JPS59212010A - Gata quantizing device - Google Patents

Gata quantizing device

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JPS59212010A
JPS59212010A JP9390384A JP9390384A JPS59212010A JP S59212010 A JPS59212010 A JP S59212010A JP 9390384 A JP9390384 A JP 9390384A JP 9390384 A JP9390384 A JP 9390384A JP S59212010 A JPS59212010 A JP S59212010A
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JP
Japan
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transistors
pair
quantization device
output signal
emitter
Prior art date
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Application number
JP9390384A
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Japanese (ja)
Inventor
ロバ−ト・マ−ク・パスキ
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AT&T Corp
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Western Electric Co Inc
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Filing date
Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/603Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors with coupled emitters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
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    • H03K17/30Modifications for providing a predetermined threshold before switching
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/01Shaping pulses
    • H03K5/12Shaping pulses by steepening leading or trailing edges

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
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  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はデータ量子化装置に関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to a data quantization device.

従来技術にあっては、量子化装置は受信したディジタル
信号が予め定められた閾値レベル以上か以下かを決定す
る。典型例ではエミッタ結合トランジスタ対を含む比較
器回路が量子化装置として使用される。遅延フリップ・
フロップとタンデム接続されたこのような量子化装置は
ディジタル伝送システムにおいて判定回路として使用さ
れる。遅延フリップ・フロップは11〃出力を発生する
ためにその入力信号の振幅が予め定められた閾値レベル
以上であることを要求する。該フリップフロップはまた
%01出力を発生するためには入力信号の振幅が他の閾
値レベル以下であることを要求する。2つの閾値レベル
間の差はダイナミック感度と呼ばれる。
In the prior art, a quantizer determines whether a received digital signal is above or below a predetermined threshold level. Typically, a comparator circuit comprising an emitter-coupled transistor pair is used as a quantizer. delay flip
Such quantizers connected in tandem with flops are used as decision circuits in digital transmission systems. A delay flip-flop requires the amplitude of its input signal to be above a predetermined threshold level in order to produce an 11. output. The flip-flop also requires the input signal amplitude to be below another threshold level in order to produce a %01 output. The difference between the two threshold levels is called dynamic sensitivity.

典型例ではエミッタ結合トランジスタ対を含む比較器は
遅延フリップ・フロップに入力信号を供給する量子化装
置として使用される。
A comparator, typically comprising an emitter-coupled transistor pair, is used as a quantizer to provide an input signal to a delay flip-flop.

このような量子化装置が典型的々遅延フリップ・フロッ
プと共に使用されるとき、量子化装置の利得は極めて小
さいためダイナミック感度を受容し得るレベルまで下げ
ることが出来ない。従来技術のこのような回路の利得は
典型例では10〜20のレンジにある。
When such quantizers are typically used with delay flip-flops, the gain of the quantizer is so small that the dynamic sensitivity cannot be reduced to an acceptable level. The gains of such circuits of the prior art are typically in the 10-20 range.

本発明に従い、データ量子化装置はその動作特性の非飽
和領域中にバイアスされ、入力信号に応動して量子化さ
れた出力信号を発生する第1のエミッタ結合トランジス
タ対と、その動作特性の非飽和領域中にバイアスされ、
量子化された出力信号に応動して強化された量子化を受
けた出力信号を発生する第2のエミッタ結合トランジス
タ対を含んでいる。
In accordance with the present invention, a data quantizer includes a first pair of emitter-coupled transistors biased in the non-saturation region of its operating characteristics to produce a quantized output signal in response to an input signal; biased into the saturation region,
A second pair of emitter-coupled transistors is responsive to the quantized output signal to generate an enhanced quantized output signal.

モノリシック集積化されたデータ量子化回路は複数個の
縦続接続されたエミッタ結合トランジスタ対を含んでい
る。各々の対は同じ電導型のトランジスタを使用してい
る。逆の電導型のトランジスタが隣接対で使用されてい
る。利得は従来技術の量子化装置よりも犬であり、従っ
て秀れた振幅弁別を行なうことが出来る。
The monolithically integrated data quantization circuit includes a plurality of cascaded emitter-coupled transistor pairs. Each pair uses transistors of the same conductivity type. Transistors of opposite conductivity types are used in adjacent pairs. The gain is much higher than prior art quantizers and therefore provides excellent amplitude discrimination.

