JPS59174613A - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

エポキシ樹脂組成物

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JPS59174613A
JPS59174613A JP4873383A JP4873383A JPS59174613A JP S59174613 A JPS59174613 A JP S59174613A JP 4873383 A JP4873383 A JP 4873383A JP 4873383 A JP4873383 A JP 4873383A JP S59174613 A JPS59174613 A JP S59174613A
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epoxy resin
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compound
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epoxy
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Hirotoshi Iketani
池谷 裕俊
Michiya Azuma
東 道也
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は新規な組成を有するエポキシ樹脂組成物に関し
、特に半導体封止用のエポキシ樹脂に関する。
)  〔従来技術とその問題点〕 従来のエポキシ樹脂組成物において、エボキシ樹脂の硬
化触媒はエポキシ樹脂に混合して用い、ら。
れていた。しかしエポキシ樹脂組成物中に無機質充てん
剤が存在する場合に、充てん剤の表−近く□ではエポキ
シ樹脂の硬化が充分でなく、樹脂と充てん剤の間にすき
間ができたシ、樹脂と充てん剤のなじみが悪かったシ、
また硬化物の機械的強度が劣っていたシ、耐湿性に欠け
るという欠点があった。特にこの組成物を用いて半導体
を封止した樹脂封止型半導体装置においては、耐湿性が
劣るために封止した半導体素子上のアルミニウム配線が
腐食されやすいという欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明は上記従来技術の欠点を改良したもので、樹脂と
充てん剤のなじみが良く、耐湿性の優れたエポキシ樹脂
組成物を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するために本発明者らが鋭意研究を重ね
た結果、以下に示すエポキシ樹脂組成物が優れた特性を
示すことを見出した。
すなわち本発明は (a)エポキシ樹脂 0)エポキシ樹脂の硬化剤 (C)一般式(1)で示される化合物 1 ) P −Rs −81Xs    (I)2 (ただしR9,〜几、は芳香族基または脂肪族基、Xは
アルコキシル基またはハロゲン原子を示す。)、(d)
無機質充てん剤 を含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物である
本発明において用いられるエポキシ樹脂は、一般にエポ
キシ樹脂として使用されているものであれば、いかなる
ものでもよい。かかるエポキシ樹脂としては、例えば、
ビスフェノールA型エポキシ樹脂、フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂。
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のグリシジルエ
ーテル型エポキシ樹脂;グリシジルエステル型エポキシ
樹脂;グリシジルアミン型エポキシ樹脂;線状脂肪族エ
ポキシ樹脂;脂環式エポキシ樹脂;複素環型エポキシ樹
脂;ハロゲン化エポキシ樹脂等の一分子中にエポキシ基
を2個以上有するエポキシ樹脂が挙げられ、これらか′
ら成る群よシ選ばれる18!もしくは2種以上のものが
用いられる。上記エポキシ樹脂は、塩素碕芽ンの含有量
が1109p以下で加水分解性塩素の含有量が0.1重
量%以下のものであることが好ましい。またエポキシ樹
脂としては、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂を用い
ることが好咬しく、とシわi、エポキシMft170〜
300を有するノボラック型エポキシ樹脂を用いること
が、優れた特性を有する硬化物が得られることから最も
好ましい。
本発明で用いられるエポキシ樹脂の硬化剤は、特に限定
されず、一般に用いられているエポキシ樹脂の硬化剤を
用いることができるが、特に好ましい硬化剤としては、
1分子中にフェノール性水酸基を2個以上有する硬化剤
および酸無水物硬化剤がある。前者はたとえば、フェノ
ールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂などの
フェノール樹脂、ポリパラヒドロキシスチレンなどのフ
ェノール性水酸基を有する重合体などかあシ、後者は無
水マレイン酸、無水フタル酸、無水テトラヒドロンタル
酸、無水ナジック酸、無水トリメリット酸、無水ピロメ
リット酸、無水クロレンデイック酸などがある。
これらの硬化剤の配合量は、エポキシ樹脂との硬化反応
