JPS592001A - 光照射装置 - Google Patents

光照射装置

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Publication number
JPS592001A
JPS592001A JP10987582A JP10987582A JPS592001A JP S592001 A JPS592001 A JP S592001A JP 10987582 A JP10987582 A JP 10987582A JP 10987582 A JP10987582 A JP 10987582A JP S592001 A JPS592001 A JP S592001A
Authority
JP
Japan
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grooves
alloy
pipes
plate
light irradiation
Prior art date
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Pending
Application number
JP10987582A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuharu Arai
荒井 徹治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Ushio Inc
Original Assignee
Ushio Denki KK
Ushio Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Denki KK, Ushio Inc filed Critical Ushio Denki KK
Priority to JP10987582A priority Critical patent/JPS592001A/ja
Publication of JPS592001A publication Critical patent/JPS592001A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection

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  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 大発明は、半導体ウェハーの加熱処理に利用できる光照
射装置に関する。
上記光照射装置は例えば特開昭56−48128号にも
紹介されているように、被加熱物を比較的短い時間で高
温に昇温せしめることができる特徴があり、その代りに
使用する光源の数は多く、電気的にはかなりの大容量と
なることがある。したがって光源やミラーをしっかり冷
却する必要がわり、一般には「風冷」だけでは不充分な
ので例えば特公昭50−30950号などでは「水冷」
も組み合せている。
ところで水冷型ミラーは、アルミニウムが多く用いられ
るが、アルミニウムは軽量で成形性は良いが冷却水に腐
蝕されやすかったり、冷却水用パイプを熔接しにくかっ
たりして冷却の点では少々難点があること、更に、光で
物を加熱する場合は、赤外線をよく反射すると言う理由
でミラーに金メッキをほどこすことがあるが、アルミニ
ウムにはこの金メッキがのりにくかったり、冷却が不充
分だとはがれやすかったりし、これらの種々の事情が重
なって、物を加熱する光照射装置としては不都合なこと
が多い。例えば、被加熱処理物を透明な容器に入れて、
容器の外部から光の照射で加熱する場合(例えば特開昭
56−100412号)、はがれた金メッキの破片が透
明容器に耐着したり、冷却が不充分だと、ミラーの基台
やメッキ層からの蒸散物が比較的温度があまりあがって
いない透明容器をくもらせたりすることがちや、電気的
に大容量の光照射装置では透明容器の破損の原因になっ
たり、被処理物の加熱が不充分だったりする欠点がある
本発明は上記事情を考慮してなされたものであって、そ
の目的は、ミラーの冷却が十分であり、透明容器に対し
てもその破損原因にならないような新規な光照射装置を
提供することにあり、構成上、アルミニウム、アルミニ
ウム合金、銅、銅合金から選ばれた金属材料よりなり、
その前面を鏡面仕上し、背面に溝を設けたミラー基台と
、前記溝に押圧してか\え込ませた、銅もしくは銅合金
のパイプと、前記ミラー基台の前面側に配置した光源と
を含むところに特徴がある。
以下図面を参照しながら、本発明光照射装置の実施例の
一つを説明する。
第1図は、実施例装置の要部の説明図であって、1は、
消費電力2KWの棒状のハロゲン電球、2は、石英のよ
うな透明容器6内に配置され、加熱処理されるべきシリ
コンウェハー、3は五徳状のウェハ一台、4は押出し成
形されたアルミニウムで出来たミラー基台である。ハロ
ゲン電球1のフィラメントの全長は約20cPR,電球
パルプの外径は約1謂で、1eMg間隔で配置され、電
球1け、ミラー基台40曲面に設けた#I14αに受容
され、全体としては、略20cm X 8 cm程度の
面光源を形成するようにしている。これに対し、シリコ
ンウェハーの方は、直径2インチの大きさをしており、
1回につき2〜4枚程加熱処理できるものである。そし
て、ミラー基台4の背面には、銅パイプ5をか\え込む
n4bを設けておくが、同図では、押圧してか\見込ま
せる前の状態を示している。第2図は、押圧した状態の
拡大説明図であるが、矢印2もしくはVけ、押圧方向を
示し、矢印2は銅パイプの変形方向を示す。
第1図、第2図を用いて押圧の様子を説明すると、溝4
bの断面は、半周よりや\多い円の一部で、パイプ5の
外径は、溝4bの入口4cよりゃ\小きくしておき、パ
