JPS59162523A - Liquid crystal shutter array - Google Patents
Liquid crystal shutter arrayInfo
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- JPS59162523A JPS59162523A JP58037046A JP3704683A JPS59162523A JP S59162523 A JPS59162523 A JP S59162523A JP 58037046 A JP58037046 A JP 58037046A JP 3704683 A JP3704683 A JP 3704683A JP S59162523 A JPS59162523 A JP S59162523A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶シャッタアレイに関し、特に液晶シャッ
タアレイ光信号発生部を有する電子写真プリンタによ多
形成されるドツト状電子写真像の改良に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a liquid crystal shutter array, and more particularly to an improvement in dot-shaped electrophotographic images formed by an electrophotographic printer having a liquid crystal shutter array optical signal generating section.
この液晶シャッタアレイは、液晶の電気−光学変調機能
を利用しておシ、この変調部をアレイ状に並べて、これ
に光をあてその透過光を選択的にとシ出すことにより電
気画像信号に応じた光信号を形成し、この光信号を電子
写真感光体に照射してデジタルコピーを得ることができ
る。This liquid crystal shutter array utilizes the electro-optical modulation function of liquid crystal, and by arranging the modulation sections in an array, shining light on them and selectively outputting the transmitted light, it converts into electrical image signals. A digital copy can be obtained by forming a corresponding optical signal and irradiating the electrophotographic photoreceptor with this optical signal.
この液晶−光学シャッタアレイの利点として挙げられる
ことは、
1、電子写真プリンタに用いた場合、プリンタとしての
装置が小型化できるとと;
2、LBP(レーザビームプリンタ)で使用されるポリ
ゴンスキャナの様な機械的駆動部分がないために騒音が
なくまた厳しい機械的精度の要求が小さいとと;
などがある。The advantages of this liquid crystal-optical shutter array are: 1. When used in an electrophotographic printer, the printer device can be made smaller; 2. It is easier to use for polygon scanners used in LBPs (laser beam printers). Because there are no mechanically driven parts, there is no noise, and the requirements for strict mechanical precision are small.
しかし、この液晶シャッタアレイ光信号発生部を有する
電子写真プリンタを用いて形成した電子写真像は、レー
ザビームプリンタを用いて形成した電子写真像に較べ解
像力の点で劣っている欠点を有している。特に%%時分
割駆動方式を用いた液晶シャッタアレイでは、複数のシ
ャツタ開口部がチドリ状に2行配列されておシ、%周期
で1行目のシャツタ開口部を動作し、次の%周期に2行
目のシャツタ開口部を動作させてlラインの画像を形成
する様に駆動されるが、lラインの画像上に1行目のシ
ャツタ開口部の動作によって形成したドツト状画像と次
の2行目のシャツタ開口部の動作によって形成したドツ
ト状画像が重なル合いを生じているために11ラインの
画像忙濃度差を生じていた。しかも11つのドツト状画
像を観察した場合でも、ドツト状画像の周辺部で1にじ
み”が見られ、シャープなドツト状画像となっていない
ことが判明した。However, electrophotographic images formed using an electrophotographic printer having this liquid crystal shutter array optical signal generating section have a disadvantage in that they are inferior in resolution compared to electrophotographic images formed using a laser beam printer. There is. In particular, in a liquid crystal shutter array using the %% time-division driving method, a plurality of shutter openings are arranged in two rows in a staggered manner, and the shutter openings in the first row are operated in a % period, and the shutter openings in the first row are operated in the next % period. The shutter openings in the second row are operated to form an l-line image, but the dot-like image formed by the operation of the shirtter openings in the first row and the next dot are formed on the l-line image. Since the dot-like images formed by the operation of the shutter openings in the second line overlapped, a difference in density between the images of 11 lines occurred. Moreover, even when 11 dot-shaped images were observed, one "bleed" was observed at the periphery of the dot-shaped images, indicating that the dot-shaped images were not sharp.
本発明の目的は、前述の欠点を解消した液晶シャッタア
レイを提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a liquid crystal shutter array that eliminates the above-mentioned drawbacks.
