JPS5917804B2 - Method of forming electrodes in full mirror type liquid crystal display device - Google Patents
Method of forming electrodes in full mirror type liquid crystal display deviceInfo
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- JPS5917804B2 JPS5917804B2 JP51131404A JP13140476A JPS5917804B2 JP S5917804 B2 JPS5917804 B2 JP S5917804B2 JP 51131404 A JP51131404 A JP 51131404A JP 13140476 A JP13140476 A JP 13140476A JP S5917804 B2 JPS5917804 B2 JP S5917804B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は全面鏡面型液晶表示装置に係り、特には全面鏡
面型液晶表示装置に於ける透明電極形成方法の改良に関
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a fully mirrored liquid crystal display device, and more particularly to an improvement in a method for forming transparent electrodes in a fully mirrored liquid crystal display device.
全面鏡面型液晶表示装置の構成を図面に基づいて説明す
る。The configuration of a full mirror type liquid crystal display device will be explained based on the drawings.
図面は全面鏡面型液晶表示装置の構成を示す断面図であ
る。図に於いて１は後面ガラス基板であり、２は後面ガ
ラス基板１の面上に形成されるアルミニウム反射電極で
ある。The drawing is a cross-sectional view showing the configuration of a full mirror type liquid crystal display device. In the figure, 1 is a rear glass substrate, and 2 is an aluminum reflective electrode formed on the surface of the rear glass substrate 1.
該アルミニウム反射電極２は表示する文字、数字等を形
造るセグメント状に形成されている。３は前面ガラス基
板であり、その面上にはアルミニウム反射膜４が形成さ
れた後、酸化インジウム透明電極（酸化スズを不純物と
して含有するものを含む。The aluminum reflective electrode 2 is formed into segments forming characters, numbers, etc. to be displayed. 3 is a front glass substrate, and after an aluminum reflective film 4 is formed on the surface thereof, an indium oxide transparent electrode (including one containing tin oxide as an impurity) is formed.
以下同じ。）５が形成されている。反射膜４は反射電極
２に対向する部分は切り欠かれた構成となつている。６
は液晶組成物であり、７はスペーサである。same as below. )5 is formed. The reflective film 4 has a notched portion facing the reflective electrode 2. 6
is a liquid crystal composition, and 7 is a spacer.
このような構成とすることによつて表示面全面が一様な
鏡面状態となり、表示文字部のみが白濁して見える液晶
表示装置（全面鏡面型液晶表示装置）を提供できる。With such a configuration, it is possible to provide a liquid crystal display device (full mirror type liquid crystal display device) in which the entire display surface becomes a uniform mirror state and only the displayed character portion appears cloudy.
上記の全面鏡面型液晶表示装置に於いてはアルミニウム
蒸着膜が形成されたガラス基板上に、更に酸化インジウ
ム膜を形成する必要がある。In the above-mentioned full mirror surface type liquid crystal display device, it is necessary to further form an indium oxide film on the glass substrate on which the aluminum vapor deposited film is formed.
酸化インジウム膜の形成方法として従来広く知られてい
るのは電子ビーム蒸着法であり、電子ビームガンにて酸
素雰囲気中酸化インジウム膜を蒸着形成する。基板温度
は３５０℃〜３８０℃である。しかしアルミニウム蒸着
膜上に上記電子ビーム蒸着法により酸化インジウム膜を
形成すると、基板温度が上述したように３５０℃程度と
なる為、アルミニウム蒸着膜は表面粒子の成長及び酸化
によりその反射率が低下してしまう。また熱による応力
が残るため付着強度が低下しピンホール等がアルミニウ
ム蒸着膜に出現する。従つて電子ビーム蒸着法により、
アルミニウム蒸着膜上に酸化インジウム膜を形成するこ
とは好ましくない。A conventionally widely known method for forming an indium oxide film is an electron beam evaporation method, in which an indium oxide film is formed by vapor deposition in an oxygen atmosphere using an electron beam gun. The substrate temperature is 350°C to 380°C. However, when an indium oxide film is formed on an aluminum vapor-deposited film by the above-mentioned electron beam evaporation method, the substrate temperature is about 350°C as mentioned above, so the reflectance of the aluminum vapor-deposited film decreases due to the growth and oxidation of surface particles. It ends up. Furthermore, since stress due to heat remains, the adhesion strength decreases and pinholes etc. appear in the aluminum vapor deposited film. Therefore, by electron beam evaporation method,
It is not preferable to form an indium oxide film on an aluminum vapor deposited film.
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり基板温度
の上昇を招くこと無く、酸化インジウム膜を基板上に形
成することができる電極形成方法を提供するものである
。The present invention has been made in view of the above points, and provides an electrode forming method that can form an indium oxide film on a substrate without causing an increase in substrate temperature.
即ち本発明の電極形成方法は、アルミニウム蒸・ 着脱
上に、酸化インジウム膜をコールドスパッタリング法に
より形成することにより、アルミニウム蒸着膜上に透明
電極を形成することを特徴とす、一るものである。That is, the electrode forming method of the present invention is characterized in that a transparent electrode is formed on the aluminum vapor deposited film by forming an indium oxide film on the aluminum vapor deposition/detachment film by cold sputtering method. .
