JPH04364607A - Emitter coupled logic circuit device - Google Patents

Emitter coupled logic circuit device

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Publication number
JPH04364607A
JPH04364607A JP16892891A JP16892891A JPH04364607A JP H04364607 A JPH04364607 A JP H04364607A JP 16892891 A JP16892891 A JP 16892891A JP 16892891 A JP16892891 A JP 16892891A JP H04364607 A JPH04364607 A JP H04364607A
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JP
Japan
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transistor
emitter
collector
output
base
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Application number
JP16892891A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Nishimura
尚 西村
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To reduce an output impedance equivalently by supplying a charge current of a load capacitance added to an output terminal from a conductive PNP transistor(TR). CONSTITUTION:PNP TRs Q9, Q8 are connected in parallel with output emitter follower TRs Q4, Q5. Collectors of the TRs Q9, Q8 are connected respectively to NOR output terminals 01, 02. The changeover of the nonconductive and conductive state of the TRs Q9, Q8 is implemented depending on the high and low node potential to which a base is connected, the collector of the TR Q9 or Q8 in the nonconductive state is connected to a terminal from which a logic level VL is outputted and the collector of the TRs Q9 or Q8 in the conductive state is connected to a terminal from which a high logic level VH is outputted. As a result, no adverse effect is almost given onto the output impedance and the current to charge the load capacitance added to the output terminal is almost supplied from the TR Q9 or Q8. Thus, the output impedance is equivalently reduced and the power consumption is not increased.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】この発明は消費電力を削減した高
速なエミッタ結合論理回路装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-speed emitter-coupled logic circuit device with reduced power consumption.

【0002】0002

【従来の技術】エミッタ結合論理回路装置(ECL)は
、バイポーラトランジスタを非飽和動作させる電流モー
ドの論理回路であり、負荷駆動能力の大きさと、単一の
回路で相補出力を同時に取り出せる等の論理機能自由度
の大きさから、汎用計算機,光伝送関連のディジタル通
信等の高速動作を要求されるシステムに広く用いられて
いる。しかし、回路構成上、論理出力を取り出すエミッ
タフォロア回路に常時電流が流れるために、回路の消費
電力が大きいという欠点がある。特に集積回路にとって
は、高集積化の大きな妨げとなる上に、放熱の必要性の
ために実装コストの上昇をまねくことにもなる。
[Prior Art] An emitter-coupled logic circuit (ECL) is a current mode logic circuit that operates a bipolar transistor in a non-saturated manner. Because of its large degree of functional freedom, it is widely used in systems that require high-speed operation, such as general-purpose computers and optical transmission-related digital communications. However, due to the circuit configuration, current always flows through the emitter follower circuit that takes out the logic output, so there is a drawback that the power consumption of the circuit is large. Particularly for integrated circuits, this is a major hindrance to higher integration, and also causes an increase in packaging costs due to the need for heat dissipation.

【0003】これらの問題を解決するために、従来から
いくつかの発明がなされている。図5(a) ,(b)
 は、例えば特開昭59−115619号公報及び特開
昭59−214327号公報にてそれぞれ示された従来
のエミッタ結合論理回路装置を示す回路図である。図5
(a) において、Q1 ,Q2 はベースを入力端子
I1 ,I2 に接続された入力トランジスタ、Q3 
はベースが基準電位VBBに接続されたレファレンスト
ランジスタ、R1 は入力トランジスタQ1 ,Q2 
のコレクタに共通に接続された第1の負荷抵抗、R2 
はレファレンストランジスタQ3 のコレクタに接続さ
れた第2の負荷抵抗、CS1は一端がトランジスタQ1
 ,Q2及びQ3 の各エミッタが共通に接続され、他
端が第2のエミッタ側電源VEE1 に接続された定電
流を供給するための第1の電流源、Q4 はベースが入
力トランジスタQ1 ,Q2 のコレクタに接続された
出力用エミッタフォロアトランジスタであり、エミッタ
がNOR出力端子O1に接続されている。Q6 とZは
それぞれエミッタフォロア電流制御のために設けたトラ
ンジスタとインピーダンス素子であり、Q6 のコレク
タはエミッタフォロアトランジスタQ4 のエミッタと
ともにNOR出力端子O1に接続され、ベースは入力ト
ランジスタQ1 ,Q2 及びレファレンストランジス
タQ3 の各エミッタと第1の電流源CS1との接続点
1に接続され、エミッタはインピーダンス素子Zに接続
され、該Zの他端は第2のエミッタ側電源VEE2 に
接続されている。
[0003] Several inventions have been made to solve these problems. Figure 5(a),(b)
These are circuit diagrams showing conventional emitter-coupled logic circuit devices disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-115619 and Japanese Patent Application Laid-open No. 59-214327, respectively. Figure 5
In (a), Q1 and Q2 are input transistors whose bases are connected to input terminals I1 and I2, and Q3
is a reference transistor whose base is connected to the reference potential VBB, and R1 is the input transistor Q1, Q2.
A first load resistor, R2, commonly connected to the collectors of
is the second load resistor connected to the collector of the reference transistor Q3, and CS1 has one end connected to the transistor Q1.
, Q2 and Q3 are connected in common, and the other end is connected to the second emitter side power supply VEE1. Q4 is a first current source for supplying a constant current, and the base of Q4 is connected to the input transistors Q1 and Q2. This is an output emitter follower transistor connected to the collector, and the emitter is connected to the NOR output terminal O1. Q6 and Z are a transistor and an impedance element provided for emitter follower current control, respectively. The collector of Q6 is connected to the NOR output terminal O1 together with the emitter of the emitter follower transistor Q4, and the base is connected to the input transistors Q1, Q2 and the reference transistor. It is connected to a connection point 1 between each emitter of Q3 and the first current source CS1, the emitter is connected to an impedance element Z, and the other end of Z is connected to a second emitter side power supply VEE2.

【0004】また、図5(b) において、Q1 ,Q
2 はベースがそれぞれ入力端子I1 ,I2 に接続
された入力トランジスタ、Q3 はベースが第1の基準
電位VBB1 に接続されたレファレンストランジスタ
、R1 は第1の電源VCCと入力トランジスタQ1 
,Q2 の共通コレクタとの間に接続された第1の負荷
抵抗、R2 は第1の電源VCC及びレファレンストラ
ンジスタQ3 のコレクタ間に接続された第2の負荷抵
抗、CS1は一端が入力トランジスタQ1 ,Q2 及
びレファレンストランジスタQ3 の各エミッタが共通
に接続され、他端が第2のエミッタ側電源VEE1 に
接続されたスイッチング電流供給用の第1の電流源、Q
4 及びQ5 はそれぞれベースが入力トランジスタQ
1 ,Q2 のコレクタ及びレファレンストランジスタ
Q3 のコレクタに接続された第1,第2のエミッタフ
ォロアトランジスタ、Q6 及びQ7 はそれぞれベー
スが入力トランジスタQ1 ,Q2 ,レファレンスト
ランジスタQ3 の各エミッタ及び第2の基準電位VB
B2 に接続され、互いのエミッタがエミッタフォロア
供給用の第2の電流源CS2に共通接続されたエミッタ
フォロア電流切替用の第1,第2のトランジスタであり
、第1のエミッタフォロアトランジスタQ4 のエミッ
タ及び第1のエミッタフォロア電流切替用トランジスタ
Q6 のコレクタはNOR出力端子O1に、第2のエミ
ッタフォロアトランジスタQ5 のエミッタ及び第2の
エミッタフォロア電流切替用トランジスタQ7 のコレ
クタはOR出力端子O2にそれぞれ接続されている。
[0004] Also, in FIG. 5(b), Q1, Q
2 is an input transistor whose bases are connected to the input terminals I1 and I2, respectively, Q3 is a reference transistor whose base is connected to the first reference potential VBB1, and R1 is the first power supply VCC and the input transistor Q1.
, Q2, R2 is a second load resistor connected between the first power supply VCC and the collector of reference transistor Q3, and CS1 has one end connected to the input transistor Q1, A first current source for supplying a switching current, Q2 and a reference transistor Q3, each of whose emitters are connected in common, and whose other end is connected to a second emitter-side power supply VEE1;
4 and Q5 have their bases connected to the input transistor Q
The bases of the first and second emitter follower transistors Q6 and Q7 are connected to the collectors of the input transistors Q1 and Q2, the emitters of the reference transistor Q3, and the second reference potential, respectively. VB
B2, and their emitters are connected in common to a second current source CS2 for supplying an emitter follower, and the emitter of the first emitter follower transistor Q4 is The collector of the first emitter follower current switching transistor Q6 is connected to the NOR output terminal O1, and the emitter of the second emitter follower transistor Q5 and the collector of the second emitter follower current switching transistor Q7 are connected to the OR output terminal O2. has been done.

【0005】上記2つの従来例ではエミッタ側の電源V
EEをスイッチング段の電源VEE1 及びエミッタフ
ォロア段の電源VEE2 に分離している場合を示した
が、両者を接続して同一の電位を与える場合もある。
In the above two conventional examples, the emitter side power supply V
Although the case where the EE is separated into the power supply VEE1 of the switching stage and the power supply VEE2 of the emitter follower stage is shown, the two may be connected to give the same potential.

