JPS59214327A - Logical circuit device - Google Patents

Logical circuit device

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JPS59214327A
JPS59214327A JP8935383A JP8935383A JPS59214327A JP S59214327 A JPS59214327 A JP S59214327A JP 8935383 A JP8935383 A JP 8935383A JP 8935383 A JP8935383 A JP 8935383A JP S59214327 A JPS59214327 A JP S59214327A
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JP
Japan
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transistor
emitter
collector
input
emitter follower
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Takashi Nishimura
尚 西村
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPS59214327A publication Critical patent/JPS59214327A/en
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/01Modifications for accelerating switching
    • H03K19/013Modifications for accelerating switching in bipolar transistor circuits
    • H03K19/0136Modifications for accelerating switching in bipolar transistor circuits by means of a pull-up or down element
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0008Arrangements for reducing power consumption
    • H03K19/001Arrangements for reducing power consumption in bipolar transistor circuits
    • HELECTRICITY
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    • H03KPULSE TECHNIQUE
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    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/082Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using bipolar transistors
    • H03K19/086Emitter coupled logic

Abstract

PURPOSE:To reduce power consumption and also obtain a proper delay time by controlling the amount of a current which flows an emitter follower transistor (TR) through two TRs according to an input logical level which is high or low. CONSTITUTION:When the emitter of an emitter follower TR Q5 or Q6 (i.e. output terminal 01 or 02) is at a high logical level Vh, almost no emitter follower current flows, but when at a logical level V1, an emitter follower current flows. The circuit current is therefore reduced. Further, when an input potential Vin rises from the low logical level V1 to the high logical level Vh, an input TR turns on and a TRQ7 also turns on to draw a charge out of a load capacitor added to the output terminal 01 directly through the TRQ7, so a delay time in an NOR output fall is improved. Similarly, a delay time in an NOR output rise and a delay time in an OR output fall are also improved.

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は高速な論理回路装置に関し、特に消費電力の
削減を図ったものに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a high-speed logic circuit device, and particularly to one that aims to reduce power consumption.

現在、高速論理回路装置としてエミッタ結合論理回路装
置(ECL)が広く用いられている。第1図は従来のエ
ミッタ結合論理回路装置を示す等価回路図であり、図に
おいて、Ql、Q2.およびQ3はそれぞれ並列接続、
つまり各々のコレクタ同士、エミッタ同士が接続され、
各ベースが入力端子11.12およびI3にそれぞれ接
続された入力トランジスタで、共通接続されたコレクタ
が第1の負荷抵抗R1を介して第1の電源であるコレク
タ側電源電圧Vccと接続され、共通接続されたエミッ
タが電流源C8に接続されている。Q4はベースに基準
電位vbbが接続されたレファレンストランジスタで、
エミッタが入力トランジスタQ1.Q2.Q3の共通接
続されたエミッタに接続されるとともに上記電流源C3
に接続され、コレクタが第2の負荷抵抗R2を介して上
記コレクタ側電源電圧Vccに接続されている。Q5は
コレクタ、ベース及びエミッタがそれぞれコレクタ側電
源電圧Vcc、入力トランジスタQl、Q2゜Q3の共
通接続されたコレクタ及びエミッタフォロア抵抗R3に
接続されたエミッタフォロアトランジスタで、そのエミ
ッタを出力端子01とするものである。Q6はコレクタ
、ベース及びエミッタがそれぞれコレクタ側電源電圧V
cc、レファレンストランジスタQ4のコレクタ及びエ
ミッタフォロア抵抗R4に接続され、そのエミッタを出
力端子02とするエミッタフォロアトランジスタである
Currently, emitter-coupled logic circuit devices (ECL) are widely used as high-speed logic circuit devices. FIG. 1 is an equivalent circuit diagram showing a conventional emitter-coupled logic circuit device, in which Ql, Q2. and Q3 are connected in parallel, respectively.
In other words, each collector is connected to each other and each emitter is connected to each other,
Each base is an input transistor connected to input terminals 11, 12 and I3, respectively, and the commonly connected collectors are connected to the collector side power supply voltage Vcc, which is the first power supply, through the first load resistor R1, and the common The connected emitter is connected to a current source C8. Q4 is a reference transistor whose base is connected to the reference potential vbb,
The emitter of the input transistor Q1. Q2. Q3 is connected to the commonly connected emitter of the current source C3.
The collector is connected to the collector side power supply voltage Vcc via the second load resistor R2. Q5 is an emitter follower transistor whose collector, base, and emitter are respectively connected to the collector side power supply voltage Vcc, the input transistor Ql, and the commonly connected collector and emitter follower resistor R3 of Q2 and Q3, and its emitter is the output terminal 01. It is something. Q6 has collector, base and emitter each with collector side power supply voltage V
cc is an emitter follower transistor connected to the collector of the reference transistor Q4 and the emitter follower resistor R4, and whose emitter is the output terminal 02.

