JPS592113B2 - Magnetic bubble memory control method - Google Patents

Magnetic bubble memory control method

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JPS592113B2
JPS592113B2 JP13992679A JP13992679A JPS592113B2 JP S592113 B2 JPS592113 B2 JP S592113B2 JP 13992679 A JP13992679 A JP 13992679A JP 13992679 A JP13992679 A JP 13992679A JP S592113 B2 JPS592113 B2 JP S592113B2
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JP
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control
information
magnetic bubble
command
read
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JP13992679A
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武志 伊藤
健 増田
純男 古川
宣夫 天野
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Hitachi Ltd
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Hitachi Ltd
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気バブルメモリの制御方式に関し、特に磁
気バブルメモリに対する情報書き込みの制御方法に関す
るものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a control method for a magnetic bubble memory, and particularly to a method for controlling information writing to a magnetic bubble memory.

情報処理装置からのファイル記憶装置に対する情報の読
み出し(リード)、書き込み(ライト)のための先頭ア
ドレスを指定する方法としては次の2通りに大別される
Methods for specifying the start address for reading and writing information from an information processing device to a file storage device can be broadly classified into the following two methods.

すなわち、第1の方法は、まず上位処理装置がファイル
記憶装置の読み出しあるいは書き込みすべき先頭アドレ
スを送出する指令をファイル記憶装置に与え、次に読み
出しあるいは書き込み指令を送出すると、ファイル記憶
装置では予め受信した先頭アドレスから読み出しあるい
は書き込み動作を実行する方法であるo第2の方法は、
まず上位処理装置がファイル記憶装置に対し検索情報を
送出する指令を与え、次に読み出しあるいは書き込み指
令を送出すると、ファイル記憶装置では予め受信した検
索情報に基いて記憶情報の検索を開始し、検索情報と記
憶情報との間の指令により指定された特定条件を検出す
ると読み出しあるいは書き込み動作を実行する方法であ
る。ここで、ファイル記憶装置として磁気バブルメモリ
を使用する場合には、一般的に第1の方法が用いられて
いる。
That is, in the first method, the higher-level processing unit first gives a command to the file storage device to send the start address to read or write to the file storage device, and then when it sends the read or write command, the file storage device The second method is to execute a read or write operation from the received start address.
First, the higher-level processing device gives a command to send search information to the file storage device, and then sends a read or write command, and the file storage device starts searching for stored information based on the search information received in advance. This method executes a read or write operation when a specific condition specified by a command between information and stored information is detected. Here, when using a magnetic bubble memory as a file storage device, the first method is generally used.