本発明の別の目的は、液晶シャッタアレイ光信号発生部
を用いた電子写真プリンタによ多形成した電子写真像の
解像力とシャープ性を向上させた液晶シャッタアレイを
提供することにある0
すなわち、本発明の液晶シャッタアレイはチドリ状に2
行の並列配置した複数のシャツタ開口部における1行目
および2行目の並列配置した複数のシャツタ開口部間の
間隔が該シャツタ開口部の並列方向における゛長さの1
.22倍〜2.0倍の長さを有している点に特徴を有し
ている。この液晶シャッタアレイ光信号発生部を用いた
電子写真プリンタによ多形成したドツト状画像の解像力
とシャープ性を向上させることができ、従って1ライン
の電子写真像には濃度ムラが見られず、シャープな画像
を形成することができる。特に、並列配置した複数のシ
ャツタ開口部間の間隔を該シャツタ開口部の並列方向に
おける長さの1,4倍〜1.8倍、特に好ましくは1.
5倍〜1.6倍の長さに設定すると、ドツト状画像の”
にじみ”を有効に防止でき、画像の解像力とシャープ性
を向上させることができる。Another object of the present invention is to provide a liquid crystal shutter array that improves the resolution and sharpness of electrophotographic images formed by an electrophotographic printer using a liquid crystal shutter array optical signal generator. The liquid crystal shutter array of the present invention has two
The distance between the plurality of shirt flap openings arranged in parallel in the first row and the second row in the plurality of shirt flap openings arranged in parallel in a row is 1 of the length of the shirt flap openings in the parallel direction.
.. It is characterized by having a length of 22 times to 2.0 times. It is possible to improve the resolution and sharpness of multi-dot-shaped images formed by an electrophotographic printer using this liquid crystal shutter array optical signal generating section, and therefore, no density unevenness is observed in a single line electrophotographic image. Sharp images can be formed. In particular, the distance between the plurality of shirt flap openings arranged in parallel is 1.4 to 1.8 times the length of the shirt flap openings in the parallel direction, particularly preferably 1.8 to 1.8 times the length of the shirt flap openings in the parallel direction.
If you set the length to 5 times to 1.6 times, the dot-like image
It can effectively prevent "bleeding" and improve image resolution and sharpness.
以下、本発明を図面に従って説明する。The present invention will be explained below with reference to the drawings.
第1図、第2図および第3図に示すシャッタは、シャツ
タ開口部11 (lla、 llb・・・・・・)がチ
ドリ状に複数個で配列されておシ、行電極12aおよび
12bと信号電極13 (13a、 13b、 13c
。The shutter shown in FIGS. 1, 2, and 3 has a plurality of shutter openings 11 (lla, llb, etc.) arranged in a zigzag pattern, and row electrodes 12a and 12b. Signal electrodes 13 (13a, 13b, 13c
.
13d、・・・・・・)の交差部に位置している。この
シャッタに用いる行電極基板は、基板14(ガラス、プ
ラスチックなど)の上にシャツタ開口部11を形成する
区域11’ (ll’a 、 ll’b)を除いた区域
の行電極12aと12bの上に金属遮光マスク15が形
成されている。さらに、行電極12aと12bの間には
着色絶縁膜16が配置されている。又、図中17は樹脂
などからなる絶縁膜を示している0
第2図に示す行電極基板の形成工程の一例を説明する。13d,...) is located at the intersection. The row electrode substrate used for this shutter has row electrodes 12a and 12b on the substrate 14 (glass, plastic, etc.) in the area excluding the area 11'(ll'a,ll'b) where the shutter opening 11 is formed. A metal light shielding mask 15 is formed thereon. Furthermore, a colored insulating film 16 is arranged between the row electrodes 12a and 12b. Further, in the figure, numeral 17 indicates an insulating film made of resin or the like.0 An example of the process of forming the row electrode substrate shown in FIG. 2 will be explained.