そして、この様に回路構成された論理回路装置にあって
は通常、コレクタ側電源電圧Vccは接地電位であり、
エミッタフォロア抵抗R3,R4の終端電圧であるエミ
ッタ側電源電圧Veeは負電位であり、出力端子01,
02は入力端子11,12、I3に対してそれぞれNO
R出力、OR出方となる。
In a logic circuit device configured in this manner, the collector side power supply voltage Vcc is usually the ground potential,
The emitter side power supply voltage Vee, which is the terminal voltage of the emitter follower resistors R3 and R4, is a negative potential, and the output terminals 01,
02 is NO for input terminals 11, 12, and I3, respectively.
R output, OR output.

次に、上記の構成に係る論理回路装置の動作について説
明する。
Next, the operation of the logic circuit device having the above configuration will be explained.

まず、入力トランジスタQl、Q2.Q3のベース、つ
まり入力端子11.、I2.I3に印加される入力電位
Vinが全て基準電位vbbより低レベルのときには、
入力トランジスタQl、Q2.Q3が非導通状態となり
、一方レファレンストランジスタQ4が導通状態になる
。このため、入力トランジスタQl、Q2.Q3のコレ
クタ電位ははぼVcc電位になるとともに、レファレン
ストランジスタQ4のコレクタ電位は負荷抵抗R2での
電圧降下分だけVcc電位から低下する。従ってエミッ
タフォロアトランジスタQ5.Q6のベース電位に従い
出力端子01は高レベル、出力端子02は低レベルとな
る。
First, input transistors Ql, Q2 . The base of Q3, that is, the input terminal 11. , I2. When all the input potentials Vin applied to I3 are at a lower level than the reference potential vbb,
Input transistors Ql, Q2 . Q3 becomes non-conductive, while reference transistor Q4 becomes conductive. Therefore, input transistors Ql, Q2 . The collector potential of Q3 becomes almost Vcc potential, and the collector potential of reference transistor Q4 decreases from Vcc potential by the voltage drop across load resistor R2. Therefore, emitter follower transistor Q5. According to the base potential of Q6, the output terminal 01 becomes high level and the output terminal 02 becomes low level.

次に、入力トランジスタQl、Q2.Q3のベースに印
加される入力電位Vinのうち少なくとも1個の入力電
位が基準電位vbbより高レベルになると、入力トラン
ジスタQl、Q2.Q3の少なくとも1つが導通状態と
なるため、入力トランジスタQl、Q2.Q3のコレク
タ電位は負荷抵抗R1での電圧降下分だけVcc電位か
ら低下し、エミッタフォロアトランジスタQ5のベース
電位が低下するので、出力端子01は低レベルになり、
一方、レファレンストランジスタQ4が非導通状態にな
り、レファレンストランジスタQ4のコレクタ電位がほ
ぼVccとなり、エミソタフォロアトII、I2.I3
に対して出力端子01はNOR出力、出力端子02はO
R出力となる。
Next, input transistors Ql, Q2 . When at least one input potential among the input potentials Vin applied to the bases of Q3 becomes higher than the reference potential vbb, the input transistors Ql, Q2 . Since at least one of the input transistors Q3 becomes conductive, the input transistors Ql, Q2 . The collector potential of Q3 is lowered from the Vcc potential by the voltage drop across the load resistor R1, and the base potential of the emitter follower transistor Q5 is lowered, so the output terminal 01 becomes low level.
On the other hand, the reference transistor Q4 becomes non-conductive, the collector potential of the reference transistor Q4 becomes approximately Vcc, and the emitter followers II, I2 . I3
For this, output terminal 01 is NOR output, output terminal 02 is O
It becomes R output.

ところで、この様に構成されたECL回路装置において
は、回路電流は入力トランジスタQl。
By the way, in the ECL circuit device configured in this way, the circuit current flows through the input transistor Ql.