以下本発明を付図を参照して説明する。The present invention will be explained below with reference to the accompanying drawings.

第1図を参照すると、データ量子化回路10が示されて
いる。量子化回路は2対のエミッタ結合バイポーラ・ト
ランジスタを含んでいる。NPN トランジスタの入力
対12および13はそのエミッタ間の導線により相互接
続されている。共通エミッタ回路抵抗15はトランジス
タ12および13のエミッタ間の導線と負極性バイアス
電圧源14を相互接続している。抵抗15およびバイア
ス源14は抵抗15を流れる一定のエミッタ電流■。
Referring to FIG. 1, a data quantization circuit 10 is shown. The quantizer circuit includes two pairs of emitter-coupled bipolar transistors. The NPN transistor input pair 12 and 13 are interconnected by a conductor between their emitters. A common emitter circuit resistor 15 interconnects a conductor between the emitters of transistors 12 and 13 and a negative polarity bias voltage source 14. Resistor 15 and bias source 14 cause a constant emitter current to flow through resistor 15.

の値を決定する。Determine the value of

ベース入力抵抗18および19はトランジスタ12およ
び13の夫々のベース電極と地気20の間に接続されて
いる。抵抗18および19はトランジスタ12および1
3にベース・バイアス電流を流す経路を提供すると共に
抵抗性入力終端を提供する。
Base input resistors 18 and 19 are connected between the base electrodes of transistors 12 and 13, respectively, and ground 20. Resistors 18 and 19 are connected to transistors 12 and 1
3 provides a path for base bias current and provides a resistive input termination.

2つの入力信号は回路10に対して平衡状態で加えられ
る。入力信号は静止電圧に関して正および負電極のスイ
ングを行なう。2つの入力信号が平衡状態で加えられる
とき、1つの入力はトランジスタ12のベース電極の端
子22に接続されている。補元入力はトランジスタ13
のベース電極の端子23に接続されている。
Two input signals are applied to circuit 10 in a balanced manner. The input signal swings the positive and negative electrodes with respect to the quiescent voltage. When the two input signals are applied in equilibrium, one input is connected to terminal 22 of the base electrode of transistor 12. Complementary input is transistor 13
is connected to the terminal 23 of the base electrode.

あるいは入力信号を回路10に対しシングル・エンデッ
ド状態で加えることも出来る。
Alternatively, the input signal can be applied to circuit 10 in a single-ended manner.

例えばシングル・エンデッド入力信号が端子22に加え
られるならば、端子23は浮いた状態にある。
For example, if a single-ended input signal is applied to terminal 22, terminal 23 will be in a floating state.

一連のダイオード21および1対の負荷装置、例えば抵
抗25および26が正極性コレクタ・バイアス電圧源2
8と夫々のトランジスタ12および13のコレクタ電極
の間に接続されている。
A series of diodes 21 and a pair of load devices, such as resistors 25 and 26, connect the positive collector bias voltage source 2
8 and the collector electrodes of the respective transistors 12 and 13.

電圧源14および28の電圧および抵抗15.25およ
び26の値はトランジスタ12および13が決して飽和
状態で動作することが力いように選択される。飽和を回
避することにより、速い動作速度が可能となる。
The voltages of voltage sources 14 and 28 and the values of resistors 15, 25 and 26 are chosen to ensure that transistors 12 and 13 never operate in saturation. By avoiding saturation, high operating speeds are possible.

また入力トランジスタ対12および13からの出力信号
の振幅は以下で述べる出力トランジスタ対の降伏電圧以
下であることが必要である。
It is also necessary that the amplitude of the output signal from the input transistor pair 12 and 13 be less than or equal to the breakdown voltage of the output transistor pair described below.

