JPS59177796A - Duplication control system of memory - Google Patents

Duplication control system of memory

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JPS59177796A
JPS59177796A JP58049889A JP4988983A JPS59177796A JP S59177796 A JPS59177796 A JP S59177796A JP 58049889 A JP58049889 A JP 58049889A JP 4988983 A JP4988983 A JP 4988983A JP S59177796 A JPS59177796 A JP S59177796A
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Japan
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stage
signal
storage device
memory
regular
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Mitsuki Fukuzumi
福住 光記
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Fuji Electric Co Ltd
Fuji Facom Corp
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Fuji Electric Co Ltd
Fuji Facom Corp
Fuji Electric Manufacturing Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/74Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using duplex memories, i.e. using dual copies

Abstract

PURPOSE:To continue normal operation changing a normal memory to common use so for abnormality is not of the same address by not making cutting off from a system of common use side when the abnormality is detected in common use side, but by switching the common use/standby that switches standby side to the common use side and vice versa. CONSTITUTION:An address decode section 24 outputs a device select signal 18(SEL) to make the reading or writing of data of a memory 11 only when the memory 11 is accessed from a master device through a system bus 9. When there is abnormality in write data and read data to the memory 1, an error detecting section 2 outputs an error detection signal 3 (ERR) to a duplication control section 14. When the flip flop of the memory 11 is reset, a signal 21' (ACK) disappears in the memory 11' of the standby side, flip flop 15' is set to become the common use side. By setting of the flip flop 15' of the memory 11' which has been in the standby side, the signal 21(ACK) of the memory 11 which so far been in the common use side becomes effective.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は記憶装置の二重化制御方式、さらに詳しく言え
は、情報処理装置における記憶装置の二重化制御方式に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field to which the Invention Pertains] The present invention relates to a duplex control system for storage devices, and more particularly, to a duplex control system for storage devices in an information processing apparatus.

〔従来技術とその問題点〕[Prior art and its problems]

一般に記憶装置を二重化する場合、次の様な方式がある
。すなわち、二重化された記憶装置の一方を常用側、他
方を待機側]とし、畳込み時は同時に動作させ、同一番
地に同一内容を書込み、読出し時には常用側のみデータ
を出力させる。いま常用側から読出したときエラーを生
ずると、常用側は切放され、他方の待機していた記憶装
置が常用に切替えられ直ちに正しいデータを出力する。
Generally, when duplicating storage devices, there are the following methods. That is, one of the duplicated storage devices is set as the regular side and the other as the standby side, and when convolution is performed, they are operated simultaneously, the same content is written to the same location, and when read, only the data on the regular side is output. If an error occurs when reading from the regular side, the regular side is disconnected, and the other storage device that was on standby is switched to the regular side and immediately outputs correct data.

第1図および第2図に従来技術による記憶装置の二重化
制御力式を例示する。
FIG. 1 and FIG. 2 illustrate a duplex control force formula for a storage device according to the prior art.

第1図は二つの記憶装置の間に共通の二l化制御部を設
けた方式の例のブロック構成図である。
FIG. 1 is a block diagram of an example of a system in which a common dual-control unit is provided between two storage devices.

図において、1,1′は記憶部、2,2′はエラー検出
回路、6,6′はエラー検出信号、4,4′はアドレス
入力、5,5′は書込みデータ、6,6′は読出しデー
タ、7,7′は二重化制御ゲート信号、 8は共通の二
重化制御部、9はシステム・バス、10.10’はゲー
トを示す二 第1図において、記憶部1の側を常用側とすれは記憶部
1′の側は待機側として機能する。エラー検出回路2,
2′はそれぞれ記憶部1,1′に対する人出カテータを
チェックし、異常を検出するとエラー検出信号5,6′
にて、記憶部1および1′に共通に設けられた二重化制
御部8に通知する。
In the figure, 1 and 1' are storage units, 2 and 2' are error detection circuits, 6 and 6' are error detection signals, 4 and 4' are address inputs, 5 and 5' are write data, and 6 and 6' are Read data, 7 and 7' are duplex control gate signals, 8 is a common duplex control section, 9 is a system bus, and 10 and 10' are gates. The storage section 1' side functions as a standby side. error detection circuit 2,
2' checks the crowd cutter for the storage units 1 and 1', respectively, and when an abnormality is detected, sends an error detection signal 5 and 6'.
Then, the duplication control section 8 provided in common to the storage sections 1 and 1' is notified.

記憶部1の側を常用側、1′の側を待機側として動作し
ているとき、二重化制御部8は、二重化制御グ−ト色号
7のみを出力し、ゲー)10を導通させて、記憶部1か
ら出力する胱出しデータを有効としてシステム・バス9
に送出しているが、常用側記憶部1のエラー検出回路2
がエラーを検出してエラー検出信号6が入力されたこと
によシ、二重化制御グー14号7の出力を中止して、ゲ
ート10を閉じて今まで常用側であった記憶部1の出力
を停止し、代って二重化制御ゲート信号7′を出力し、
ゲート10′を導通させ記憶部1′の耽出し出力を有効
としてシステム・バス9に送出するようにし、すなわち
、記憶部1′を待機側から常用側に切替える。先に常用
側であった記憶装置はシステムから切離されていない。
When operating with the storage unit 1 side as the regular side and the side 1' as the standby side, the duplex control unit 8 outputs only the duplex control color code 7, makes the game) 10 conductive, System bus 9 with the bladder output data output from storage unit 1 as valid.
However, the error detection circuit 2 of the storage unit 1 on the regular side
detects an error and the error detection signal 6 is input, the output of the duplex control unit 14 is stopped, the gate 10 is closed, and the output of the storage unit 1, which has been on the regular side until now, is stopped. and outputs the duplex control gate signal 7' instead.
The gate 10' is made conductive so that the output of the memory section 1' is made valid and sent to the system bus 9, that is, the memory section 1' is switched from the standby side to the regular side. The storage device that was previously the regular user has not been disconnected from the system.