Q2.Q3、レファレンストランジスタQ4、負荷抵抗
R1,R2及び電流源CSで構成されるスイッチング段
を流れるスイッチング電流と、エミッタフォロアトラン
ジスタQ5.Q6とエミッタフォロア抵抗R3,R4に
より構成されるエミソクフォロア段に流れるエミッタフ
ォロア電流から成っており、しかもエミッタフォロア回
路を2個有し、常時両エミッタフォロア回路にエミッタ
フォロア電流が流れているのでECL回路全体の回路電
流が大きくなるという欠点があった。
Q2. Q3, reference transistor Q4, load resistors R1, R2 and current source CS, and emitter follower transistor Q5. It consists of an emitter follower current flowing to the emitter follower stage composed of Q6 and emitter follower resistors R3 and R4.Moreover, it has two emitter follower circuits, and the emitter follower current always flows through both emitter follower circuits. There is a drawback that the circuit current of the entire ECL circuit becomes large.

本発明は上記のような従来のものの欠点を除去するため
になされたもので、NOR,OR両出出力エミッタフォ
ロア抵抗を取り除き、これに代えてそれぞれのエミッタ
フォロアトランジスタに新たに第1および第2のトラン
ジスタを接続し、該第1および第2のトランジスタのベ
ースをそれぞれ入力トランジスタとレファレンストラン
ジスタの結合されたエミッタおよび第2の基準電位に接
続し、さらにそれらのトランジスタのエミッタを第2の
電流源を介して第2の電源に接続する構成とし、N0R
(illll主エミツタフォロアトランジスタ続された
上記第1のトランジスタのベースに印加される電位とO
R側エミッタフォロアトランジスタに接続された上記第
2のトランジスタのベースに印加される上記第2の基準
電位の大小によりエミッタフォロアトランジスタを流れ
る電流量を制御することによって、消費電力を削減し、
併せて遅延時間の改善を図ることのできる論理回路装置
を提供することを目的とするものである。
The present invention has been made in order to eliminate the drawbacks of the conventional ones as described above, and eliminates the NOR and OR output emitter follower resistors, and replaces them with new first and second emitter follower transistors for each emitter follower transistor. the bases of the first and second transistors are connected to the combined emitters of the input transistor and the reference transistor and to a second reference potential, respectively, and the emitters of the transistors are connected to a second current source. The structure is connected to the second power supply via the N0R
(Illll Main emitter follower transistor The potential applied to the base of the first transistor connected to the
Reduce power consumption by controlling the amount of current flowing through the emitter follower transistor depending on the magnitude of the second reference potential applied to the base of the second transistor connected to the R side emitter follower transistor,
Another object of the present invention is to provide a logic circuit device that can improve delay time.

以下、この発明の実施例を図について説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第2図は、この発明に係る論理回路装置の一実施例を示
す回路図であり、特に3人カ構成のN。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the logic circuit device according to the present invention, and in particular, a three-person N circuit.

R出力およびOR出力を有する論理回路装置を示すもの
である。同図において、Ql、Q2およびQ3はベース
がそれぞれ入力端子II、12.13に接続された入力
トランジスタ、Q4はベースが第1の基準電位V bb
lに接続されたレファレンストランジスタ、R1は第1
の電源Vccと入力トランジスタQl、Q2.Q3の共
通コレクタとの間に接続された第1の負荷抵抗、R2は
第1の電源VccおよびレファレンストランジスタQ4
のコレクタ間に接続された第2の負荷抵抗、C3Iは入
力トランジスタQl、Q2.Q3およびレファレンスト
ランジスタQ4の各エミッタが共通に接続されたスイッ
チング電流供給用の第1の電流源、Q5およびQ6はそ
れぞれベースが入力トランジスタQl、Q2.Q3のコ
レクタおよびレファレンストランジスタQ4のコレクタ
に接続された第1、第2のエミッタフォロアトランジス
タ、QlおよびQ8はそれぞれベースが入力トランジス
タQl、Q2.Q3.  レファレンストランジスタQ
4の各エミッタおよび第2の基準電位V bb2に接オ
ロア電流制御用の第1.第2のトランジスタであり、第
1のエミッタフォロアトランジスタQ5のエミッタおよ
び第1のエミッタフォロア電流制御用トランジスタQ7
のコレクタはNOR出力端子01に、第2のエミッタフ
ォロアトランジスタQ6のエミッタおよび第2のエミッ
タフォロア電流制御用トランジスタQ8のコレクタはO
R出力端子02にそれぞれ接続されている。
1 shows a logic circuit device with an R output and an OR output. In the figure, Ql, Q2, and Q3 are input transistors whose bases are connected to input terminals II and 12.13, respectively, and Q4 is an input transistor whose base is connected to the first reference potential V bb.
a reference transistor connected to R1, R1 is the first
power supply Vcc and input transistors Ql, Q2 . A first load resistor, R2, connected between the common collector of Q3 and the first power supply Vcc and a reference transistor Q4.
A second load resistor C3I connected between the collectors of the input transistors Ql, Q2 . Q3 and a first current source for supplying switching current to which the emitters of reference transistor Q4 are connected in common; Q5 and Q6 have their bases connected to input transistors Ql, Q2 . First and second emitter follower transistors, Ql and Q8, connected to the collector of Q3 and the collector of reference transistor Q4, have their bases connected to input transistors Ql, Q2 . Q3. Reference transistor Q
4 and the second reference potential V bb2 for controlling the lower current. The second transistor is the emitter of the first emitter follower transistor Q5 and the first emitter follower current control transistor Q7.
The collector of the second emitter follower transistor Q6 and the collector of the second emitter follower current control transistor Q8 are connected to the NOR output terminal 01.
They are respectively connected to the R output terminal 02.