【0006】次に図5(a) に示す回路の動作につい
て説明する。まず、入力端子I1 ,I2 に印加され
る入力電位VINがすべて基準電位VBBより低い低論
理レベルVL のときには、入力トランジスタQ1 ,
Q2 が非導通状態となり、レファレンストランジスタ
Q3 が導通状態になる。このため、入力トランジスタ
Q1 ,Q2 のコレクタ電位はほぼVCC電位になり
、レファレンストランジスタQ3 のコレクタ電位は負
荷抵抗R2 での電圧降下分だけVCC電位から低下す
る。従って、エミッタフォロアトランジスタQ4 のベ
ース電位に従いNOR出力端子O1は高論理レベルVH
 となる。またこのとき、入力トランジスタQ1 ,Q
2 及びレファレンストランジスタQ3 の各エミッタ
が共通に接続された点1の電位は基準電位VBBからレ
ファレンストランジスタQ3 のベースエミッタ間順方
向電圧VBEだけ低下した電位VBB−VBEとなる。
Next, the operation of the circuit shown in FIG. 5(a) will be explained. First, when the input potentials VIN applied to the input terminals I1, I2 are all at a low logic level VL lower than the reference potential VBB, the input transistors Q1,
Q2 becomes non-conductive and reference transistor Q3 becomes conductive. Therefore, the collector potential of the input transistors Q1 and Q2 becomes approximately the VCC potential, and the collector potential of the reference transistor Q3 decreases from the VCC potential by the voltage drop across the load resistor R2. Therefore, according to the base potential of the emitter follower transistor Q4, the NOR output terminal O1 is at a high logic level VH.
becomes. Also, at this time, the input transistors Q1, Q
The potential at point 1, where the emitters of reference transistor Q2 and reference transistor Q3 are commonly connected, becomes a potential VBB-VBE which is lower than reference potential VBB by base-emitter forward voltage VBE of reference transistor Q3.

【0007】一方、入力端子I1 ,I2 のうち、少
なくとも1個の入力端子に印加される入力電位VINが
基準電位VBBよりも高い高論理レベルVH になると
、VH が印加された入力トランジスタが導通状態とな
り、レファレンストランジスタQ3 が非導通状態にな
る。このため、入力トランジスタQ1 ,Q2のコレク
タ電位は負荷抵抗R1 での電圧降下分だけVCC電位
から低下し、レファレンストランジスタQ3 のコレク
タ電位はほぼVCC電位になる。従って、エミッタフォ
ロアトランジスタQ4 のベース電位に従いNOR出力
端子O1は低論理レベルVL となる。またこのとき、
入力トランジスタQ1 ,Q2 及びレファレンストラ
ンジスタQ3 の各エミッタが共通に接続された点1の
電位は高論理レベルVH から入力トランジスタのベー
スエミッタ間順方向電圧VBEだけ低下した電位、即ち
VH −VBEとなる。
On the other hand, when the input potential VIN applied to at least one of the input terminals I1 and I2 reaches a high logic level VH higher than the reference potential VBB, the input transistor to which VH is applied becomes conductive. Therefore, the reference transistor Q3 becomes non-conductive. Therefore, the collector potentials of the input transistors Q1 and Q2 are lowered from the VCC potential by the voltage drop across the load resistor R1, and the collector potential of the reference transistor Q3 becomes approximately the VCC potential. Therefore, the NOR output terminal O1 becomes a low logic level VL according to the base potential of the emitter follower transistor Q4. Also at this time,
The potential at point 1, where the emitters of the input transistors Q1, Q2 and the reference transistor Q3 are commonly connected, becomes a potential lower than the high logic level VH by the base-emitter forward voltage VBE of the input transistors, that is, VH -VBE.

【0008】上記のように入力トランジスタQ1 ,Q
2 及びレファレンストランジスタQ3 の各エミッタ
が共通に接続された点1の電位、即ちエミッタフォロア
トランジスタQ4 に接続されたトランジスタQ6 の
ベース電位は、入力論理レベルの変化と同相で相対的に
高低の変化をする。そこで、トランジスタQ6 のエミ
ッタに接続されたインピーダンス素子Zの値を適切に設
定することによって、入力電位VINが高論理レベルV
H のときはトランジスタQ6 を完全な導通状態に、
低論理レベルVL のときは非導通状態またはそれに近
い状態にすることができる。
As mentioned above, the input transistors Q1 and Q
The potential at point 1, where the emitters of the transistor Q2 and the reference transistor Q3 are commonly connected, that is, the base potential of the transistor Q6 connected to the emitter follower transistor Q4, exhibits a relative high/low change in phase with the change in the input logic level. do. Therefore, by appropriately setting the value of the impedance element Z connected to the emitter of the transistor Q6, the input potential VIN can be lowered to the high logic level V.
When high, transistor Q6 becomes fully conductive,
At a low logic level VL, it can be rendered non-conducting or nearly so.

【0009】次に図5(b) に示す回路の動作につい
て説明する。まず、入力端子I1 ,I2 に印加され
る入力電位VINがすべて基準電位V1 より低い低論
理レベルVL のときには、入力トランジスタQ1 ,
Q2 が非導通状態となり、レファレンストランジスタ
Q3 が導通状態になる。このため、入力トランジスタ
Q1 ,Q2 のコレクタ電位はほぼVCC電位になり
、レファレンストランジスタQ3 のコレクタ電位は負
荷抵抗R2 での電圧降下分だけVCC電位から低下す
る。従ってエミッタフォロアトランジスタQ4 及びQ
5 のベース電位に従い、出力端子O1は高論理レベル
VH ,出力端子O2は低論理レベルVL となる。ま
たこのとき、入力トランジスタQ1 ,Q2 及びレフ
ァレンストランジスタQ3 の各エミッタが共通に接続
された点1の電位は基準電位VBB1 からレファレン
ストランジスタQ3 のベースエミッタ間順方向VBE
だけ低下した電位VBB1 −VBEとなる。
Next, the operation of the circuit shown in FIG. 5(b) will be explained. First, when the input potentials VIN applied to the input terminals I1, I2 are all at a low logic level VL lower than the reference potential V1, the input transistors Q1,
Q2 becomes non-conductive and reference transistor Q3 becomes conductive. Therefore, the collector potential of the input transistors Q1 and Q2 becomes approximately the VCC potential, and the collector potential of the reference transistor Q3 decreases from the VCC potential by the voltage drop across the load resistor R2. Therefore, emitter follower transistors Q4 and Q
According to the base potential of 5, the output terminal O1 becomes a high logic level VH and the output terminal O2 becomes a low logic level VL. At this time, the potential at point 1, where the emitters of the input transistors Q1, Q2 and the reference transistor Q3 are commonly connected, varies from the reference potential VBB1 to the base-emitter forward direction VBE of the reference transistor Q3.
The potential becomes VBB1 -VBE, which is lowered by the same amount.

【0010】一方、入力端子I1 ,I2 のうち、少
なくとも1個の入力端子に印加される入力電位VINが
基準電位VBB1 よりも高い高論理レベルVH にな
ると、VH が印加された入力トランジスタが導通状態
となり、レファレンストランジスタQ3が非導通状態に
なる。このため入力トランジスタQ1 ,Q2のコレク
タ電位は負荷抵抗R1 での電圧降下分だけVCC電位
から低下し、レファレンストランジスタQ3 のコレク
タ電位はほぼVCC電位になる。従って、エミッタフォ
ロアトランジスタQ4 及びQ5 のベース電位に従い
出力端子O1は低論理レベルVL ,出力端子O2は高
論理レベルVH となる。またこのとき、入力トランジ
スタQ1 ,Q2 及びレファレンストランジスタQ3
 の各エミッタが共通に接続された点1の電位は高論理
レベルVH から入力トランジスタのベースエミッタ間
順方向電圧VBEだけ低下した電位、即ちVH −VB
Eとなる。
On the other hand, when the input potential VIN applied to at least one of the input terminals I1 and I2 reaches a high logic level VH higher than the reference potential VBB1, the input transistor to which VH is applied becomes conductive. Therefore, the reference transistor Q3 becomes non-conductive. Therefore, the collector potentials of the input transistors Q1 and Q2 are lowered from the VCC potential by the voltage drop across the load resistor R1, and the collector potential of the reference transistor Q3 becomes approximately the VCC potential. Therefore, according to the base potentials of the emitter follower transistors Q4 and Q5, the output terminal O1 becomes a low logic level VL and the output terminal O2 becomes a high logic level VH. Also, at this time, input transistors Q1, Q2 and reference transistor Q3
The potential at point 1, where each emitter of is connected in common, is a potential lowered from the high logic level VH by the base-emitter forward voltage VBE of the input transistor, that is, VH - VB.
It becomes E.

