JPS59213152A - 半導体素子冷却構造 - Google Patents

半導体素子冷却構造

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Publication number
JPS59213152A
JPS59213152A JP8791683A JP8791683A JPS59213152A JP S59213152 A JPS59213152 A JP S59213152A JP 8791683 A JP8791683 A JP 8791683A JP 8791683 A JP8791683 A JP 8791683A JP S59213152 A JPS59213152 A JP S59213152A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat sink
connection
semiconductor element
cooling
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP8791683A
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English (en)
Inventor
Mitsuhiko Nakada
仲田 光彦
Shigeru Tomizawa
富沢 茂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS59213152A publication Critical patent/JPS59213152A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 fat  発明の技耐分野 本発明は半導体素子のヒートシンクによる冷却構造に関
する。
(b)  技術の背景 近年、半導体素子はプリント板に装着するに当たり、該
素子の交換を容易にするため、該素子の接続ビンを直接
プリント基板に装着せず、プリント基板に定着させた接
続ソケットに該接続ビンを挿着する方法が広く用いられ
ている。然し乍ら、上述のごとく接続ソケットを介して
プリント基板に装着される半導体素子が高電力を扱い冷
却を必要とする場合は、接続ソケットがあるが故に冷却
構造が更に上積みされ該素子周辺に広い空間が必要とな
シミ子機器の小形化を阻害しかつ冷却効率も悪いという
問題があった。
(C1従来技術と問題点 第1図に従来技術を斜視図にて示す。第1図に於て1は
半導体素子、1−1は半導体素子1の接続ビンにて該接
続ビンは半導体素子1の対向する側面(第1図には図示
せず)にもあり、これら接続ビンはプリント基板3に定
着された合成樹脂で成壓された接続ソケット2−1及び
2−2に挿着される。2−3は接続ソケット2−1及び
2−2をプリント板3に定着するに必要な補強部材であ
る。
半導体素子1が高電力素子の場合冷却性能向上を必要と
し、半導体素子1の上面に図示のごとく熱伝導度の大き
い部材より成るヒートシンク4を添着する。
したがって第1図から分かるごとく、従来技術であると
半導体素子1を冷却するために該素子の上面にヒートシ
ンク4を添着しかつヒートシンク4の上側にも空気の流
通や上側プリント基板5との接触を避けるための空間が
必要であり半導体素子1を装着するプリント基板3とそ
の上側のプリン)l板5とのピッチHを大きくとる必要
があり、電子機器を小形化する点で大きな問題があった
また、上述のごとき従来構造であるとヒートシンクを無
暗に大きくできず、半導体素子1の冷却効率も悪く改良
が望まれてきた。
(d)  発明の目的 上述の問題点に鑑み、本発明は半導体素子の接続ンケ、
トとヒートシンクを一体構造とし、1個或は複数個の冷
却を必要とする半導体素子をスペース7アクタ良くプリ
ント基板に装着できるよう改良し、電子機器において電
子部材の実装密度を向上させかつ保守性を良くシ、半導
体素子の冷却効率も改善することを目的とする。
(e)  発明の構成 本発明は半導体素子の対向せる側面に在る接続ビンを挿
着せしめる接続ソケットが半導体素子冷却用ヒートシン
クを挟持する一体構造を構成するものであり、該一体構
造の半導体素子冷却構造体をプリント基板に定着するこ
とにより、半導体素子を接続ソケットを介して容易に挿
着できるとともに該半導体素子の下面をヒートシンクに
接触させてヒートシンクに容易に載設でき、ヒートシン
クは接続ソケットの中間にあって空間を有効に利用し上
述の目的を達成することができるものである。
(f)  発明の実施例 本発明の実施例を第2図、第3図及び第4図に示す。
第2図は複数の半導体素子を対象とする半導体素子冷却
構造の実施例を斜視図にて示したものである。第2図に
示すととくヒートシンク6は1対の接続ソケット2−1
及び2−2に挟まれ所用数のねじ2−3にて確実に止め
られヒートシンクと接続ソケットは一体構造となってプ
リント基板3の上に定着されている。半導体素子1はヒ
ートシンク6の設けられているくぼみ6−1の内側に熱
伝導を良くするため熱伝導性コンパウンドを塗付されて
矢印Sの方向に装着されるが、半導体素子1の接続ピン
1−1は接続ソケットの孔2−4に挿着される。ヒート