すなわち、本実施例では従来の第1図に示すECL回路
装置におけるエミッタフォロア抵抗R3゜R4を削除す
るとともに、両抵抗R3,R4をベースがそれぞれスイ
ッチング電流供給用電流源C81および第2の基準電位
Vbb2に接続された2個のトランジスタQ7.Q8に
置換え、互いのエミッタを共通にエミッタフォロア電流
供給用電流源C32に接続し、コレクタをエミッタフォ
ロアトランジスタのエミッタに接続した構成となってい
るものであり、エミッタフォロア電流は1個の電流源C
32で供給されることになるものである。
That is, in this embodiment, the emitter follower resistors R3 and R4 in the conventional ECL circuit device shown in FIG. Two transistors Q7. connected to Vbb2. Q8, their emitters are commonly connected to a current source C32 for supplying emitter follower current, and their collectors are connected to the emitter of the emitter follower transistor, and the emitter follower current is supplied by one current source. C
32 will be supplied.

次にこのように構成された論理回路装置の動作について
説明する。
Next, the operation of the logic circuit device configured as described above will be explained.

まず、入力端子11.I2.R3に印加される入力電位
Vinがすべて基準電位V bblより低い低論理レベ
ルV1のときには、入力トランジスタQL  Q2.Q
3が非導通状態となり、レファレンストランジスタQ4
が導通状態になる。このため入力トランジスタQl、Q
2.Q3のコレクタ電位はほぼVcc電位になり、レフ
ァレンストランジスタQ4のコレクタ電位は負荷抵抗R
2での電圧降下分だけVcc電位から低下する。従って
エミ・ツタフォロアトランジスタQ5およびQ6のベー
ス電位に従い出力端子01は高論理レベルvh、出力端
子02は低論理レベルVl となる。またこのとき、入
力トランジスタQl、Q2.Q3およびレファレンスト
ランジスタQ4の各エミ・ン夕が共通に接続された点1
の電位は基準電位V bblからレファレンストランジ
スタQ4のベースエミ・ツタ間順方向Vbeだけ低下し
た電位Vbb1−Vbeとなる。
First, input terminal 11. I2. When the input potentials Vin applied to R3 are all at a low logic level V1 lower than the reference potential Vbbl, the input transistors QL Q2 . Q
3 becomes non-conductive, and the reference transistor Q4
becomes conductive. Therefore, the input transistors Ql, Q
2. The collector potential of Q3 is approximately Vcc potential, and the collector potential of reference transistor Q4 is equal to the load resistor R.
The potential is lowered from the Vcc potential by the voltage drop at 2. Therefore, according to the base potentials of the emitter follower transistors Q5 and Q6, the output terminal 01 becomes a high logic level vh, and the output terminal 02 becomes a low logic level Vl. Also at this time, input transistors Ql, Q2 . Point 1 where the respective emitters and terminals of Q3 and reference transistor Q4 are commonly connected
The potential becomes a potential Vbb1-Vbe which is lower than the reference potential Vbbl by the forward direction Vbe between the base emitter and the ivy of the reference transistor Q4.

一方、入力端子If、T2.I3のうち少なくとも1個
の入力端子に印加される入力電位Vinが基準電位V 
bblよりも高い高論理ルベルvhになると、vhが印
加された入力トランジスタが導通状態となり、レファレ
ンストランジスタQ4が非導通状態になる。このため入
力トランジスタQl。
On the other hand, input terminals If, T2. The input potential Vin applied to at least one input terminal of I3 is the reference potential V
When the high logic level vh becomes higher than bbl, the input transistor to which vh is applied becomes conductive, and the reference transistor Q4 becomes non-conductive. Therefore, the input transistor Ql.