記憶装置の構成としては記憶部1′のみの一重化栴成と
なる。
The structure of the storage device is a single-layered structure with only the storage section 1'.

第2図は、第1図における二重化制御部(8)を記憶装
置対応に個別に設ける方式である。
FIG. 2 shows a system in which the duplication control section (8) in FIG. 1 is provided separately for each storage device.

第2図において、その参照数字は第1と同じものを示す
。なおi3,13’は記憶部1,1′対応に設けた二1
化制御部、12は上記二重化制御部13.13’間で相
互間の制御情報(常用、待機の状態、エラーの有無など
)を交換する信号線であシ、11.11’はそれぞれ記
憶部1,1′および二重化制御部16゜13′を含む記
憶装置である。
In FIG. 2, the reference numerals indicate the same as in the first. Note that i3, 13' is 21 provided corresponding to the storage units 1, 1'.
12 is a signal line for exchanging control information (regular use, standby status, presence or absence of errors, etc.) between the duplication control units 13 and 13', and 11 and 11' are storage units, respectively. 1, 1' and a duplication control section 16.degree. 13'.

第2図に示す方式の場合、常用側の記憶装置11におい
て読出しデータにエラーを検出すれは第1図の方式と同
様にエラー検出回路2がエラー検出信号6をその二重化
制御装置16に送る。この二重化制御装置13は二重化
制御ゲート信号7の出力を中止してゲート10を閉じて
、今まで常用側であった記憶装置1の出力を停止すると
ともに、信号線12を経てエラー検出情報を待機側の二
重化制御装置16′に伝送し、二重化制御装置16′は
上記エラー検出情報を受けると、待機側記憶装置11′
のエラー検出信号3′を受信していなければ二重化制御
グー’r’ fs号7′を出力して、ゲート10′を開
き、待機側記憶装置1′の読出しデータをシステム・バ
ス9に送出するようにする。
In the case of the system shown in FIG. 2, when an error is detected in the read data in the storage device 11 on the regular side, the error detection circuit 2 sends an error detection signal 6 to the duplication control device 16, similarly to the system shown in FIG. This duplexing control device 13 stops outputting the duplexing control gate signal 7, closes the gate 10, stops outputting the storage device 1 which has been used regularly, and waits for error detection information via the signal line 12. When the redundancy control device 16' receives the error detection information, the redundancy control device 16' transfers the error detection information to the standby storage device 11'.
If it has not received the error detection signal 3', it outputs the redundant control signal 'r' fs number 7', opens the gate 10', and sends the read data from the standby storage device 1' to the system bus 9. Do it like this.

このようにして、待機1tlが有効となシ、常用側は切
離される。
In this way, the standby 1tl becomes valid and the regular side is disconnected.

上記の様な制御を行なうにあたシ、上記した従来の技術
では下記のような問題かある。
When performing the above-mentioned control, the above-mentioned conventional technology has the following problems.

(1)  エラーが生じた記憶装置のシステムからの切
離しが主体でお9、切離された記憶装置の再立上けがで
きない。
(1) The storage device in which the error occurred is mainly disconnected from the system, and the disconnected storage device cannot be restarted.

(2)  二重化された二つの記憶装置に対して、各科
の状態を監視、制御する共通の制御部が必要である(第
1図)。
(2) A common control unit for monitoring and controlling the status of each category is required for the two duplicated storage devices (Figure 1).

(3)  前(2)項を改善して共通の制御部を設けず
、二つの記憶装置に個別に二重化制御部を設ける方式の
場合(第2図)、各々の二重化制御部の間で相互の制御
情報を交倹するだめ、一般には、複数の専用の回線およ
び交換すべき情報の転送を制mljするだめの複雑な手
段が必要である。
(3) If the previous item (2) is improved and a common control unit is not provided, but duplex control units are provided separately for two storage devices (Figure 2), mutual communication between each duplex control unit Exchanging control information generally requires multiple dedicated lines and complex means for controlling the transfer of the information to be exchanged.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は、記憶装置の二重化制御方式において、従来技
術における前述の問題点を改善し、さらに信頼性の高い
記憶装置の二1化制御を簡単な手段によって行なうこと
を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to improve the above-mentioned problems in the prior art in a storage device duplication control system, and to perform more reliable duplication control of a storage device by a simple means.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、図面について本発明の詳細な説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第6図は本発明の一実施例の構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention.

図において、参照番号は、第1図および第2図と同一の
ものを示す。
In the figures, reference numbers refer to the same ones as in FIGS. 1 and 2.

なお、第3図における11 、11 ’はそれぞれ常用
側および待機側に切替えて使用する記憶装置であって、
14.14’は二重化制御部、15.15’はフリップ
フロップ、16.16’はアンド・ゲート、17.i7
’はデバイス・セレクトi号(SEX、)、19.19
’は出カイネーブル伯号(RUN)、20.20’は初
ル」設定スイッチで、互に排他的に動作するもの、21
.21’は二重化制御グー(ACK)、22 、22 
’は否定回路、24 、24 ’はアドレス・デコード
部を示す。
Note that 11 and 11' in FIG. 3 are storage devices that are switched to the regular side and the standby side, respectively, and
14.14' is a duplication control unit, 15.15' is a flip-flop, 16.16' is an AND gate, 17. i7
'is device select i issue (SEX,), 19.19
'is the output enable number (RUN), 20.20' is the first run' setting switch, which operates mutually exclusively, 21
.. 21' is duplex control (ACK), 22, 22
' is an inversion circuit, and 24 and 24 ' are address decoding sections.