第2図においてガラス基板14の内面側には透明導電性
薄膜からなる電極行電極123′と12bおよび金属遮
光マスク15が形成されている本のとし、その上に配向
膜としてポリビニフルアルコール(PVA)膜を形成す
る。PVAはゴー七/−ル(日本合成化学工業)BG−
05の10%水溶液を用い感光性骨子剤として重クロム
酸アンモニウムを上記ffAの固形分忙対し5%の割合
で添加したものを回転塗布した(6000rprn、
10″)後60℃にて15分間加熱して絶縁膜17を形
成する0
次に周縁部をマスクで覆った状態でPVA膜(絶縁膜1
7)を10−15秒露光し、純水により30秒間現像し
て未露光部を除去する0次にN2ガスによシ吹乾後80
℃で5分間加熱乾燥した後に、PVA膜表面をラビング
により配向処理する。In FIG. 2, electrode row electrodes 123' and 12b made of a transparent conductive thin film and a metal light-shielding mask 15 are formed on the inner surface of the glass substrate 14, and polyvinyl alcohol (polyvinyl alcohol) is used as an alignment film on the inner surface of the glass substrate 14. PVA) film is formed. PVA is Go7/-ru (Nippon Gosei Kagaku Kogyo) BG-
Using a 10% aqueous solution of 05 and adding ammonium dichromate as a photosensitive skeleton agent at a ratio of 5% to the solid content of the above ffA, it was spin-coated (6000 rpm,
10") and then heated at 60°C for 15 minutes to form an insulating film 17. Next, with the peripheral edge covered with a mask, a PVA film (insulating film 1
7) was exposed for 10-15 seconds and developed with pure water for 30 seconds to remove the unexposed areas. After blow-drying with N2 gas,
After heating and drying at ℃ for 5 minutes, the surface of the PVA membrane is subjected to alignment treatment by rubbing.
次にフオトレジス) (FPPR4800)を回転塗布
(2000rpm、10”) した後、80℃にて5分
間加熱してフォトレジスト層を形成、次いで図中の16
の区域を覆う形のマスクをかけてフォトレジスト層を7
秒間露光後現像液で現像して図中の16の区域のフォト
レジスト層を除去した。Next, a photoresist layer (FPPR4800) was spin coated (2000 rpm, 10”) and heated at 80°C for 5 minutes to form a photoresist layer.
7. Apply a layer of photoresist with a mask covering the area.
After exposure for a second, development was performed with a developer to remove the photoresist layer in 16 areas in the figure.
次に染料液に5分間浸漬してPVA皮膜を染色して、着
色絶縁膜16を形成する。染料は8umi f ix
Black ENB (住人化学) 、5olophe
nyINGL(+パガイギー) 、C1bacet G
rey NH(チバガイギー)の何れかをNH,OHの
2%水溶液で溶解して用い、2稽又は3種の染料に順次
浸漬することによシ所要の濃度を得るようにしてもよい
。次に純水によるリンス後、メチルエチルケトンによυ
フォトレジスト層の残部を除去、イソプロピルアルコー
ルによるリンス、フロンペーパー乾燥、ベーキング(1
801:、15′)等の仕゛上工程を経て行電極12a
と12bの隙間部分が不透明に染色された遮光マスクが
完成する。Next, the PVA film is dyed by immersing it in a dye solution for 5 minutes to form a colored insulating film 16. The dye is 8umi fix
Black ENB (Sumain Chemical), 5olophe
nyINGL (+Pageigy), C1bacet G
Rey NH (Ciba Geigy) may be used by dissolving it in a 2% aqueous solution of NH and OH, and the desired concentration may be obtained by sequentially immersing it in two or three types of dyes. Next, after rinsing with pure water, rinse with methyl ethyl ketone.
Remove remaining photoresist layer, rinse with isopropyl alcohol, dry with Fron paper, bake (1)
801:, 15'), etc. to form the row electrode 12a.
A light-shielding mask in which the gap between and 12b is opaquely dyed is completed.