Q2.Q3のコレクタ電位は負荷抵抗R1での電圧降下
分だけVcc電位から低下し、レファレンストランジス
タQ4のコレクタ電位はほぼVCC電位になる。従って
エミッタフォロアトランジスタQ5およびQ6のベース
電位に従い出力端子01は低論理レベルVl、出力端子
02は高論理レベルvhとなる。またこのとき、入力ト
ランジスタQL  Q2.Q3およびレファレンストラ
ンジスタQ4の各エミッタが共通に接続された点1の電
位は、高論理レベルvhから入力トランジスタのベース
エミソタ間順方向電圧Vbeだけ低下した電位、すなわ
ちVh −Vbeとなる。
Q2. The collector potential of Q3 is lowered from the Vcc potential by the voltage drop across the load resistor R1, and the collector potential of the reference transistor Q4 becomes approximately the VCC potential. Therefore, according to the base potentials of the emitter follower transistors Q5 and Q6, the output terminal 01 becomes a low logic level Vl and the output terminal 02 becomes a high logic level vh. Also at this time, the input transistor QL Q2. The potential at point 1, where the emitters of Q3 and reference transistor Q4 are commonly connected, becomes a potential lower than the high logic level vh by the base-emitter forward voltage Vbe of the input transistor, that is, Vh - Vbe.

上記のように入力トランジスタQl、Q2.Q3および
レファレンストランジスタQ4の各エミッタが共通に接
続された点1の電位、すなわちエミッタフォロアトラン
ジスタQ5に接続されたトランジスタQ7のベース電位
は、入力論理レベルの変化と同相で相対的に高低の変化
をする。そこで、エミッタフォロアトランジスタQ6に
接続されたトランジスタQ8のベースに印加される基準
電位V bb2の値を適切に設定(はぼ(Vh +Vb
b1 ) /2− Vbe)することによって、入力電
位Vinが高論理レベルvhのときにはトランジスタQ
7を導通状態、トランジスタQ8を非導通状態に、低論
理レベル■1のときにはトランジスタQ7を非導通状態
、トランジスタQ8を導通状態にすることができる。そ
の結果以下のような効果が期待できる。
As described above, input transistors Ql, Q2 . The potential at point 1, where the emitters of Q3 and reference transistor Q4 are commonly connected, that is, the base potential of transistor Q7 connected to emitter follower transistor Q5, changes relatively high and low in phase with the change in the input logic level. do. Therefore, the value of the reference potential Vbb2 applied to the base of the transistor Q8 connected to the emitter follower transistor Q6 is appropriately set (Vh + Vb
b1)/2-Vbe), when the input potential Vin is at the high logic level vh, the transistor Q
7 can be in a conductive state and transistor Q8 can be in a non-conductive state, and when the logic level is low (1), the transistor Q7 can be in a non-conductive state and the transistor Q8 can be in a conductive state. As a result, the following effects can be expected.

即ち、入力トランジスタQl、Q2.Q3がすべて非導
通状態のとき、NOR出力(このとき高論理レベルvh
である)を有するエミッタフォロアトランジスタQ5に
は、トランジスタQ7が非導通状態であるため、はとん
ど電流が流れず、OR出力(このとき低論理ルベルV1
である)を有するエミッタフォロアトランジスタQ6に
は、トランジスタQ8を通して電流が流れる。また入力
トランジスタQl、Q2.Q3のうち少な(とも1個が
導通状態のときNOR出力(このとき低論理レベルVl
 である)を有するエミッタフォロアトランジスタQ5
には、導通状態にあるトランジスタQ7を通して電流が
流れ、OR出力(このとき高論理レベルvhである)を
有するエミッタフォロアトランジスタQ6にはトランジ
スタQ8が非導通状態であるためほとんど電流が流れな
い。
That is, input transistors Ql, Q2 . When all Q3 are non-conducting, the NOR output (then high logic level vh
Since the transistor Q7 is in a non-conducting state, almost no current flows through the emitter follower transistor Q5, which has an OR output (at this time, the low logic level V1
), current flows through transistor Q8. In addition, input transistors Ql, Q2 . When one of Q3 is in a conductive state, NOR output (at this time, low logic level Vl
) with an emitter follower transistor Q5
, current flows through transistor Q7, which is conducting, and almost no current flows through emitter follower transistor Q6, which has an OR output (now at a high logic level vh), since transistor Q8 is non-conducting.