コールドスパツタリングとはマグネトロンタイプのスパ
ツタリングである。Cold sputtering is magnetron type sputtering.
ターゲツトを磁場中におく事により電子をターゲツト上
に捕獲し、そのためスパツタリングレートの上昇、基板
温度上昇の抑制を同時に達成できる。コールドスパツタ
リングの具体的一例を示す。By placing the target in a magnetic field, electrons are captured on the target, thereby increasing the sputtering rate and suppressing the rise in substrate temperature at the same time. A specific example of cold sputtering is shown below.
基板：ガラス基板上へアルミニウム反射膜を蒸着したも
のスパツタリング方式：ＲＦマグネトロンタイプスパツ
タリング又はリアクテイブスパツタリングターゲツト：
不純物として酸化スズ（５重量％）を含有する酸化イン
ジウムリークガスリアルゴン、酸素（２ｖ０１％）以上
の条件で酸化インジウム膜を形成する。Substrate: Aluminum reflective film deposited on a glass substrate Sputtering method: RF magnetron type sputtering or reactive sputtering Target:
An indium oxide film is formed using an indium oxide leak gas ryalgon containing tin oxide (5% by weight) as an impurity and oxygen (2v01%) or higher.
本発明の方法では酸化インジウム膜を５００λ程度付着
させても基板温度は１００℃以下に保たれ、基板温度上
昇によるアルミニウム膜の特性劣化は全く生じない。以
上詳細に説明したように、本発明によれば基板温度の上
昇を招くこと無く、アルミニウム反射膜上に酸化インジ
ウム膜を形成することができ、アルミニウム反射膜の特
性劣化（反射率の低下、ピンホール出現等）は全く生じ
ない。In the method of the present invention, even if an indium oxide film of about 500 λ is deposited, the substrate temperature is maintained at 100° C. or less, and the characteristics of the aluminum film do not deteriorate at all due to an increase in the substrate temperature. As explained in detail above, according to the present invention, an indium oxide film can be formed on an aluminum reflective film without causing an increase in substrate temperature, and the characteristics of the aluminum reflective film can be deteriorated (reflectance decreases, pinpoint Hole appearance, etc.) does not occur at all.
また酸化インジウム膜がアルミニウム反射膜の保護膜と
なるため、以後の基板処理が容易となる。Furthermore, since the indium oxide film serves as a protective film for the aluminum reflective film, subsequent substrate processing becomes easier.
本発明の電極形成方法は、全面鏡面型液晶表示装置に於
いてのみならず、アルミニウム膜上に酸化インジウム膜
を形成する構成の電極すべてに有効である。The electrode forming method of the present invention is effective not only for a full mirror type liquid crystal display device but also for all electrodes having a structure in which an indium oxide film is formed on an aluminum film.
図面は全面鏡面型液晶表示装置の構成を示す断面図であ
る。
符号、１：後面ガラス基板、２：アルミニウム反射電極
、３：前面ガラス基板、４：アルミニウム反射膜、５：
酸化インジウム透明電極、６：液晶組成物。The drawing is a cross-sectional view showing the configuration of a full mirror type liquid crystal display device. Code, 1: Rear glass substrate, 2: Aluminum reflective electrode, 3: Front glass substrate, 4: Aluminum reflective film, 5:
Indium oxide transparent electrode, 6: Liquid crystal composition.
Claims (1)
向する透明電極を設け、前記両基板を、前記反射電極と
前記透明電極が対向するように配置するとともに、前記
両基板間に液晶組成物を充填し、表示面全面が一様な鏡
面状態となるように構成した全面鏡面型液晶表示装置に
於いて、前記アルミニウム反射膜上に酸化インジウム膜
（不純物として酸化スズを含有するものを含む。 ）をコールドスパッタリング法により形成し、透明電極
を形成することを特徴とする、全面鏡面型液晶表示装置
に於ける電極形成方法。[Claims] 1. A reflective electrode is provided on the rear substrate, an aluminum reflective film and a transparent electrode facing the reflective electrode are provided on the front substrate, and the reflective electrode and the transparent electrode are arranged opposite to each other on both substrates. In the full mirror type liquid crystal display device, the liquid crystal composition is filled between the two substrates so that the entire display surface has a uniform mirror state. A method for forming an electrode in a full mirror type liquid crystal display device, which comprises forming an indium oxide film (including one containing tin oxide as an impurity) by a cold sputtering method to form a transparent electrode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51131404A JPS5917804B2 (en) | 1976-10-29 | 1976-10-29 | Method of forming electrodes in full mirror type liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51131404A JPS5917804B2 (en) | 1976-10-29 | 1976-10-29 | Method of forming electrodes in full mirror type liquid crystal display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5355141A JPS5355141A (en) | 1978-05-19 |
| JPS5917804B2 true JPS5917804B2 (en) | 1984-04-24 |
Family
ID=15057174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51131404A Expired JPS5917804B2 (en) | 1976-10-29 | 1976-10-29 | Method of forming electrodes in full mirror type liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917804B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0333721A (en) * | 1990-02-22 | 1991-02-14 | Sanyo Electric Co Ltd | Color liquid crystal display device |
-
1976
- 1976-10-29 JP JP51131404A patent/JPS5917804B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5355141A (en) | 1978-05-19 |
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