すなわち、磁気バブルメモリ内の先頭アドレスと読み出
しあるいは書き込み指令により、まず先頭アドレス情報
に基いてマイナループから情報をメジヤループに転送す
るトランスファアウト制御を行ない、しかる後に先頭ア
ドレスに対応する情報をメジヤループから読み取るリー
ドセンス制御あるいはメジヤループに書き込むライトジ
エネレート制御を行なう。またその後、メジヤループか
ら情報をマイナループに戻すトランスファイン制御等を
行なう方法を用いている。これらの制御は先頭アドレス
情報に基いて実行されるが、その場合各制御のための制
御情報を制御メモリに格納し、その制御情報を逐次読み
出し更新しながら一連の制御を行なう構成をとつている
。さて、このような磁気バブルメモリの制御方式におい
て、上記第2の方法のような検索情報に基いて読み出し
あるいは書き込み動作を実行する機能を追加しようとす
ると、次のような問題が生ずる。すなわち、現在一般に
使用されている磁気バブルメモリでは、そのチツプの構
造上読み出しゲートと書き込みゲートの物理的な位置が
異なるため、例えば書き込み動作を実行する場合、検索
情報と記憶情報との間に特定条件が成立したときの時刻
を検出し、さらにそのときの記憶領域が読み出しゲート
から書き込みゲートへ移動し、書き込み動作を開始する
までの時間を監視する回路が必要となることである。こ
のような回路は、主に特定条件が成立したときに計数を
開始し、読み出しゲートから書き込みゲートへ記憶領域
が移動するまでの時間を計数するカウンタとそのカウン
タを制御する制御回路が必要となり、機能追力目による
金物増加が多く、経済性を損うという問題がある。また
、読み出し動作から書き込み動作に移るため、それらの
動作変更を行なうための制御手段も必要になり、リード
、ライト各々の制御回路の変更も多大となる等の問題が
ある。本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなく
し、経済的でかつ制御の簡単な磁気バブルメモリ制御方
式を提供するにある。
That is, based on the start address in the magnetic bubble memory and a read or write command, transfer out control is performed to transfer information from the minor loop to the major loop based on the start address information, and then read control is performed to read information corresponding to the start address from the major loop. Performs sense control or write generation rate control for writing to the major loop. After that, a method is used in which transfer control or the like is performed to return information from the major loop to the minor loop. These controls are executed based on the start address information, but in this case, the control information for each control is stored in a control memory, and the control information is sequentially read and updated while performing a series of controls. . Now, in such a magnetic bubble memory control method, when an attempt is made to add a function of executing a read or write operation based on search information as in the second method described above, the following problem occurs. In other words, in the magnetic bubble memory currently in common use, the physical positions of the read gate and write gate are different due to the structure of the chip. A circuit is required to detect the time when the condition is satisfied, and further monitor the time from when the storage area moves from the read gate to the write gate to when the write operation starts. Such a circuit mainly requires a counter that starts counting when a specific condition is met and counts the time until the storage area moves from the read gate to the write gate, and a control circuit that controls the counter. There is a problem that many hardware items are increasing due to the pursuit of functionality, which impairs economic efficiency. Further, since the read operation is shifted to the write operation, control means for changing these operations is also required, and there are problems such as requiring a large amount of changes to each control circuit for read and write. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks of the prior art and to provide a magnetic bubble memory control system that is economical and easy to control.

この目的のため、本発明では、磁気バブルメモリを制御
するための各種制御情報を格納する手段、磁気バブルメ
モリからの読み取り情報の内容を検索し、特定条件を判
定する手段、およびこの判定手段の出力情報に基いて前
記格納手段の制御情報を書き換える手段を設け、ある特
定の指令時に前記格納手段の読み取り制御情報にて磁気
バブルメモリから情報を読み取り、この読み取り内容か
ら前記判定手段にて特定条件が成立したときに前記格納
手段の制御情報を前記書換手段により特定条件に基づく
制御情報に書き換えるようにしたものである。
For this purpose, the present invention provides a means for storing various control information for controlling the magnetic bubble memory, a means for searching the contents of information read from the magnetic bubble memory and determining a specific condition, and a means for determining a specific condition. Means for rewriting the control information of the storage means based on the output information is provided, information is read from the magnetic bubble memory using the read control information of the storage means at the time of a specific command, and based on the read content, the determination means determines a specific condition. The control information stored in the storage means is rewritten by the rewriting means into control information based on a specific condition when the above is established.

以下、本発明を図に従つて詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.

第1図は本発明による制御方式の1実施例を示す図であ
り、第2図は磁気バブルメモリのステツプ数を説明する
ためのメモリチツプの概略図、第3図はステツプ数に対
する制御動作を示すタイムチヤートである。第1図にお
いて、100は指令レジスタ、101はデータレジスタ
、102は指令デコーダ、103は制御情報発生回路、
104は制御メモリ、105はタイミング発生回路、1
06はライトドライバ 107は周辺制御回路、108
は磁気バブルメモリ、109はリードセンサ、110は
特定条件判定回路、200,201はゲート群、301
〜318は信号線である。また第2図において、401
はマイナループ、402はメジヤループ、403はセン
サ、404はジエネレータであり、G,h,k,l,m
,n,pはそれぞれステツプ数を示す0以下、書き込み
動作を例にとつて動作を説明する。まず、上位処理装置
からの起動命令と共に、磁気バブルメモリ108内の位
置を示すアドレス指示コマンドが入力線301を経て指
令レジスタ100にセツトされる。
FIG. 1 is a diagram showing one embodiment of the control method according to the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram of a memory chip for explaining the number of steps in a magnetic bubble memory, and FIG. 3 is a diagram showing control operations for the number of steps. It is a time chart. In FIG. 1, 100 is a command register, 101 is a data register, 102 is a command decoder, 103 is a control information generation circuit,
104 is a control memory, 105 is a timing generation circuit, 1
06 is a write driver, 107 is a peripheral control circuit, 108
1 is a magnetic bubble memory, 109 is a lead sensor, 110 is a specific condition determination circuit, 200 and 201 are gate groups, 301
-318 are signal lines. Also, in Figure 2, 401
is a minor loop, 402 is a major loop, 403 is a sensor, 404 is a generator, and G, h, k, l, m
, n, and p are each less than or equal to 0 and indicate the number of steps.The operation will be explained using a write operation as an example. First, an address instruction command indicating a position in the magnetic bubble memory 108 is set in the command register 100 via the input line 301 along with a startup command from the host processing device.