動作時にあっては、印加された入力信号に応動してトラ
ンジスタ12および13の一方はより導通するようバイ
アスされ、他方はより非導通状態となる。この動作は次
式で表現することが出来る。
In operation, one of transistors 12 and 13 is biased to become more conductive and the other becomes more non-conductive in response to an applied input signal. This operation can be expressed by the following equation.

■。■.

但しここでII2はトランジスタ12の流す電流、v、
!−ts  は端子22を基準とする端子22と23の
間の入力信号電圧、qは電子の電荷、kはポルツマンの
定数、Tは絶対温度である。
However, here II2 is the current flowing through the transistor 12, v,
! -ts is the input signal voltage between terminals 22 and 23 with respect to terminal 22, q is the electron charge, k is Portzmann's constant, and T is the absolute temperature.

同様の式がトランジスタ13に対しても成立する。A similar equation holds true for transistor 13 as well.

正極性の入力信号が入力端子22に加えられ、その補元
信号が入力端子23に加えられると、トランジスタ12
はより導通し、トランジスタ13はより非導通となる。
When a positive input signal is applied to the input terminal 22 and its complementary signal is applied to the input terminal 23, the transistor 12
becomes more conductive, and transistor 13 becomes more non-conductive.

電流工。Electrician.

の半分以上がトランジスタ12のコレクタ・エミツタ路
を通して流れる。電流I、の半分以下がトランジスタ1
3のコレクタ・エミッタを通して流れる。
flows through the collector-emitter path of transistor 12. Less than half of the current I is in transistor 1
Flows through the collector-emitter of 3.

第2図を参照すると、水平軸に沿ったカッコ内に示すよ
うに端子23を基準として入力端子23と22の間に加
えられる入力信号電圧30の動作特性曲線24が示され
ている。
Referring to FIG. 2, there is shown an operating characteristic curve 24 for an input signal voltage 30 applied between input terminals 23 and 22 with respect to terminal 23 as shown in parentheses along the horizontal axis.

垂直軸に沿ったカッコ内に示すように端子32を基準と
して端子32と33の間に出力信号電圧31が発生され
る。出力信号31は入力信号30を増幅したものである
An output signal voltage 31 is generated between terminals 32 and 33 with respect to terminal 32 as shown in parentheses along the vertical axis. Output signal 31 is an amplified version of input signal 30.

動作特性曲線24は数学的には次式で示される。The operating characteristic curve 24 is mathematically expressed by the following equation.

(2) ここでVS2−1!l はノード32を基準とするノー
ド32と33の間の出力信号であり、V23−22  
は端子23を基準とする入力端子22および230間の
入力信号電圧であシ、RL、 = R2L+、 = R
,6である0第2図の動作特性は小信号に対する第1図
の回路の単−人力段および従来技術の量子化回路の両方
の動作特性を表わしている。利得は曲線24の傾きによ
り表わされ、典型例では小信号の場合10〜20のレン
ジである。
(2) VS2-1 here! l is the output signal between nodes 32 and 33 with node 32 as the reference, and V23-22
is the input signal voltage between input terminals 22 and 230 with respect to terminal 23, RL, = R2L+, = R
. The gain is represented by the slope of curve 24 and is typically in the range of 10-20 for small signals.

出力信号31に見られるように、信号振幅が制限されて
いるため振幅弁別はほとんど出来ない。振幅弁別とは2
つの入力信号の相対振幅の関数である振幅を有する出力
信号を発生する過程を言う。
As seen in the output signal 31, since the signal amplitude is limited, amplitude discrimination is almost impossible. What is amplitude discrimination?2
Refers to the process of generating an output signal whose amplitude is a function of the relative amplitudes of two input signals.

2つのPNPt−ランジスタ42および43はそのエミ
ッタで相互接続されている。共通エミッタ抵抗45は電
圧源28とトランジスタ42および43のエミッタの間
に接続されている。抵抗45およびバイアス源28は抵
抗45を流れる一定のエミツク電流I2の値を決定する
The two PNPt transistors 42 and 43 are interconnected at their emitters. A common emitter resistor 45 is connected between voltage source 28 and the emitters of transistors 42 and 43. Resistor 45 and bias source 28 determine the value of the constant emitter current I2 flowing through resistor 45.