つまり、本実施例の回路構成によれば、エミッタフォロ
アトランジスタQ5あるいはC6のエミッタ(すなわち
出力端子01あるいは02)が高論理レベルvhのとき
にはエミッタフォロア電流がほとんど流れず、低論理レ
ベルV1のときにはエミッタフォロア電流が流れる。従
って、第1図に示したECU回路装置におけるように、
出力レベルの高低に拘らず常時エミッタフォロア電流が
流れる回路構成に比して、回路電流を削減することがで
きる。
In other words, according to the circuit configuration of this embodiment, when the emitter of the emitter follower transistor Q5 or C6 (i.e., output terminal 01 or 02) is at the high logic level vh, almost no emitter follower current flows, and when the emitter follower transistor Q5 or C6 is at the low logic level V1, the emitter follower current does not flow. Follower current flows. Therefore, as in the ECU circuit device shown in FIG.
Compared to a circuit configuration in which an emitter follower current always flows regardless of the output level, the circuit current can be reduced.

また、上記実施例の論理回路において、入力電位Vin
が低論理レベルV1から高論理レベルvhに遷移する場
合には、入力トランジスタが導通状態になるとともにエ
ミッタフォロアトランジスタQ5に接続されたトランジ
スタQ7が導通状態になり、出力端子01に付加された
負荷容量に蓄積されている電荷がトランジスタQ7を通
して直接引抜かれるためにNOR出力立下り時の遅延時
間が改善される。この際、レファレンストランジスタQ
4およびトランジスタQ8が非導通状態になり、エミッ
タフォロアトランジスタQ6から供給される電流はすべ
て出力端子02に付加されている負荷容量に流れ込むた
めに、OR出力立上り時の遅延時間が改善される。同様
に入力電位Vinが高論理レベルvhから低論理レベル
Vlに遷移する場合には1.レファレンストランジスタ
Q4およびエミッタフォロアトランジスタQ6に接続さ
れたトランジスタQ8は導通状態に、入力トランジスタ
およびエミッタフォロアトランジスタQ5に接続された
トランジスタQ7は非導通状態になり、NOR出力立上
り時の遅延時間およびOR出力立下り時の遅延時間が改
善されるものである。そして負荷容量が大きいほど上記
の改善効果は顕著となるものである。
Further, in the logic circuit of the above embodiment, the input potential Vin
When transitions from the low logic level V1 to the high logic level vh, the input transistor becomes conductive and the transistor Q7 connected to the emitter follower transistor Q5 becomes conductive, causing the load capacitance added to the output terminal 01 to become conductive. Since the charge stored in the transistor Q7 is directly extracted through the transistor Q7, the delay time when the NOR output falls is improved. At this time, the reference transistor Q
4 and transistor Q8 are rendered non-conductive, and all of the current supplied from emitter follower transistor Q6 flows into the load capacitance added to output terminal 02, thereby improving the delay time when the OR output rises. Similarly, when the input potential Vin transitions from the high logic level vh to the low logic level Vl, 1. The transistor Q8 connected to the reference transistor Q4 and the emitter follower transistor Q6 becomes conductive, and the transistor Q7 connected to the input transistor and emitter follower transistor Q5 becomes non-conductive, thereby reducing the delay time when the NOR output rises and the OR output rise. This improves downlink delay time. The larger the load capacity, the more remarkable the above improvement effect becomes.

なお、上記実施例ではNOR,08両出力をとり出した
場合について説明したが、NOR出力のみあるいはOR
出力のみをとり出す場合であってもよく、その場合には
使用しない出力のエミッタフォロアトランジスタを取り
除(とともにそのエミッタフォロアトランジスタのエミ
ッタに接続されるべきトランジスタのコレクタを第1の
電源Vccに接続すればよく、遅延時間の改善について
は上記実施例と同様の効果を奏する。
In the above embodiment, the case where both NOR and 08 outputs are taken out is explained, but only NOR output or OR output is taken out.
It is also possible to take out only the output, in which case the emitter follower transistor of the unused output is removed (and the collector of the transistor to be connected to the emitter of the emitter follower transistor is connected to the first power supply Vcc). The same effect as in the above embodiment can be achieved in terms of delay time improvement.

即ち、第2図において、第1の出;力用トランジスタと
第1の出力端子を取り除いたものが本件出願の第2の発
明であり、第2図において、第2の出力用トランジスタ
と第2の出力端子を取り除いたものが本件出願の第3の
発明であり、これを第3図に示している。
That is, in FIG. 2, the first output transistor and the first output terminal are removed, and this is the second invention of the present application. The third invention of the present application is one in which the output terminal is removed, and this is shown in FIG.

