JPS5921528Y2 - variable frequency oscillator - Google Patents

variable frequency oscillator

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JPS5921528Y2
JPS5921528Y2 JP10786976U JP10786976U JPS5921528Y2 JP S5921528 Y2 JPS5921528 Y2 JP S5921528Y2 JP 10786976 U JP10786976 U JP 10786976U JP 10786976 U JP10786976 U JP 10786976U JP S5921528 Y2 JPS5921528 Y2 JP S5921528Y2
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嗣雄 佐藤
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ソニー株式会社
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、その発振周波数を変え得るようにした可変周
波数発振器に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a variable frequency oscillator whose oscillation frequency can be changed.

従来より、その発振周波数を電圧制御するようにした第
1図に示すクラップ発振器が知られている。
Conventionally, a Clapp oscillator shown in FIG. 1, whose oscillation frequency is controlled by voltage, has been known.

この第1図に示すクラップ発振器では、帰還回路である
LC同調回路の一部を構成するコンテ゛ンサ1に、この
コンテ゛ンサ1と並列となるように、可変容量ダイオー
ド2がコンデンサ3を介して接続されている。
In the Clapp oscillator shown in FIG. 1, a variable capacitance diode 2 is connected via a capacitor 3 to a capacitor 1 that forms part of an LC tuning circuit that is a feedback circuit, so as to be in parallel with this capacitor 1. There is.

この可変容量ダイオード2には容量調整用電源15から
入力端子18及び抵抗4を介して制御電圧が与えられ、
このときの可変容量ダイオード2の容量値の変化によっ
て発振周波数が制御される。
A control voltage is applied to the variable capacitance diode 2 from the capacitance adjustment power supply 15 via the input terminal 18 and the resistor 4.
The oscillation frequency is controlled by the change in the capacitance value of the variable capacitance diode 2 at this time.

なお上述のクラップ発振器は、従来の発振器に比べて発
振周波数の安定度が高いことが知られている。
Note that the Clapp oscillator described above is known to have a higher stability of oscillation frequency than conventional oscillators.

なおこの第1図に示すクラップ発振器において、トラン
ジスタ10及びバイアス用の抵抗5,6゜7で構成され
る増巾器はエミッタホロワとして作動するものであり、
発振器としての出力はトランジスタ10のエミッタに接
続された出力端子17から取り出される。
In the Clapp oscillator shown in FIG. 1, the amplifier composed of the transistor 10 and bias resistors 5 and 6°7 operates as an emitter follower.
The output as an oscillator is taken out from an output terminal 17 connected to the emitter of the transistor 10.

しかしこの第1図に示すようなりラップ発振器では、可
変容量ダイオード2の容量可変範囲が数百〜数千PFで
あるとして、IKHz近辺でコンマ数%程度の非常に狭
い発振周波数可変範囲しか得られないものである。
However, in the wrap oscillator shown in Fig. 1, assuming that the variable capacitance range of the variable capacitance diode 2 is several hundred to several thousand PF, only a very narrow oscillation frequency variable range of a few tenths of a percent is obtained around IKHz. It's something that doesn't exist.

本考案はこのような問題に鑑みて考案されたもので、ト
ランジスタと、このトランジスタのベースと第1の基準
電位点(例えばアース電位)との間に直列接続されてい
る2つのコンデンサと、上記トランジスタのエミッタと
上記第1の基準電位点との間に接続されている抵抗と、
上記トランジスタのベースと上記第1の基準電位点との
間に直列接続されているコイル及びコンテツサとをそれ
ぞれ具備し、上記トランジスタのエミッタと上記2つの
コンデンサの接続点とが接続されているクラップ発振器
構成の可変周波数発振器において、上記トランジスタの
コレクタと第2の基準電位点(例えば電源電圧V。
The present invention was devised in view of such problems, and includes a transistor, two capacitors connected in series between the base of this transistor and a first reference potential point (for example, earth potential), and the above-mentioned capacitor. a resistor connected between the emitter of the transistor and the first reference potential point;
A Clapp oscillator, each comprising a coil and a capacitor connected in series between the base of the transistor and the first reference potential point, and the emitter of the transistor and the connection point of the two capacitors are connected. In the variable frequency oscillator configured as above, the collector of the transistor and the second reference potential point (for example, the power supply voltage V.