【0011】上記のように入力トランジスタQ1 ,Q
2 及びレファンストランジスタQ3 の各エミッタが
共通に接続された点1の電位、即ちエミッタフォロアト
ランジスタQ4 に接続されたトランジスタQ6 のベ
ース電位は、入力論理レベルの変化と同相で相対的に高
低の変化をする。そこで、エミッタフォロアトランジス
タQ5 に接続されたトランジスタQ7 のベースに印
加される基準電位VBB2 の値を適切に設定(ほぼ(
VH +VBB1 )/2−VBE)することによって
、入力電位VINが高論理レベルVH のときにはトラ
ンジスタQ6 を導通状態、トランジスタQ7 を非導
通状態に、低論理レベルVL のときにはトランジスタ
Q6 を非導通状態、トランジスタQ7 を導通状態に
することができる。
As mentioned above, the input transistors Q1, Q
The potential at point 1, where the emitters of the transistor Q2 and the reference transistor Q3 are commonly connected, that is, the base potential of the transistor Q6 connected to the emitter follower transistor Q4, is in phase with the change in the input logic level and has a relatively high or low level. Make a change. Therefore, the value of the reference potential VBB2 applied to the base of the transistor Q7 connected to the emitter follower transistor Q5 is appropriately set (approximately (
VH +VBB1)/2-VBE), when the input potential VIN is at a high logic level VH, the transistor Q6 is turned on and the transistor Q7 is turned off, and when the input potential VIN is at a low logic level VL, the transistor Q6 is turned off and the transistor Q7 is turned off. Q7 can be made conductive.

【0012】上記の実施例には、以下のような低消費電
力化のための特徴がある。即ち、図5(a) の回路構
成によれば、エミッタフォロアトランジスタQ4 のエ
ミッタ、つまりNOR出力端子O1が高論理レベルVH
のときにはトランジスタQ6 が非導通かそれに近い状
態であるためにエミッタフォロア電流があまり流れず、
エミッタフォロアトランジスタQ4 のエミッタが低論
理レベルVL のときにはトランジスタQ6 が完全な
導通状態にあるためにエミッタフォロア電流が流れる。
The above embodiment has the following features for reducing power consumption. That is, according to the circuit configuration of FIG. 5(a), the emitter of the emitter follower transistor Q4, that is, the NOR output terminal O1 is at the high logic level VH.
When , the emitter follower current does not flow much because the transistor Q6 is in a non-conducting state or close to it.
When the emitter of the emitter follower transistor Q4 is at the low logic level VL, the emitter follower current flows because the transistor Q6 is fully conductive.

【0013】また、図5(b) の回路構成では、即ち
、入力トランジスタQ1 ,Q2 がすべて非導通状態
のとき、NOR出力(このとき高論理レベルVH であ
る)を有するエミッタフォロアトランジスタQ4 には
トランジスタQ6 が非導通状態であるため、ほとんど
電流が流れず、OR出力(このとき低論理レベルVL 
である)を有するエミッタフォロアトランジスタQ5 
には、トランジスタQ7 を通して電流が流れる。また
、入力トランジスタQ1 ,Q2 のうち、少なくとも
1個が導通状態のときNOR出力(このとき低論理レベ
ルVL である)を有するエミッタフォロアトランジス
タQ4 には導通状態にあるトランジスタQ6 を通し
て電流が流れ、OR出力(このとき高論理レベルVH 
である)を有するエミッタフォロアトランジスタQ5 
にはトランジスタQ7 が非導通状態であるため、ほと
んど電流が流れない。つまり、エミッタフォロアトラン
ジスタQ4 あるいはQ5 のエミッタ(即ち出力端子
O1あるいはO2)が高論理レベルVH のときにはエ
ミッタフォロア電流がほとんど流れず、低論理レベルV
L のときにはエミッタフォロア電流が流れる。
Furthermore, in the circuit configuration of FIG. 5(b), when the input transistors Q1 and Q2 are all non-conducting, the emitter follower transistor Q4 having a NOR output (at this time at a high logic level VH) has a Since transistor Q6 is in a non-conducting state, almost no current flows, and the OR output (low logic level VL at this time)
) with an emitter follower transistor Q5
Current flows through transistor Q7. Furthermore, when at least one of the input transistors Q1 and Q2 is in a conductive state, a current flows through the transistor Q6 which is in a conductive state to an emitter follower transistor Q4 having a NOR output (which is at a low logic level VL at this time), and a current flows through the transistor Q6 which is in a conductive state. Output (high logic level VH at this time)
) with an emitter follower transistor Q5
Since transistor Q7 is in a non-conducting state, almost no current flows. In other words, when the emitter of the emitter follower transistor Q4 or Q5 (i.e., output terminal O1 or O2) is at the high logic level VH, almost no emitter follower current flows;
When it is L, an emitter follower current flows.

【0014】従って、いずれの例においても出力レベル
の高低にかかわらず、常時エミッタフォロア電流が流れ
る回路構成に比して回路電流を削減することができる。
Therefore, in any of the examples, the circuit current can be reduced compared to a circuit configuration in which an emitter follower current always flows regardless of the output level.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ECL回路では、出力を取り出すエミッタフォロアトラ
ンジスタにエミッタフォロア電流を制御(切替)するト
ランジスタが接続された回路構成であるために電流削減
機能は優れているが、負荷駆動能力について次のような
問題を有していた。
[Problems to be Solved by the Invention] However, the conventional ECL circuit has an excellent current reduction function because it has a circuit configuration in which a transistor that controls (switches) the emitter follower current is connected to an emitter follower transistor that takes out the output. However, it had the following problems regarding load driving ability.

【0016】即ち、出力電位が低論理レベルVL から
高論理レベルVH へ遷移する場合において、対応する
出力エミッタフォロアトランジスタに接続されているエ
ミッタフォロア電流制御(切替)用トランジスタは導通
状態から非導通又はそれに近い状態へと遷移する。その
結果、出力エミッタフォロア電流が減少し、高論理レベ
ルVH を出力するエミッタフォロアトランジスタの出
力インピーダンスが高くなるために出力端子の負荷容量
が大きい場合に出力立上がり時間が増大するという悪影
響を及ぼすことになる。
That is, when the output potential transitions from a low logic level VL to a high logic level VH, the emitter follower current control (switching) transistor connected to the corresponding output emitter follower transistor changes from a conductive state to a non-conductive state or Transition to a state close to that. As a result, the output emitter follower current decreases, and the output impedance of the emitter follower transistor that outputs the high logic level VH increases, which has the negative effect of increasing the output rise time when the load capacitance of the output terminal is large. Become.

【0017】この発明は上記のような従来のものの欠点
を除去するためになされたもので、消費電力を増大させ
ることなく、高論理レベルVH を出力するエミッタフ
ォロアトランジスタの出力インピーダンスを低減できる
エミッタ結合論理回路装置を提供することを目的とする
The present invention has been made in order to eliminate the drawbacks of the conventional ones as described above, and is an emitter coupling method that can reduce the output impedance of an emitter follower transistor that outputs a high logic level VH without increasing power consumption. The purpose is to provide a logic circuit device.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】この発明に係るエミッタ
結合論理回路装置は、ベースがそれぞれの入力信号端子
に接続され、コレクタ及びエミッタがそれぞれ共通接続
された少なくとも1個の入力トランジスタと、ベースに
第1の基準電位が印加され,エミッタが上記入力トラン
ジスタの共通エミッタと結合されたレファレンストラン
ジスタと、上記入力トランジスタの共通コレクタと第1
の電源間に接続された第1の抵抗性素子と、上記レファ
レンストランジスタのコレクタと上記第1の電源間に接
続された第2の抵抗性素子と、上記共通エミッタと第2
の電源間に接続された第1の電流源と、ベースが上記共
通コレクタにコレクタが上記第1の電源に,エミッタが
第1の出力端子に接続された第1の出力用トランジスタ
と、ベースが上記レファレンストランジスタのコレクタ
に,コレクタが上記第1の電源に,エミッタが第2の出
力端子に接続された第2の出力用トランジスタと、ベー
スが上記共通エミッタに,コレクタが上記第1の出力端
子に,エミッタが第2の電流源を介して上記第2の電源
に接続された第1のトランジスタと、ベースが第2の基
準電位に,コレクタが上記第2の出力端子に,エミッタ
が上記第2の電流源を介して上記第2の電源に接続され
た第2のトランジスタと、エミッタが上記第1の電源に
,ベースが上記第1の出力用トランジスタのベースに,
コレクタが上記第2の出力端子に接続された上記第1の
出力トランジスタとは導電機構が相補関係にある第3の
トランジスタと、エミッタが上記第1の電源に,ベース
が上記第2の出力用トランジスタのベースに,コレクタ
が上記第1の出力端子に接続された上記第2の出力トラ
ンジスタとは導電機構が相補関係にある第4のトランジ
スタとを備えたことを特徴とするものである。
[Means for Solving the Problems] An emitter-coupled logic circuit device according to the present invention includes at least one input transistor whose base is connected to each input signal terminal and whose collector and emitter are each commonly connected; a reference transistor to which a first reference potential is applied, the emitter of which is coupled to the common emitter of the input transistor;
a first resistive element connected between the collector of the reference transistor and the first power supply, a second resistive element connected between the common emitter and the second resistive element;
a first current source connected between the power supplies; a first output transistor having a base connected to the common collector; a first output transistor having a collector connected to the first power supply; and an emitter connected to the first output terminal; a second output transistor whose collector is connected to the collector of the reference transistor, whose collector is connected to the first power supply and whose emitter is connected to the second output terminal; whose base is connected to the common emitter and whose collector is connected to the first output terminal; a first transistor having an emitter connected to the second power supply via a second current source, a base connected to the second reference potential, a collector connected to the second output terminal, and an emitter connected to the second output terminal; a second transistor connected to the second power supply through a second current source; an emitter connected to the first power supply; a base connected to the base of the first output transistor;
A third transistor whose conductive mechanism is complementary to the first output transistor whose collector is connected to the second output terminal, whose emitter is connected to the first power supply and whose base is connected to the second output terminal. The present invention is characterized in that the base of the transistor is provided with a fourth transistor whose conductive mechanism is complementary to the second output transistor whose collector is connected to the first output terminal.