図から明らかなように記憶装置11と11′とは同−構
成であシ、記憶装置11の樋底部分および信号に対応す
る記憶装置11′の樋底部分および信号には同一参照数
字に′を伺して示す。
As is clear from the figure, the storage devices 11 and 11' have the same configuration, and the bottom portions of the storage device 11' and signals corresponding to the bottom portions and signals of the storage device 11 are denoted by the same reference numerals. I will ask and show you.

記憶装置11についてその動作を説明する。The operation of the storage device 11 will be explained.

記憶装置11がシステム・バス9を介シてマスタキ ・デバイスからアクセスされたとき、アドレス・デコー
ド部24はデバイス・セレン)(R号18(SEL)を
出力し、記憶装置11のデータの耽出し、あるいは書込
みを可能にする。記憶装置1に対する1込みデータ、胱
出しデータに異常があった時エラー検出部2はエラー検
出信号3 (ERR)を二重化制御部14に出力する。
When the storage device 11 is accessed from the master device via the system bus 9, the address decoding unit 24 outputs device selenium (R No. 18 (SEL)) and accesses the data in the storage device 11. , or enable writing. When there is an abnormality in the 1-input data or the bladder output data for the storage device 1, the error detection section 2 outputs an error detection signal 3 (ERR) to the duplication control section 14.

10は出力ドライノ((アンド・ゲート)であシ、フリ
ップフロップ15かセットされてその出力する出力イネ
ーブル1百号19 (RUN)か11”であり、デバイ
ス・セレクト信号18(SEL)が′1”のときアンド
・ゲート16は1”を出力し、その出力“1”によって
出力ドライノ(10か動作し、記憶部1から線6を介し
て送られてくる読出しデータなシステム・バス9に出力
し、あるいはマスタ・デバイスに対する応答信号をシス
テム・バス9に出力可能とする。このときは、上記記憶
装置11は常用側となっている。
10 is an output drive node ((AND gate), the flip-flop 15 is set and its output enable is 100 (RUN) or 11", and the device select signal 18 (SEL) is '1'. ”, the AND gate 16 outputs 1, and the output “1” causes the output driver (10) to operate and output the read data sent from the storage unit 1 via the line 6 to the system bus 9. Alternatively, a response signal to the master device can be output to the system bus 9. At this time, the storage device 11 is on the regular side.

二重化制御部14は、 工2−検出色号3 (ERR) 出力イネーブル信号19 (##) 初期設定スイッチ9の状態を示す信号(MST)二重化
制御信号21(ACK) デバイス・セレクト信号1B (SEL)七 の組e)入力条件として、後述する状態遷移図(第4図
)に基いて、フリップフロップ15をセット、リセット
することによシ二重化制御を行なう。なおフリップ70
ツグ15はシステム立上時はリセットされる。初期設定
用スイッチ20は、対となる記憶装置11′の初期設定
用スイッチ20′と排他的に設定され、システム立上時
の二重化制御部14.14’の常用権獲得の優先順位を
定める。
The duplexing control unit 14 is configured as follows: Engineering 2 - Detection color code 3 (ERR) Output enable signal 19 (##) Signal indicating the state of the initial setting switch 9 (MST) Duplexing control signal 21 (ACK) Device select signal 1B (SEL ) Group 7 e) As an input condition, duplex control is performed by setting and resetting the flip-flop 15 based on a state transition diagram (FIG. 4) to be described later. Furthermore, flip 70
The plug 15 is reset when the system is started up. The initial setting switch 20 is set exclusively with the initial setting switch 20' of the paired storage device 11', and determines the priority order for acquiring regular use rights for the duplex control unit 14, 14' at the time of system startup.

線26は記憶装置11.11’のナンド・ゲート17.
17’の出力をワイヤード・オア接続したもので、フリ
ップフロップ15.15’から出力する出力イネーブル
信号19 (RUN)  の論理和であシ、各記憶装置
11゜11′の二重化制御部14.14’では二重化制
御信号21.21 ’(ACK)として受信される。
Line 26 is connected to NAND gate 17. of storage device 11.11'.
17' are wired-OR connected, and the output enable signal 19 (RUN) output from the flip-flop 15.15' is ORed. ' is received as a duplication control signal 21.21' (ACK).

記憶装置11.11’にそれぞれ設けられた二l化制御
部14.14’はフリップフロップ15.15’の出力
信号19.19’ (RUN)および上記信号21.2
1’ (ACK)を用いて相互の状態を認識することが
できる。
The dual control units 14.14' provided in the storage devices 11.11' respectively output the output signal 19.19' (RUN) of the flip-flop 15.15' and the signal 21.2.
1' (ACK) can be used to recognize mutual states.

また二重化制御信号21 、21 ’ (ACK)が有
効となるのは、記憶装置11および11′がマスク・デ
バイスからアクセスされ、デバイス・セレクト信号h号
18゜18’(SEL)  が有効となっている期間の
みである。
Further, the duplication control signals 21 and 21' (ACK) become valid when the storage devices 11 and 11' are accessed from the mask device and the device select signal h18°18' (SEL) becomes valid. It is only during the period when

すなわち、本信号21.21 ’(ACK)は二重化制
御を行なう被数組の二重化デバイスが時分割的に用いる
ことができる。
That is, the main signal 21.21' (ACK) can be used in a time-sharing manner by the duplexing devices of the digit group that perform duplexing control.

次に二重化制御部14の各種信号(ERR,ACK、R
UN。
Next, various signals (ERR, ACK, R
U.N.

SEL、MST等)の入力条件に対応してその制御状態
すなわち、フリップ70ツブ15をどのように制御する
かについ、て説明する。
The control state, ie, how the flip 70 knob 15 is controlled in accordance with the input conditions of (SEL, MST, etc.) will be explained.