0)との間に抵抗を接続すると共に上記トランジスタの
ベースにバイアスを供給することにより上記トランジス
タに飽和増幅動作を行わせ、これにより、上記クラップ
発振器の発振周波数を上記バイアス量に応じて変え得る
ようにしている。
0) and by supplying a bias to the base of the transistor, the transistor performs a saturation amplification operation, whereby the oscillation frequency of the Clapp oscillator can be changed in accordance with the amount of bias. That's what I do.

このように構成することによって、発振周波数の安定度
が高いという従来のクラップ発振器の長所を維持しつつ
発振周波数の可変範囲を広くすることができると共に、
可変容量ダイオード等を使用せずにバイアス量を変化さ
せるだけで発振周波数を変え得るため温度安定性に優れ
た低置なものを得ることができる。
With this configuration, it is possible to widen the variable range of the oscillation frequency while maintaining the advantage of the conventional Clapp oscillator that the oscillation frequency is highly stable.
Since the oscillation frequency can be changed simply by changing the bias amount without using a variable capacitance diode or the like, a low-mounted device with excellent temperature stability can be obtained.

以下本考案を実施例により第2図〜第4図と共に説明す
る。
The present invention will be explained below with reference to examples and FIGS. 2 to 4.

第2図には、本考案を適用したクラップ発振器が示され
ている。
FIG. 2 shows a Clapp oscillator to which the present invention is applied.

この第2図に示すクラップ発振器においては、第1図に
示す従来のクラップ発振器と同様にトランジスタ10の
ベースには抵抗5及び6が、またエミッタには抵抗7が
それぞれバイアス用として接続されているのに加えて、
トランジスタ10のコレクタと電源電圧VCCとの間に
抵抗8が同じくバイアス用として接続されている。
In the Clapp oscillator shown in FIG. 2, like the conventional Clapp oscillator shown in FIG. 1, resistors 5 and 6 are connected to the base of the transistor 10, and a resistor 7 is connected to the emitter for biasing. In addition to
A resistor 8 is also connected for bias between the collector of the transistor 10 and the power supply voltage VCC.

なお抵抗8を接続しない場合には、ベースのバイアス量
を変化させても発振周波数を変え得ない。
Note that if the resistor 8 is not connected, the oscillation frequency cannot be changed even if the base bias amount is changed.

そしてこれらのトランジスタ10及び抵抗5゜6、 7
. 8によって構成される増巾器は、飽和増巾動作を行
い得る飽和増巾器を構成している。
These transistors 10 and resistors 5°6, 7
.. The amplifier constituted by 8 constitutes a saturation amplifier capable of performing saturation amplification operation.

なお飽和増巾動作を行うか線形増巾動作を行うかは、後
述するように、トランジスタ10のベースに供給される
バイアス電流によって定められる。
Note that whether the saturation amplification operation or the linear amplification operation is performed is determined by the bias current supplied to the base of the transistor 10, as will be described later.

コンデンサ12.13.14及びコイル11は帰還回路
としてのLC同調回路を構成するものである。
The capacitors 12, 13, 14 and the coil 11 constitute an LC tuning circuit as a feedback circuit.

トランジスタ10のベースはコンテ゛ンサ12及びコイ
ル11の直列回路と、コンテ゛ンサ13及びコンデンサ
14の直列回路とをそれぞれ介して接地されている。
The base of the transistor 10 is grounded through a series circuit of a capacitor 12 and a coil 11, and a series circuit of a capacitor 13 and a capacitor 14, respectively.

さらにトランジスタ10のエミッタはコンデンサ13と
コンデンサ14との接続点に接続されている。
Further, the emitter of the transistor 10 is connected to the connection point between the capacitor 13 and the capacitor 14.

トランジスタ10のベースにはバイアス調整用電源15
から入力端子18及び抵抗4を介してバイアス電流が供
給される。
A bias adjustment power supply 15 is connected to the base of the transistor 10.
A bias current is supplied from the input terminal 18 and the resistor 4 through the input terminal 18 and the resistor 4.

このバイアス電流は電源15を調整することにより変え
ることができる。
This bias current can be changed by adjusting the power supply 15.

なおこの第2図に示すクラップ発振器の出力は、トラン
ジスタ10のコレクタに接続された出力端子16又はト
ランジスタ10のエミッタに接続された出力端子17の
何れからも取り出すことができる。
Note that the output of the Clapp oscillator shown in FIG. 2 can be taken out from either the output terminal 16 connected to the collector of the transistor 10 or the output terminal 17 connected to the emitter of the transistor 10.