以上のように、この発明によればECL回路装置におけ
るエミソタフオロ了抵抗を取り除き、これに代えてコレ
クタがエミッタフォロアトランジスタのエミッタに、ベ
ースが入力トランジスタとレファレンストランジスタの
各エミッタが共通に接続された点および第2の基準電位
に接続されたトランジスタを新たに設け、これら2つの
トランジスタによって入力論理レベルの高低に応じてエ
ミッタフォロアトランジスタを流れる電流量を匍1(卸
できる構成にしたので、消費電力を削減し、イ井せて遅
延時間の改善が得られる効果がある。
As described above, according to the present invention, the emitter follower transistor in the ECL circuit device is removed, and instead, the collector is connected to the emitter of the emitter follower transistor, and the base is connected to the emitters of the input transistor and the reference transistor in common. A transistor connected to the second reference potential is newly provided, and these two transistors can reduce the amount of current flowing through the emitter follower transistor depending on the level of the input logic level, thereby reducing power consumption. This has the effect of reducing the delay time and improving the delay time.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のエミ・ツタ結合論理回路装置を示す回路
図、第2図は本件出願の第1の発明Gこイ系る論理回路
装置の一実施例を示す回路図、第3図番ま本件出願の第
3の発明の実・施例を示す回路図である。 Ql、C2,C3・・・入力トランジスタ、C4・・・
レファレンストランジスタ、V bbl・・・第1の基
準電位、C5,C6・・・第1.第2のエミ・ツタフォ
ロア1〜ランジスタ(第1.第2の出力用トランジスタ
)、C81・・・ス仁ノチング電流供給用電流源(第1
の電流源)、C7,C8・・・エミ・ツタフォロア電流
制御用トランジスタ(第1.第2のトランジスタ) 、
Vbb2・・・第2の基準電位、C32・・・エミッタ
フォロア電流供給用電流源(第2の電流源)、Il、1
2.I3・・・入力端子、Ql、02・・・第1゜第2
の出力端子、Vcc・−・コレクタ側電源(11の電源
) 、、 Vee・・・エミソク側電源(第2の電源)
、R1,R2・・・第1.第2の抵抗性素子。 なお図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第1図 第2図 第3図
FIG. 1 is a circuit diagram showing a conventional EMI-TSUTA coupled logic circuit device, FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of a logic circuit device based on the first invention G of the present application, and FIG. It is a circuit diagram showing an implementation/example of the third invention of the present application. Ql, C2, C3...input transistor, C4...
Reference transistor, Vbbl...first reference potential, C5, C6...first. Second emitter follower 1 to transistor (first and second output transistors), C81... current source for supplying current notching (first
current source), C7, C8... emitter follower current control transistors (first and second transistors),
Vbb2...second reference potential, C32...emitter follower current supply current source (second current source), Il, 1
2. I3...Input terminal, Ql, 02...1st゜2nd
Output terminal, Vcc - Collector side power supply (11 power supply), Vee... Emisoku side power supply (second power supply)
, R1, R2...first. A second resistive element. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or corresponding parts. Agent Masuo Oiwa Figure 1 Figure 2 Figure 3

