JPS59176637A - 温度センサ - Google Patents

温度センサ

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Publication number
JPS59176637A
JPS59176637A JP5085683A JP5085683A JPS59176637A JP S59176637 A JPS59176637 A JP S59176637A JP 5085683 A JP5085683 A JP 5085683A JP 5085683 A JP5085683 A JP 5085683A JP S59176637 A JPS59176637 A JP S59176637A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
refractive index
temperature
index layer
section
Prior art date
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Pending
Application number
JP5085683A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuyuki Kuzuta
葛田 信幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Shimazu Seisakusho KK
Original Assignee
Shimadzu Corp
Shimazu Seisakusho KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp, Shimazu Seisakusho KK filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP5085683A priority Critical patent/JPS59176637A/ja
Publication of JPS59176637A publication Critical patent/JPS59176637A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K11/00Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ((イ)産業上の利用分野 この発明は、光を利用した温度センサに関するものであ
る。
(q従来技術 従来より温度センサには、抵抗体や熱電対などを用いた
ものなど挿々提案され、且つ実用されている。
しかし、これらの温度センサでは検知部に電流の発生や
印加を要するため、爆発性雰囲気内における破測定物を
対象とすることはできず、汎用性に乏しいという問題が
ある。逆に、これらの温度センサを爆発性雰囲気内で使
用しようとすると。
防爆対策を施す必要が生じ、センサ自体が大型化し且つ
構造が硯めて複雑となるという問題かあった。
また、彼測定物の近傍などに電磁誘導体があると、検知
信号がノイズの形管を受けることになシ。
精度のよい測定を行えないという問題点があった。
また、単にバイメタル等を用いたものでは遠隔操作を行
うことができず2使用範囲が狭かった。
G/9目的 この発明は、斯かる点に鑑みてなされたもので。
光を利用すると共に、温度変化で屈折率が父〔ヒする材
料で光が偏向することにより、温度を検知するようにし
、爆発性雰囲気内でも(重用できると同時に電磁銹導ノ
イズの影響を受けない温度センサを提供することを目的
とするものである。
(−1構成 この発明は、上記の目的を達成するために、温度が変化
する被測定部に設けられる検出部と、この検出部よシ離
隔して設けられる制御部とより成シ、この検出部が、温
度によって屈折率が変化する制料で少なくとも片方が形
成され且つその屈折率が異なる第1屈折率層及び第2屈
折率層と、この両屈折率層の近傍に設けられた1つの発
光部と。
前記前屈折率j−の近傍に設けられ発光部からの光を受
ける少なくとも1以上の受光部とを具備して構成される
一方、前記制御部が、前記発光部に光ファイバを介して
接続される発光素子と、前記受光部に光ファイバを介し
て接続される少なくとも1以上の受光素子と、この受光
素子の出力信号と基準信号とを比較して検知信号を出力
する出力回路部とを具備して構成され、温度変化によっ
て両屈折率層の屈折率が変化し5発光部からの光の偏向
により検知信号を出力するように構成されている。
件)実施例 以下、この発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。
〈実施例1〉 この実施例は第1図に示し、1は温度センサであって9
図示しないが、原子炉やボイラなど温度が変化する被測
定部の温度を検出して各種スイッチング動作を行なわし
めるものである。
この温度センサ1は、上記被測定部に設けられる検出部
2と、この検出部2よシ離隔してコントローラ室などに
設けられる制御部6とよシ構成されている。
検出部2は、ケース4内に第1屈折率層5と第2屈折率
層6とが互いに重畳形成されて設けられると共に、ケー
74に1つの発光部7と1つの受光部8とが取付けられ
て構成されている。
第1屈折率層5はガラス(BK−7)で半円弧状に形成
され、第2屈折率層6はシリコーンコラパウンドでほぼ
平板状に形成されている。この第2屈折率層6は温度に
よって屈折率が変化し、第1屈折率層5の屈折率は変化
せず且つ両層5.乙の屈折率が異なっており1例えば、
第1 /#!折率層5のガラス(BK−7)の屈折率H
Dは1.51626で温度係数が一2X10/’Cであ
るのに対し、第2屈折率層乙のシリコーンコンパウンド
(東芝シリコーンTsK5350)の屈折率HDa(+
25°C)は1,455で、温度上昇と共に低下するよ
