JPS59208917A - Photoelectric conversion amplifying circuit - Google Patents
Photoelectric conversion amplifying circuitInfo
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- JPS59208917A JPS59208917A JP58084329A JP8432983A JPS59208917A JP S59208917 A JPS59208917 A JP S59208917A JP 58084329 A JP58084329 A JP 58084329A JP 8432983 A JP8432983 A JP 8432983A JP S59208917 A JPS59208917 A JP S59208917A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、フォトダイオードの光発電電流(以下光電流
と略す)を増幅して出力電圧を得る光電変換増幅回路に
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a photoelectric conversion and amplification circuit that amplifies a photovoltaic current (hereinafter abbreviated as photocurrent) of a photodiode to obtain an output voltage.
一般にフォトダイオードによって光電変換された光電流
は、周囲外光など定常光によるものは数十ピコアンペア
から数マイクロアンペアの範囲で変化するため、対数圧
縮用のダイオードを用いて出力グイナミンクレンジを狭
めるとともに光電流が小さい場合にも良好な感度をもた
せるようにするのが普通である。ところが、前記定常光
として光が入力されている中にパルス状の光信号が混在
している場合、前記対数圧縮ダイオードを用いると、パ
ルス状の光信号も定常光に重畳して入力されるため、パ
ルス状の光信号を検出することが困難になり、対数圧縮
用のダイオードを用いることができない。このように従
来技術では、前記定常光によるグイナミソクレンジとパ
ルス状の光信号を検出するための増幅度の関係が相互に
関与するため、第1図に示す回路を用いざるを得ない状
況にある。第1図において、SPDはフォトダイオード
を、R1は光電流を電圧に変換する負荷抵抗を、Elば
フォトダイオードSPDにバイアスするための電源を、
C1はパルス状の光信号を検出するカノプリングコンデ
ンザを、OPは演算増幅器を、R2は負帰還用抵抗を、
R2は演算増幅器OPにバイアス電圧を与えるための電
源を、VcCは電源端子を、0は出力端子を、Eは接地
をそれぞれ表わしている。Generally, the photocurrent photoelectrically converted by a photodiode varies in the range of several tens of picoamperes to several microamperes due to ambient light such as ambient light, so a logarithmic compression diode is used to narrow the output range. At the same time, it is common to provide good sensitivity even when the photocurrent is small. However, if the light input as the stationary light contains a pulsed optical signal, if the logarithmic compression diode is used, the pulsed optical signal will also be input superimposed on the stationary light. , it becomes difficult to detect pulsed optical signals, and a diode for logarithmic compression cannot be used. In this way, in the conventional technology, the relationship between the range due to the steady light and the amplification degree for detecting the pulsed optical signal is related to each other, so the circuit shown in FIG. 1 has to be used. It is in. In Fig. 1, SPD is the photodiode, R1 is the load resistance that converts the photocurrent into voltage, and El is the power supply for biasing the photodiode SPD.
C1 is a canopling capacitor that detects a pulsed optical signal, OP is an operational amplifier, R2 is a negative feedback resistor,
R2 represents a power supply for applying a bias voltage to the operational amplifier OP, VcC represents a power supply terminal, 0 represents an output terminal, and E represents a ground.
第1図において、フォトダイオードSPDによって光電
変換された定常光に相当する光電流は、抵抗R1に流れ
て電圧変換され、電力消費される。In FIG. 1, a photocurrent corresponding to steady light photoelectrically converted by a photodiode SPD flows through a resistor R1, is converted into a voltage, and power is consumed.
一方パルス状の光信号に相当する光電流は、抵抗R1と
:IンデンザC1に分流して流れるため、演算増幅器0
1)の負帰還抵抗R2を通して演算増幅器01)の出力
Oに電圧増幅して得られる。On the other hand, since the photocurrent corresponding to the pulsed optical signal is shunted and flows through the resistor R1 and the indenzer C1, the operational amplifier 0
It is obtained by amplifying the voltage to the output O of the operational amplifier 01) through the negative feedback resistor R2 of 1).
このように第1図の回路では、検出すべきパルス状の光
電流が抵抗R1とコンデンサC1および抵抗R2に分流
して流れるため、抵抗R1に流れて電力消費されるパル
ス状の光電流分がロスとなること、抵抗R1に流れてい
る定常光に相当する光電流が電力消費される時に発生す
る雑音によりS/N比が低下すること、演算増幅器OP
は高入力インピーダンスで、かつ周波数特性の良いもの
を必要とするため多素子となることなどの欠点があった
。In this way, in the circuit shown in Figure 1, the pulsed photocurrent to be detected flows in a shunt manner through the resistor R1, capacitor C1, and resistor R2, so the pulsed photocurrent that flows through the resistor R1 and consumes power is loss, the S/N ratio decreases due to noise generated when the photocurrent corresponding to the steady light flowing through the resistor R1 is consumed, and the operational amplifier OP
Since it requires high input impedance and good frequency characteristics, it has drawbacks such as requiring a large number of elements.