二重化制御部14に対する入力は、上記の5種であり、
その出力はフリップフロップ15に対するSET 、R
ESET伯号である。
The inputs to the duplication control unit 14 are the above five types,
Its output is SET,R for flip-flop 15
This is the ESET Hakugo.

二重化制御部14は複数個の制御ステージをとシ、上記
フリップフロック15を適切に制御することにより二重
化!IJ XIを行なう。fIiil klステージは
1第7種のステージよシなる。すなわち、Sl ・・・
非選択ステージ S2・・・常用ステージ1 S6・・・待機ステージ1 S4・・・判定ステージ1 S5・・・判定ステージ2 S6・・・常用ステージ2 S7・・待機ステージ2 第5図は上記の5種の信号の組合せによる入力条件を示
す図である。
The duplication control unit 14 uses a plurality of control stages and appropriately controls the flip-flop 15 to perform duplication! Do IJ XI. The fIiil kl stage is similar to the stage of type 7. That is, Sl...
Non-selection stage S2... Regular stage 1 S6... Standby stage 1 S4... Judgment stage 1 S5... Judgment stage 2 S6... Regular stage 2 S7... Standby stage 2 FIG. 7 is a diagram showing input conditions based on combinations of five types of signals.

図において、り1″は該当信号の存在することをO”は
該当信号の存在しないことを示し、なおX印については
′0”、′1”に拘らず第5図の関係が成立するものと
する。
In the figure, 1'' indicates the presence of the corresponding signal, O'' indicates the absence of the corresponding signal, and for the X mark, the relationship shown in Figure 5 holds regardless of ``0'' or ``1''. shall be.

各ステージについて第4図第5図を用いて説明する。Each stage will be explained using FIGS. 4 and 5.

(1)  51非選択ステージ:記憶装fh、11およ
Q:’11’かマスク・テバイスからアクセスされてい
ない時−J−すわち各アドレス・レコーダ24.24’
からイb号18.18’(SEL)が無いときのステー
ジである。第5図の入力条件■(SELが0”)のとき
このステージにある。
(1) 51 non-selected stage: memory devices fh, 11 and Q: '11' or when not accessed from the mask device - J - that is, each address recorder 24, 24'
This is the stage when there is no Ib No. 18.18' (SEL). This stage exists when the input condition (SEL is 0'') in FIG. 5 is met.

(2152常用ステージ1:常用権を肩するステージで
ある。S1ステージからこの52ステージへ移行すると
きの入力条件は、第5図の■■■である。
(2152 Regular use stage 1: This is a stage that assumes regular use rights. The input conditions when moving from the S1 stage to this 52 stage are ■■■ in FIG. 5.

このS2ステージでは第6図においてフリップフロップ
15がセットされ、出力信号19(1#V)が′1″と
なシ、従って18号18(SEL)か&1′°となると
 アンドゲート16の出力″1″によシ出力ドライバ1
0が能動状態となシ、読出されたデータの出力を可能と
している。同時に読出しデータあるいは書込みデータの
異常チェックを行ない、異常かなけれはマスク・テバイ
スに対して応答信号を返す。
In this S2 stage, the flip-flop 15 is set as shown in FIG. 1″ output driver 1
When 0 is in the active state, read data can be output. At the same time, the read data or write data is checked for abnormality, and if there is no abnormality, a response signal is returned to the mask device.

異常があれは、信号3 (ERR)を受けて、二重化制
御部11は、リセット信号(SET ”0”、 RES
ET ’ 1°′)を出力してフリップフロップ15を
リセットしてその出力を停止し、これによシ出力ドライ
ノ(10の出力を禁止し、判定ステージS5に移行する
If there is an abnormality, the duplex control unit 11 receives the signal 3 (ERR) and sends a reset signal (SET "0", RES
ET'1°') is output to reset the flip-flop 15 to stop its output, thereby inhibiting the output of the output DRIN (10), and the process moves to determination stage S5.

(3)  53待機ステージ1:常用権を有しないステ
ージである。S1ステージからこのS6ステージへ移行
するときの入力条件は第5図の■■である。
(3) 53 standby stage 1: This is a stage that does not have regular usage rights. The input conditions when moving from the S1 stage to the S6 stage are shown in FIG.

このときは第6図において、フリップフロップ15は待
機(IIIであればリセットされているので、出力ドラ
イバ10 の出力は禁止されている。このS6ステージ
にある記憶装置(11,あるいは11′)は待機側であ
るが、このとき、二l化されたもう一方の記憶装置(1
1′あるいは11)はS2常用ステージ1にアシ、その
フリップフロップ15はセットされておシ常用側となっ
ている。待機側は第6図における信号20あるいは21
’(、((?A”)を監視することによシ、常用側のフ
リップフロップ15の状態を知ることができる。すなわ
ち、フリップフロップ15がセットされ、その出力信号
19(RUN)が1”であれは信号18 (SEL)が
al”となったときナンド・ゲート17の出力はaO”
となシ、ナンド・ゲート17の出力はナンド・ゲート1
7′とワイヤド・オア接続されていて線26上の信号は
“0”となシ、これが否定回路22 、22’で否定さ
れた信号21.21 ’(、<CZ)は′1″であるが
、フリップフロック15かリセットされると信号19(
RUN)は0″となシ、ナンド・ゲート17の出力は′
1″となる。従って線26上の信号も1”とな9、この
信号′1” の否定信号21 、21 ’ (ACK)
はO”となる。すなわち、待機側で信号21.21’(
A(J)がO”となったことは常用側の7リツプフロツ
プ15がリセットされたことを示し、常用側でエラーが
検出されたことが判る。
At this time, in FIG. 6, the flip-flop 15 is on standby (if it is in III, it is reset, so the output of the output driver 10 is prohibited.The storage device (11 or 11') in this S6 stage is On the standby side, at this time, the other dual storage device (1
1' or 11) is located on the S2 regular use stage 1, and its flip-flop 15 is set on the regular use side. On the standby side, signal 20 or 21 in Figure 6
By monitoring '(, (?A''), the state of the flip-flop 15 on the regular side can be known. In other words, the flip-flop 15 is set and its output signal 19 (RUN) is 1'' That is, when the signal 18 (SEL) becomes aal", the output of the NAND gate 17 is aO"
The output of NAND gate 17 is NAND gate 1.
7' and the signal on the line 26 is "0", and this is negated by the inverting circuits 22 and 22', and the signal 21.21'(,<CZ) is '1'. However, when the flip-flop 15 is reset, the signal 19 (
RUN) is 0'', and the output of NAND gate 17 is '
1". Therefore, the signal on line 26 is also 1"9, and the negative signals 21 and 21' (ACK) of this signal '1' are
becomes O". In other words, the signal 21.21'(
The fact that A(J) has become O'' indicates that the 7 lip-flop 15 on the regular side has been reset, and it can be seen that an error has been detected on the regular side.