【0019】また、この発明に係るエミッタ結合論理回
路装置は、ベースがそれぞれの入力信号端子に接続され
,コレクタ及びエミッタがそれぞれ共通接続された少な
くとも1個の入力トランジスタと、ベースに第1の基準
電位が印加され,エミッタが上記入力トランジスタの共
通エミッタと結合されたレファレンストランジスタと、
上記入力トランジスタの共通コレクタと第1の電源間に
接続された第1の抵抗性素子と、上記レファレンストラ
ンジスタのコレクタと上記第1の電源間に接続された第
2の抵抗性素子と、上記共通エミッタと第2の電源間に
接続された第1の電流源と、ベースが上記共通コレクタ
に,コレクタが上記第1の電源に,エミッタが出力端子
に接続された出力用トランジスタと、ベースが上記共通
エミッタに,コレクタが上記出力端子に,エミッタが第
2の電流源を介して上記第2の電源に接続された第1の
トランジスタと、ベースが第2の基準電位に,コレクタ
が上記第1の電源に,エミッタが上記第2の電流源を介
して上記第2の電源に接続された第2のトランジスタと
、エミッタが上記第1の電源に,ベースが上記レファレ
ンストランジスタのコレクタに,コレクタが上記出力端
子に接続された上記出力用トランジスタとは導電機構が
相補関係にあるトランジスタとを備えたことを特徴とす
るものである。
Further, the emitter-coupled logic circuit device according to the present invention includes at least one input transistor whose base is connected to each input signal terminal and whose collector and emitter are respectively commonly connected, and a first reference at the base. a reference transistor to which a potential is applied and whose emitter is coupled to a common emitter of the input transistor;
a first resistive element connected between the common collector of the input transistor and the first power supply; a second resistive element connected between the collector of the reference transistor and the first power supply; a first current source connected between the emitter and the second power source; an output transistor having a base connected to the common collector, a collector connected to the first power source, and an emitter connected to the output terminal; a first transistor having a common emitter, a collector connected to the output terminal, an emitter connected to the second power supply via a second current source, a base connected to the second reference potential, and a collector connected to the first transistor; a second transistor having an emitter connected to the second power source via the second current source; an emitter connected to the first power source; a base connected to the collector of the reference transistor; The present invention is characterized in that the output transistor connected to the output terminal includes a transistor whose conductive mechanism is complementary to the output transistor.

【0020】また、この発明に係るエミッタ結合論理回
路装置は、ベースがそれぞれの入力信号端子に接続され
,コレクタ及びエミッタがそれぞれ共通接続された少な
くとも1個の入力トランジスタと、ベースに第1の基準
電位が印加され,エミッタが上記入力トランジスタの共
通エミッタと結合されたレファレンストランジスタと、
上記入力トランジスタの共通コレクタと第1の電源間に
接続された第1の抵抗性素子と、上記レファレンストラ
ンジスタのコレクタと上記第1の電源間に接続された第
2の抵抗性素子と、上記共通エミッタと第2の電源間に
接続された第1の電流源と、ベースが上記レファレンス
トランジスタのコレクタに,コレクタが上記第1の電源
に,エミッタが出力端子に接続された出力用トランジス
タと、ベースが上記共通エミッタに,コレクタが上記第
1の電源に,エミッタが第2の電流源を介して上記第2
の電源に接続された第1のトランジスタと、ベースが第
2の基準電位に,コレクタが上記出力端子に,エミッタ
が上記第2の電流源を介して上記第2の電源に接続され
た第2のトランジスタと、エミッタが上記第1の電源に
,ベースが上記入力トランジスタの共通コレクタに,コ
レクタが上記出力端子に接続された上記出力用トランジ
スタとは導電機構が相補関係にあるトランジスタとを備
えたことを特徴とするものである。
Further, the emitter-coupled logic circuit device according to the present invention includes at least one input transistor whose base is connected to each input signal terminal and whose collector and emitter are respectively commonly connected, and a first reference at the base. a reference transistor to which a potential is applied and whose emitter is coupled to a common emitter of the input transistor;
a first resistive element connected between the common collector of the input transistor and the first power supply; a second resistive element connected between the collector of the reference transistor and the first power supply; a first current source connected between an emitter and a second power source; an output transistor having a base connected to the collector of the reference transistor, a collector connected to the first power source, and an emitter connected to an output terminal; is connected to the common emitter, the collector is connected to the first power source, and the emitter is connected to the second current source through the second current source.
a first transistor connected to a power source, and a second transistor, the base of which is connected to a second reference potential, the collector to the output terminal, and the emitter connected to the second power source via the second current source. and a transistor whose conductive mechanism is complementary to the output transistor whose emitter is connected to the first power supply, whose base is connected to the common collector of the input transistor, and whose collector is connected to the output terminal. It is characterized by this.

【0021】また、さらにこの発明に係るエミッタ結合
論理回路装置は、ベースがそれぞれの入力信号端子に接
続され,コレクタ及びエミッタがそれぞれ共通接続され
た少なくとも1個の入力トランジスタと、ベースに第1
の基準電位が印加され,エミッタが上記入力トランジス
タの共通エミッタと結合されたレファレンストランジス
タと、上記入力トランジスタの共通コレクタと第1の電
源間に接続された第1の抵抗性素子と、上記レファレン
ストランジスタのコレクタと上記第1の電源間に接続さ
れた第2の抵抗性素子と、上記共通エミッタと第2の電
源間に接続された第1の電流源と、ベースが上記入力ト
ランジスタの共通コレクタに,コレクタが上記第1の電
源に,エミッタが出力端子に接続された出力用トランジ
スタと、ベースが上記共通エミッタに,コレクタが上記
出力端子に,エミッタが第2の電流源を介して上記第2
の電源に接続されたトランジスタと、エミッタが上記第
1の電源に,ベースが上記レファレンストランジスタの
コレクタに,コレクタが上記出力端子に接続された上記
出力用トランジスタとは導電機構が相補関係にあるトラ
ンジスタとを備えたことを特徴とするものである。
Furthermore, an emitter-coupled logic circuit device according to the present invention includes at least one input transistor whose base is connected to each input signal terminal and whose collector and emitter are commonly connected, and a first input transistor connected to the base.
a reference transistor to which a reference potential of is applied and whose emitter is coupled to a common emitter of the input transistor; a first resistive element connected between the common collector of the input transistor and a first power supply; a second resistive element connected between the collector of the input transistor and the first power source, a first current source connected between the common emitter and the second power source, and a base connected to the common collector of the input transistor. , an output transistor whose collector is connected to the first power supply and whose emitter is connected to the output terminal, whose base is connected to the common emitter, whose collector is connected to the output terminal, and whose emitter is connected to the second current source through the second current source.
The transistor connected to the power supply of the transistor and the output transistor whose emitter is connected to the first power supply, whose base is connected to the collector of the reference transistor, and whose collector is connected to the output terminal are transistors whose conductive mechanisms are complementary to each other. It is characterized by having the following.