入力対トランジスタ12および13からノード32およ
び33の間に発生される信号31の如き出力信号はトラ
ンジスタ42および43のベース入力電極に夫々直接加
えられる。
Output signals, such as signal 31, generated between nodes 32 and 33 from input pair transistors 12 and 13 are applied directly to the base input electrodes of transistors 42 and 43, respectively.

抵抗48および49の如き負荷装置はトランジスタ42
および43のコレクタと地気20の間に夫々接続されて
いる。
Load devices such as resistors 48 and 49 are connected to transistor 42.
and 43 and the ground air 20, respectively.

電圧源28の電圧および抵抗25.26.45.48お
よび49の値はトランジスタ42および43が飽和せず
に動作することを保証するよう選択される。トランジス
タ42および43をこの領域で動作させることにより、
該トランジスタは飽和しないため極めて速く動作し得る
。出力電圧の大きさは後続デバイスの降伏電圧以下であ
る。
The voltage of voltage source 28 and the values of resistors 25, 26, 45, 48 and 49 are selected to ensure that transistors 42 and 43 operate without saturation. By operating transistors 42 and 43 in this region,
Since the transistor does not saturate, it can operate extremely fast. The magnitude of the output voltage is less than or equal to the breakdown voltage of the subsequent device.

動作期間中、ノード32と33の間の信号に応動して、
トランジスタ42および43の1方は電流■2の半分以
上を流し、他方は半分以下しか流さないようバイアスさ
れる。前述の例に従い、ノード32と33の間の信号振
幅によりトランジスタ42および43は迅速に非線形動
作状態に入る。
During operation, in response to a signal between nodes 32 and 33,
One of the transistors 42 and 43 is biased so that more than half of the current 2 flows, and the other is biased so that less than half of the current 2 flows. In accordance with the previous example, the signal amplitude between nodes 32 and 33 quickly causes transistors 42 and 43 to enter a nonlinear operating state.

第3図に示すように、トランジスタ42および43の動
作特性曲線50は非線形である。
As shown in FIG. 3, the operating characteristic curve 50 of transistors 42 and 43 is nonlinear.

出力トランジスタ対に対する入力信号37は水平軸に沿
ったカッコ内に示すように端子33を基準とするノード
33および32の間の信号である。
The input signal 37 to the output transistor pair is the signal between nodes 33 and 32 with respect to terminal 33 as shown in parentheses along the horizontal axis.

第3図に示すように、量子化された出力電圧信号51は
第1図の回路の出力端子52および53に生じる。ここ
で出力端子52および53は夫々トランジスタ42およ
び43のコレクタに接続されている。実質的に量子化さ
れた電圧波形51は出力端子52および53の間に現わ
れる。この電圧は垂直軸に沿ったカッコ内に示すように
端子52を基準としている。
As shown in FIG. 3, a quantized output voltage signal 51 appears at output terminals 52 and 53 of the circuit of FIG. Here, output terminals 52 and 53 are connected to the collectors of transistors 42 and 43, respectively. A substantially quantized voltage waveform 51 appears between output terminals 52 and 53. This voltage is referenced to terminal 52 as shown in parentheses along the vertical axis.

動作特性曲線50は次式で表わされる。The operating characteristic curve 50 is expressed by the following equation.

VS2−53−RL・ ’(1vss−32゜9/kT
)(3)l+e ここでVS2−43は端子52を基準とする出力端子5
2と53の間の出力信号電圧であり、V33−31!は
ノード33を基準とするノード32と33の間の入力信
号電圧であり、RL2−R48,= R40である。
VS2-53-RL・'(1vss-32°9/kT
)(3)l+e Here, VS2-43 is the output terminal 5 with the terminal 52 as the reference.
The output signal voltage is between 2 and 53, and V33-31! is the input signal voltage between nodes 32 and 33 with respect to node 33, and RL2-R48,=R40.

第3図の動作特性曲線50は第1図の回路の単一出力段
の動作特性曲線を表わしている。
Operating characteristic curve 50 of FIG. 3 represents the operating characteristic curve of a single output stage of the circuit of FIG.