それと同時に、アドレスデータが入力線302を経てデ
ータレジスタ101にセツトされる。指令レジスタ10
0にセツトされたコマンドは出力線303を介して指令
デコーダ102により出力線305に信号を生起し、ゲ
ート群201のゲートを開く。一方、データレジスタ1
01にセツトされたアドレス情報は出力線304を介し
てゲート群201に入力され、信号線308を経て制御
情報発生回路103に入力される。なお、ここでゲート
群201は1ビツト分のみ示してあるが、通常は複数個
のゲートにより構成される。ゲート群200についても
同様である。さて、アドレス情報を受信した制御情報発
生回路103は、そのアドレス情報に応じて制御情報を
作成し、出力線309を経て制御メモリ104にその制
御情報を書き込む。例えば、このときのアドレス指示コ
マンドにより受信したアドレス情報が第2図に示すA点
のアドレスを指定するものとすると、制御情報発生回路
103は、まずA点からトランスフアアウト(TOut
)までのステツプ数/を制御メモj月04に書き込んで
おく。同時に情報Zがトランスフアアウトのための情報
であることを示すために状態情報としてゝゝO″を書き
込んでおく。続いて、上位処理装置から磁気バブルメモ
リ108の特定条件データを読み取るための特定コマン
ドを指令レジスタ100にて受信すると共に、指定する
特定条件データをデータレジスタ101にて受信する。
At the same time, address data is set in data register 101 via input line 302. Command register 10
A command set to 0 causes a signal on output line 305 by command decoder 102 via output line 303 to open the gate of gate group 201. On the other hand, data register 1
The address information set to 01 is input to the gate group 201 via the output line 304, and is input to the control information generation circuit 103 via the signal line 308. Although only one bit of gate group 201 is shown here, it is usually composed of a plurality of gates. The same applies to the gate group 200. Now, the control information generation circuit 103 that has received the address information creates control information according to the address information, and writes the control information into the control memory 104 via the output line 309. For example, if the address information received by the address instruction command at this time specifies the address of point A shown in FIG.
Write the number of steps / up to ) in the control memo J month 04. At the same time, "O" is written as status information to indicate that the information Z is information for transfer out.Subsequently, a specification for reading specific condition data of the magnetic bubble memory 108 from the upper processing unit is written. A command is received by the command register 100, and specified specific condition data is received by the data register 101.

このときの指令レジスタ100の出力はデコーダ102
によりデコーダ出力線307に生起され、データレジス
タ101に格納された特定条件データがゲート群200
を介して特定条件判定回路110に転送される。同時に
デコーダ出力線307は制御情報発生回路103を起動
し、特定条件に伴う制御情報を制御メモリ104に書き
込むようにする。次に、上位処理装置から動作指定コマ
ンドとして書き込み動作指定のライトコマンドを指令レ
ジスタ100にて受信すると共にライトデータをデータ
レジスタ101に受信する。
The output of the command register 100 at this time is the decoder 102
The specific condition data generated on the decoder output line 307 and stored in the data register 101 is sent to the gate group 200.
The data is transferred to the specific condition determination circuit 110 via. At the same time, the decoder output line 307 activates the control information generation circuit 103 to write control information associated with a specific condition into the control memory 104. Next, the command register 100 receives a write command specifying a write operation as an operation specifying command from the host processing device, and the data register 101 receives write data.