【0022】[0022]

【作用】この発明においては、エミッタが第1の出力端
子に接続された第1の出力用トランジスタと並列に該第
1の出力用トランジスタとは導電機構が相補関係にある
第3のトランジスタが接続され、エミッタが第2の出力
端子に接続された第2の出力用トランジスタと並列に該
第2の出力用トランジスタとは導電機構が相補関係にあ
る第4のトランジスタが接続され、該第3,第4のトラ
ンジスタの各々のコレクタが互いに相反する出力端子に
接続され、さらに第3,第4のトランジスタは、それぞ
れのベースが接続されているノード電位の高低に従い、
非導通及び導通状態の切り替わり、非導通状態にある第
3あるいは第4のトランジスタのコレクタは低論理レベ
ルVL を出力する第2あるいは第1の出力用トランジ
スタのエミッタ(即ち出力端子)に接続され、導通状態
にある第4あるいは第3のトランジスタのコレクタは高
論理レベルVH を出力する第1あるいは第2の出力用
トランジスタのエミッタに接続された構成となっている
ため、非導通状態にある第3あるいは第4のトランジス
タは、該コレクタが接続された第2あるいは第1の出力
用トランジスタが導通状態にあるので、出力インピーダ
ンスに何ら悪影響を与えるものではなく、一方、導通状
態になる第4あるいは第3のトランジスタはコレクタが
出力インピーダンスの高くなる第1あるいは第2の出力
用トランジスタのエミッタに接続されているので、出力
端子に付加される負荷容量を充電するための電流はほと
んどこの第4あるいは第3のトランジスタから供給され
ることとなり、等価的に出力インピーダンスは低減され
る。
[Operation] In this invention, a third transistor whose conductive mechanism is complementary to the first output transistor is connected in parallel to the first output transistor whose emitter is connected to the first output terminal. A fourth transistor whose conductive mechanism is complementary to the second output transistor is connected in parallel to the second output transistor whose emitter is connected to the second output terminal; The collectors of each of the fourth transistors are connected to mutually opposite output terminals, and the third and fourth transistors are connected to each other according to the level of the node potential to which their respective bases are connected.
Switching between non-conducting and conducting states, the collector of the third or fourth transistor in the non-conducting state is connected to the emitter (i.e. the output terminal) of the second or first output transistor outputting a low logic level VL; Since the collector of the fourth or third transistor in the conductive state is connected to the emitter of the first or second output transistor that outputs the high logic level VH, the collector of the fourth or third transistor in the non-conductive state Alternatively, since the second or first output transistor to which the collector is connected is in a conductive state, the fourth transistor does not have any adverse effect on the output impedance; Since the collector of transistor 3 is connected to the emitter of the first or second output transistor, which has a high output impedance, most of the current for charging the load capacitance added to the output terminal flows through the fourth or second transistor. The output impedance is equivalently reduced.

【0023】また、この発明においては、エミッタが出
力端子に接続された出力用トランジスタと並列に該出力
用トランジスタとは導電機構が相補関係にあるトランジ
スタが接続され、該トランジスタの非導通及び導通状態
の切り替えは該トランジスタのベースが接続されている
ノード電位の高低に従って行われ、該トランジスタのコ
レクタは出力用トランジスタのエミッタ(即ち出力端子
)に接続された構成となっているため、トランジスタが
非導通状態のとき、出力用トランジスタが導通状態にあ
るので、出力インピーダンスには何ら悪影響を与えず、
一方、トランジスタが導通状態のときは該トランジスタ
のコレクタが出力インピーダンスの高くなる出力用トラ
ンジスタのエミッタに接続されているので、出力端子に
付加される負荷容量を充電するための電流はほとんどこ
のトランジスタから供給されることとなり、等価的に出
力インピーダンスが低減される。
Further, in the present invention, a transistor whose conductive mechanism is complementary to the output transistor is connected in parallel with the output transistor whose emitter is connected to the output terminal, and the non-conducting and conductive states of the transistor are connected in parallel. switching is performed according to the level of the node potential to which the base of the transistor is connected, and the collector of the transistor is connected to the emitter (i.e., output terminal) of the output transistor, so the transistor is non-conducting. In this state, the output transistor is in a conductive state, so there is no adverse effect on the output impedance.
On the other hand, when the transistor is conductive, the collector of the transistor is connected to the emitter of the output transistor, which has a high output impedance, so most of the current for charging the load capacitance added to the output terminal comes from this transistor. Therefore, the output impedance is equivalently reduced.

【0024】[0024]

【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1は本発明の第1の実施例によるエミッタ結合
論理回路装置の回路構成を示す図であり、特に2入力構
成のNOR出力及びOR出力を有する論理回路装置を示
すものである。同図において、Q1 ,Q2 はベース
がそれぞれ入力端子I1 ,I2 に接続された入力ト
ランジスタ、Q3 はベースが第1の基準電位VBB1
 に接続されたレファレンストランジスタ、R1 は第
1の電源VCCと入力トランジスタQ1,Q2 の共通
コレクタとの間に接続された第1の負荷抵抗、R2 は
第1の電源VCC及びレファレンストランジスタQ3の
コレクタ間に接続された第2の負荷抵抗、CS1は入力
トランジスタQ1 ,Q2 及びレファレンストランジ
スタQ3 の各エミッタが共通に接続されたスイッチン
グ電流供給用の第1の電流源、Q4,Q5 はそれぞれ
ベースが入力トランジスタQ1 ,Q2 のコレクタ及
びレファレンストランジスタQ3 のコレクタに接続さ
れた第1,第2のエミッタフォロアトランジスタ、Q6
 及びQ7 はそれぞれベースが入力トランジスタQ1
 ,Q2 、レファレンストランジスタQ3 の各エミ
ッタ及び第2の基準電位VBB2 に接続され、互いの
エミッタがエミッタフォロア供給用の第2の電流源CS
2共通接続されたエミッタフォロア電流切替(制御)用
の第1,第2のトランジスタであり、第1のエミッタフ
ォロアトランジスタQ4 のエミッタ及び第1のエミッ
タフォロア電流切替用トランジスタQ6 のコレクタは
NOR出力端子O1に、第2のエミッタフォロアトラン
ジスタQ5 のエミッタ及び第2のフォロア電流切替用
トランジスタQ7 のコレクタはOR出力端子O2にそ
れぞれ接続されている。Q8及びQ9 はベースがそれ
ぞれ第1のエミッタフォロアトランジスタQ4 のベー
ス及び第2のエミッタフォロアトランジスタQ5 のベ
ースに接続され、エミッタが第1の電源に共通接続され
、コレクタがそれぞれ第2の出力端子O2及び第1の出
力端子O1に接続された出力インピーダンス低減用の第
1,第2のPNPトランジスタであり、本実施例におい
て従来例と異なる点である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing the circuit configuration of an emitter-coupled logic circuit device according to a first embodiment of the present invention, and particularly shows a logic circuit device having a two-input configuration and a NOR output and an OR output. In the figure, Q1 and Q2 are input transistors whose bases are connected to input terminals I1 and I2, respectively, and Q3 is an input transistor whose base is connected to the first reference potential VBB1.
R1 is a first load resistor connected between the first power supply VCC and the common collector of input transistors Q1 and Q2, and R2 is a reference transistor connected between the first power supply VCC and the collector of the reference transistor Q3. CS1 is a first current source for supplying switching current to which the emitters of input transistors Q1, Q2 and reference transistor Q3 are connected in common, and Q4 and Q5 have bases connected to input transistors. First and second emitter follower transistors, Q6, connected to the collectors of Q1 and Q2 and the collector of the reference transistor Q3.
and Q7 have their bases connected to the input transistor Q1.
, Q2, and the respective emitters of the reference transistor Q3 and the second reference potential VBB2, and the respective emitters are connected to a second current source CS for supplying an emitter follower.
The emitter of the first emitter follower transistor Q4 and the collector of the first emitter follower current switching transistor Q6 are the NOR output terminal. O1, the emitter of the second emitter follower transistor Q5 and the collector of the second follower current switching transistor Q7 are connected to the OR output terminal O2, respectively. The bases of Q8 and Q9 are connected to the base of the first emitter follower transistor Q4 and the base of the second emitter follower transistor Q5, respectively, the emitters are commonly connected to the first power supply, and the collectors are respectively connected to the second output terminal O2. and first and second PNP transistors for reducing output impedance connected to the first output terminal O1, and this embodiment is different from the conventional example.

【0025】次に、このように構成された本実施例のエ
ミッタ結合論理回路装置の動作について説明する。基本
的な論理動作は従来回路と同様であるために省略し、本
発明の中心である出力インピーダンス低減用PNPトラ
ンジスタの動作に関する部分のみについて説明する。
Next, the operation of the emitter-coupled logic circuit device of this embodiment constructed as described above will be explained. Since the basic logic operation is the same as that of the conventional circuit, it will be omitted, and only the part related to the operation of the output impedance reducing PNP transistor, which is the center of the present invention, will be explained.

【0026】入力トランジスタQ1 ,Q2 がすべて
非導通状態のとき、NOR出力(このとき高論理レベル
VH である)を有するエミッタフォロアトランジスタ
Q4 にはトランジスタQ6 が非導通状態であるため
、ほとんど電流が流れず、OR出力(このとき低論理レ
ベルVL である)を有するエミッタフォロアトランジ
スタQ5にはトランジスタQ7 を通して電流が流れる
。従って、VHを出力する出力端子のインピーダンスは
高くなる傾向にある。しかし、NOR出力にコレクタが
接続されているPNPトランジスタQ9 はエミッタ・
ベース間が順方向にバイアスされるために導通状態とな
り、NOR出力端子の負荷容量はQ9 の導通状態の電
流によって充電されることになる。一方、OR出力にコ
レクタが接続されているPNPトランジスタQ8 は、
エミッタ・ベース間がほぼ同電位であるために非導通状
態であり、OR出力端子の負荷容量に充電された電荷は
従来回路のを動作同様にトランジスタQ7 を通して放
電されることになる。
When input transistors Q1 and Q2 are all non-conducting, almost no current flows through the emitter follower transistor Q4 having a NOR output (which is now at a high logic level VH) since transistor Q6 is non-conducting. First, current flows through the emitter follower transistor Q5, which has an OR output (now at a low logic level VL), through the transistor Q7. Therefore, the impedance of the output terminal that outputs VH tends to be high. However, the PNP transistor Q9 whose collector is connected to the NOR output has an emitter
Since the base is biased in the forward direction, it becomes conductive, and the load capacitance of the NOR output terminal is charged by the current in the conductive state of Q9. On the other hand, the PNP transistor Q8 whose collector is connected to the OR output is
Since the emitter and base are at substantially the same potential, they are in a non-conducting state, and the charge stored in the load capacitance of the OR output terminal is discharged through transistor Q7 in the same manner as in the operation of the conventional circuit.