シンク6は熱伝導率の大きい金属材料を使用している。
ヒートシンク6には伝熱面積を拡大するための冷却フィ
ン6−2が設けられておシ必要によって外部よりファン
によシ強制空冷もできる構造になっている。またヒート
シンク6の内部には数本のパイプ構造6−3を設けるこ
ともでき、必要によっては該パイプ構造6−3に冷媒を
流し強制液冷をすることもできる。
第3図は半導体素子1個を冷却する実施例を斜視図に示
したものであシ、第3図に示す半導体冷却構造は第2図
に示す複数の半導体素子冷却構造の1個の半導体チップ
を切シ取シ使用する構造である。したがって第3図の各
番号は第2図と同様であり、その機能も同じである。
第4図(alは第3図のA−大断面図にて、■−2は半
導体素子1の内部にある半導体チップを示し、1−4は
接続ピン1−1と半導体チップi−2を接続する接続線
を示す。6−4はヒートシンク6を接続ソケット2−1
(第4図ia)には図示しない)及び2−2にて機械的
に結合するねじ(第2図及び3図の2−3)のねじ孔で
あり、3−1は接続ソケット2−2をプリント基板3に
定着せしめるだめのねじであり、6二2は冷却フィンで
ある。
尚、6−5は半導体素子をヒートシンク6に載着する場
合に両者間の接触を良くするために使用する熱伝導性コ
ンパウンドである。
第4図(b)は第3図のB−IB断面図にて半導体素子
1は熱伝導性コンパウンド6−5を介してヒートシンク
6のくぼみ6−1に載着され、接続ビン1−1は接続ソ
ケット2−1の孔2−4を挿通してばね構造のコネクタ
接触子6−6に挿着される。
コネクタ接触子6−6の基部の引出線はプリント基板3
を貫通してプリント基板裏面にてプリント基板配線に3
−2に示すごとくはんだ付けされる。
1−2は半導体チップ、l−4は該チップ1−2と接続
ピン1−1を接続する接続線を示す。
(g)  発明の効果 本発明により、半導体素子の接続ソケットとヒートシン
クが一体構造になったため半導体素子が容易に交換でき
て保守性が良い。半導体素子をヒートシンクに載設する
という従来と逆な組立構造になったためコンパクト構造
になりプリント基板間のピッチが小さくでき電子機器の
小形化に効果がある。冷却効率が良くなるため、高密度
な半導体素子の実装が可能となシ、電子部品の高密度実
装に有効である。半導体素子の発熱量に合わせて自然冷
却、強制空冷、強制液冷等、冷却構造を変えずに対応で
き、適用に対し7レクシピリテイに富む。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来技術の半導体素子冷却構造(斜視図)であ
シ、第2図は本発明による半導体素子冷却構造の実施例
のうち複数の半導体素子を対象とした構造(斜視図)を
示し、第3図は1個の半導体素子を対象とした構造(斜
視図)を示し、第4図は本発明による半導体素子冷却構
造の実施例の断面図を示したもので第4図(a)は第3
図のA−入断面図を示し、第4図(b)は第3図のB−
13断面図を示す。 全図を通じ、1は半導体素子、2−1及び2−2は接続
ソケット、3はプリント板、4は従来技術のヒートシン
ク、5は上側のプリント基板、6は本発明実施例のヒー
トシンクを示す。 □l::j’、、、j、i:j、” =峯 1 区 約2町 −1 ¥−3酊

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 対向する側面にそれぞれ複数個の接続ビンを有し、該接
    続ビンを該接続ビンが着脱可能な1対の接続ソケットに
    挿着し、該側面に隣接する上面に冷却用ヒートシンクを
    添着する半導体素子の冷却構造に於て、該ヒートシンク
    を該1対の接続ソケットで挟持してヒートシンクとソケ
    ットを一体構造にし、1個或は複数個の半導体素子の該
    接続ビンを該ソケットに挿着すると共に該半導体素子の
    下面を該ヒートシンクに添着することを特徴とする半導
    体素子冷却構造。
JP8791683A 1983-05-19 1983-05-19 半導体素子冷却構造 Pending JPS59213152A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8791683A JPS59213152A (ja) 1983-05-19 1983-05-19 半導体素子冷却構造

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JP8791683A JPS59213152A (ja) 1983-05-19 1983-05-19 半導体素子冷却構造

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59213152A true JPS59213152A (ja) 1984-12-03

Family

ID=13928241

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8791683A Pending JPS59213152A (ja) 1983-05-19 1983-05-19 半導体素子冷却構造

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