又、第3図に示す行電極基板の形成工程の一例を説明す
る。第3図において、ガラス基板14の内面には透明導
電性薄膜からなる行電極12aと12bおよび余端遮光
マスク15が形成されているものとし、その上にポリビ
ニルアルコール(PVA)膜を形成する。ffAはゴー
セノール(日本合成化学工業) EG−05の10%水
溶液を用い感光性封子剤と°して重クロム酸アンモニウ
ムを上記PVAの固形分に対し5%の割合で添2JOL
、たものを回転塗布した( 6000 rpm、 10
″)後60℃にて15分間加熱する。Further, an example of the process of forming the row electrode substrate shown in FIG. 3 will be explained. In FIG. 3, it is assumed that row electrodes 12a and 12b made of transparent conductive thin films and a remaining end light shielding mask 15 are formed on the inner surface of a glass substrate 14, and a polyvinyl alcohol (PVA) film is formed thereon. ffA is a 10% aqueous solution of Gohsenol (Nippon Gosei Kagaku Kogyo) EG-05, and ammonium dichromate is added as a photosensitive sealant at a ratio of 5% to the solid content of the PVA.
, spin coating (6000 rpm, 10
'') and then heated at 60°C for 15 minutes.
次に金属遮光マスク15の隙間部分のみに光が当たる様
なマスクをアライメントした状態でPVA膜を10−1
5秒露光し、純水によ930秒現像して未露光部を除去
する。次にN2ガスにより吹乾後80℃で5分間加熱乾
燥する。Next, with the mask aligned so that light hits only the gap between the metal light-shielding mask 15, a PVA film 10-1 is applied.
The film was exposed for 5 seconds and developed with pure water for 930 seconds to remove the unexposed areas. Next, it is blown dry with N2 gas and then heated and dried at 80° C. for 5 minutes.
次に染料に5分間浸漬してPVA皮膜を染色する。染料
はSumi f ix Black BNS (住人化
学)、5olopheny INGL (チバガイギー
)、C1bacetGrey NH(チバガイギー)の
何れかをNH4OH(7)2%水溶液で溶解して用い、
2復又は3種の染料に順次浸漬することにより所要の濃
度を得るようにしてもよい。これによfi PVA膜が
染色されて、着色絶縁膜16が形成される。The PVA film is then dyed by immersion in the dye for 5 minutes. The dye used was one of Sumifix Black BNS (Sumima Kagaku), 5olopheny INGL (Ciba Geigy), and C1bacetGrey NH (Ciba Geigy) dissolved in a 2% aqueous solution of NH4OH (7).
The desired concentration may be obtained by immersion in two or three dyes sequentially. As a result, the fi PVA film is dyed, and a colored insulating film 16 is formed.
次に純水によるリンス後、イソプロビルアルコールニヨ
ルリンス、フロンペーパー乾燥、ベーキング(180℃
、15’)等の仕上工程を経て隙間部分が不透明に染色
された遮光マスクが完成する。Next, after rinsing with pure water, rinse with isopropyl alcohol, dry with Fron paper, and bake (180℃).
, 15'), etc., to complete a light-shielding mask in which the gap portions are opaquely dyed.
そして、その表面にポリイミド樹脂(東ン■製5P−5
10)の2.5%NMP溶液を用いて回転塗布した(3
000rpm、60秒間)後に300℃30分間加熱し
て絶縁膜17を形成する。Then, polyimide resin (5P-5 manufactured by Toton) was applied to the surface.
10) was spin-coated using a 2.5% NMP solution (3).
000 rpm for 60 seconds), the insulating film 17 is formed by heating at 300° C. for 30 minutes.
シール及び電極端子部分のポリイミド膜を除去(アルカ
IJ I 0%水溶液を用いて60℃の温度で10分間
エツチング)した後、ラビングにて液晶分子の配向方位
を決定づける0
金属遮光マスク15は、通常クロム、アルミニウムや銀
などの反射性金属を蒸着又はメッキなどの手段によって
被膜形成後フオ) IJソ工程を採用して形成すること
ができる。この金属遮光マスク25は、クロムで形成さ
れた時には約300〜2000人の膜厚で形成される。After removing the polyimide film on the seal and electrode terminal portions (etching for 10 minutes at 60° C. using a 0% Alka IJ I aqueous solution), the alignment direction of the liquid crystal molecules is determined by rubbing. After a reflective metal such as chromium, aluminum, or silver is formed by vapor deposition or plating, an IJ process can be employed. When the metal light-shielding mask 25 is made of chromium, it has a film thickness of about 300 to 2000 layers.