【0027】また、入力トランジスタQ1 ,Q2 の
うち、少なくとも1個が導通状態のときNOR出力(こ
のとき低論理レベルVL である)を有するエミッタフ
ォロアトランジスタQ4 には導通状態にあるトランジ
スタQ6 を通して電流が流れ、OR出力(このとき高
論理レベルVH である)を有するエミッタフォロアト
ランジスタQ5 にはトランジスタQ7 が非導通状態
であるため、ほとんど電流が流れない。従って、OR出
力端子の負荷容量を充電するための電流はエミッタフォ
ロアトランジスタQ5 からは供給され難くなる。即ち
、VH を出力する出力端子のインピーダンスが高くな
る傾向にある。しかし、OR出力にコレクタが接続され
ているPNPトランジスタQ8 はエミッタ・ベース間
が順方向にバイアスされるために導通状態となり、OR
出力端子の負荷容量はQ8 の電流によって充電される
ことになる。一方、このとき、NOR出力にコレクタが
接続されているPNPトランジスタQ9はエミッタ・ベ
ース間がほぼ同電位であるために非導通であり、NOR
出力端子の負荷容量に充電された電荷は、従来回路の動
作同様にトランジスタQ6 を通して放電されることに
なる。
Furthermore, when at least one of the input transistors Q1 and Q2 is conductive, current flows through the conductive transistor Q6 to the emitter follower transistor Q4 having a NOR output (at this time at a low logic level VL). Almost no current flows through the emitter follower transistor Q5, which has an OR output (now at a high logic level VH), since transistor Q7 is non-conducting. Therefore, it becomes difficult for the emitter follower transistor Q5 to supply current for charging the load capacitance of the OR output terminal. That is, the impedance of the output terminal that outputs VH tends to increase. However, the PNP transistor Q8 whose collector is connected to the OR output becomes conductive because the emitter and base are forward biased, and the OR output becomes conductive.
The load capacitance at the output terminal will be charged by the current of Q8. On the other hand, at this time, the PNP transistor Q9 whose collector is connected to the NOR output is non-conductive because the emitter and base are at almost the same potential, and the NOR output is non-conductive.
The charge accumulated in the load capacitance of the output terminal is discharged through the transistor Q6 in the same manner as in the operation of the conventional circuit.

【0028】このように本実施例によるエミッタ結合論
理回路装置によれば、出力エミッタフォロアトランジス
タQ4 ,Q5 と並列にPNPトランジスタQ9 ,
Q8 を接続し、PNPトランジスタQ9 及びQ8 
のコレクタをそれぞれNOR出力端子O1,及びOR出
力端子O2に接続し、PNPトランジスタQ9 ,Q8
の非導通及び導通状態の切り替えをそれぞれのベースが
接続されているノード電位の高低に従って行い、非導通
状態にあるPNPトランジスタのコレクタは低論理レベ
ルVL を出力するエミッタフォロアトランジスタのエ
ミッタ(即ち出力端子)に接続され、導通状態にあるP
NPトランジスタのコレクタは高論理レベルVH を出
力するエミッタに接続された構成としたので、非導通状
態にあるPNPトランジスタは、該コレクタが接続され
たエミッタフォロアトランジスタが導通状態にあるので
、出力インピーダンスには何ら悪影響を与えず、一方、
導通状態になるPNPトランジスタはコレクタが出力イ
ンピーダンスの高くなるエミッタフォロアトランジスタ
のエミッタに接続されているので、出力端子に付加され
る負荷容量を充電するための電流はほとんどこのPNP
トランジスタから供給されることとなり、等価的に出力
インピーダンスは低減され、これにより、消費電力を増
加させることなく、高論理レベルVH を出力するエミ
ッタフォロアトランジスタの出力インピーダンスを低減
することができる。
As described above, according to the emitter-coupled logic circuit device of this embodiment, the PNP transistors Q9, Q5 are connected in parallel with the output emitter follower transistors Q4, Q5.
Q8 is connected, PNP transistors Q9 and Q8
The collectors of PNP transistors Q9 and Q8 are connected to the NOR output terminal O1 and the OR output terminal O2, respectively.
The collector of the PNP transistor in the non-conducting state is switched between the non-conducting and conducting states according to the level of the node potential to which the respective bases are connected. ) and is in conduction state.
Since the collector of the NP transistor is connected to the emitter that outputs a high logic level VH, the PNP transistor in a non-conducting state will have an output impedance because the emitter follower transistor to which the collector is connected is in a conducting state. has no negative effect; on the other hand,
The collector of the PNP transistor that becomes conductive is connected to the emitter of the emitter-follower transistor, which has a high output impedance, so most of the current for charging the load capacitance added to the output terminal flows through this PNP transistor.
The output impedance of the emitter follower transistor that outputs the high logic level VH can be reduced without increasing power consumption.

【0029】なお、上記実施例ではNOR,ORの両出
力を取り出した場合について説明したが、これはNOR
出力のみ、あるいはOR出力のみを取り出す場合であっ
てもよく、その場合には使用しない出力のエミッタフォ
ロアトランジスタを取り除くとともに、該エミッタフォ
ロアトランジスタのエミッタに接続されるべきトランジ
スタのコレクタを第1の電源VCCに接続し、さらに使
用しない出力にコレクタを接続されるPNPトランジス
タをも取り除けばよく、出力インピーダンス低減の効果
については上記実施例と同様である。
[0029] In the above embodiment, the case where both NOR and OR outputs were taken out was explained;
It may be the case that only the output or only the OR output is taken out. In that case, the emitter follower transistor of the unused output is removed, and the collector of the transistor to be connected to the emitter of the emitter follower transistor is connected to the first power supply. The PNP transistor connected to VCC and having its collector connected to an unused output may also be removed, and the effect of reducing the output impedance is the same as in the above embodiment.

【0030】即ち、図2は本発明の第2の実施例による
エミッタ結合論理回路装置の回路構成を示すものであり
、図1に示した上記第1の実施例のエミッタ結合論理回
路装置の第2の出力用トランジスタQ5 と第2の出力
端子O2を取り除き、さらに第1のPNPトランジスタ
Q8 を取り除いてNOR出力のみを使用する場合を示
している。本実施例の動作は図1に示した上記第1の実
施例におけるNOR出力に関する動作と全く同一である
のでその説明は省略する。
That is, FIG. 2 shows the circuit configuration of an emitter-coupled logic circuit device according to a second embodiment of the present invention, which is a circuit configuration of an emitter-coupled logic circuit device according to the first embodiment shown in FIG. The second output transistor Q5 and the second output terminal O2 are removed, and the first PNP transistor Q8 is also removed to use only the NOR output. The operation of this embodiment is exactly the same as the operation related to the NOR output in the first embodiment shown in FIG. 1, so a description thereof will be omitted.

【0031】また、図3は本発明の第3の実施例による
エミッタ結合論理回路装置の回路構成を示しており、本
実施例では図1に示した上記第1の実施例のエミッタ結
合論理回路装置の第1の出力用トランジスタQ4 と第
1の出力端子O1を取り除き、さらに第2のPNPトラ
ンジスタQ9 を取り除いてOR出力のみを使用するも
のである。本実施例の動作も図1に示した第1の実施例
におけるOR出力に関する動作と全く同一であるのでそ
の説明は省略する。
FIG. 3 shows a circuit configuration of an emitter-coupled logic circuit device according to a third embodiment of the present invention, and this embodiment uses the emitter-coupled logic circuit of the first embodiment shown in FIG. The first output transistor Q4 and the first output terminal O1 of the device are removed, and the second PNP transistor Q9 is also removed to use only the OR output. The operation of this embodiment is also exactly the same as the operation regarding the OR output in the first embodiment shown in FIG. 1, so the explanation thereof will be omitted.