利得は曲線50の傾きにより表わされる。Gain is represented by the slope of curve 50.

ノード33および32の間に現われる信号は端子23お
よび22の間に加えられた入力信号30を増幅したもの
であるので、出力信号51は量子化されることにより増
強される。
Since the signal appearing between nodes 33 and 32 is an amplified version of input signal 30 applied between terminals 23 and 22, output signal 51 is enhanced by being quantized.

出力信号51の速い立上り時間および大きな振幅により
秀れた振幅弁別能力と該信号に応動するよう接続される
遅延フリップ・フロップの閾値間のダイナミック感度領
域を迅速に通過することが保証される。
The fast rise time and large amplitude of the output signal 51 ensure excellent amplitude discrimination ability and rapid passage through the dynamic sensitivity range between the thresholds of the delay flip-flops connected in response to the signal.

第4図に示すように、2段、即ちエミッタ結合トランジ
スタ対を複数(第1図参照)含む量子化装置10の動作
特性54は従来技術で使用される単一段の量子化装置の
動作特性55と比較されている。2段の量子化装置の利
得は従来技術の単一段の量子化装置の利得より犬である
。2段の量子化装置の動作の結果として、より良い振幅
弁別が生じ、より速い立上り時間の出力パルスが出力端
子52および53に得られる。これら強化された出力パ
ルスは2段の量子化装置を使用する判定回路の動作速度
および特性を単一段の量子化装置と比べて改善する。
As shown in FIG. 4, the operating characteristics 54 of the quantizer 10 including two stages, ie, a plurality of emitter-coupled transistor pairs (see FIG. 1), are the operating characteristics 55 of a single-stage quantizer used in the prior art. It is compared with. The gain of a two-stage quantizer is a dog above the gain of a prior art single-stage quantizer. As a result of the operation of the two-stage quantizer, better amplitude discrimination occurs and faster rise time output pulses are obtained at output terminals 52 and 53. These enhanced output pulses improve the operating speed and performance of a decision circuit using a two-stage quantizer compared to a single-stage quantizer.

入カニミッタ結合対トランジスタ12および13はNP
Nトランジスタであり、出カニミッタ結合対トランジス
タ42および43はPNP )ランジスタであるので、
これらエミッタ対間でレベル・シフトを行なう必要はな
い。動作速度はこのようなレベル・シフトを回避するこ
とにより高速度状態に保持される。
Input limiter coupling pair transistors 12 and 13 are NP
Since the output capacitor coupling pair transistors 42 and 43 are PNP transistors,
There is no need for level shifting between these emitter pairs. Operating speeds are maintained at high speeds by avoiding such level shifts.

量子化装置10を集積回路として製造すると有利である
。マイクロ波周波数領域の周波数で動作し得るモノリシ
ック集積回路として逆の電導型のトランジスタを製造す
るプロセスは周知である。回路を形成するのに使用し得
る1つのプロセスはダブリュー・イー・ビードル(W、
 E、 Beadle ) 、ニス・エフ・モイヤ(S
、 F、 Moyer )およびニー・ニー・イヤノウ
ロス(んA、 Yiannoulos )  の1集積
化された相補垂直トランジスタ“(Integrate
dComplementary Vertical T
ransistors )と題する現在は放棄された1
976年2月17日付の米国特許願第658.586号
中に述べられている。回路を形成するのに使用し得る他
のプロセスとして前述のプロセスをわずかに変更したプ
ロセスがある。この変更されたプロセスはデー・シー・
ロス(D、G、Roas )の1982年1月7日付の
米国特許願第337、707号中に述べられている。
It is advantageous if the quantization device 10 is manufactured as an integrated circuit. Processes for manufacturing transistors of opposite conductivity type as monolithic integrated circuits capable of operating at frequencies in the microwave frequency range are well known. One process that can be used to form circuits is W.E. Beadle (W,
E, Beadle), Niss F. Moya (S.
, F. Moyer) and Ni-Ni Yiannoulos (N. A., Yiannoulos).
dComplementary Vertical T
The now abandoned 1
No. 658,586, filed Feb. 17, 976. Other processes that may be used to form the circuit include slight modifications of the processes described above. This modified process
No. 337,707, filed January 7, 1982, by D.G. Roas.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は量子化回路の様式図、第2図は第1図の回路の
単−人力段の入出力応答特性、第3図は第1図の回路の
出力段の入出力応答特性、第4図は第1図の2段量子化
回路と単一段量子化回路の動作特性曲線を比較して示す
図である。 〔主要部分の符号の説明〕 特許請求の範囲        符 号データ量子化装
置     10 第1のエミッタ結合 トランジスタ対      12.13第2のエミッタ
結合 トランジスタ対      42.43(15) 羽 53−
Figure 1 is a style diagram of the quantization circuit, Figure 2 is the input/output response characteristic of the single-manual stage of the circuit in Figure 1, and Figure 3 is the input/output response characteristic of the output stage of the circuit in Figure 1. FIG. 4 is a diagram showing a comparison of operating characteristic curves of the two-stage quantization circuit shown in FIG. 1 and the single-stage quantization circuit. [Explanation of symbols of main parts] Claims Code Code data quantization device 10 First emitter-coupled transistor pair 12.13 Second emitter-coupled transistor pair 42.43 (15) Feather 53-