これにより指令デコーダ102の出力線306に信号を
生起し、この信号に基いて、先のアドレス指示コマンド
により作成された制御情報を格納している制御メモリ1
04より制御情報を読み出し、周辺制御回路107によ
り磁気バブルメモリ108の制御を実行する。同時に、
図示されていないカウンタを起動する。一方、このとき
の動作指定コマンドはライトコマンドであるが、先行す
るコマンドが特定コマンド即ち検索を要求するコマンド
であるため、制御情報発生回路103には擬似的にリー
ドコマンドの信号を送出しておく。さて、第3図に示す
ように磁気バブルメモリ108が1駆動(ST)され、
制御メモリ104に書き込まれている制御情報、すなわ
ちステツプ数XZl′と状態晴報ゞO″が読み出される
と、まずステツプ数ゞl″と各ステツプごとに歩進する
図示されていないカウンタの値との一致をみる。
This generates a signal on the output line 306 of the command decoder 102, and based on this signal, the control memory 1 storing the control information created by the previous address instruction command
The control information is read from 04, and the peripheral control circuit 107 executes control of the magnetic bubble memory 108. at the same time,
Activate a counter not shown. On the other hand, the operation designation command at this time is a write command, but since the preceding command is a specific command, that is, a command requesting a search, a pseudo read command signal is sent to the control information generation circuit 103. . Now, as shown in FIG. 3, the magnetic bubble memory 108 is driven 1 (ST),
When the control information written in the control memory 104, that is, the number of steps XZl' and the status report O'', is read out, the number of steps XZl' and the value of a counter (not shown) that increments at each step are first read out. See the match.

そして、一致が検出されると、状態情報XO〃により磁
気バブルメモリ108に対し、トランスフアアウト(T
Out)信号を送出する。これにより第2図のA,B点
を含むデータ群がマイナループ401よりメジヤループ
402に移る。トランスフアアウトが実行されると、検
索を要求する特定コマンドにより動作指定コマンドが擬
似的にリードであるため、制御情報発生回路103によ
り制御メモリ104内の制御情報としてのステツプ数は
マイナループ上のA点からセンサ403までのステツプ
数ゞl+m+n″に書き換えられる。また、この情報が
転送開始タイミングであることを示すために状態情報が
ゞ0″から11″に書き換えられるO同様にして、制御
メモリ104から読み出されたステツプ数を示す制御情
報ゞZ+m+n//とステツプ数を計数するカウンタの
値が一致すると、即ち第2図におけるA点の情報がセン
サ403まで到達すると、リードセンサ109により磁
気バブルメモI川08内のA点の情報を含むデータが信
号線315を介してリード(R)される。
When a match is detected, transfer out (T
Out) signal is sent. As a result, the data group including points A and B in FIG. 2 is transferred from the minor loop 401 to the major loop 402. When transfer out is executed, the operation designation command is pseudo-read by the specific command requesting the search, so the control information generation circuit 103 sets the number of steps as control information in the control memory 104 to A on the minor loop. The number of steps from the point to the sensor 403 is rewritten as ``l+m+n''. Also, in order to indicate that this information is the transfer start timing, the status information is rewritten from ``0'' to 11''. In the same manner, the control memory 104 When the control information Z+m+n// indicating the number of steps read out matches the value of the counter that counts the number of steps, that is, when the information at point A in FIG. Data including information on point A in I river 08 is read (R) via signal line 315.