【0032】以上のような第2,第3の実施例において
も、エミッタフォロアトランジスタと並列にPNPトラ
ンジスタを接続し、PNPトランジスタの非導通及び導
通状態の切り替えはPNPトランジスタのベースが接続
されているノード電位の高低に従って行ない、PNPト
ランジスタのコレクタをエミッタフォロアトランジスタ
ののエミッタ(即ち出力端子)に接続した構成としたた
め、PNPトランジスタが非導通状態のとき、エミッタ
フォロアトランジスタは導通状態となり、出力インピー
ダンスには何ら悪影響を与えず、一方、PNPトランジ
スタが導通状態のときは該トランジスタのコレクタが出
力インピーダンスの高くなるエミッタフォロアトランジ
スタのエミッタに接続されているので、出力端子に付加
される負荷容量を充電するための電流はほとんどこのト
ランジスタから供給されることとなり、等価的に出力イ
ンピーダンスは低減され、これにより、消費電力を増加
させることなく、高論理レベルVH を出力するエミッ
タフォロアトランジスタの出力インピーダンスを低減す
ることができる。
In the second and third embodiments as described above, a PNP transistor is connected in parallel with the emitter follower transistor, and the base of the PNP transistor is connected to switch the non-conductive and conductive states of the PNP transistor. Since the collector of the PNP transistor is connected to the emitter (i.e., the output terminal) of the emitter follower transistor according to the level of the node potential, when the PNP transistor is in a non-conducting state, the emitter follower transistor is in a conducting state, and the output impedance changes. On the other hand, when the PNP transistor is conductive, the collector of the transistor is connected to the emitter of the emitter follower transistor, which has a high output impedance, so it charges the load capacitance added to the output terminal. Most of the current is supplied from this transistor, and the output impedance is equivalently reduced, thereby reducing the output impedance of the emitter follower transistor that outputs the high logic level VH without increasing power consumption. be able to.

【0033】また、図4は本発明の第4の実施例による
エミッタ結合論理回路装置の回路構成を示しており、本
実施例では図2に示した第2の実施例の回路構成からさ
らにエミッタフォロア電流切替(制御)用の第2のトラ
ンジスタQ7を取り除いたものである。
FIG. 4 shows a circuit configuration of an emitter-coupled logic circuit device according to a fourth embodiment of the present invention. The second transistor Q7 for switching (controlling) the follower current is removed.

【0034】次に、本第4の実施例の動作について説明
する。入力トランジスタQ1 ,Q2 がすべて非導通
状態のとき、エミッタフォロア電流供給用第2の電流源
CS2の回路を適切に構成することによって、トランジ
スタQ6 を非導通あるいはそれに近い状態にすること
ができる。このとき、高論理レベルVH であるNOR
出力を有するエミッタフォロアトランジスタQ4 には
ほとんど電流が流れないために、出力インピーダンスが
高くなる傾向にある。しかし、このNOR出力にコレク
タが接続されているPNPトランジスタQ9 は、エミ
ッタ・ベース間が順方向にバイアスされるために導通状
態となり、NOR出力端子の負荷容量はPNPトランジ
スタQ9 の導通状態電流によって充電されることにな
る。
Next, the operation of the fourth embodiment will be explained. When input transistors Q1 and Q2 are all non-conductive, transistor Q6 can be made non-conductive or close to non-conductive by appropriately configuring the circuit of the second current source CS2 for supplying emitter follower current. At this time, NOR which is a high logic level VH
Since almost no current flows through the emitter follower transistor Q4 having an output, the output impedance tends to be high. However, the PNP transistor Q9 whose collector is connected to this NOR output becomes conductive because the emitter and base are biased in the forward direction, and the load capacitance of the NOR output terminal is charged by the conduction state current of the PNP transistor Q9. will be done.

【0035】また、入力トランジスタQ1 ,Q2 の
うち、少なくとも1個が導通状態のとき、トランジスタ
Q6 のベース電位も上がることにより導通状態となる
。このとき、低論理レベルVL であるNOR出力を有
するエミッタフォロアトランジスタQ4 には導通状態
のQ6 を通して電流が流れる。NOR出力にコレクタ
が接続されているPNPトランジスタQ9 はエミッタ
・ベース間がほぼ同電位であるために非導通であり、N
OR出力端子の負荷容量に充電された電荷はトランジス
タQ6 を通して放電されることになる。
Furthermore, when at least one of the input transistors Q1 and Q2 is in a conductive state, the base potential of the transistor Q6 also rises to become conductive. At this time, current flows through the emitter follower transistor Q4, which has a NOR output at a low logic level VL, through the conductive transistor Q6. The PNP transistor Q9, whose collector is connected to the NOR output, is non-conductive because the emitter and base are at almost the same potential, and the NOR output is non-conducting.
The charge stored in the load capacitance of the OR output terminal will be discharged through transistor Q6.

【0036】よって、本実施例においても以上の実施例
と同様に、導通状態にあるPNPトランジスタQ9 の
コレクタが出力インピーダンスの高くなるエミッタフォ
ロアトランジスタQ4 のエミッタに接続されているの
で、出力端子に付加される負荷容量を充電するための電
流はほとんどPNPトランジスタQ9 から供給される
こととなり、これにより、高論理レベルを出力する端子
の出力インーダンスを等価的に低減することかできる。
Therefore, in this embodiment, as in the above embodiments, the collector of the PNP transistor Q9 in the conductive state is connected to the emitter of the emitter follower transistor Q4, which has a high output impedance. Most of the current for charging the load capacitance is supplied from the PNP transistor Q9, and as a result, the output impedance of the terminal that outputs a high logic level can be equivalently reduced.

【0037】なお、以上の実施例ではエミッタ側の電源
VEEをスイッチング段の電源VEE1 及びエミッタ
フォロア段の電源VEE2に分離している場合を示した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、両者を接
続して同一の電位を与えるような構成としてもよい。
In the above embodiment, the emitter side power supply VEE is separated into the switching stage power supply VEE1 and the emitter follower stage power supply VEE2, but the present invention is not limited to this. , a configuration may be adopted in which both are connected and the same potential is applied.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、出力
エミッタフォロアトランジスタと並列にPNPトランジ
スタを新たに接続し、該PNPトランジスタの各々のコ
レクタを互いに相反する出力端子に接続する構成とし、
それぞれのベースが接続されているノード電位の高低に
従い非導通及び導通状態に切り替わることによって、導
通状態にあるPNPトランジスタのコレクタが出力イン
ピーダンスの高くなるエミッタフォロアトランジスタの
エミッタ(高論理レベルVH を出力している)に接続
されることになり、出力端子に付加される負荷容量を充
電するための電流はほとんどPNPトランジスタから供
給されるので、消費電力を増大させることなく高論理レ
ベルを出力する端子の出力インピーダンスを等価的に低
減することができるという効果がある。
As described above, according to the present invention, a PNP transistor is newly connected in parallel with the output emitter follower transistor, and the collectors of each of the PNP transistors are connected to mutually opposite output terminals.
By switching between non-conducting and conducting states according to the level of the node potential to which each base is connected, the collector of the PNP transistor in the conducting state becomes the emitter of the emitter-follower transistor (which outputs a high logic level VH) with a high output impedance. Since most of the current for charging the load capacitance added to the output terminal is supplied from the PNP transistor, it is possible to connect the terminal to output a high logic level without increasing power consumption. This has the effect that the output impedance can be equivalently reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例によるエミッタ結合論理
回路装置の回路構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of an emitter-coupled logic circuit device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例によるエミッタ結合論理
回路装置の回路構成を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a circuit configuration of an emitter-coupled logic circuit device according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3の実施例によるエミッタ結合論理
回路装置の回路構成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a circuit configuration of an emitter-coupled logic circuit device according to a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第4の実施例によるエミッタ結合論理
回路装置の回路構成を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration of an emitter-coupled logic circuit device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】従来のエミッタ結合論理回路装置の回路構成を
示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a circuit configuration of a conventional emitter-coupled logic circuit device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Q1 ,Q2       入力トランジスタQ3  
           レファレンストランジスタQ4
 ,Q5       第1,第2のエミッタフォロア
トランジスタ(第1,第2の出力用トランジスタ)CS
1          スイッチング電流供給用電流源
(第1の電流源) Q6 ,Q7       エミッタフォロア電流切替
用トランジスタ(第1,第2のトランジスタ) CS2          エミッタフォロア電流供給
用電流源(第2の電流源) Q8 ,Q9       出力インピーダンス低減用
トランジスタ(第1,第2のPNPトランジスタ)I1
 ,I2       入力端子
Q1, Q2 Input transistor Q3
Reference transistor Q4
, Q5 first and second emitter follower transistors (first and second output transistors) CS
1 Current source for switching current supply (first current source) Q6, Q7 Transistor for emitter follower current switching (first, second transistor) CS2 Current source for emitter follower current supply (second current source) Q8, Q9 Output impedance reduction transistor (first and second PNP transistor) I1
, I2 input terminal

