JPS5919918B2 - 液相エピタキシヤル成長装置用ボ−ト - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は液相エピタキシャル成長装置用ボート、特にそ
のボート部の構造に関するものである。

通常、□−Ｖ族化合物のエピタキシャル成長には、気相
、液相、熱分解等その用途に応じて成長方法が異なり、
それぞれの成長方法には一長一短がある。そして、これ
らの成長方法において、液相成長でスライド式ボートを
用いる方法は、装置が簡単でＰ型、Ｎ型を含む多層構造
の成長層を容易に成長させることができる利点がある。
その反面、基板ホルダーの形状により基板の形状が決ま
り、また、量産性の点においても最適ではなかつた。一
方、量産性の点に着目して、スライドボートの基板ホル
ダーに基板を設置する個所を複数にして、一度の成長過
程で同じ組成のメルトであれば、同一特性の成長層が得
られ、異なる組成のメルトを用いれば、異なる特性の成
長層が得られる。

第１図ａ、ｂおよび第２図は従来の液相エピタキシャル
成長装置用ボートの一例を示すボート部の要部側面図、
要部平面図およびスライド部の要部平面図である、これ
らの図において、１はボート部であり、このボート部１
は第２図に示すスライド部２上に摺動自在に載置される
。そして、このボート部１、スライド部２はいずれもカ
ーボンまたはグラツシー等により形成されている。また
、このボート部１には透孔を穿設してＧａメルトを収納
するメルト槽３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄが形成され、さら
にスライド部２には半導体基板を挿入するための凹溝４
ａ、４ｂが摺動面２ａに刻設されている。そして、ボー
ト部１がスライド部２上を摺動したとき、上記凹溝４ａ
、４ｂに上記メルト槽３ａ３ｂ３ｃ３ｄが夫々合致する
よう、、、な位置関係に配置される。

このように構成された液相エピタキシャル成長装置用ボ
ートにおいて、まず、スライド部２の凹溝４ａ、４ｂ内
に半導体基板を配置するとともに、ボート部１のメルト
槽３ａ〜３ｄ内に組成の異なるＧａメルトを収納し、ボ
ート部１をスライド部２の摺動面２ａに移動させること
によつて半導体基板上に特性の異なる成長層が形成され
る。

し力化ながら、上記構成による液相エピタキシャル成長
装置用ボートにおいては、一回の成長過程で複数の成長
層を得る場合、半導体基板の出し入れの際、メルト槽３
ａ〜３ｄ内のＧａメルトを取り出した後に半導体基板を
設置したり、成長させた半導体基板を取り出さなければ
ならない。そして準備終了後、再びメルト槽３ａ〜３ｄ
内に以前に取り出したＧａメルトを注入しなければなら
なかつた。このような方法によると、作業が複雑になる
ばかりでなく、組成の異なるＧａメルトが混入したり、
Ｇａメルトの取り出し時にＧａメルトが汚染されたりす
るなどしてエピタキシヤル成長において最良の方法とは
言えなかつた。したがつて本発明は、上記欠点を除去し
、簡単な操作によつて一回の成長過程で同一特性または
異なる特性の成長層を複数得ることができるようにした
液相エピタキシヤル成長装置用ボートを提供することを
目的としている。

以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。第
３図Ａ，ｂおよび第４図Ａ，ｂは本発明による液相エピ
タキシヤル成長装置用ボートの一実施例を示すボート部
の要部側面図、要部平面図およびスライド部の要部平面
図、要部側面図であり、第１図Ａ，ｂおよび第２図と同
記号は同一要素となるのでその説明は省略する。

これらの図において、Ｇａメルトを収納するボート部１
には、図示しない半導体基板を自在に挿入出できるよう
な穴部５が一個おきのメルト槽３ｂ，３ｄの底部側面に
設けられている。また、このメルト槽３ｂ，３ｄの内側
面には、上記穴部５から挿入された図示しない半導体基
板を固定させるカーボン板６が挿入出できるレール７が
凹設されている。一方、このボート部１のメルト槽３ｂ
，３ｄと対応するスライド部２の凹溝４ａ，４ｂは、そ
の片側が図示しない半導体基板を滑べらせて取り出せる
ように端部まで同一の深さに切削して構成されている。
このような構成において、まず、ボート部１をスライド
部２に嵌合させ、ボート部１の位置がメルト槽３ｂ，３
ｄが凹溝４ａ，４ｂと一致するようにボート部１を摺動
して移動させる。そして、メルト槽３ａ，３ｃには使用
目的にあつたＧａメ ｊルトを収納させる。次に、メル
ト槽３ｂ，３ｄの側面に設けられたカーボン板６を上方
向に持ち上げて穴部５に予め前処理を終了した半導体基
板を挿入して凹部４ａ，４ｂに配置し、再びカーボン板
６を降して該半導体基板を固定する。そして、成長を行
なうときには、ボート部１を移動してメルト槽３ａ，３
ｃ内に収納されたＧａメルトを半導体基板に接触させて
成長を行なわせる。また、成長が終了した場合には、ボ
ート部１を元の状態まで摺動して移動させ、メルト槽３
ｂ，３ｄのカーボン板６を上方向に持ち上げ、穴部５か
ら成長を終了した半導体基板を取り出す。このような構
成によれば、Ｇａメルトを汚染させることもなく、さら
にＧａメルトの漏出および漏出によるボート部、スライ
ド部側面を汚すことなく、一回の成長過程で複数の成長
層が容易に得られる。なお、カーボン板６は穴部５を開
閉する蓋の形成として加工性が極めて良好なことから使
用できる。

以上説明したように本発明による液相エピタキシヤル成
長装置用ボートによれば、半導体基板の出入れ毎にＧａ
メルトの注入出を行なう複雑な作業が皆無となるととも
に、Ｇａメルトの汚染漏出がなくなり、高品質の半導体
装置が高生産性で得られるなどの極めて優れた効果が得
られる。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ，ｂおよび第２図は従来の液相エピタキシヤル
成長装置用ボートの一例を示すボート部の要部側面図、
要部平面図およびスライド部の要部平面図、第３図Ａ，
ｂおよび第４図Ａ，ｂは本発明による液相エピタキシヤ
ル成長装置用ポートの一例を示すボート部の要部側面図
、要部平面図およびスライド部の要部平面図、要部側面
図である。 １・・・・・・ボート部、２・・・・・・スライド部、
２ａ・・・・・・摺動面、３ａ〜３ｄ・・・・・・メル
ト槽、４ａ，４ｂ・・・・・・凹溝、５・・・・・・穴
部、６・・・・・・カーボン板、７・・・・・・レール
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 複数個の透孔を穿設してＧａメルトを収納するメル
   ト槽を設けたボート部と、前記ボート部を摺動自在に支
   持させかつ前記メルト槽に対応して刻設された半導体基
   板設置用凹溝を有するスライド部と、前記複数個のメル
   ト槽のうちＧａメルトが収納されないメルト槽の側面に
   設けられかつ前記凹溝内に半導体基板の挿入出を自在に
   行なう穴部と、前記凹溝内に半導体基板を挿入したとき
   該穴部を閉塞するカーボン板とを設けたことを特徴とす
   る液相エピタキシャル成長装置用ボート。