うになっており。
第2屈折率層乙の屈折率n2が第1屈折率層5の屈折率
n1よシ大きく構成されている。
前記発光部7及び受光部8は共に光ファイバ9゜10の
一端が接続されるコネクタ7a、8aにロッドレンズ7
b18bが連接されて成り、第1屈折率層5の相対向す
る斜め上方に設けられている。
そして2発光部7からの光りを受光部8が受けるように
なっておシ、その発光方向及び受光方向は両屈折率層5
.6の境界面Aの垂線Bに対して角度θとなっている。
この発光部7からの光りは、境界面Aを反射或いは透過
することになる。つまシ、第2図に示すように、第1屈
折率層5に入射する角度をθ1゜第2屈折率層6を透過
する角度を02とすると。
臨界角θtl+は次式で表わされる。
n I Sinθ1=n2sinθ2 そして、θ2が90°のときが臨界角である。
従って。
sinθth =n 2/n 1 θth=sirrl(n2/n1) である。
このθtl+よシθが小であれば透ωし、大であれば反
射することになる。逆に、θが一定のとき。
屈折率n1.n2の変化で光りは透過又は反射すること
になる。つまシ、第2屈折率層乙の屈折率n2が変化し
、臨界角θtbが上式の通シ変化して。
0よりも小さくなると光りが反射し、大きくなると透過
するようになっている。
一方、前記制御部6は1発光素子11.受光素子12及
び出力回路部16を具備して構成されている。この発光
素子11は発光ダイオードより、なり、受光素子12は
ピンダイオードよりなり、それぞれコネクタ14.15
を介して光ファイバ9゜10の他端に接続され9発光素
子11は発光部7に、受光素子12は受光部8に接続さ
れている。
出力回路部15は比較器i3aで構成され、この比較器
isaは受光素子12と基準電源13bとが連繋されて
おり、基準電源13bの基準信号と受光素子12の出力
信号とを比較し、受光素子12′の出力信号が入力され
ると、検知信号を出力するようになっている。
尚、16Cは出力回路部16の出力端である。
次に、検出動作について説明すると、先ず、被測定物の
温度が所定値以下の場合9発光素子11の光は光ファイ
バ9を介して発光部7より第1屈折率層5に入射する一
方、第2屈折率層乙の屈折率n2が大きいので、臨界角
θtbが画成の通シθよシ小さくなっており、光りは境
界面Aを透過することになる。
従って、受光部8は光りを受は止めないので。
受光素子12は光を受けず、出力信号を出力しないため
、出力回路部15は検知信号を出力しないことになる。
この状態より被測定部の温度が上昇すると、第2屈折率
層乙の屈折率n2が低下し、臨界角θthが小さくなシ
、θよシ小さくなると、光りが境界面Aを反射すること
になる。そして、この光りを受光部8が受は止め、光フ
ァイバ10を介して受光素子12に伝達され、出力信号
を出力する。この出力信号が比較器13aに入力される
と、この比較器13Bが基準信号と比較して検知信号を
出力することになる。
この検知信号によって各種のスイッチング動作を行うこ
とになる。
〈実施例2〉 この実施例は、第5図に示すように、受光部8を6つ並
設したものである。そして、受光部8は発光部の光りの
うち境界面Aを透過しだ光りを受けるようになっている
即ち、温度変化に伴う第2屈折率層乙の屈折率n2の変
化により、光りの偏向を利用してこの光りを受けるよう
に構成されている。
一方、受光素子12も6本の光ファイバ10を介して5
つ設けられている。そして、出力回路部16は2つの比
較器16a・ 16bを備え、中央の受光素子12は両
比較器16a、16bに、上下の受光素子12はそれぞ
れ片方の比較器16a又は16bに連繋されている。
従って、被測定物の温度がM定範囲内の場合。
中央の受光部8が光りを受は止め、中央の受光素子12
が出力信号を出力し1両比較器16a、16bは共に検
知信号を出力しないことになる。
この状態より被測定物の温度が上昇すると上方の受光部
8が、降下すると下方の受光部8がそれぞれ光りを受は
止めることになり1片方の比較器16a又は16bが検
知信号を出力し、温度の上限と下限とを検知するように
なっている。
その他の構成・乍用は実施例1と同様である。
尚、各実施例における各屈折率層5.6は、ガラス及ヒ
シリコーンコンパウンドに限らf、まり。
両層5,6が共に温度によって屈折率が変化するもので
もよい。
また2発光素子11及び受光素子12も実施例に限定さ
れず、出力回路16も実施例に限定されない。
また、受光部8の数についても2個或いは4個以上設け
、複数段に温度を検出するようにしてもよい。
(ハ)効果 以上のようにこの発明によれば、光を用いて温度を検出
するので、爆発性雰囲気内においても何ら防爆対策を施
すことなく温度を測定することができるから、測定対象
範囲を著しく拡大することができると同時に、4−造を
簡略にすることができる。
更に、波浪I]定物の近傍などに電磁誘尋体があっても
、光であるためノイズ等の影響かなく、積度のよい測定
を行うことができる。
また、光ファイバを用いているから、長距離の遠隔操作
を容易に行うことができるので、測定範囲が著しく向上
する。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明の実施態様を例示するもので。 イ51図は実〃也例1における温度センサの概略構成図
、第2図は光の偏向状態を説明する原理図、第6図は実
施例2における温度センサの一部省略概略構成図である
。 1:温度センサ、 2:使出部、  3二制両部。 4:ケース、 5:第1屈折W層、 6:第2屈折¥層
、  7:発光部、 8:受光部。 7a・8a・14・15:コネクタ。 7b・8b:ロッドレンズ、  9・10=光フアイバ
、  11:発光素子、  12:受光素子。 1ろ°16:呂力回路部。 13a・16a−16b:比較器。 16b二基$醒源。 特許出願人     株式会社島津製作所代理人  弁
理士  中 村 茂 信