次に以上で述べた構成による第2図に示すクラップ発振
器の動作について説明する。
Next, the operation of the Clapp oscillator shown in FIG. 2 having the configuration described above will be explained.

トランジスタ10のベースに供給されるバイアス電流が
抵抗5及び6によって供給されるバイアス電流DC1だ
けであって、電源15からのバイアス電流が零である場
合には、トランジスタ10は線形増巾動作を行う。
When the bias current supplied to the base of the transistor 10 is only the bias current DC1 supplied by the resistors 5 and 6 and the bias current from the power supply 15 is zero, the transistor 10 performs a linear amplification operation. .

このとき第2図に示す発振器は第1図に示すような周知
のり・ラップ発振器として作動し、ベース電流IBI、
コレクタ電圧E。
At this time, the oscillator shown in FIG. 2 operates as the well-known glue/lap oscillator shown in FIG. 1, and the base current IBI,
Collector voltage E.

1はそれぞれ第3図に示すように変化する。1 changes as shown in FIG.

このときのベース電流IB□として、コイル11とコン
デンサ12との直列回路及びコンデンサ14とコンデン
サ13との直列回路を介して帰還される交流電流ACと
、前述したバイアス電流DC1とを重畳した電流が流れ
る。
At this time, the base current IB□ is a current obtained by superimposing the alternating current AC fed back through the series circuit of the coil 11 and the capacitor 12 and the series circuit of the capacitor 14 and the capacitor 13, and the bias current DC1 mentioned above. flows.

なおこの第3図の第1象限はコレクタ電圧E。Note that the first quadrant in FIG. 3 is the collector voltage E.

の時間的変化を、また第2象限はコレクタ電圧ECとコ
レクタ電流I。
The second quadrant is the collector voltage EC and collector current I.

の関係を表すロード・ラインを、また第3象限及び第4
象限はベース電流IBの時間的変化をそれぞれ示すもの
である。
The load line representing the relationship between
Each quadrant indicates a temporal change in base current IB.

電源15から抵抗4を介してバイアス電流DC2が供給
された場合には、このバイアス電流DC2が前述した交
流電流AC及びバイアス電流DC1に更に重畳してトラ
ンジスタ10のベースに流れる。
When a bias current DC2 is supplied from the power supply 15 via the resistor 4, this bias current DC2 flows to the base of the transistor 10 superimposed on the above-mentioned alternating current AC and bias current DC1.

このときのベース電流及びコレクタ電圧はそれぞれ第3
図に示すIB2及びE。
The base current and collector voltage at this time are the third
IB2 and E shown in the figure.

2となる。ベース電流Iえはベース電流IBIをバイア
ス電流DC2の分だけ増加させた電流に相当する。
It becomes 2. The base current Ie corresponds to the base current IBI increased by the bias current DC2.

この場合には、ベース電流■8□が飽和レベルSに到達
する時刻t1においてトランジスタ10が飽和増巾動作
を行うようになる。
In this case, the transistor 10 performs the saturation amplification operation at time t1 when the base current ■8□ reaches the saturation level S.

このようにトランジスタ10が飽和増巾動作を行うと、
発振条件が変化して発振が弱まるので、帰還によってト
ランジスタ10のベースに供給される交流電流ACが減
少する。
When the transistor 10 performs the saturation amplification operation in this way,
As the oscillation conditions change and the oscillation weakens, the feedback reduces the alternating current AC supplied to the base of transistor 10.

この交流電流ACの減少はベース電流IB2の減少を意
味し、トランジスタ10は飽和増巾動作領域から線形増
巾動作領域に戻されて発振が継続される。
This decrease in the alternating current AC means a decrease in the base current IB2, and the transistor 10 is returned from the saturation amplification operation region to the linear amplification operation region and continues to oscillate.

この結果トランジスタ10のコレクタ電圧が前述したコ
レクタ電圧E。
As a result, the collector voltage of the transistor 10 becomes the collector voltage E mentioned above.

1の周期上よりも短い周期T2の電圧E。Voltage E with period T2 shorter than on period 1.