本発明は上記のような従来の欠点を除去するためになさ
れたもので、2つのカレントミラーと1つの定電流源と
1つのトランジスタとを用いて回路を構成することによ
り、光電流をバイアス用の抵抗に流さないですむために
S/N比を改善でき、また従来回路に比し素子数が少な
くても済む等の多くの効果を有する光電変換増幅回路を
提供することを目的としている。The present invention was made in order to eliminate the above-mentioned drawbacks of the conventional technology, and by configuring a circuit using two current mirrors, one constant current source, and one transistor, the photocurrent can be used for biasing. It is an object of the present invention to provide a photoelectric conversion/amplification circuit which has many effects such as being able to improve the S/N ratio since the current does not need to be passed through the resistor, and requiring fewer elements than conventional circuits.
以下本発明の実施例を図を用いて説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第2図は本出願の第1の発明の一実施例を示し、同図に
おいて、SPDはフォトダイオード、Ql。FIG. 2 shows an embodiment of the first invention of the present application, in which SPD is a photodiode and Ql.
C2はカレントミラーを構成する第1.第2のPNP)
ランジスタであり、C2はベースとコレクタが接続され
、ダイオード機能を有している。Q3、C4はカレント
ミラーを構成する第3.第4のNPNトランジスタであ
り、C3はベースとコレクタが接続され、ダイオード機
能を有している。C2 is the first. second PNP)
It is a transistor, and C2 has a base and a collector connected, and has a diode function. Q3 and C4 are the third. C3 is a fourth NPN transistor, and has a base and a collector connected, and has a diode function.
C5は負帰還増幅用の第5のNPN I−ランジスタ、
IOは定電流源、Vccは電源端子、Eは接地端子であ
る。C5 is a fifth NPN I-transistor for negative feedback amplification;
IO is a constant current source, Vcc is a power supply terminal, and E is a ground terminal.
そして図中には出力端子を示していないが、この出力端
子は第1のカレントミラーを構成するトランジスタQl
、Q2と並列にトランジスタを接続してそのI・ランジ
スクから出力を取り出す、即ちトランジスタQl、Q2
とベース、エミッタを共通接続したトランジスタを設り
、このトランジスタのコレクタと接地間に抵抗を接続し
、該トランジスタのコレクタがら出力端子を取り出して
もよく、またトランジスタQ5のベースから直接出力を
取り出してもよく、さらに第3図に示すよ・うにトラン
ジスタQ5とベース、エミッタを共通接続したトランジ
スタQ6およびその出力負荷抵抗R5を設け、該トラン
ジスタQ6のコレクタがら出力を取り出してもよく、こ
の第3図に示すものが本出願の第2の発明(請求範囲第
2項)である。Although the output terminal is not shown in the figure, this output terminal is connected to the transistor Ql that constitutes the first current mirror.
, Q2 and connect a transistor in parallel to take out the output from the I.
A transistor may be provided whose base and emitter are commonly connected, a resistor may be connected between the collector of this transistor and ground, and the output terminal may be taken out from the collector of the transistor, or the output may be taken directly from the base of the transistor Q5. Furthermore, as shown in FIG. 3, a transistor Q6 whose base and emitter are commonly connected to the transistor Q5 and its output load resistor R5 may be provided, and the output may be taken out from the collector of the transistor Q6. This is the second invention (Claim 2) of the present application.
またこの第3図の抵抗R5は、第4図に示すようにこれ
を第2の定電流源■1で置き換えてもよく、これが本出
願の第3の発明(請求範囲第3項)でする場合、第3図
の回路のように出力負荷用に抵抗R5を用いると、電源
電圧変動による出力変動。Further, the resistor R5 in FIG. 3 may be replaced with a second constant current source 1 as shown in FIG. 4, and this is the third invention (claim 3) of the present application. In this case, if resistor R5 is used for the output load as in the circuit shown in Figure 3, the output will fluctuate due to power supply voltage fluctuations.
消費電力の増大、ICの専有面積の増大という問題が生
じるため、これを避けるために定電流源11を用いたも
のであり、この場合第2の定電流源11からの電流とト
ランジスタQ6のコレクタ電流との差が出力電流として
得られる。The constant current source 11 is used to avoid problems such as increased power consumption and increased IC occupied area. In this case, the current from the second constant current source 11 and the collector of the transistor Q6 are The difference from the current is obtained as the output current.
このような本出願の第1ないし第3の発明では、宇宙光
による光電流を第1図の従来回路におりるバイアス用の
抵抗R1に流さないですむためS/N比を大きく改善す
ることができ、かつ第1図のような演算増幅器を使用し
ないですむため素子数を大きく減少させることができる
。In the first to third inventions of the present application, it is possible to greatly improve the S/N ratio since the photocurrent caused by cosmic light does not need to flow through the bias resistor R1 in the conventional circuit shown in FIG. In addition, since it is not necessary to use an operational amplifier as shown in FIG. 1, the number of elements can be greatly reduced.