上述の様にして遮光マスクを形成されたガラス基板と従
来の通シの対向電極を有するガラス基板とを組合せ、偏
光板を配置して液晶シャッタアレイを構成した場合、前
述の様な電圧非印加部を透過する僅かな光量は殆んど染
色マスクによって吸収され、データ書き込みの際データ
記号以外の部分を感光させることは防止される。When a liquid crystal shutter array is constructed by combining a glass substrate on which a light-shielding mask is formed as described above and a glass substrate having a conventional through-hole counter electrode and arranging a polarizing plate, the voltage is not applied as described above. Most of the small amount of light that passes through the area is absorbed by the dye mask, preventing areas other than the data symbol from being exposed to light when writing data.
遮光マスクは対向電極側に形成しても同様の効果が得ら
れることは勿論であり、この場合も上述と同様の方法で
、パターン電極に対応する部分以外を覆う遮光マスクを
形成することが出来る。又、パターン電極側と対向電極
側との両方に遮光しスフを形成してもよいことは勿論で
おる○
第4図は、本発明の液晶シャッタアレイの一部を示す平
面図である。Of course, the same effect can be obtained even if the light-shielding mask is formed on the opposite electrode side, and in this case as well, the light-shielding mask that covers the part other than the part corresponding to the pattern electrode can be formed using the same method as described above. . Moreover, it is of course possible to form a light shielding screen on both the pattern electrode side and the counter electrode side. FIG. 4 is a plan view showing a part of the liquid crystal shutter array of the present invention.
本発明の具体例では、第1図に示す%時分割駆動用電極
構造を有する液晶シャッタアレイを用いることができる
。第4図に示すアレイは、第1基板上には2行の行電極
12aと12bが配置されており、これと対向する第2
基板には2行の行電極12aおよび12bと交差する信
号電極13(13a 、 13b 、 13c 、 1
3d −・−= )が配置されている。In a specific example of the present invention, a liquid crystal shutter array having the electrode structure for time division driving shown in FIG. 1 can be used. In the array shown in FIG. 4, two row electrodes 12a and 12b are arranged on a first substrate, and a second
The substrate has signal electrodes 13 (13a, 13b, 13c, 1) that intersect with two rows of row electrodes 12a and 12b.
3d −・−= ) are arranged.
この行電極12aと12bおよび信号電極13のそれぞ
れの対向部に形成したシャッタ開口部人、。Shutter openings are formed at opposing portions of the row electrodes 12a and 12b and the signal electrode 13, respectively.
A、 、 A、 、・・・・・・と)”1 * A2
* I’s ・・・・・・を斜線によって示す。これ
らのチドリ状に配置されたシャツタ開口部のうち1行目
の並列配置したAI −A2− A−s −・・・・・
・の並列方向における長さり、および2行目の並列配置
したAI’ 、 4’、 A3’、・・・・・・の並列
方向における長さD1′とシャツタ開口部間(kr−ん
、A4−A、。A, , A, ,...)"1 * A2
*I's... are indicated by diagonal lines. Among these shirt openings arranged in a staggered pattern, AI-A2-A-s--... which are arranged in parallel in the first row.
・The length in the parallel direction of AI', 4', A3', . . . arranged in parallel in the second row and the length D1' in the parallel direction of -A.
・・・・・・)の長さD2およびシャツタ開口部間(A
、’−^z、−A2’ A3’、・・・・・・ )の長
さD2′の関係は、前述したとおり、Dt = (1,
22〜2.0 ) X Dtとり、’= (1,22〜
2. o ) x Ds ’の関係を有している0好ま
しい具体凰 3 よ
を110mm−140ssm とすることが適しておシ
、特に最適の具体例ではり、とり、′をsoamとし、
D、とD!′を1201mに設定することができる。) and the length D2 between the shirt openings (A
, '-^z, -A2'A3', ...... ), the relationship between the length D2' is Dt = (1,
22~2.0) X Dt,'= (1,22~
2. o) It is suitable to set 0 to 110 mm-140 ssm in a preferred concrete example having the relationship of
D, and D! ' can be set to 1201 m.