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、 その動作特性が非飽和領域中にバイアスされ、入
力信号に応動して量子化された出力信号令発生する第1
のエミッタ結合トランジスタ対と、その動作特性が非飽
和領域中にバイアスされ、量子化された出力信号に応動
して強化された量子化を受けた出力信号を発生する第2
のエミッタ結合トランジスタ対を含むことを特徴とする
データ量子化装置。 2、特許請求の範囲第1項記載の量子化装置において、
トランジスタの第1の対は第1の電導性の型を有し、ト
ランジスタの第2の対は第2の電導性の型を有すること
を特徴とする量子化装置。 3、 特許請求の範囲第2項記載の量子化装置において
、トランジスタの第1の対はレベル・シフト回路を設け
ることかく第2のトランジスタ対と直接相互接続されて
いる量子化装置。 4、特許請求の範囲第1項乃至第3項のいずれかに記載
の量子化装置において、前記第1および第2のトランジ
スタ対はバイポーラ・トランジスタであることを特徴と
する量子化装置。 5、特許請求の範囲第1項乃至第4項のいずれかに記載
の量子化装置において、前記第1および第2のトランジ
スタ対はモノリシック集積回路として製造されることを
特徴とする量子化装置。 6、特許請求の範囲第1項乃至第5項のいずれかに記載
の量子化装置において、前記第1および第2のトランジ
スタ対はマイクロ波周波数領域の周波数で動作するよう
作られていることを特徴とする量子化装置。 7、特許請求の範囲第1項乃至第6項のいずれかに記載
の量子化装置において、出力信号は極めて高い利得を有
することを特徴とする量子化装置。
[Claims] 1. A first device whose operating characteristics are biased into the non-saturation region and which generates a quantized output signal in response to an input signal.
a second emitter-coupled transistor pair whose operating characteristics are biased into the non-saturation region and responsive to the quantized output signal to generate an enhanced quantized output signal.
A data quantization device comprising: a pair of emitter-coupled transistors. 2. In the quantization device according to claim 1,
A quantization device characterized in that the first pair of transistors has a first conductivity type and the second pair of transistors has a second conductivity type. 3. A quantizer according to claim 2, wherein the first pair of transistors is directly interconnected with the second pair of transistors by providing a level shifting circuit. 4. The quantization device according to any one of claims 1 to 3, wherein the first and second transistor pairs are bipolar transistors. 5. A quantization device according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the first and second transistor pairs are manufactured as a monolithic integrated circuit. 6. In the quantization device according to any one of claims 1 to 5, the first and second transistor pairs are made to operate at a frequency in the microwave frequency range. Characteristic quantization device. 7. The quantization device according to any one of claims 1 to 6, wherein the output signal has an extremely high gain.
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