次に第5図は本出願の第4の発明(請求範囲第4項)の
−実施料を示し、図において、Ql、C2はカレントミ
ラーを構成する第1.第2のPNPトランジスタであり
、C2はベースとコレクタが接続され、ダイオード機能
を有している。C3゜C4はカレントミラーを構成する
第3.第4のNPN)ランジスタであり、C3はベース
とコレクタが接続され、ダイオード機能を有している。Next, FIG. 5 shows the license fee of the fourth invention (Claim 4) of the present application, and in the figure, Ql and C2 are the first . The second PNP transistor C2 has its base and collector connected and has a diode function. C3°C4 is the third. C3 is a fourth NPN) transistor whose base and collector are connected and has a diode function.
C5は負帰還増幅用の第5のNPN トランジスタ、R
3はトランジスタQ5のエミッタに接続された自己バイ
アス負荷用の第1の抵抗、C6は電流増幅用の第6のト
ランジスタ、R4はトランジスタQ6のエミッタに接続
された自己バイアス負荷用の第2の抵抗、C2はトラン
ジスタQ6のエミッタに接続されたバイパスコンデンサ
、R5は出力用負荷の第3の抵抗、R0は定電流源、V
ccは電源端子、0は出力端子、Eは接地端子である。C5 is the fifth NPN transistor for negative feedback amplification, R
3 is a first resistor for self-bias load connected to the emitter of transistor Q5, C6 is a sixth transistor for current amplification, and R4 is a second resistor for self-bias load connected to the emitter of transistor Q6. , C2 is a bypass capacitor connected to the emitter of transistor Q6, R5 is the third resistor of the output load, R0 is a constant current source, V
cc is a power supply terminal, 0 is an output terminal, and E is a ground terminal.
ここで定電流源IOは前記宇宙光に相当する光電流と、
パルス状の光信号に相当する光電流を加算して、予想さ
れる最大加算値よりも少し大きめの電流値に設定する。Here, the constant current source IO has a photocurrent corresponding to the cosmic light,
The photocurrents corresponding to the pulsed optical signals are added and set to a current value slightly larger than the expected maximum addition value.
さらに抵抗R3とR4は説明を簡単にするため同一抵抗
値として、その値は前記定電流源の電流値■0とR3(
=R4)の掛算値が、電源電圧Vccからトランジスタ
Q2のベース・エミッタ電圧Vbe (C2)と、トラ
ンジスタQ5が能動領域にあるときのコレクタ・エミッ
タ間最小電圧Vce(C5)とを引き算した値の範囲内
になるようR3とR4の抵抗値を設定する。またR5の
抵抗値は前記定電流源の電流値IOにR4の値を掛けて
得られる電圧値と、トランジスタQ6が能動領域にある
ときのコレクタ・エミッタ間の最小電圧値Vc4(C6
)とを加算して得られる電圧値を、電源電圧Vccより
引き算し、その結果前られる電圧値の範囲内に前記IO
とR5を掛算して得られる電圧値が入るようにR5の抵
抗値を設定する。C2の値はパルス状の光信号の周波数
を考慮して十分バイパスできる値に設定する。Furthermore, to simplify the explanation, resistors R3 and R4 are assumed to have the same resistance value, and their values are the current values of the constant current source ■0 and R3 (
= R4) is the value obtained by subtracting the base-emitter voltage Vbe (C2) of transistor Q2 from the power supply voltage Vcc and the minimum collector-emitter voltage Vce (C5) when transistor Q5 is in the active region. Set the resistance values of R3 and R4 so that they are within the range. The resistance value of R5 is the voltage value obtained by multiplying the current value IO of the constant current source by the value of R4, and the minimum voltage value Vc4 (C6
) is subtracted from the power supply voltage Vcc, and as a result, the IO
The resistance value of R5 is set so that the voltage value obtained by multiplying by R5 is included. The value of C2 is set to a value that allows sufficient bypass in consideration of the frequency of the pulsed optical signal.
次にこの回路の動作を発明する。Next, we will invent the operation of this circuit.