そこで待機側の二重化制御部はセット信号(SET&1
″、 RESET″0″)を出力してフリップフロップ
15をセットし、S6常用ステージ2へ移行する。
Therefore, the redundancy control section on the standby side sends a set signal (SET&1).
", RESET"0") is output to set the flip-flop 15, and the process moves to the S6 regular stage 2.

(4154判定ステージ1ニジステム立上時第5図にお
ける入力条件■を満足する記憶装置が移行するステージ
である。第6図において、システム立上時は、記憶装置
11および11′において、それぞれのフリップフロッ
プ15.15’は両方共リセットされるか、初ル」設定
スイッチ20 、20 ’は記憶装置11と11′とで
は排他的に設定される。短絡を0”開放を11”とすれ
ば、第6図において二重化制御装置14はMST伯号と
して1”を、同じ<14′はダ0”を受けている。第6
図においてシステム立上後マスター・テバイスから第1
回目のアクセスがなされた時、記憶装置11 は第5図
における入力条件■が成立し、S2常用ステージ1へ移
行し、記憶装置11′は記憶装置11の有無によらず本
ステージへ移行する。本ステージでは信号21’(AC
K侶号)の有無をチェックすることにより、記憶装置1
1′の二1化制御装置14′は記憶装置11の有無を判
定する。記憶装置11があれは、該記憶装置11の7リ
ツプフロツブ15がセットされ、信号21’(ACK色
号信号有効となり、記憶装置11′の二重化制御部14
′はS6待機ステージ1へ移行し、待機側となる。記憶
装置11がなければ信号21′(ACK信号)は無効と
なっている(′0”である)ので、記憶装置11′の二
重化制御部14′はセット18号(SET ’1”、 
RESET“0”)を出力し、そのフリップフロップ1
5′を七ツトシ、S2常用ステージ1へ移行し、常用側
となる。
(4154 Judgment Stage 1 This is the stage to which storage devices that satisfy the input condition (2) in FIG. 5 when the system starts up transitions.) In FIG. The setting switches 20 and 20' are set exclusively for the storage devices 11 and 11'.If short circuit is set to 0 and open is set to 11, then In FIG. 6, the duplication control device 14 receives 1" as the MST number, and the same <14' receives 0".
In the figure, the first device starts from the master device after system startup.
When the second access is made, the input condition (2) in FIG. 5 is satisfied in the storage device 11, and the storage device 11 moves to the S2 regular stage 1, and the storage device 11' moves to the main stage regardless of the presence or absence of the storage device 11. In this stage, signal 21' (AC
By checking the presence or absence of the storage device 1
The 21 conversion control device 14' of 1' determines the presence or absence of the storage device 11. When the storage device 11 is connected, the 7 lip flop 15 of the storage device 11 is set, the signal 21' (ACK color code signal becomes valid, and the duplication control section 14 of the storage device 11' is activated.
' moves to S6 standby stage 1 and becomes the standby side. If the storage device 11 is not present, the signal 21' (ACK signal) is invalid ('0'), so the duplication control unit 14' of the storage device 11' sets No. 18 (SET '1',
RESET “0”), and its flip-flop 1
5' to 7, transition to S2 regular use stage 1, and become the regular use side.

(5)  55判定ス、テージ2:常用側において、異
常が検出されたとき移行するステージである。第6図に
おける信号21(ACK)の有無をチェックする。
(5) 55 judgment stage 2: This is a stage to which the system transitions when an abnormality is detected on the regular use side. The presence or absence of the signal 21 (ACK) in FIG. 6 is checked.

待機側からの信号21(ACK)の返信を待った後、信
号21(ACK)が有れば、待機側であった記憶装置が
そのフリップフロッグ15するいは15′をセットして
S6常用ステージ2に移行したと判断し、自からはS7
待機ステージ2に移行する。
After waiting for the reply of signal 21 (ACK) from the standby side, if there is signal 21 (ACK), the storage device on the standby side sets its flip-frog 15 or 15' and returns to S6 regular stage 2. It was determined that the transition had been made to S7.
Move to standby stage 2.

(6156常用ステージ2: S2常用ステージ1と同
一であるが、本ステージではテータの異常チェックを行
なわない。
(6156 Regular stage 2: Same as S2 regular stage 1, but this stage does not check for data abnormalities.

(7)S7待機ステージ2: S6待機ステージ1と同
一であるが、本ステージでは第6図における信号21 
、21 ’ (ACz)の監視を行なわない。
(7) S7 standby stage 2: Same as S6 standby stage 1, but in this stage, signal 21 in FIG.
, 21' (ACz) is not monitored.