に際し、エポキシ基と硬化剤の活性基との当量比が、エ
ポキシ基1に対し活性基が0,5〜1.5の範囲内にあ
るように決定することが好ましい。
本発明の特徴は、次の一般式〔I〕で示される化合物を
含むことにある。
R8 > P  Rs 、、 aiXs    (1)It。
(1,ただしR1−鳥は芳香族基、または脂肪族基、X
′はアルコキシル基または)・ロゲン原子を示す)具体
的に例示すると (Ph)zP (CHz)z81(OCHs)s(Ph
)z P (CHt)t 8 ’ (OCtHs)i(
Ph)、P(CHt)2 S’ CL。
(Ph)z P(CL)s Si (OCtHi)m(
Ph)、P◇−8i (QC晶)3 (Ph)2P 8CH2CH2−Si (OC2H,)
(CHsCH2CHt)t P (CH2)2 S i
 (OCHs)3  等である。
上記化合物は、エポキシ樹脂組成物の0.001〜20
重景%の範重量で用いることが好ましい。
本発明において用いられる無機質充てん剤としては、石
英ガラス粉末、結晶性シリカ粉末、ガラス線維、タルク
、アルミナ粉末、水酸化アルミニウム粉末、炭酸カルシ
ウム粉末、硫酸バリウム粉末、マグネシア粉末等があげ
られ、一般に充てん剤として用いられているものを使用
することができる。これらの中で、石英ガラス粉末や結
晶性シリカ粉末が、高純度と低熱膨張の点で最も好まし
い。配合量は用途等によっても異なるが、エポキシ樹脂
に対し重lt比で]5倍〜5倍程度でよい。
本発明の特徴は、一般式(1)で示される化合物が、無
機質充てん剤表聞の水酸基と反応することにある。この
反応は一般のシランカンブリンク剤の無機質充てん側表
面への反応と同等である。この反応を行うことを目的と
して、上記化合物を無機質充てん側表面に付着させるこ
とを表面処理と称する。表面処理はエポキシ樹脂組成物
を配合した後で行ってもよいが、前もって上記化合物を
無機質充てん剤に表面処理しておいてもよい。
本発明のエポキシ樹脂組成物は上記成分のほかに、硬化
触媒を配合することによって、その特性をよシ一層改善
することができる。硬化触媒としては一般に知られてい
るものが使用できるが、特に好ましいのは有機ホスフィ
ン化合物である。
本発明において硬化触媒として用いられる有機ホスフィ
ン化合物としては、式〔■〕;R8 鳥−P’    (n) 嘔 R8 においてR1−R8がすべて有機基である第3ホスフィ
ン化合物、Rsのみ水素である第2ホスフィン化合物、
R,、R1がともに水素である第1ホスフィン化合物が
ある。具体的にはトリフェニルホスフィン、トリブチル
ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、メチルジ
フェニルホスフィン、ブチルフェニルホスフィン、ジフ
ェニルホスフィン。
フェニルホスフィン、オクチルホスフィンなどである。
またR、が崩機ホスフィンを含む有機基であ、 っても
よい。たとえば1.2−ビス(ジフェニルホスフィノ)
エタン、ビス(ジフェニルホスフィン)メタンなどであ
る。これらの中でもアリールホスフィン化合物が好まし
く、特にトリフェニルホスフィン、1,2−ビス(ジフ
ェニルホスフィノ)エタン、ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)メタン々どが最も好ましい。′=1:たこれらの有
機ホスフィン化合物は1種もしくは2種以上の混合系で
用いてもよい。しかして、この有機ホスフィン化合物の
配合量は一般に樹脂分(エポキシ樹脂と硬化剤)の0.
01〜20重量%の範囲内でよいが特に好ましい特性は
0.01〜5重量%の範囲内で得られる。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物は必要に応じて、例え
ば天然ワックス類9合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属
塩、酸アミド類、エステル類もしくはパラフィン類など
の離型剤、塩素化パラフィン、フロムトルエン、ヘキサ
ブロムベンゼン、三酸化アンチモンなどの難燃剤、カー
ボンブラックなどの着色剤などを適宜添加配合しても差
しつかえなり0 本発明に係るエポキシ樹脂組成物を成形材料として調製
する場合の一般的な方法としては、所定の組成に選んだ
原料組成分を例えばミキサーによって充分混合後、さら
に熱ロールによる溶融混合処理、またはニーダ−などに
よる混合処理を加えることにより容易にエポキシ樹脂成
形材料を得ることができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いた樹脂封止型半導体
装置は、上記エポキシ樹脂組成物乃至成形材料を用いて
半導体装置を封止することにより容易に製造することが
できる。封止の最も一般的な方法としては低圧トランス
ファ成形法があるが、インジェクション成形、圧縮成形
、注型などによる封止も可能である。
エポキシ樹脂組成物乃至成形材料は封止の際に加熱して
硬化させ、最終的にはこの組成物乃至成形材料の硬化物
によって封止された樹脂封止型半導体装置を得ることが
できる。硬化に際しては150°C以上に加熱すること
が特に望ましい。
上記半導体装置とは集積回路、大規模集積回路。
トランジスタ、サイリスタ、ダイオードなどであって特
に限定されるものではない。