まず、フォトダイオードSPDに光入力がない場合につ
いては、前記定電流源の電流■0はトランジスクQ5お
よびQ6のヘ−スミ流となり、特にトランジスタQ5で
電流増幅され、トランジスタQl、Q2のカレントミラ
ーを介してトランジスタQ3とQ4のカレントミラーに
増幅電流が供給される。するとトランジスタQ4はその
コレクタ電圧が低くなり、トランジスタQ5およびQ6
のヘ−スミ流を抑制するように動作するため負帰還がか
かり、結果としてトランジスタQ5とQ6のコレクタ電
流は、はぼ前記定電流源の電流値と等しい■0なる値に
なり、安定する。そしてこの際I・ランジスタQ5とQ
6のエミッタにそれぞれ接続された抵抗R3とR4に電
圧が発生してトランジスタQ5.Q6の電流増幅率を低
下させる動作がなされている。First, when there is no optical input to the photodiode SPD, the current 0 of the constant current source becomes the Hoesmi current of the transistors Q5 and Q6, and the current is amplified by the transistor Q5, and the current mirror of the transistors Ql and Q2 is amplified. An amplified current is supplied to the current mirror of transistors Q3 and Q4 through the transistors Q3 and Q4. Then, the collector voltage of transistor Q4 becomes low, and transistors Q5 and Q6
Negative feedback is applied because the transistors operate to suppress the Hesumi current, and as a result, the collector currents of the transistors Q5 and Q6 become stable at a value of 0, which is approximately equal to the current value of the constant current source. At this time, I transistors Q5 and Q
A voltage is generated across resistors R3 and R4 respectively connected to the emitters of transistors Q5. An operation is performed to reduce the current amplification factor of Q6.
次にツメ1−ダイオードSPDに前記定常光に相当する
光電流1pが図示矢印の方向に流れると、その光電流!
pはトランジスタQ3のコレクタ電流が増加する方向に
流れると同時に、トランジスタQ5とQ6のベース電流
およびトランジスタQ4のコレクタ電流への供給電流が
光電流分だけ減少されるように作用するので結果として
トランジスタQ5とQ6へのベース電流は2倍の光電流
分だけ減少する方向に作用する。即ちこの場合の回路各
部の電流は第5図fa)に示ず住ようになる。しかしト
ランジスタQ5とQ6のエミッタには自己バイアス用の
負荷抵抗が作用しており、トランジスタQ5とQ6の電
流増幅率を低下させた状況下にあるため、出力電圧に大
きな変化は生じない。Next, when a photocurrent 1p corresponding to the steady light flows through the claw 1 diode SPD in the direction of the arrow shown in the figure, the photocurrent!
p flows in the direction in which the collector current of transistor Q3 increases, and at the same time acts so that the current supplied to the base currents of transistors Q5 and Q6 and the collector current of transistor Q4 is reduced by the photocurrent, and as a result, transistor Q5 The base current to Q6 acts in the direction of decreasing by twice the photocurrent. That is, the currents in each part of the circuit in this case are not shown in FIG. 5fa). However, since a self-bias load resistance acts on the emitters of the transistors Q5 and Q6, and the current amplification factors of the transistors Q5 and Q6 are reduced, no significant change occurs in the output voltage.
次にフォトダイオードSPDにパルス状の光信号に相当
する光電流tpが流れると、その光電流tp はトラン
ジスタQ3のコレクタ電流が増加する方向に流れると同
時に、トランジスタQ5とQ6のベース電流およびトラ
ンジスタQ4のコレツれ
少電流への供給電流が光電流分だけ減少さ廿るように作
用するので結果としてトランジスタQ5とQ6へのベー
ス電流は2倍の光電流分だけ減少する方向に作用する。Next, when a photocurrent tp corresponding to a pulsed optical signal flows through the photodiode SPD, the photocurrent tp flows in the direction of increasing the collector current of the transistor Q3, and at the same time increases the base current of the transistors Q5 and Q6 and the transistor Q4. As a result, the base currents to the transistors Q5 and Q6 are reduced by twice the photocurrent.
即ちこの場合の回路各部の交流分の電流は第5図(bl
に示すようになる。この時この光電流2ip はパルス
として与えられるためトランジスタQ6のベース電流と
してエミッタを介してバイパスコンデンサc2を通して
流れることができる。したがってトランジスタQ6は電
流増幅率が高い状態で動作するため、トランジスタなお
ここで重要なことは、抵抗R3とR4の抵抗値をできる
だり大きな値に設定して前記定電流源の電流10によっ
て十分な電圧降下をさせ、トランジスタQ5とQ6の各
エミッタ部の自己ハ゛イアス電圧を与えるようにしてl
・ランジスタQ5゜Q6の自己バイアス負帰還を十分与
えておくとともに、パルス状の光信号がフォトダイオー
ドsP[)に入力されたときにトランジスタQ3.Q4
のカレントミラーにより、フォトダイオードSPDに流
れるパルス的光電流の2倍の変化として得られるパルス
釣元電流変化が、トランジスタQ6のベース電流変化と
して十分流れるように、コンデンサC2の値を前記パル
ス釣元電流変化の周波数を考慮して設定することが必要
である。That is, the alternating current of each part of the circuit in this case is shown in Figure 5 (bl
It becomes as shown in . At this time, since this photocurrent 2ip is given as a pulse, it can flow as the base current of the transistor Q6 through the bypass capacitor c2 via the emitter. Therefore, since the transistor Q6 operates with a high current amplification factor, the important thing here is to set the resistance values of the resistors R3 and R4 as large as possible so that the current 10 of the constant current source is sufficient. By lowering the voltage and giving a self-bias voltage to each emitter of transistors Q5 and Q6,
- Sufficient self-bias negative feedback is provided to transistors Q5 and Q6, and when a pulsed optical signal is input to photodiode sP[), transistors Q3. Q4
The value of the capacitor C2 is adjusted so that the pulse current change obtained as a change twice the pulsed photocurrent flowing through the photodiode SPD flows through the current mirror as a change in the base current of the transistor Q6. It is necessary to set this by considering the frequency of current change.