行電極12aおよび12bの長手方向の長さは、日本工
業規格A−4判の短手方向の長さに合致する様に一般に
210哩程鹿の長さにすることが望ましい。この際に形
成されるシャツタ開口部は1行目を1050個(5ドツ
ト/膿)とし、2行目も同様に1050個(5ドツト/
ffIIK)とした割合でしかも1行目のシャツタ開口
部と2行目のシャツタ開口部を第4図に示す様にチドリ
状で配置することができる。It is generally desirable that the length of the row electrodes 12a and 12b in the longitudinal direction be approximately 210 mm long so as to match the length in the lateral direction of Japanese Industrial Standard A-4 size. The number of shirt openings formed at this time is 1050 (5 dots/pus) in the first row, and 1050 (5 dots/pus) in the second row.
ffIIK), and the first row shirt openings and the second row shirt openings can be arranged in a staggered manner as shown in FIG.
かかる液晶シャッタアレイは、第1基板と第2基板の外
側にはそれぞれ偏光板が配置され、矢印21および22
で示すクロスニコル状態にある。第1基板と第2基板の
内壁面は、その間に挾持したP型液晶が矢印23の方向
(偏光板の偏光方向に対しほぼ45度の角度)に初期配
向する様に、それぞれラビング処理などによシ配向処理
が施されている。In such a liquid crystal shutter array, polarizing plates are arranged on the outside of the first substrate and the second substrate, respectively, and arrows 21 and 22
It is in a crossed nicol state as shown by . The inner wall surfaces of the first and second substrates are subjected to a rubbing treatment or the like so that the P-type liquid crystal sandwiched between them is initially oriented in the direction of arrow 23 (approximately 45 degrees to the polarization direction of the polarizing plate). A special orientation treatment has been applied.
以下の説明を簡略化するために、行電極12a上に対応
するシャツタ開口部A1とA2および行電極12b上に
対応するシャツタ開口部AI′とA2′に注目し、これ
らシャッタ開口部A1. A2. A、’およびA2′
における動作を例に挙げて説明する。To simplify the following explanation, attention will be paid to the shutter openings A1 and A2 corresponding to the row electrode 12a and the shutter openings AI' and A2' corresponding to the row electrode 12b, and these shutter openings A1. A2. A,' and A2'
The operation will be explained using an example.
第5図は、本発明の駆動法で用いるタイムチャートを示
している。時間T、 、 T、′、T、II・・・・・
・は行電極12a上に対応するシャツタ開口部が動作を
行なう時間であシ、行電極12b上に対応するシャツタ
開口部はすべて動作を停止している。時間Tt * T
2’+ T*’・・・・・・は行電極12b上に対応す
るシャツタ開口部が動作を行なう時間であり、行電極1
2a上に対応するシャツタ開口部は動作を停止している
。すなわち、時間T、 、 T、Z III、I+・・
・・・・においては信号電極13bと13cに与えられ
る信号S1とS、によってシャツタ開口部AI ’とA
2’の動作に影響を与えてはならないし、時間T、 、
T、Z T2//・・・・・・においては信号SIと
82によってシャツタ開口部A、とA2の動作に影響を
与えてはならない。FIG. 5 shows a time chart used in the driving method of the present invention. Time T, , T,′, T,II...
.times. is the time during which the shutter openings corresponding to the row electrode 12a operate, and all the shirt shutter openings corresponding to the row electrode 12b stop operating. Time Tt *T
2'+T*'... is the time during which the shutter opening corresponding to the row electrode 12b operates;
The corresponding shirt opening on 2a is inactive. That is, time T, , T, Z III, I+...
..., the shutter openings AI' and A are controlled by the signals S1 and S given to the signal electrodes 13b and 13c.
2' should not be affected, and the time T, ,
T, Z T2//..., the signals SI and 82 must not affect the operation of the shutter openings A and A2.