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  ベースがそれぞれの入力信号端子に接
続され、コレクタ及びエミッタがそれぞれ共通接続され
た少なくとも1個の入力トランジスタと、ベースに第1
の基準電位が印加され、エミッタが上記入力トランジス
タの共通エミッタと結合されたレファレンストランジス
タと、上記入力トランジスタの共通コレクタと第1の電
源間に接続された第1の抵抗性素子と、上記レファレン
ストランジスタのコレクタと上記第1の電源間に接続さ
れた第2の抵抗性素子と、上記共通エミッタと第2の電
源間に接続された第1の電流源と、ベースが上記共通コ
レクタにコレクタが上記第1の電源に、エミッタが第1
の出力端子に接続された第1の出力用トランジスタと、
ベースが上記レファレンストランジスタのコレクタに、
コレクタが上記第1の電源に、エミッタが第2の出力端
子に接続された第2の出力用トランジスタと、ベースが
上記共通エミッタに、コレクタが上記第1の出力端子に
、エミッタが第2の電流源を介して上記第2の電源に接
続された第1のトランジスタと、ベースが第2の基準電
位に、コレクタが上記第2の出力端子に、エミッタが上
記第2の電流源を介して上記第2の電源に接続された第
2のトランジスタと、エミッタが上記第1の電源に、ベ
ースが上記第1の出力用トランジスタのベースに、コレ
クタが上記第2の出力端子に接続された上記第1の出力
トランジスタとは導電機構が相補関係にある第3のトラ
ンジスタと、エミッタが上記第1の電源に、ベースが上
記第2の出力用トランジスタのベースに、コレクタが上
記第1の出力端子に接続された上記第2の出力トランジ
スタとは導電機構が相補関係にある第4のトランジスタ
とを備えたことを特徴とするエミッタ結合論理回路装置
1. At least one input transistor, the base of which is connected to each input signal terminal, the collector and the emitter of which are each commonly connected;
a reference transistor to which a reference potential of is applied and whose emitter is coupled to a common emitter of the input transistor; a first resistive element connected between the common collector of the input transistor and a first power supply; a second resistive element connected between the collector of and the first power source; a first current source connected between the common emitter and the second power source; The emitter is connected to the first power supply.
a first output transistor connected to the output terminal of the
The base is the collector of the above reference transistor,
a second output transistor having a collector connected to the first power supply, an emitter connected to a second output terminal, a base connected to the common emitter, a collector connected to the first output terminal, and an emitter connected to the second output terminal; a first transistor connected to the second power source via a current source; a base connected to the second reference potential; a collector connected to the second output terminal; and an emitter connected to the second power source via the second current source. a second transistor connected to the second power supply; an emitter connected to the first power supply; a base connected to the base of the first output transistor; and a collector connected to the second output terminal. A third transistor whose conductive mechanism is complementary to the first output transistor, whose emitter is connected to the first power supply, whose base is connected to the base of the second output transistor, and whose collector is connected to the first output terminal. An emitter-coupled logic circuit device comprising: a fourth transistor whose conductive mechanism is complementary to the second output transistor connected to the emitter-coupled logic circuit device.
【請求項2】  ベースがそれぞれの入力信号端子に接
続され、コレクタ及びエミッタがそれぞれ共通接続され
た少なくとも1個の入力トランジスタと、ベースに第1
の基準電位が印加され、エミッタが上記入力トランジス
タの共通エミッタと結合されたレファレンストランジス
タと、上記入力トランジスタの共通コレクタと第1の電
源間に接続された第1の抵抗性素子と、上記レファレン
ストランジスタのコレクタと上記第1の電源間に接続さ
れた第2の抵抗性素子と、上記共通エミッタと第2の電
源間に接続された第1の電流源と、ベースが上記共通コ
レクタに、コレクタが上記第1の電源に、エミッタが出
力端子に接続された出力用トランジスタと、ベースが上
記共通エミッタに、コレクタが上記出力端子に、エミッ
タが第2の電流源を介して上記第2の電源に接続された
第1のトランジスタと、ベースが第2の基準電位に、コ
レクタが上記第1の電源に、エミッタが上記第2の電流
源を介して上記第2の電源に接続された第2のトランジ
スタと、エミッタが上記第1の電源に、ベースが上記レ
ファレンストランジスタのコレクタに、コレクタが上記
出力端子に接続された上記出力用トランジスタとは導電
機構が相補関係にあるトランジスタとを備えたことを特
徴とするエミッタ結合論理回路装置。
2. At least one input transistor, the base of which is connected to each input signal terminal, the collector and the emitter of which are each commonly connected;
a reference transistor to which a reference potential of is applied and whose emitter is coupled to a common emitter of the input transistor; a first resistive element connected between the common collector of the input transistor and a first power supply; a second resistive element connected between the collector of and the first power source; a first current source connected between the common emitter and the second power source; a base connected to the common collector; an output transistor whose emitter is connected to the output terminal to the first power supply, whose base is connected to the common emitter, whose collector is connected to the output terminal, and whose emitter is connected to the second power supply via a second current source. a first transistor connected, and a second transistor having a base connected to a second reference potential, a collector connected to the first power supply, and an emitter connected to the second power supply via the second current source. The transistor includes a transistor whose conductive mechanism is complementary to the output transistor whose emitter is connected to the first power supply, whose base is connected to the collector of the reference transistor, and whose collector is connected to the output terminal. Emitter-coupled logic circuit device featuring features.
【請求項3】  ベースがそれぞれの入力信号端子に接
続され、コレクタ及びエミッタがそれぞれ共通接続され
た少なくとも1個の入力トランジスタと、ベースに第1
の基準電位が印加され、エミッタが上記入力トランジス
タの共通エミッタと結合されたレファレンストランジス
タと、上記入力トランジスタの共通コレクタと第1の電
源間に接続された第1の抵抗性素子と、上記レファレン
ストランジスタのコレクタと上記第1の電源間に接続さ
れた第2の抵抗性素子と、上記共通エミッタと第2の電
源間に接続された第1の電流源と、ベースが上記レファ
レンストランジスタのコレクタに、コレクタが上記第1
の電源に、エミッタが出力端子に接続された出力用トラ
ンジスタと、ベースが上記共通エミッタに、コレクタが
上記第1の電源に、エミッタが第2の電流源を介して上
記第2の電源に接続された第1のトランジスタと、ベー
スが第2の基準電位に、コレクタが上記出力端子に、エ
ミッタが上記第2の電流源を介して上記第2の電源に接
続された第2のトランジスタと、エミッタが上記第1の
電源に、ベースが上記入力トランジスタの共通コレクタ
に、コレクタが上記出力端子に接続された上記出力用ト
ランジスタとは導電機構が相補関係にあるトランジスタ
とを備えたことを特徴とするエミッタ結合論理回路装置
3. At least one input transistor having a base connected to each input signal terminal and having a collector and an emitter connected in common;
a reference transistor to which a reference potential of is applied and whose emitter is coupled to a common emitter of the input transistor; a first resistive element connected between the common collector of the input transistor and a first power supply; a second resistive element connected between the collector of the reference transistor and the first power source, a first current source connected between the common emitter and the second power source, and a base of which is connected to the collector of the reference transistor; The collector is the first
an output transistor whose emitter is connected to the output terminal, a base connected to the common emitter, a collector connected to the first power source, and an emitter connected to the second power source via a second current source. a second transistor having a base connected to a second reference potential, a collector connected to the output terminal, and an emitter connected to the second power supply via the second current source; A transistor having an emitter connected to the first power supply, a base connected to a common collector of the input transistor, and a collector connected to the output terminal, the transistor having a complementary conduction mechanism to the output transistor. emitter-coupled logic circuit device.
【請求項4】  ベースがそれぞれの入力信号端子に接
続され、コレクタ及びエミッタがそれぞれ共通接続され
た少なくとも1個の入力トランジスタと、ベースに第1
の基準電位が印加され、エミッタが上記入力トランジス
タの共通エミッタと結合されたレファレンストランジス
タと、上記入力トランジスタの共通コレクタと第1の電
源間に接続された第1の抵抗性素子と、上記レファレン
ストランジスタのコレクタと上記第1の電源間に接続さ
れた第2の抵抗性素子と、上記共通エミッタと第2の電
源間に接続された第1の電流源と、ベースが上記入力ト
ランジスタの共通コレクタに、コレクタが上記第1の電
源に、エミッタが出力端子に接続された出力用トランジ
スタと、ベースが上記共通エミッタに、コレクタが上記
出力端子に、エミッタが第2の電流源を介して上記第2
の電源に接続されたトランジスタと、エミッタが上記第
1の電源に、ベースが上記レファレンストランジスタの
コレクタに、コレクタが上記出力端子に接続された上記
出力用トランジスタとは導電機構が相補関係にあるトラ
ンジスタとを備えたことを特徴とするエミッタ結合論理
回路装置。
4. At least one input transistor, the base of which is connected to each input signal terminal, the collector and the emitter of which are each commonly connected;
a reference transistor to which a reference potential of is applied and whose emitter is coupled to a common emitter of the input transistor; a first resistive element connected between the common collector of the input transistor and a first power supply; a second resistive element connected between the collector of the input transistor and the first power source, a first current source connected between the common emitter and the second power source, and a base connected to the common collector of the input transistor. , an output transistor having a collector connected to the first power supply, an emitter connected to the output terminal, a base connected to the common emitter, a collector connected to the output terminal, and an emitter connected to the second current source through the second current source.
The transistor connected to the power supply of the reference transistor and the output transistor whose emitter is connected to the first power supply, whose base is connected to the collector of the reference transistor, and whose collector is connected to the output terminal are complementary in conduction mechanism. An emitter-coupled logic circuit device comprising:
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5602498A (en) * 1994-03-15 1997-02-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Current switching logic type circuit with small current consumption

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5602498A (en) * 1994-03-15 1997-02-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Current switching logic type circuit with small current consumption
US5754062A (en) * 1994-03-15 1998-05-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Current switching logic type circuit with small current consumption

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