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)温度が変化する波測定部に設けられる検出部と、
    この検出部よシ離隔して設けられる制御部とより成り、
    この検出部が、温度によって屈折率が変rヒする材料で
    少なくとも片方が形成され且つその屈折率が異なる第1
    屈折率層及び第2屈折率層と、この画屈折率層の近傍に
    設けられた1つの発光部と、@記両屈折率層の近傍に設
    けられ発光部からの光を受ける少なくとも1以上の受光
    部とを具備して構成される一方、前記制vAj部が、前
    記発光部に光ファイバを介して接続される発光素子と、
    前記受光部に光ファイバを介して接続される少なくとも
    1以上の受光素子と、この受光素子の高力信号と基準信
    号とを比I咬して検知信号を出力する出力回路部とを具
    備して構成され、温度変rヒによって画屈折率層の屈折
    率が変化し1発光部からの光の偏向により検知信号を出
    力することを特徴とする温度センサ。
JP5085683A 1983-03-25 1983-03-25 温度センサ Pending JPS59176637A (ja)

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JP5085683A JPS59176637A (ja) 1983-03-25 1983-03-25 温度センサ

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01295126A (ja) * 1988-02-10 1989-11-28 Nok Corp 温度検出装置
JP2009109321A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Sony Corp 流体温度の測定方法及び測定装置
JP2016522480A (ja) * 2013-04-16 2016-07-28 ワトロー エレクトリック マニュファクチュアリング カンパニー 統合光センシングを備えたプロセスコントローラ

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