イプ5を溝4bに挿入した後パイプ5に2方向に圧力を
かけると、パイプ5は2方向へ変形してパイプ5の外面
と溝4bの内面とは良好に密着する。その密着パイプを
5αとして例示する。
他方、溝4bを形成する凸条4dが比較的薄い場合は、
凸条4dに1方向へ圧力を加え、パイプ5が2方向パイ
プの寸法例は、肉厚1襲、内径0.6傭程度である。
上記のように銅パイプ5を溝4bにか\え込ませた状態
で、ハロゲン電球1を4本とも2KWで全点灯せしめる
と、シリコンウェハーの表面は約10秒程度で1000
 t;程度まで加熱できるとともに、銅パイプの内部を
通過する冷却水の方は、市水を1〜2 t/−fjで流
す。この場合で、ミラー基台の前面の最高温度は90C
以下に抑制することができ、ミラーからの蒸散物が透明
容器6を外側から汚染して光の透過をさまたげ、シリコ
ンウェハーの加熱処理をさまたげたり、容器自身が光を
吸収して昇温するようなこともなく、いたってすぐれた
光照射装置を得ることができる。特に、光の照射で物を
加熱する場合、可視光から赤外光にまたがって光を利用
するから、鏡面には1000〜10000 X の厚み
の金蒸着もしくは金メッキをほどこすことが多く、既知
の如く、この金膜は、ミラーの温度が高いと案外いたみ
やすい。しかし上記装置でははがれや蒸散物による容器
6の外側からの汚染がない。
上記実施例は、ハロゲン電球からの可視光から赤外光に
またがる放射光でシリコンウェハーを加熱処理するもの
であるが、上記光照射装置は、塗料やインクの乾燥等信
の用途にも利用でき、その場合、透明容器は蒸発した溶
剤の排絡として利用できる。また上記ハロゲン電球に代
えて大出力の紫外線ランプを配置し、紫外線硬化型のイ
ンクや塗料の硬化、その細光化学反応を生起せしめても
良く、この場合、前記容器は化学反応容器としての役目
を果す。たりし紫外線照射器として利用する場合は、金
膜の形成は不要で、ミラー基台がアルミニウムの場合は
化学研磨のみの方が良い。いづれにしても鏡面の形成は
、目的に応じて種々選択して良い。
ミラー基台の材質は、前記実施例で説明したように押出
成形・七たアルミニウムが一番良いが、熱伝導性、加工
性等を考慮すると鋼、もしくはアルミニウムや銅を主体
とした合金類も使用できる。
本発明は以上の説明からも理解できるように、ミラー自
体が製作しやすくて耐久性もあり、かつ冷却も十分なの
で、被処理物を取り囲む透明容器を外側から汚染するこ
ともなく、非常にすぐれた光照射装置が提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明光照射装置の一実施例の要部の説明図、
第2図は押圧によるパイプの固定の拡大説明図であって
、1はハロゲン電球、2はシリコンウェハー、3はウェ
ハ一台、4はミラー基台、5は銅パイプを示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  アルミニウム、アルミニウム合金、銅、鋼合
    金から選ばれた金属材料よりなり、その前面を鋼面仕上
    し、背面に溝を設けたミラー基台と、前記溝に押圧して
    か\見込ませた、銅もしくは銅合金のパイプと、前記ミ
    ラー基台の前面側に配置した光源とを含む光照射装置。 i2+、fi源をはさんで、ミラー基台と反対側に被処
    理物を取り囲む透明容器を具備する第1項グ′ 記載の光照射装置。
JP10987582A 1982-06-28 1982-06-28 光照射装置 Pending JPS592001A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10987582A JPS592001A (ja) 1982-06-28 1982-06-28 光照射装置

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JP10987582A JPS592001A (ja) 1982-06-28 1982-06-28 光照射装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS592001A true JPS592001A (ja) 1984-01-07

Family

ID=14521389

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10987582A Pending JPS592001A (ja) 1982-06-28 1982-06-28 光照射装置

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JP (1) JPS592001A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1513189A1 (de) * 2003-09-05 2005-03-09 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Infrarotreflektor und Infrarotstrahler mit einem derartigen Infrarotreflektor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1513189A1 (de) * 2003-09-05 2005-03-09 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Infrarotreflektor und Infrarotstrahler mit einem derartigen Infrarotreflektor

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