このような本出願の第4の発明の光電変換増幅回路によ
れば、本出願の第1ないし第3の発明で得られたS/N
比の改善と、素子数の削減の2つの効果に加え、第1図
に示した従来のものと比較して検出すべきパルス状の光
電流を2倍の電流変化として直接取り出すこができるた
め、光電流分のロスを非常に少なくして後段の増幅回路
に送り込めるという効果が得られる。According to the photoelectric conversion amplifier circuit of the fourth invention of the present application, the S/N ratio obtained in the first to third inventions of the present application is
In addition to the two effects of improving the ratio and reducing the number of elements, the pulsed photocurrent to be detected can be directly extracted as a change in current that is twice as large as that of the conventional method shown in Figure 1. This has the effect that the photocurrent can be sent to the subsequent amplifier circuit with extremely reduced loss.
なお以上は本出願の第4の発明について説明したが、第
5図に本出願の第5の発明(請求範囲第の抵抗R5の代
わりに第2の定電流源IIを用いたものであり、この第
5の発明の従来に対する効果は第4の発明の場合とほと
んど同様である。Although the fourth invention of the present application has been described above, FIG. The effect of this fifth invention over the conventional art is almost the same as that of the fourth invention.
以上のようにこの発明によれば、2つのカレントミラー
と1つの定電流源と1つのトランジスタとを用いて光電
変換増幅回路を構成したので、バむためにS/N比を改
善てき、さらに演算増幅器を使用していないため素子数
が少な(て済み、さらに第5図あるいは第6図に示すよ
うに、トランジスタQ5.Q6に自己バイアス負荷用の
抵抗R3、R4を接続し、さらにC6にコンデンサを接
続することにより、検出すべきパルス状の光電流を2倍
の電流変化として直接取り出すことができ、パルス状の
光電流分が抵抗に流れることによるロスを少なくするこ
とができる。As described above, according to the present invention, since the photoelectric conversion amplifier circuit is constructed using two current mirrors, one constant current source, and one transistor, the S/N ratio can be improved to reduce noise, and the operational amplifier As shown in Figure 5 or Figure 6, resistors R3 and R4 for self-bias loads are connected to transistors Q5 and Q6, and a capacitor is connected to C6. By connecting them, the pulsed photocurrent to be detected can be directly extracted as a double current change, and the loss caused by the pulsed photocurrent flowing through the resistor can be reduced.
第2図(a)は定常光受光時の回路各部の定常電流の分
布を示す図、第2図fblはパルス状光受光時の回路各
部のパルス状電流の分布を示す図、第3図は本出願の第
2の発明の一実施例の回路図、第4図ば本出願の第3の
発明の一実施例の回路図、第5図は本出願の第4の発明
の一実施例の回路図、第6図は本出願の第5の発明の一
実施例の回路図である。
SPDはフォ1〜ダイオード、QlとC2はカレントミ
ラーを構成する第1.第2のPNP )ランジスタ、C
3とC4はカレントミラーを構成する第3.第4のNP
N )ランジスタ、■0は定電流源、C5は第5のNP
N )ランジスタ、C6は第6のNPN トランジスタ
、R3とR4は第1.第2の抵抗、C2はバイパスコン
デンザ、R5は第3の抵抗、rlは第2の定電流源であ
る。
代理人 大岩増雄
第1図
第2図
第3図
第41g
第5図
(Q)
(b)
第6図
手続補正書(方式)
%式%
1、事件の表示 特願昭58−84329号;3.