以上、すべてのステージにて、マスク・デバイスからの
アクセスが終了して信号1a、 18’(SEz、)が
なくなると二重化制御部の制御は51非選択ステージへ
移行する。
As described above, when the access from the mask device is completed and the signals 1a, 18' (SEz,) disappear in all the stages, the control of the duplication control section shifts to the non-selection stage 51.

次に、第6図、第4図および第5図を用いて本発明にお
ける二l化制御の動作を説明する。なお、以下の説明に
おいて入力条件■〜■については第4図を、51〜S7
ステージについては第4図を参照されたい。
Next, the operation of the dielectric control in the present invention will be explained using FIG. 6, FIG. 4, and FIG. 5. In the following explanation, input conditions ■ to ■ are shown in FIG.
Please refer to Figure 4 for the stages.

システム立上時、記憶装置11.11’はともに51非
選択ステージにあシ、また第6図に示すフリップフロッ
プ15.15’は共にリセットされている。ここで初期
設定スイッチ20をオフ(Atsr“1”)、20’を
オン(MST“0”)としておくと、マスタ・デバイス
から第1回目のアクセスを受けると、記憶装置11では
入力条件■が成立し、S1非選択ステール ジからS2常用ステージへ移行し、フリップフロップ1
5がセットされ、記憶装置11が常用機となり、記憶装
置11′では入力条件■が成立し、S1非選択ステージ
−84判定ステージ1→S3待槻ステージと移行し、待
機側となる。以後・アクセスのある毎に、常用側の記憶
装置11では入力条件■が成立してS1非選択ステージ
−52常用ステージ1と移行し、待機側の記憶装置11
′では入力条件■が成立し、S1非選択ステージ−56
待様ステージ1と移行し、それぞれ常用/待機の関係を
維持しつづける。
When the system is started up, both the storage devices 11 and 11' are in the 51 non-selection stage, and the flip-flops 15 and 15' shown in FIG. 6 are both reset. If the initial setting switch 20 is turned off (Atsr "1") and 20' is turned on (MST "0"), when the first access is received from the master device, the input condition (■) is met in the storage device 11. Established, transition from S1 non-selection stage to S2 regular stage, flip-flop 1
5 is set, the storage device 11 becomes a regular-use device, the input condition (2) is satisfied in the storage device 11', and the process shifts from S1 non-selection stage to 84 judgment stage 1 to S3 Machatsuki stage, and becomes the standby side. From then on, every time there is an access, the input condition (■) is satisfied in the storage device 11 on the regular side, and the transition is made to the S1 non-selection stage - 52 regular stage 1, and the storage device 11 on the standby side
′, the input condition ■ is satisfied, and the S1 non-selection stage-56
They move to the waiting stage 1 and continue to maintain the regular/standby relationship.

次に常用側記憶装置11において、該記憶装置11に対
する入出力データに異常が検出されると、第6囚におけ
るエラー検出信号6(ERR)が出力され、該記憶装置
11の二重化制御部14は、S2常用ステージ1にあっ
てこれを判定し、その結果によp7リツプフロツプ15
をリセットし、55判定ステージ2に移行する。記憶装
置11のフリップフロップ15がリセットされると、待
機側の記憶装置11′において信号2V(ACK)  
が消失する。該記憶装置11′の二重化制御部14′は
S6待根ステージ1にあって、その信号21’(ACz
)  の消失を検知すルト、自分のフリップ70ツブ1
5′をセットし、S6常用ステージ2へ移行し、常用側
となる。今まで待機側であった記憶装置11′のフリッ
プフロップ15′がセットされることにより、今まで常
用側であった記憶装置11のfg号21(ACK)が有
効となる。記憶装置11の二1化制御部14は55判定
ステージにあるので、これを判定して、S7待槻ステー
ジ2へ移行し、待機側となる。
Next, when an abnormality is detected in the input/output data for the storage device 11 in the regular storage device 11, an error detection signal 6 (ERR) in the sixth prisoner is output, and the duplication control unit 14 of the storage device 11 is activated. , in the S2 regular stage 1, and based on the result p7 lip-flop 15
is reset, and the process moves to 55 judgment stage 2. When the flip-flop 15 of the storage device 11 is reset, the signal 2V (ACK) is generated in the storage device 11' on the standby side.
disappears. The duplication control unit 14' of the storage device 11' is located in the S6 root stage 1, and its signal 21' (ACz
) Detects the disappearance of Ruto, own flip 70 knob 1
5' and moves to S6 regular use stage 2, which becomes the regular use side. By setting the flip-flop 15' of the storage device 11' which has been on the standby side until now, fg number 21 (ACK) of the storage device 11 which has been on the regular side becomes valid. Since the 21 conversion control unit 14 of the storage device 11 is at the 55 judgment stage, it judges this and moves to the S7 Machitsuki stage 2, becoming the standby side.

以後はアクセス毎に、記憶装置11では入力条件■が成
立してS1非選択ステージ−56待根ステージ1と移行
し、記憶装置11′では入力条件■が成立して、S1非
選択ステージ→S2常用ステージ1と移行する。すなわ
ち、常用/待機の切換が行なわれる。
From then on, for each access, the input condition (■) is satisfied in the storage device 11 and the process moves to the S1 non-selection stage - 56 root stage 1, and the input condition (2) is satisfied in the storage device 11', and the process moves from the S1 non-selection stage to S2. Transition to regular use stage 1. That is, switching between regular use and standby is performed.