また、このときの制御メモリ104内の制御情報はゞl
+G7(gはメジヤループ402上を1回転するステツ
プ数)、即ちマイナループ401におけるA点の情報が
メジヤループ402上を1回転してトランスフアイン(
Tln)するまでのステツプ数に書き換えられ、状態情
報はゞ1″からトランスフアインタイミングを示すゞ2
′5に書き換えられる。一方、リードセンサ109によ
りリードされたデータは、信号線316を介して特定条
件判定回路110に転速される。この判定回路110は
先の特定コマンドにより転送された特定条件データとリ
ードセンサ109により転送されたデータとの一致をと
り、一致を検出すると、出力線317を介して制御情報
発生回路103を起動する。起動された制御情報発生回
路103は、一致検出されたデータがジエネレータ40
4に到達するまでの間に、制御メモI月04内の制御情
報をX一致検出された時点のステツプ数(カウンタの値
)+p′/に書き換える。例えば、第2図のA点の情報
がセンサ403にて読み取られてからkステツプ後に一
致が検出されたとすると、即ちB点の情報であつたとす
ると、ゞZ+m+n+k+p″に書き換えられる。また
同時に、状態情報がトランスフアインタイミングを示す
ゞ27から転送開始タイミングを示す八1″に書き換え
られる。この制御を行なうことにより、一致検出、すな
わち特定条件が判定された時刻からタイミングp後に再
び図示されていないカウンタの値と制御メモリ104の
内容が一致し、その時点から周辺制御回路107を起動
する。
Also, the control information in the control memory 104 at this time is
+G7 (g is the number of steps in one rotation on the major loop 402), that is, the information of point A in the minor loop 401 is transferred in one rotation on the major loop 402 (
Tln), and the status information changes from ``1'' to ``2'' indicating the transfer timing.
'5. On the other hand, data read by the read sensor 109 is transferred to the specific condition determination circuit 110 via the signal line 316. This determination circuit 110 checks the match between the specific condition data transferred by the previous specific command and the data transferred by the read sensor 109, and when a match is detected, activates the control information generation circuit 103 via the output line 317. . The activated control information generation circuit 103 outputs the detected data to the generator 40.
4, the control information in the control memo I month 04 is rewritten to the number of steps (counter value)+p'/ at the time when the X match is detected. For example, if a match is detected k steps after the information at point A in FIG. The information is rewritten from ゜27 indicating the transfer timing to 81'' indicating the transfer start timing. By performing this control, the value of the counter (not shown) and the content of the control memory 104 match again after timing p from the time when the specific condition was determined, and the peripheral control circuit 107 is activated from that point on. .

また、タイミング発生回路105のタイミングを基にラ
イトドライバ106を起動し、データレジスタ101に
セツトされている書き込みデータを磁気バブルメモリ1
08に書き込む(W)。転送開始タイミング(ライトタ
イミング)に至つた後には、再び制御メモリ104の内
容をトランスフアイン(Tin)するまでのステツプ数
ゞZ+g″に、また状態情報をゞ11からゞ2″に書き
換える0さらに、トランスフアインタイミングに至ると
、制御メモI川04の内容を停止するまでのステツプ数
Sg+H2(hはマイナループ401上を1回転するス
テツプ数)に、また状態情報をX2〃からX3〃に書き
換える。
Also, the write driver 106 is started based on the timing of the timing generation circuit 105, and the write data set in the data register 101 is transferred to the magnetic bubble memory 1.
Write to 08 (W). After reaching the transfer start timing (write timing), the number of steps until the content of the control memory 104 is transferred (Tin) again is ゞZ+g'', and the status information is rewritten from ゜11 to も2''. When the transfer timing is reached, the contents of the control memo I river 04 are rewritten to the number of steps Sg+H2 (h is the number of steps for one rotation on the minor loop 401) and the status information is rewritten from X2 to X3.

ストツプタイミングに至ると、制御動作は終了し、磁気
バブルメモI川08の駆動を停止(SP)する。なお、
以上の説明においてタイミングの監視は、バブルの回転
と同期して歩進する図示されていないカウンタと、この
カウンタの値と制御メモリ104内のステツプ数を示す
制御情報の一致を検出する回路により実行される。以上
、3回目のコマンドである動作指定コマンドとして、ラ
イトコマンドの場合について述べたが、このときのコマ
ンドがリードコマンドである場合には、制御メモ1川0
4の制御情報をライト動作のための制御情報に書き換え
ず、特定条件データのリード動作に継続する形に前もつ
て構成しておく。
When the stop timing is reached, the control operation is completed and the drive of the magnetic bubble memo I river 08 is stopped (SP). In addition,
In the above explanation, timing monitoring is performed by a counter (not shown) that advances in synchronization with the rotation of the bubble, and a circuit that detects a match between the value of this counter and control information indicating the number of steps in the control memory 104. be done. Above, we have described the case where the third command, the operation specification command, is a write command, but if the command at this time is a read command, the control memo 1 river 0
The control information of No. 4 is configured in advance so that it continues with the read operation of specific condition data without being rewritten into control information for the write operation.