補正をする者
代表者片111仁八部
5、補正命令の日付
昭和58年8月10日
6、補正の対象 −
明細書の図面の簡単な説明の欄
7、補正の内容
(1)明細書第19頁第10〜14行の「第2図・・・
・・・・・・分布を示す図、」を「第2図は本出願の第
1の発明の一実施例の回路図、」に訂正する。
以 −ヒFigure 2(a) is a diagram showing the distribution of steady current in each part of the circuit when steady light is received, Figure 2fbl is a diagram showing the distribution of pulsed current in each part of the circuit when pulsed light is received, and Figure 3 is FIG. 4 is a circuit diagram of an embodiment of the second invention of the present application, FIG. 5 is a circuit diagram of an embodiment of the third invention of the present application, and FIG. 5 is a circuit diagram of an embodiment of the fourth invention of the present application. Circuit diagram FIG. 6 is a circuit diagram of an embodiment of the fifth invention of the present application. SPD is the pho1 to diode, and Ql and C2 are the 1st. 2nd PNP) transistor, C
3 and C4 constitute a current mirror. 4th NP
N) transistor, ■0 is constant current source, C5 is fifth NP
N) transistor, C6 is the sixth NPN transistor, R3 and R4 are the first . The second resistor C2 is a bypass capacitor, R5 is a third resistor, and rl is a second constant current source. Agent Masuo Oiwa Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 41g Figure 5 (Q) (b) Figure 6 Procedure amendment (method) % formula % 1. Indication of case Japanese Patent Application No. 84329/1984; 3 ..
Representative of the person making the amendment Part 111 Part 5, Date of amendment order August 10, 1980 6, Subject of amendment - Brief explanation of drawings in the specification column 7, Contents of amendment (1) Description Page 19, lines 10-14, “Figure 2...
. . . A diagram showing distribution" is corrected to "Figure 2 is a circuit diagram of an embodiment of the first invention of the present application." -H
Claims (1)
構成され、前記第2のトランジスタはベースとコレクタ
が接続され、前記第1.第2のトランジスタと導電形を
異にする第3と第4のトランジスタでカレントミラーが
構成され、前記第3のトランジスタばベースとコレクタ
が接続され、前記第1のトランジスタのコレクタば第3
のトランジスタのコレクタに接続され、さらにその接続
点にフォー・ダイオードのアノードが接続され、前記第
4のトランジスタのコレクタに定電流源と前記フォトダ
イオードのカソードおよびRji記第1のトラと ンジスタと導電形を異にする第5のトランジスタのベー
スが接続され、前記定電流源の他端は前記第1と第2の
トランジスタの各エミッタと相互接続され、この接続点
は電力1端子に接続され、ざらに前記第5のトランジス
タのコレクタば前記第2のトランジスタのコレクタに接
続され、前記第3゜第4.第5のトランジスタのエミッ
タは共通接続されて接地端子に接続されている##を牽
参たことを特徴とする光電変換増幅回路。 (2)第1と第2のトランジスタでカレントミラーが構
成され、前記第2のトランジスタはベースとコレクタが
接続され、前記第1.第2のトランジスタと導電形を異
にする第3と第4のトランジスタでカレントミラーが構
成され、前記第3のトランジスタはベースとコレクタが
接続され、前記第1のトランジスタのコレクタは第3の
トランジスタのコレクタに接続され、さらにその接続点
にフメI−ダイオードのアノードが接続され、前記第4
の1−ランジスタのコレクタに定電流源と前記フォトダ
イオードのカソードおよび前記第1のトランジスタと導
電形を異にする第5のトランジスタのベースが接続され
、前記定電流源の他端は前記第1と第2のトランジスタ
の各エミッタと相互接続され、この接続点は電源端子に
接続され、さらに前記第5のトランジスタのコレクタは
前記第2の)・ランジスクのコレクタに接続され、前記
第3゜第4.第5のトランジスタのエミッタは共通接続
されて接地端子に接続され、前記第5のトランジスタと
導電形を同じにする第6のトランジスタの・\−スが0
11記第5のl−ランジスタのベースに接続され、前記
第6のトランジスタのエミッタは接地端子に接続され、
前記第6のトランジスタのコレクタは第3の抵抗に接続
され、その接続点が出力端子に接続され、前記第3の抵
抗の他端が前記電源端子に接続されていることを特徴と
する光電変換増幅回路。 (3)第1と第2のトランジスタでカレントミラーが構
成され、前記第2のトランジスタはベースとコレクタが
接続され、前記第1.第2のトランジスタと導電形を異
にする第3と第4のトランジスタでカレン1−ミラーが
構成され、前記第3のトランジスタはベースとコレクタ
が接続され、前記第1のトランジスタのコレクタは第3
のトランジスタのコレクタに接続され、さらにその接続
点にフォトダイオードのアノードが接続され、前記第4
のトランジスタのコレクタに定電流源と前記フォトダイ
オードのカソードおよび前記第1のトランジスタと導電
形を異にする第5のトランジスタのベースが接続され、
前記定電流源の他端は前記第1と第2のトランジスタの
各エミッタと相互接続され、この接続点は電源端子に接
続され、さらに前記第5のトランジスタのコレクタは前
記第2のトランジスタのコレクタに接続され、前記第3
゜第4.第5のトランジスタのエミッタは共通接続され
て接地端子に接続され、前記第5のトランジスタと導電
形を同じにする第6のトランジスタのベースが前記第5
のトランジスタのベースに接続され、前記第6のトラン
ジスタのエミッタは接地端子に接続され、前記第6のト
ランジスタのコレクタは第2の定電流源に接続され、そ
の接続点が出力端子に接続され、前記第2の定電流源の
他端が前記電源端子に接続されていることを特徴とする
光電変換増幅回路。 (4)第1と第2のトランジスタでカレントミラーが構
成され、前記第2のトランジスタはベースとコレクタが
接続され、前記第1.第2のトランジスタと導電形を異
にする第3と第4のトランジスタでカレントミラーが構
成され、前記第3のトランジスタはベースとコレクタが
接続され、前記第1のトランジスタのコレクタは第3の
トランジスタのコレクタに接続され、さらにその接続点
にフォトダイオードのアノードが接続され、前記第4の
トランジスタのコレクタに定電流源と前記フォトダイオ
ードのカソードおよび前記第1のトランジスタと導電形
を異にする第5のトランジスタのベースが接続され、前
記定電流源の他端は前記第1と第2のトランジスタの各
エミッタと相互接続され、この接続点は電#端子に接続
され、さらに前記第5のトランジスタのコレクタは前記
第2のトランジスタのコレクタに接続され、前記第3゜
第4のトランジスタのエミッタは共通接続されて接地端
子に接続され、前記第5のトランジスタのエミッタに第
1の抵抗が接続され、該第1の抵抗の他端は接地端子に
接続され、前記第5のトランジスタと導電形を同しにす
る第6のトランジスタのベースが前記第5のトランジス
タのベースに接続され、前記第6のトランジスタのエミ
ッタは第2の抵抗と第1のコンデンサに接続され、前記
第2の抵抗と前記第1のコンデンサのそれぞれの他端は
前記接地端子に接続され、前記第6のトランジスタのコ
