometimes loses its function as a capacitor.

本発明で言う耐熱樹脂は評価尺度に熱変形温度をとり、
測定法としてASTMD 648による単位面積当り荷
重18.6 kg/crIのときの熱変形温度が170
’O以上のものであるが、特にポリアミドイミドおよび
ポリイミドなどの樹脂に効果がある。
The heat-resistant resin referred to in the present invention uses heat deformation temperature as an evaluation scale,
The heat distortion temperature is 170 when the load per unit area is 18.6 kg/crI according to ASTM D 648 as a measurement method.
Although it is more than 'O, it is particularly effective for resins such as polyamideimide and polyimide.

そして、上記の樹脂より作られた耐熱性フィルムを誘電
体として使用する場合そのものは高価であり商業ベース
に乗り難いがこの溶液を塗布する本発明の場合は、比較
的安価にでき、1つの大きな′特長である。なお、塗布
する場合は、広巾のフィルムに塗布、および乾燥を行な
い、それを個々に切断したフィルムを使用してもよいし
、長尺のままコンデンサを構成し、あとで切断して個々
の素子にしてもよく、また巻取りの前工程で塗布、およ
び乾燥をしながら引続き巻回する方法によってもよい。
When a heat-resistant film made of the above-mentioned resin is used as a dielectric, it is expensive and difficult to use on a commercial basis, but in the case of the present invention, in which this solution is applied, it can be done relatively cheaply and with one large 'It is a feature. When coating, it is also possible to coat a wide film, dry it, and then cut it into individual pieces. Alternatively, you can form a capacitor as a long film and then cut it into individual elements. Alternatively, a method may be used in which the coating is applied and dried in a step before winding, and then the coating is continuously rolled.

次に本発明の実施例について述べる。第1の例として3
μm厚の片面アルし4着の金属化ボ・リエチレンテレフ
タレートフイルムの非先着面にポリイミド粉末の10重
量%のNメチル2ピロリドン溶液を塗布し100℃、5
分間の乾燥を行なって約1μmのポリイミド膜を形成さ
せた。このフィルム1対を重ねて巻回した素子あるいは
加熱抑圧を加えた素子の端面に金属溶射を施したチップ
型素子を、200℃、3分間加熱して、塗布した樹脂の
硬化を行なった。その結果、この処理を行ったものは、
270℃のはんだ槽の中に10秒間以上浸漬しても十分
に耐え特性も全く変化し゛なかった。実験の結果では、
この場合塗布層の厚さは、約0.8μm以上において、
より効果を発揮することが確認された。
Next, examples of the present invention will be described. 3 as a first example
A 10% by weight N-methyl-2-pyrrolidone solution of polyimide powder was applied to the non-first-coated side of a μm-thick single-sided aluminum-coated four-layer metallized polyethylene terephthalate film at 100°C for 50 minutes.
Drying was carried out for a minute to form a polyimide film of about 1 μm. An element formed by winding a pair of these films in an overlapping manner, or a chip-type element whose end face was subjected to metal spraying after heat suppression was heated at 200° C. for 3 minutes to cure the applied resin. As a result, those who performed this process,
Even when immersed in a solder bath at 270°C for 10 seconds or more, the durability characteristics did not change at all. In the experimental results,
In this case, the thickness of the coating layer is about 0.8 μm or more,
It was confirmed that it is more effective.

焼付硬化温度の範囲は200℃以上270°0までであ
れば浸漬式はんだ付の上限に近い270℃に10秒間以
上耐えることができた。従ってチップ型フイルムコンデ
ンサの基板取付の場合のはんだ浸漬やフローによる方法
またはりフローによる方法とも誘電体の収縮や溶融など
の問題がなく、はんだ付が可能になったのである。
If the bake hardening temperature range was from 200°C to 270°C, it could withstand 270°C, which is close to the upper limit of immersion soldering, for 10 seconds or more. Therefore, when attaching a chip-type film capacitor to a substrate, soldering is now possible without problems such as shrinkage or melting of the dielectric when using solder dipping, flow, or reflow methods.

第2の例として4μm厚のポリエチレンテレフタレート
フィルムの片面に、ポリアミドイミドの粉末の10重量
%のNNジメチルホルムアミド溶液を塗布して後100
℃3分間の乾燥を行って後1μmのポリアミドイミドの
膜を形成させたフィルムをアルミ電極箔と交互に巻回し
た素子を加熱押圧し、扁平形状にした後、外部電極を形
成し200℃3分間の加熱をして塗布した樹脂の硬化を
行った。その結果は第1例と同じように270℃のはん
だ槽の中に、10秒間以上浸漬しても問題なく、はんだ
付が行なわれ、特性も変化しなかった。
As a second example, a 10% by weight NN dimethylformamide solution of polyamideimide powder was applied to one side of a 4 μm thick polyethylene terephthalate film, and then 100%
After drying for 3 minutes at ℃, a 1 μm polyamide-imide film was formed and the element was wound alternately with aluminum electrode foil. The element was heated and pressed into a flat shape, and then external electrodes were formed and dried at 200℃. The applied resin was cured by heating for a few minutes. As in the first example, even when immersed in a solder bath at 270° C. for 10 seconds or more, soldering was carried out without any problems, and the characteristics did not change.