2として得られる。電源15を調整してこの電源15の
電圧を上述の場合よりも大きくすることによって、ベー
ス電流■8□にバイアス電流DC3を更に重畳した場合
は、トランジスタ10のベース電流IB3が第3図に示
すようになる。
Obtained as 2. If the bias current DC3 is further superimposed on the base current ■8□ by adjusting the power supply 15 to make the voltage of the power supply 15 larger than in the above case, the base current IB3 of the transistor 10 becomes as shown in FIG. It becomes like this.

この場合には、このベース電流IB3は前述したベース
電流IB2よりも更に早く飽和レベルSに到達するよう
になるので、このときのコレクタ電圧Ec3は前述した
コレクタ電圧E。
In this case, the base current IB3 reaches the saturation level S even earlier than the base current IB2 described above, so the collector voltage Ec3 at this time is equal to the collector voltage E described above.

2の周期T2よりも更に憶い周期T3となる。The memorization period T3 is longer than the period T2 of 2.

この第2図に示す発振器では、上述の如くにして得られ
るコレクタ電圧E。
In the oscillator shown in FIG. 2, the collector voltage E obtained as described above.

を出力端子16から発振出力として導出するようにして
もよいし、或いはトランジスタ10のエミッタ電圧を出
力端子17から発振出力として導出するようにしてもよ
い。
may be derived from the output terminal 16 as an oscillation output, or the emitter voltage of the transistor 10 may be derived from the output terminal 17 as an oscillation output.

第2図に示す発振器は次に述べる特徴を有している。The oscillator shown in FIG. 2 has the following features.

即ち、低い周波数帯域でも発振周波数の可変範囲が非常
に広い。
That is, the variable range of the oscillation frequency is very wide even in a low frequency band.

具体的には、電源電圧■。0を5■としたときに、3K
H2付近で±11%の可変範囲が得られる。
Specifically, the power supply voltage■. When 0 is 5■, 3K
A variable range of ±11% is obtained near H2.

この可変範囲は、電源電圧V。0を大きくしてトランジ
スタ10のベース電流の可変範囲を大きくすることによ
って、更に大きくすることが可能である。
This variable range is the power supply voltage V. It is possible to make it even larger by increasing the variable range of the base current of the transistor 10 by increasing 0.

また第1図に示す従来例におけるような可変容量ダイオ
ード等を使用せずにバイアス量を変化させるだけで発振
周波数を変え得るので、温度安定性に優れかつ低置であ
る。
Furthermore, since the oscillation frequency can be changed simply by changing the amount of bias without using a variable capacitance diode or the like as in the conventional example shown in FIG. 1, it has excellent temperature stability and is low-mounted.

このような特徴を活かして、第2図に示すクラップ発振
器を第4図に示すように、ロックドオシレータの可変周
波数発振器20に応用することが出来る。
Taking advantage of these characteristics, the Clapp oscillator shown in FIG. 2 can be applied to a variable frequency oscillator 20 of a locked oscillator, as shown in FIG.

この第4図に示すロックドオシレータは電源同期のスイ
ープ発振器等を作動させるための電源周波数に同期した
信号を得るものである。
The locked oscillator shown in FIG. 4 obtains a signal synchronized with the power supply frequency for operating a power supply synchronized sweep oscillator or the like.

通常の商用電源にはノイズが含まれ、電源同期の機器は
このノイズによって誤動作するので、第4図に示す回路
によりノイズが含まれずしかも電源周波数に同期した信
号が得られるようにしている。
A normal commercial power supply contains noise, and equipment synchronized with the power supply will malfunction due to this noise, so the circuit shown in FIG. 4 is designed to obtain a signal that does not contain noise and is synchronized with the power supply frequency.

この第4図に示す回路において、フリップフロップ21
には、入力端子19から商用電源周波数、例えば60H
2の信号が供給され、この信号はこのフリップフロップ
21で矩形波に変換される。
In the circuit shown in FIG. 4, the flip-flop 21
, the commercial power frequency, for example 60H, is input from the input terminal 19.
2 signal is supplied, and this signal is converted into a rectangular wave by this flip-flop 21.

フリップフロップ 23にゲート信号として供給される。flip flop 23 as a gate signal.

このゲート信号によってゲートされる信号は積分回路2
7の出力である。
The signal gated by this gate signal is transmitted to the integrator circuit 2.
This is the output of 7.