レクタは第3の抵抗に接続され、その接続点が出力端子
に接続され、前記第3の抵抗の他端は前記電源端子に接
続されていることを特徴とする光電変換増幅回路。 (5) 第1と第2のトランジスタでカレントミラー
が構成され、前記第2のトランジスタはベースとコレク
タが接続され、前記第1.第2のトランジスタと導電形
を異にする第3と第4のトランジスタでカレントミラー
が構成され、前記第3のトランジスタはベースとコレク
タが接続され、前記第1のトランジスタのコレクタは第
3のトランジスタのコレクタに接続され、さらにその接
続点にフォトダイオードのアノードが接続され、前記第
4のトランジスタのコレクタに定電流源と前記フォトダ
イオードのカソードおよび前記第1のトランジスタと導
電形を異にする第5のトランジスタのベースが接続され
、前記定電流源の他端は前記第1と第2のトランジスタ
の各エミッタと相互接続され、この接続点は電源端子に
接続され、さらに前記第5の1−ランジスタのコレクタ
は前記第2のトランジスタのコレクタに接続され、前記
第3゜第4のトランジスタのエミッタは共通接続されて
接地端子に接続され、前記第5のトランジスタのエミッ
タに第1の抵抗が接続され、該第1の抵抗の他端は接地
端子に接続され、前記第5のトランジスタと導電形を同
じにする第6のトランジスタのベースが前記第5のトラ
ンジスタIのベースに接続され、前記第6のトランジス
タのエミ・ツタは第2の抵抗と第1のコンデンサに接続
され、前記第2の抵抗と前記第1のコンデンサのそれぞ
れの他端は前記接地端子に接続され、前記第6のトラン
ジスタのコレクタは第2の定電流源に接続され、その接
続点が出力端子に接続され、前記第2の定電流源の他端
が前記電源端子に接続されていることを特徴とする光電
変換増幅回路。[Claims] (1.1 A current mirror is configured by a first and a second transistor, the base and collector of the second transistor are connected, and the conductivity type is different from that of the first and second transistors. A current mirror is configured by a third and fourth transistor, the base and collector of the third transistor are connected, and the collector of the first transistor is connected to the third transistor.
The collector of the fourth transistor is connected to the collector of the transistor, and the anode of the four diode is connected to the connection point thereof, and the collector of the fourth transistor is connected to the constant current source, the cathode of the photodiode, and the first transistor and the transistor. bases of fifth transistors of different shapes are connected, the other end of the constant current source is interconnected with each emitter of the first and second transistors, and this connection point is connected to a power 1 terminal; Generally, the collector of the fifth transistor is connected to the collector of the second transistor, and the third, fourth, and third transistors are connected to each other. A photoelectric conversion amplifier circuit characterized in that the emitters of the fifth transistors are commonly connected and connected to a ground terminal. (2) A current mirror is configured by the first and second transistors, the base and collector of the second transistor are connected, and the first... A current mirror is configured by a third and fourth transistor having a different conductivity type from the second transistor, the base and collector of the third transistor are connected, and the collector of the first transistor is connected to the third transistor. The collector of the fourth
A constant current source, the cathode of the photodiode, and the base of a fifth transistor having a different conductivity type from the first transistor are connected to the collector of the first transistor, and the other end of the constant current source is connected to the first transistor. and each emitter of the second transistor, the connection point being connected to a power supply terminal, and the collector of the fifth transistor being connected to the collector of the second transistor; 4. The emitters of the fifth transistors are commonly connected to the ground terminal, and the sixth transistor having the same conductivity type as the fifth transistor has a
11. connected to the base of the fifth l-transistor, and the emitter of the sixth transistor connected to the ground terminal;
A photoelectric conversion characterized in that a collector of the sixth transistor is connected to a third resistor, a connection point thereof is connected to an output terminal, and the other end of the third resistor is connected to the power supply terminal. Amplification circuit. (3) A current mirror is configured by the first and second transistors, the base and collector of the second transistor are connected, and the first... A third and fourth transistor having a different conductivity type from the second transistor constitutes a Karen 1-mirror, the base and collector of the third transistor are connected, and the collector of the first transistor is connected to the third transistor.