本発明によれば、第61¥1に示す記憶装置11あるい
は11′のいづれか一方すなわち、記憶装置を1セツト
たけ実装して使用することができる。この際、初期設定
スイッチ20.20′は常用様獲得の優先順位を設定す
るだけでおるので、1セツトのみ使用するときは初期設
定スイッチ20あるいは20′をオン、オフの何れに設
定しても支障ない。オフ(′1”)に設定すれは上記の
ように51非選択ステージS1→S2常用ステージ1の
順に、オン(“0”)に設定すればS1非選択ステージ
−54判定ステージ1→S2常用ステージ1の順に52
常用ステージ1に移行し、常用権を獲得できる。また、
本発明による記憶装置を二1栴成で用いる場合は、同一
構成の記憶装置を単に2セット同一アドレス空間に実装
するだけでよい。
According to the present invention, either one of the storage devices 11 or 11' shown in No. 61.1, that is, one set of storage devices can be mounted and used. At this time, the initial setting switches 20 and 20' are only used to set the priority order for acquiring regular users, so when only one set is used, the initial setting switches 20 and 20' can be set to either on or off. No problem. If set to off ('1'), the sequence goes from 51 non-selection stage S1 to S2 regular stage 1 as described above, and if set to on ('0'), the order goes from S1 non-selected stage to 54 judgment stage 1 → S2 regular stage 52 in order of 1
You can move to regular use stage 1 and acquire regular use rights. Also,
When the storage device according to the present invention is used in a twenty-one configuration, it is sufficient to simply install two sets of storage devices with the same configuration in the same address space.

第6図に示した二重化制御部14.14’は例えは第6
図に示すように構成することができる。
The duplication control section 14, 14' shown in FIG.
It can be configured as shown in the figure.

第6図におい1.14は第6図の二l化制Thi部14
゜14′に相当する部分で、15は同じく@6図の7リ
ツグ70ツブ15.15’に相当する。図において、2
5は、第4図の状態遷移をプログラムしたデシジョン・
テーブル等を含むリード・オンリ・メモリ(ROM)、
26はレジスタ、27はステージ・アドレスのROM 
25よυの出力線、29はフリップフロップ15のセッ
ト、リセットを指示する信号のROM25よシの出力線
である。
In Figure 6, 1.14 is the dual system Thi part 14 in Figure 6.
15 corresponds to the 7 rig 70 tube 15.15' in Figure @6. In the figure, 2
5 is the decision code that programs the state transitions in Figure 4.
Read-only memory (ROM) including tables, etc.
26 is a register, 27 is a stage address ROM
25 and υ are output lines, and 29 is an output line from the ROM 25 of a signal instructing the setting and resetting of the flip-flop 15.

出力線27によって運ばれるステージ・アドレスは、前
記した二重化制御部14.14’の各ステージ51〜S
7を示す数字データであシ、この場合1〜7の数字情報
で表わされる。この数字情報(ステージ・アドレス)は
一旦レジスタ26にラッチされクロックCLKによシ線
28に読出され、ROM25に入力する。
The stage address carried by the output line 27 is transmitted to each stage 51 to S of the duplication control section 14.14' described above.
This is numerical data indicating 7, and in this case, it is represented by numerical information from 1 to 7. This numerical information (stage address) is once latched in the register 26, read out to the line 28 according to the clock CLK, and input into the ROM 25.

ROM25は、信号(ERR、ACK、RUN、 SE
L 、MST)の入力条件(第4図の■〜■)と、線2
8から入力するステージ・アドレス情報とを入力し、−
これ等をアドレスとして、R0M25に含まれる上記デ
シジョン・ヅト テーブルを索引して得たデータを、セット、リン信号出
力線29および新しいステージを指定するステージ・ア
ドレス出方線27に出方する。ステージ・アドレスは、
信号(ERR,ACK、RUN、SEL、MST)の入
力条件に変化がない限シ、ROM25とレジスタ26と
の間をクロックCLKにょシ循壊する。
ROM25 stores signals (ERR, ACK, RUN, SE
L, MST) input conditions (■ to ■ in Figure 4) and line 2
Enter the stage address information entered from 8, and -
Using these as addresses, the data obtained by indexing the decision table contained in the R0M 25 is output to the set and ring signal output lines 29 and the stage address output line 27 that specifies a new stage. The stage address is
As long as there is no change in the input conditions of the signals (ERR, ACK, RUN, SEL, MST), the clock CLK is circulated between the ROM 25 and the register 26.

本発明によれは、二重化制御部14.14’は第6図に
示すように状態遷移をプログラムしたテシジョンテーブ
ルを含むROM25とレジスタ26のみの非常に簡単な
構成で実現できる。
According to the present invention, the duplication control section 14, 14' can be realized with a very simple configuration consisting only of a ROM 25 containing a decision table in which state transitions are programmed and a register 26, as shown in FIG.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、二重化された記憶装置の一方を常用側
とし、他方を待機側として動作させる場合、常用側で異
常を検出した時、常用惧」のシステムからの切離しを行
なわず、単に常用側を待PA側に、また待機側を常用側
に切換える常用/待機の切換のみを行なうように構成し
たため、常用側から待機側に切換哀た記憶装置を、待機
側から常用側に切換えた目下の常用記憶装置の異常にょ
シ、![常用側として直ちに立上けることかできる効果
がある。すなわち、本発明によれば二重化された双方の
記憶装置に異常が生じた場合でも、異常が同一アドレス
でない限シ、常に正常な方の記憶装置を常用に切換えて
正常な運転を継続する事ができる。一般に同一アドレス
で二つの記憶装置が共に異常となる確率は非常に小さい
ので、本発明は記憶装置の動作の信頼性の向上に大きな
効果がある。
According to the present invention, when one of the duplexed storage devices is operated as the regular side and the other as the standby side, when an abnormality is detected on the regular side, the system is not disconnected from the system that is in danger of being frequently used, but is simply used. Since the configuration is configured to perform only regular/standby switching, in which the side is switched to the standby side and the standby side is switched to the regular use side, the storage device that was previously switched from the regular use side to the standby side is now switched from the standby side to the regular use side. There is an abnormality in the regular storage device! [This has the effect of being able to be started up immediately as a regular user. In other words, according to the present invention, even if an abnormality occurs in both duplex storage devices, unless the abnormality occurs at the same address, the normal storage device can always be switched to regular use and normal operation can be continued. can. Generally, the probability that two storage devices at the same address will both become abnormal is very small, so the present invention has a great effect on improving the reliability of the operation of the storage devices.