積分回路27では、後述する分周器26の出力を積分し
て鋸歯状波を得るようにしている。
The integrating circuit 27 integrates the output of a frequency divider 26, which will be described later, to obtain a sawtooth wave.

この鋸歯状波が微分回路22の出力であるゲート信号に
よってゲートされた時のレベルがDCホールド回路24
によってホールドされる。
The level when this sawtooth wave is gated by the gate signal which is the output of the differentiating circuit 22 is the level of the DC hold circuit 24.
is held by

このDCホールド回路24によってホールドされたホー
ルド値は制御信号として可変周波数発振器20の入力端
子18に供給されるので、前述の如くにしてこの発振器
の発振動作が行われる。
The hold value held by this DC hold circuit 24 is supplied as a control signal to the input terminal 18 of the variable frequency oscillator 20, so that the oscillation operation of this oscillator is performed as described above.

なおこの可変周波数発振器20の出力は3.84KH2
付近の周波数となるように設定されている。
Note that the output of this variable frequency oscillator 20 is 3.84KH2
It is set to have a nearby frequency.

この可変周波数発振器20の出力は分周器26によって
托,分周されて60Hz付近の信号となる。
The output of this variable frequency oscillator 20 is frequency-divided by a frequency divider 26 to become a signal around 60 Hz.

分周器26の出力は出力端子28から外部に導出される
と共に積分回路27に供給され、この積分回路27にお
いて前述の如く鋸歯状波が作られる。
The output of the frequency divider 26 is led out from an output terminal 28 and is also supplied to an integrating circuit 27, where a sawtooth wave is generated as described above.

可変周波数発振器20の出力周波数が低下して分周器2
6の出力の周期が長くなった場合、或いは入力端子19
に供給される商用電源周波数が低下して微分回路22の
出力の周期が短くなった場合には、積分回路27の出力
である鋸歯状波の高いレベルが微分回路22の出力であ
る゛微分信号によってゲートされる。
The output frequency of the variable frequency oscillator 20 decreases and the frequency divider 2
If the period of the output of 6 becomes longer, or the input terminal 19
When the frequency of the commercial power supply supplied to the differential circuit 27 decreases and the period of the output of the differentiating circuit 22 becomes shorter, the higher level of the sawtooth wave that is the output of the integrating circuit 27 becomes the differential signal that is the output of the differentiating circuit 22. gated by.

従ってDCホールド回路には高いレベルがホールドされ
、このために可変周波数発振器20の発振周波数が高め
られる。
Therefore, a high level is held in the DC hold circuit, which increases the oscillation frequency of the variable frequency oscillator 20.

逆に可変周波数発振器20の出力周波数が上昇して分周
器26の出力の周期が短くなった場合、或いは入力端子
19に供給される商用電源周波数が上昇して微分回路2
2の出力の周期が長くなった場合には、積分回路27の
出力である鋸歯状波の低いレベルが微分回路22の出力
である微分信号によってゲートされる。
Conversely, if the output frequency of the variable frequency oscillator 20 increases and the period of the output of the frequency divider 26 becomes shorter, or if the commercial power frequency supplied to the input terminal 19 increases and the differentiating circuit 2
When the period of the output of 2 becomes longer, the low level of the sawtooth wave output from the integrating circuit 27 is gated by the differential signal output from the differentiating circuit 22.

従ってDCホールド回路には低いレベルがホールドされ
、このために可変周波数発振器20の発振周波数が低め
られる。
Therefore, a low level is held in the DC hold circuit, and therefore the oscillation frequency of the variable frequency oscillator 20 is lowered.

このようにして第4図に示す回路では、出力端子28か
ら入力端子19に供給される商用電源周波数にロックさ
れた信号が得られる。
In this way, in the circuit shown in FIG. 4, a signal locked to the commercial power frequency supplied from the output terminal 28 to the input terminal 19 is obtained.

商用電源周波数が60H2±10%変動する場合であっ
ても、可変周波数発振器20の出力は3.84 KHz
±10%の範囲で変化して充分に追従し得る。
Even if the commercial power supply frequency fluctuates by 60H2±10%, the output of the variable frequency oscillator 20 is 3.84 KHz.
It can be sufficiently tracked by changing within a range of ±10%.

なおこの周波数可変範囲は前述したように可変周波数発
振器20を作動させるための電源電圧を上げることによ
り更に拡げることができる。
Note that this frequency variable range can be further expanded by increasing the power supply voltage for operating the variable frequency oscillator 20 as described above.