The fourth
A constant current source, the cathode of the photodiode, and the base of a fifth transistor having a different conductivity type from the first transistor are connected to the collector of the transistor,
The other end of the constant current source is interconnected with each emitter of the first and second transistors, this connection point is connected to a power supply terminal, and the collector of the fifth transistor is connected to the collector of the second transistor. connected to the third
゜4th. The emitters of the fifth transistors are commonly connected to the ground terminal, and the bases of the sixth transistors having the same conductivity type as the fifth transistor are connected to the fifth transistor.
The emitter of the sixth transistor is connected to a ground terminal, the collector of the sixth transistor is connected to a second constant current source, and the connection point thereof is connected to an output terminal, A photoelectric conversion amplifier circuit, wherein the other end of the second constant current source is connected to the power supply terminal. (4) A current mirror is configured by the first and second transistors, the base and collector of the second transistor are connected, and the first... A current mirror is configured by a third and fourth transistor having a different conductivity type from the second transistor, the base and collector of the third transistor are connected, and the collector of the first transistor is connected to the third transistor. A constant current source is connected to the collector of the fourth transistor; The bases of the fifth transistor are connected to each other, the other end of the constant current source is interconnected to each emitter of the first and second transistors, this connection point is connected to the voltage terminal, and the fifth transistor The collectors of the transistors are connected to the collectors of the second transistor, the emitters of the third and fourth transistors are commonly connected to a ground terminal, and the emitter of the fifth transistor is connected to a first resistor. , the other end of the first resistor is connected to a ground terminal, the base of a sixth transistor having the same conductivity type as the fifth transistor is connected to the base of the fifth transistor, and the sixth transistor has the same conductivity type as the fifth transistor. The emitter of the sixth transistor is connected to a second resistor and a first capacitor, the other ends of the second resistor and the first capacitor are connected to the ground terminal, and the collector of the sixth transistor is connected to a second resistor and a first capacitor. A photoelectric conversion amplifier circuit, characterized in that it is connected to a third resistor, a connection point thereof is connected to an output terminal, and the other end of the third resistor is connected to the power supply terminal. (5) A current mirror is configured by the first and second transistors, the base and collector of the second transistor are connected, and the first... A current mirror is configured by a third and fourth transistor having a different conductivity type from the second transistor, the base and collector of the third transistor are connected, and the collector of the first transistor is connected to the third transistor. A constant current source is connected to the collector of the fourth transistor; The bases of the fifth transistors are connected, the other end of the constant current source is interconnected with each emitter of the first and second transistors, this connection point is connected to a power supply terminal, and the fifth transistor 1- The collector of the transistor is connected to the collector of the second transistor, the emitters of the third and fourth transistors are connected in common and connected to a ground terminal, and the emitter of the fifth transistor is connected to the first resistor. The other end of the first resistor is connected to the ground terminal, the base of a sixth transistor having the same conductivity type as the fifth transistor is connected to the base of the fifth transistor I, and the base of the sixth transistor is connected to the base of the fifth transistor I. The emitter of the sixth transistor is connected to a second resistor and a first capacitor, the other ends of the second resistor and the first capacitor are connected to the ground terminal, and the sixth transistor A photoelectric conversion amplifier characterized in that a collector of is connected to a second constant current source, a connection point thereof is connected to an output terminal, and the other end of the second constant current source is connected to the power supply terminal. circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58084329A JPS59208917A (en) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | Photoelectric conversion amplifying circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58084329A JPS59208917A (en) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | Photoelectric conversion amplifying circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59208917A true JPS59208917A (en) | 1984-11-27 |
JPH0151088B2 JPH0151088B2 (en) | 1989-11-01 |
Family
ID=13827471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58084329A Granted JPS59208917A (en) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | Photoelectric conversion amplifying circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59208917A (en) |
-
1983
- 1983-05-12 JP JP58084329A patent/JPS59208917A/en active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0151088B2 (en) | 1989-11-01 |
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