〔発明の効果〕
上記本発明の目的、概要の記載および下記実施例におい
て明らかなように、本発明のエポキシ樹脂組成物を用い
て半導体装置を封止して成る樹脂封止型半導体装置は、
耐湿試験において水分によるアルミニウム配線の腐食が
著しく低いことに示されるように耐湿性に優れている。
従って本発明のエポキシ樹脂組成物によって高信頼性の
樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
上記のように本発明のエポキシ樹脂組成物は、最も高品
質、高信頼性が要求されるといわれる半導体装置の封止
樹脂として用いた場合に、最大の発揮するのであるが、
半導体装置はどの高品質が要求されない一般の電子部品
や電気部品の封止。
被覆、絶縁などに適用した場合でも優れた効果が得られ
る。
〔本発明の実施例〕
合成例1 平均粒径20μmの石英ガラス粉末700gに2−(ジ
フェニルホスフィノ)エチルトリエトキシシラ/7gを
加え、ミキサー中で混合して石英ガラス粉末の表面処理
を行った。
次に本発明の実施例を記載する。
実施例1〜6 エポキシ当量220のクレゾールノボラック型エポキシ
樹脂(エポキシ樹脂A)、エポキシ当量290の臭素化
エポキシノボラック樹脂(エポキシ樹脂B)1分子量8
00のフェノールノボラック樹脂硬化剤、無水テトラヒ
ドロフタル酸、2−(ジフェニルホスフィノ)エチルト
リエトキシシラン。
合成例1によって得た充てん剤(充てん剤A)。
トリフェニルホスフィン、2−メチルイミダゾール、石
英ガラス粉末、三酸化アンチモン、カルナバワックス、
カーボンブラック、を表−1に示す組成(重量比)に選
び、各組成物をミキサーによる混合、加熱ロールによる
混線を行うことによって、比較例を含め10種のトラン
スファ成形材料を調製した。
このようにして得た成形材料を用いてトランスファ成形
するととによJ) 、MOS m集積回路を樹脂封止し
た。封止は高周波予熱器で90℃に加熱した成形材料を
175℃で5分間モールドし、更に180℃で8時間ア
7タキエアすることによシ行った。上記樹脂封止型半導
体装置去100個について次の試験を行った。
(11120℃、2気圧の水蒸気中でIOV印加してア
ルミニウム配線の腐食による断線不良を調べる耐湿試験
(バイアスPCT )を行い、その結果を表−2に示し
た。
以下余白 表−1 表−2 黄比較例3は硬化が遅くてトランスファ成形できなかり
たので耐湿試験を行なわなかった。
99−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)(a)エポキシ樹脂 (b)エポキシ樹脂の硬化剤 (C)一般式CI)でかされる化合物 】(1 >p  ’R1s  5sXs    C1)2 (fC,だしR1−馬は芳香族基まだは脂肪族基。 Xはアルコキシル基または)・ロゲン原子を示す(d)
    無機質充てん剤 を含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 (2)無機質充てん剤が結晶性シリカまたは石英ガラス
    粉末である特許請求の範囲第1項記載のエポキシ樹脂組
    成物。 (3ンエボキシ樹脂の硬化剤が、−分子中に少くとも2
    個のフェノール性水酸基を有する化合物である特許請求
    の範囲第1項記載のエポキシ樹脂組成物。 ■エポキシ樹脂が、エポキシ当量170〜300のノボ
    ラック型エポキシ樹脂である特許請求の範囲第1項記載
    のエポキシ樹脂組成物。 (5)更にエポキシ樹脂の硬化触媒を含有する特許請求
    の範囲第1項記載のエポキシ樹脂組成物。 (6)エポキシ樹脂の硬化触媒が有機ホスフィン化合物
    である特許請求の範囲第5項記載のエポキシ樹脂組成物
    。 (7)無機質充てん剤が一般式〔I〕で示される化合)
        物によって表面処理されていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項または第5項記載のエポキシ樹
    脂組成物。
JP4873383A 1983-03-25 1983-03-25 エポキシ樹脂組成物 Granted JPS59174613A (ja)

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JPH0421691B2 JPH0421691B2 (ja) 1992-04-13

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02122319U (ja) * 1989-03-20 1990-10-05
JP2009518510A (ja) * 2005-12-05 2009-05-07 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 難燃性ポリマー組成物

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02122319U (ja) * 1989-03-20 1990-10-05
JPH0755463Y2 (ja) * 1989-03-20 1995-12-20 トキコ株式会社 流量計用磁気継手
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