また、二重化制御のだめの共通部がなく、そのため、記
憶装置を同一のアドレス空間に単に2セツト実装するだ
けで、二重化構成が容易に行なえる効果がある。
In addition, there is no common part for duplex control, and therefore a duplex configuration can be easily achieved by simply mounting two sets of storage devices in the same address space.

記憶装置相互間で転送すべき二重化制御12号は、1本
の信号線を時分割使用としただめ、複数の装置が共通に
使用することができ、信号線の鮎を最小限におさえる効
果がある。
Redundant control number 12, which is to be transferred between storage devices, uses one signal line in time division, so multiple devices can use it in common, which has the effect of minimizing signal line distortion. be.

本発明の根本をなす二重化制御部の状態遷移は、この状
態遷移をプログラムしたデシジョン・テーブルを含むR
OMおよびレジスタ等の少数の部品で簡単に構成するこ
とができ、低コスト、高偽頼性が得られる。
The state transition of the redundant control unit, which forms the basis of the present invention, is based on the R
It can be easily configured with a small number of parts such as OM and registers, and low cost and high reliability can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来技術による共通の二重化制御部を設けた記
憶装置の二重化制御力式の接続図、第2図は従来技術に
よる個別の二重化制御部を設けた記憶装置の二重化制御
方式の接続図、第3図は本発明の一実施例の接続構成を
示す図、第4図は二重化制御部の本発明によるステージ
の状態遷移図、第5図は本発明における二重化制御部に
入力する信号の組合せによる入力条件を示す図、第6図
は本発明における二重化制御部の構成の一例を示す図で
ある。 1.1′・・・記憶部、2,2′・・・エラー検出回路
、6,6′・・・エラー検出信号、4.4′・・・アド
レス入力、5,5′・・・書込みデータ、6,6′・・
・読出しデータ、7,7′・・・二重化制御ゲート信号
、9・・・システム・バス、10.10’・・・ゲート
、11.11’・・・記憶装置、14.14’・・・二
重化制御部、15.15’・・・フリップ70ツブ、1
6゜16′・・・アンドゲート、17.17’・・・ナ
ンド・ゲート、18′ 18γテバイス・セレクト信号(SEL)、19.19
’・・・出力イネーブル信号(RUN)、20.20’
・・・初ル」設定スイッチ、21.21 ’・・・二重
化制御信号(ACK)、22゜22′・・・否定回路、
26・・・一本の信号線、24.24’・・・アドレス
・デコード部、25・・・リード・オンリ・メモリ(R
OM)、26・・・レジスタ、27・・・ステージ・ア
ドレス出力線、28・・・ステージ・アドレス転送線、
29・・・セット・リセット信号出力線、CLK・・・
クロック。 %許出願人 富士電機製造株式会社(外1名)代理人弁
理士玉蟲久五部(外3名) 第4図 第 6 図
Fig. 1 is a connection diagram of a duplex control power type of a storage device provided with a common duplication control unit according to the prior art, and Fig. 2 is a connection diagram of a duplex control system of a storage device provided with individual duplication control units according to the prior art. , FIG. 3 is a diagram showing the connection configuration of an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a state transition diagram of the stages of the duplexing control section according to the present invention, and FIG. 5 is a diagram showing the state transition of the stages of the duplexing control section according to the present invention FIG. 6 is a diagram showing combinations of input conditions, and FIG. 6 is a diagram showing an example of the configuration of a duplication control section in the present invention. 1.1'...Storage unit, 2,2'...Error detection circuit, 6,6'...Error detection signal, 4.4'...Address input, 5,5'...Writing Data, 6,6'...
- Read data, 7, 7'... Duplex control gate signal, 9... System bus, 10.10'... Gate, 11.11'... Storage device, 14.14'... Duplex control section, 15.15'...Flip 70 knob, 1
6゜16'...AND gate, 17.17'...NAND gate, 18' 18γ device select signal (SEL), 19.19
'...Output enable signal (RUN), 20.20'
... Initial setting switch, 21.21'... Duplex control signal (ACK), 22゜22'... Inverting circuit,
26...One signal line, 24.24'...Address decoding section, 25...Read-only memory (R
OM), 26...Register, 27...Stage address output line, 28...Stage address transfer line,
29...Set/reset signal output line, CLK...
clock. % Applicant Fuji Electric Seizo Co., Ltd. (1 other person) Representative Patent Attorney Gobe Tamamushi (3 others) Figure 4Figure 6

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 二重化制御部を個別に設けた2個の記憶装置と、上記二
重化制御部を相互に接続する一本の信号線とを具備し、
上記記憶装置の一方を常用側、他方を待機側として動作
させ、常用側記憶装置で異常検出時、常用側を待機側記
憶装置に切換え、待機側は上記一本の信号線を介して常
用側から受信していた二重化制御信号(ACK)の消失
を検知して常用側記憶装置に切替え、二重化構成を継続
することを特徴とする記憶装置の二重化制御方式。
It is equipped with two storage devices each having a duplication control section, and one signal line that connects the duplication control sections to each other,
One of the above storage devices is operated as the regular side and the other as the standby side, and when an error is detected in the regular side storage device, the regular side is switched to the standby side storage device, and the standby side is connected to the regular side through the above single signal line. 1. A storage device duplication control method characterized by detecting disappearance of a duplication control signal (ACK) received from a storage device, switching to a regularly used storage device, and continuing a duplication configuration.
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