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)  ベースがそれぞれの入力信号端子に接続され
コレクタおよびエミッタがそれぞれ共通接続された少な
くとも1個の入力トランジスタと、へ−スに第1の基準
電位が印加されエミッタが上記入力トランジスタの共通
エミッタと結合されたレファレンストランジスタと、上
記人力1−ランジスタの共通コレクタと第1の電源間に
接続された第1の抵抗性素子と、上記レファレンストラ
ンジスタのコレクタと上記第1の電源間に接続された第
2の抵抗性素子と、上記共通エミッタと第2の電源間に
接続された第1の電流源と、ベースが上記共通コレクタ
にコレクタが上記第1の電源にエミッタが第1の出力端
子に接続された第1の出力用トランジスタと、ベースが
上記レファレンストランジスタのコレクタにコレクタが
上記第1の電源にエミッタが第2の出力端子に接続され
た第2の出力用トランジスタと、ベースが上記共通エミ
ッタにコレクタが上記第1の出力端子にエミ・ツタが第
2の電流源を介して上記第2の電源に接続された第1の
トランジスタと、ベースが第2の基準電位にコレクタが
上記第2の出力端子にエミ・ツタが上記第2の電流源を
介して上記第2の電源に接続された第2のトランジスタ
とを備えたことを特徴とする論理回路装置。
(1) at least one input transistor whose base is connected to each input signal terminal and whose collector and emitter are commonly connected; a first reference potential is applied to the base and whose emitter is a common emitter of the input transistors; a first resistive element connected between a common collector of the transistor and a first power source; a first resistive element connected between a collector of the reference transistor and the first power source; a second resistive element; a first current source connected between the common emitter and the second power source; a base connected to the common collector; a collector connected to the first power source; and an emitter connected to the first output terminal. A first output transistor connected, a second output transistor whose base is connected to the collector of the reference transistor, whose collector is connected to the first power supply, and whose emitter is connected to the second output terminal, whose base is common to the above. A first transistor having an emitter and a collector connected to the first output terminal and an emitter connected to the second power supply via a second current source, and a base having a second reference potential and a collector connected to the first output terminal. 2. A logic circuit device comprising: a second transistor connected to the second output terminal via the second current source and the second transistor connected to the second power source via the second current source.
(2)ベースがそれぞれの入力信号端子に接続されコレ
クタおよびエミッタがそれぞれ共通接続された少な(と
も1個の入力トランジスタと、ベースに第1の基準電位
が印加されエミッタが上記入力トランジスタの共通エミ
ッタと結合されたレファレンストランジスタと、上記入
力トランジスタの共通コレクタと第1の電源間に接続さ
れた第1の抵抗性素子と、上記レファレンストランジス
タのコレクタと上記第1の電源間に接続された第2の抵
抗性素子と、上記共通エミ’7タと第2の電源間に接続
された第1の電流源と、ベースが上記レファレンストラ
ンジスタのコレクタにコレクタが上記第1の電源にエミ
ッタが出力端子に接続された1つ出力用トランジスタと
、ベースが上記共通エミッタにコレクタが上記第1の電
源にエミッタが第2の電流源を介して上記第2の電源に
接続された第1のトランジスタと、ベースが第2の基準
電位にコレクタが上記出力端子にエミッタが上記第2の
電流源を介して上記第2の電源に接続された第2のトラ
ンジスタとを備えたことを特徴とする論理回路装置。
(2) At least one input transistor whose base is connected to each input signal terminal and whose collector and emitter are commonly connected, and whose base is applied with a first reference potential and whose emitter is connected to the common emitter of the input transistors. a first resistive element connected between the common collector of the input transistor and the first power source; a second resistive element connected between the collector of the reference transistor and the first power source; a resistive element, a first current source connected between the common emitter and a second power source, a base of which is connected to the collector of the reference transistor, a collector of which is connected to the first power source, and an emitter of which is connected to the output terminal. a first transistor having a base connected to the common emitter, a collector connected to the first power supply, and an emitter connected to the second power supply via a second current source; A logic circuit device comprising: a second transistor having a collector connected to a second reference potential, a collector connected to the output terminal, and an emitter connected to the second power source via the second current source.
(3)  ベースがそれぞれの入力信号端子に接続され
コレクタおよびエミッタがそれぞれ共通接続された少な
くとも1個の入力トランジスタと、ベースに第1の基準
電位が印加されエミッタが上記入力トランジスタの共通
エミッタと結合されたレファレンストランジスタと、上
記入力トランジスタの共通コレクタと第1の電源間に接
続された第1の抵抗性素子と、上記レファレンストラン
ジスタのコレクタと上記第1の電源間に接続された第2
の抵抗性素子と、上記共通エミッタと第2の電源間に接
続された第1の電流源と、ベースが上記共通コレクタに
コレクタが上記第1の電源にエミッタが出力端子に接続
された第十ツ出力用トランジスタと、ベースが上記共通
エミッタにコレクタが上記出力端子にエミッタが第2の
電流源を介して上記第2の電源に接続された第1のトラ
ンジスタと、ベースが第2の基準電位にコレクタが上記
第一1の電源にエミッタが上記第2の電流源を介して上
記第2の電源に接続された第2のトランジスタとを備え
たことを特徴とする論理回路装置。
(3) at least one input transistor whose base is connected to each input signal terminal and whose collector and emitter are each commonly connected; a first reference potential is applied to the base and whose emitter is coupled to the common emitter of the input transistor; a first resistive element connected between the common collector of the input transistor and the first power supply; and a second resistive element connected between the collector of the reference transistor and the first power supply.
a first current source connected between the common emitter and a second power source; a tenth current source having a base connected to the common collector, a collector connected to the first power source and an emitter connected to the output terminal; a first transistor whose base is connected to the common emitter, whose collector is connected to the output terminal, and whose emitter is connected to the second power supply via a second current source; and whose base is connected to the second reference potential. and a second transistor having a collector connected to the first power source and an emitter connected to the second power source via the second current source.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0168424A1 (en) * 1983-12-19 1986-01-22 Advanced Micro Devices, Inc. Ecl gate with switched load current source
JPS63200617A (en) * 1987-02-16 1988-08-18 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor integrated circuit device
EP0300698A2 (en) * 1987-07-21 1989-01-25 Fujitsu Limited Emitter coupled logic circuit

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