上記第1および第2の実施例に示す如く本発明。The present invention as shown in the first and second embodiments above.

は金属化フィルム同士の構成によるコンデンサのみなら
ず、フィルムと金属電極箔との構成によるコンデンサの
場合においても同様の効果を示すことが確かめられた。
It was confirmed that the same effect is exhibited not only in the case of a capacitor having a structure of metalized films, but also in the case of a capacitor having a structure of a film and a metal electrode foil.

本発明は220℃〜230°Cのはんだ槽に浸漬すると
、溶ケルポリエチレンテレフタレートフィルムコンデン
サでも上記の耐熱性樹脂をベースフィルムに塗布し20
0℃以上の加熱硬化処理をすれば、ポリエチレンテレフ
タレートの融点を越える温・度のはんだ浸漬に耐える効
果がある訳である。
In the present invention, when immersed in a solder bath at 220°C to 230°C, even melted polyethylene terephthalate film capacitors can be coated with the above heat-resistant resin on the base film.
If heat curing treatment is performed at 0° C. or higher, it will be effective in withstanding solder immersion at temperatures exceeding the melting point of polyethylene terephthalate.

塗布した樹脂の硬化温度は200℃以下では、はんだ槽
に浸漬するとフィルムの熱収縮が大きくそのため特性の
変化が著しいので、適当ではない。
A curing temperature of 200° C. or lower for the applied resin is not appropriate because the film will undergo large thermal contraction when immersed in a solder bath, resulting in significant changes in properties.

また200°C以上がよいが上限は一般に用いられるは
んだ槽の上限温度として、270℃位が実用上の値とな
る。
The temperature should preferably be 200°C or higher, but the practical upper limit is about 270°C, which is the upper limit temperature of a commonly used solder bath.

尚、上記2実施例は巻回した素子を加熱押圧して扁平形
状にしだ後200℃以上の加熱硬化処理を行った場合を
示したが、巻′回素子に200℃以上の加熱硬化処理は
行なうと同時に扁平化を行なった′場合も同様なはんだ
付耐熱性の効果が得られるこ。
Note that the above two examples show cases in which the wound element is heated and pressed into a flat shape and then subjected to heat curing treatment at 200°C or higher. The same effect of soldering heat resistance can be obtained even if flattening is performed at the same time as soldering.

とが確認されている。It has been confirmed that

以上述べたように本発明は通常使われるポリエチレンテ
レフタレートフィルムコンデンサの電気的特性を低下さ
せずに、ベースフィルムに約0.8μm以上の厚さの耐
熱性樹脂の層を付着させ且つ、200 ’Q以上の温度
で加熱硬化処理をさせることによりはんだ耐熱性を改善
させ、その結果はんだ浸漬に十分に耐え得るコンデンサ
を安価に製・造する方法を提示したものであり、特にチ
ップ型のものでは、そのままはんだ浸漬式による安定し
たはんだ付が可能になるので、工業上極めて有用な発明
であり価値あるものと考える。
As described above, the present invention allows a heat-resistant resin layer with a thickness of about 0.8 μm or more to be attached to a base film without deteriorating the electrical characteristics of a commonly used polyethylene terephthalate film capacitor, and a 200'Q This paper presents a method for manufacturing capacitors at low cost that can sufficiently withstand solder immersion by improving the soldering heat resistance by performing heat curing treatment at the above temperature, especially for chip type capacitors. This invention is considered to be extremely useful and valuable industrially, as it enables stable soldering using the solder immersion method.

特許出願人 ニッセイ電機株式会社 6Patent applicant: Nissay Electric Co., Ltd. 6

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (11誘電体フィルムとアルミ箔などの金属電極を交互
に、または片面金属化フィルム同士を重ね合せ巻回ある
いは積層してなるポリエチレンテレフタレートフィルム
を誘電体としたフィルムコンデンサにおいて、前記誘電
体フィルムの少くとも片面または金属化フィルムの非1
着面に耐熱性樹脂の層を形成してコンデンサ素子とし、
該コンデンサ素子を200℃以上で加熱硬化処理をする
工程を含むことを特徴とするフィルムコンデンサの製造
方法。 (2)耐熱性樹脂としてポリアミドイミドおよびポリイ
ミドなどを用いることを特徴とする特許請求の範囲第(
1)項記載のフィルムコンデンサの製造方法0 (3)素子の扁平化に際して加熱硬化処理をすることを
特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載のフィルムコ
ンデンサの製造方法。
[Scope of Claims] (11) A film capacitor whose dielectric is a polyethylene terephthalate film formed by winding or laminating dielectric films and metal electrodes such as aluminum foil alternately or by overlapping and laminating single-sided metalized films, At least one side of the dielectric film or one side of the metallized film
A layer of heat-resistant resin is formed on the surface to form a capacitor element.
A method for manufacturing a film capacitor, comprising the step of subjecting the capacitor element to heat curing treatment at 200° C. or higher. (2) Claim No. (2) characterized in that polyamideimide, polyimide, etc. are used as the heat-resistant resin.
1) The method for manufacturing a film capacitor according to claim 1. (3) The method for manufacturing a film capacitor according to claim 1, wherein a heat curing treatment is performed when flattening the element.
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JPH0158851B2 JPH0158851B2 (en) 1989-12-13

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