以上述べたように、本考案によれば、トランジスタのコ
レクタと第2の基準電位点との間に抵抗を接続すると共
に上記トランジスタのベースにバイアスを供給すること
により上記トランジスタに飽和増幅動作を行わせ、これ
により、クラップ発振器の発振周波数を上記バイアス量
に応じて変え得るようにしているので、発振周波数の安
定度が高いという従来のクラップ発振器の長所を維持し
つつ発振周波数の可変範囲を広くすることができると共
に、可変容量ダイオード等を使用せずにバイアス量を変
化させるだけで発振周波数を変え得るため温度安定性に
優れた低置なものを得ることができる。
As described above, according to the present invention, by connecting a resistor between the collector of the transistor and the second reference potential point and supplying a bias to the base of the transistor, the transistor performs a saturation amplification operation. As a result, the oscillation frequency of the Clapp oscillator can be changed in accordance with the above bias amount, so the variable range of the oscillation frequency can be widened while maintaining the advantage of the conventional Clapp oscillator of high oscillation frequency stability. In addition, since the oscillation frequency can be changed simply by changing the bias amount without using a variable capacitance diode or the like, a low-mounted device with excellent temperature stability can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来公知のクラップ発振器を示す回路図、第2
図〜第4図は本考案の実施例を示すもので、第2図は本
考案を適用したクラップ発振器を示す回路図、第3図は
第2図に示す回路の動作を説明するための波形図、第4
図は第2図に示すクラップ発振器を可変周波数発振器と
して用いたロックドオシレータを示すブロック図である
。 なお図面に用いられている符号において、4゜5、 6
. 7. 8は抵抗、10はトランジスタ、12゜13
、14はコンテ゛ンサ、15はバイアス調整用電源、2
0は可変周波数発振器である。
Figure 1 is a circuit diagram showing a conventionally known Clapp oscillator;
4 to 4 show examples of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing a Clapp oscillator to which the present invention is applied, and FIG. 3 is a waveform for explaining the operation of the circuit shown in FIG. 2. Figure, 4th
This figure is a block diagram showing a locked oscillator using the Clapp oscillator shown in FIG. 2 as a variable frequency oscillator. In addition, in the symbols used in the drawings, 4゜5, 6
.. 7. 8 is a resistor, 10 is a transistor, 12゜13
, 14 is a capacitor, 15 is a power supply for bias adjustment, 2
0 is a variable frequency oscillator.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] トランジスタと、このトランジスタのベースと第1の基
準電位点との間に直列接続されている2つのコンデンサ
と、上記トランジスタのエミッタと上記第1の基準電位
点との間に:接続されている抵抗と、上記トランジスタ
のベースと上記第1の基準電位点との間に直列接続され
ているコイル及びコンデンサとをそれぞれ具備し、上記
トランジスタのエミッタと上記2つのコンデンサの接続
点とが接続されているクラップ発振器構成の可変周波数
発振器において、上記トランジスタのコレクタと第2の
基準電位点との間に抵抗を接続すると共に上記トランジ
スタのベースにバイアスを供給することにより上記トラ
ンジスタに飽和増幅動作を行わせ、これにより、上記ク
ラップ発振器の発振周波数を上記バイアス量に応じて変
、え得るようにしたことを特徴とする可変周波数発振器
a transistor, two capacitors connected in series between the base of the transistor and a first reference potential point, and a resistor connected between the emitter of the transistor and the first reference potential point; and a coil and a capacitor connected in series between the base of the transistor and the first reference potential point, and the emitter of the transistor and the connection point of the two capacitors are connected. In a variable frequency oscillator having a Clapp oscillator configuration, a resistor is connected between the collector of the transistor and a second reference potential point, and a bias is supplied to the base of the transistor to cause the transistor to perform a saturation amplification operation; A variable frequency oscillator characterized in that the oscillation frequency of the Clapp oscillator can be changed according to the bias amount.
JP10786976U 1976-08-12 1976-08-12 variable frequency oscillator Expired JPS5921528Y2 (en)

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JP10786976U JPS5921528Y2 (en) 1976-08-12 1976-08-12 variable frequency oscillator

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JPS6198001A (en) * 1984-10-18 1986-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Local oscillation device
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