以上詳細に説明したように、本発明によれば、磁気バブ
ルメモリに対する特定の1指令時に制御回路を制御メモ
リ内の情報に依存することとしたため、制御メモリ内に
格納される制御情報を書き換えることにより簡単に機能
変更が可能となる。
As explained in detail above, according to the present invention, since the control circuit is made to depend on the information in the control memory at the time of one specific command to the magnetic bubble memory, the control information stored in the control memory cannot be rewritten. This allows for easy function changes.

また、検索機能を実現するための専用金物が極くわずか
で済み、読み出しと書き込み時の制御を一体化した制御
回路とすることができる等、経済的でかつ制御の容易な
装置が実現できる。
In addition, only a small amount of dedicated hardware is required to implement the search function, and a control circuit that integrates control during reading and writing can be implemented, making it possible to realize an economical and easy-to-control device.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明による磁気バブルメモリ制御方式の1
実施例を示す図、第2図は磁気バブルメモリのステツプ
数を説明するためのメモリチツプの概略図、第3図はス
テツプ数に対する制御動作を示すタイムチヤートである
〇100・・・・・・指令レジスタ、101・・・・・
・データレジスタ、102・・・・・・指令デコーダ、
103・・・・・・制御情報発生回路、104・・・・
・・制御メモリ、105・・・・・・タイミング発生回
路、106・・・・・・ライトドライバ、107・・・
・・・周辺制御回路、108・・・・・・磁気バブルメ
モリ、109・・・・・・リードセンサ、110・・・
・・・特定条件判定回路、200,201・・・・・・
ゲート群、301〜318・・・・・・信号線、401
・・・・・・マイナループ、402・・・・・・メジヤ
ループ、403・・・・・・センサ、404・・・・・
・ジエネレータ、G,h,k,l,m,n,p・・・・
・・ステツプ数。
FIG. 1 shows one of the magnetic bubble memory control methods according to the present invention.
Figure 2 is a schematic diagram of a memory chip to explain the number of steps of the magnetic bubble memory, and Figure 3 is a time chart showing control operations for the number of steps. Register, 101...
・Data register, 102...command decoder,
103... Control information generation circuit, 104...
...Control memory, 105...Timing generation circuit, 106...Write driver, 107...
... Peripheral control circuit, 108 ... Magnetic bubble memory, 109 ... Read sensor, 110 ...
...Specific condition judgment circuit, 200, 201...
Gate group, 301-318...Signal line, 401
...minor loop, 402...major loop, 403...sensor, 404...
・Generator, G, h, k, l, m, n, p...
...Number of steps.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 磁気バブルメモリの制御装置において、磁気バブル
メモリを制御するための制御情報を格納する手段と、該
磁気バブルメモリから読み出される情報を検索し、特定
条件を判定する手段、および該判定手段の結果に基いて
前記格納手段の制御情報を変更する手段を設け、ある特
定の指令時に前記格納手段の制御情報により前記磁気バ
ブルメモリから情報を読み出し、この読み出された情報
から特定条件を前記判定手段にて判定すると、前記変更
手段により前記格納手段の制御情報を判定結果に基づく
制御情報に変更することを特徴とする磁気バブルメモリ
制御方式。
1. In a control device for a magnetic bubble memory, a means for storing control information for controlling the magnetic bubble memory, a means for searching information read from the magnetic bubble memory and determining a specific condition, and a result of the determination means. means for changing the control information of the storage means based on the control information of the storage means, reads information from the magnetic bubble memory according to the control information of the storage means at the time of a certain command, and determines a specific condition from the read information by the determination means. 1. A magnetic bubble memory control method, characterized in that when the determination is made, the change means changes the control information in the storage means to control information based on the determination result.
JP13992679A 1979-10-31 1979-10-31 Magnetic bubble memory control method Expired JPS592113B2 (en)

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