本発明は以上の点を克服したことに重要な意味がある。The present invention has an important meaning in that it overcomes the above points.
まず、時間’r、 t Tl’ s T+”・・・・・
・ における各シャツタ開口部の動作を説明する。第5
図のタイムチャートに図示する様に、行電極12aおよ
び12bにそれぞれ電圧CとC′を印加する。この際電
圧Cは、電圧C′に対して逆相である。これに対して、
信号電極13bと13c Kは、アドレスする行電極1
2a K印加する電圧Cと同相の電圧か、あるいはある
一定の電圧レベルに保つことでシャッタのオンかオフを
決めることができる。First, time 'r, t Tl' s T+''...
- Explain the operation of each shirt opening in . Fifth
As shown in the time chart in the figure, voltages C and C' are applied to row electrodes 12a and 12b, respectively. At this time, voltage C is in opposite phase to voltage C'. On the contrary,
Signal electrodes 13b and 13c K address row electrode 1
2a It is possible to determine whether the shutter is on or off by keeping the voltage in phase with the applied voltage C or at a certain voltage level.
第5図に図示した時間T、においてはシャツタ開口部A
Iのみがシャッタオン状態(照射光を透過する状態)に
なる例を挙げた。但し、本例では1行をアドレスする時
間の終端部には必ずオフ状態を促す信号を入れる時間τ
を設けである。At time T shown in FIG. 5, the shirt opening A
An example is given in which only I is in a shutter-on state (a state in which irradiation light is transmitted). However, in this example, at the end of the time for addressing one row, there is always a time τ to which a signal prompting the OFF state is inserted.
This is provided.
時間T1において行電極12bの相当する行のシャツタ
開口部A1′およびん′がシャッタオフ状態(照射光を
遮断する状態)にあることを説明すると% A1’ l
’おける液晶の動作は電圧C′と信号s1による電界に
よって決まる。C′とS、は互いに逆相の電圧信号であ
るので、A、′における液晶層は強い電界を受けること
になシ光を透過しない状態(オフ状態)である。一方、
ん′はC′と82によって決まるが% 82はある一定
電圧レベルに保たれているので、・転圧σによh A!
’における液晶層にも比較的強い電界がかがシ、オフ状
態となる。To explain that the shutter openings A1' and A1' of the corresponding row of the row electrode 12b are in the shutter-off state (state of blocking irradiation light) at time T1, % A1' l
The operation of the liquid crystal at ' is determined by the voltage C' and the electric field caused by the signal s1. Since C' and S are voltage signals with opposite phases to each other, the liquid crystal layers at A and ' are in a state (off state) in which no light is transmitted even though they are subjected to a strong electric field. on the other hand,
' is determined by C' and 82, but since %82 is kept at a certain constant voltage level, h A!
A relatively strong electric field is also applied to the liquid crystal layer at ', which turns it off.
一方、A2は信号S2と電圧Cによって決まるが、S2
は一定信号レベルであるので電圧CによりA2における
液晶層には比較的強い電界が作用するのでオフ状態であ
る。ところがA8においてはCと81で決まるが% 8
1はCと同相の電圧信号であるため、AIにおける液晶
層にはIc−5,+の絶対値である電圧がかかることに
なシ、これは零かあるいは比較的弱い電界をもたらすた
め光が透過する状態(オン状態)を生み出す。On the other hand, A2 is determined by signal S2 and voltage C, but S2
Since is at a constant signal level, a relatively strong electric field acts on the liquid crystal layer at A2 due to the voltage C, so that it is in an off state. However, in A8, it is determined by C and 81, but %8
Since 1 is a voltage signal that is in phase with C, a voltage that is the absolute value of Ic-5,+ is not applied to the liquid crystal layer in AI, and this results in a zero or relatively weak electric field, so light Creates a transparent state (on state).
また同じく行電極12aのなす行をアドレスする時間T
I′においては戊とA、ともオン状態にした例であり、
A1′と戊′はそれぞれSl、S2とC′とで決まる比
較的強い電界によジオフ状態である。Similarly, the time T for addressing the row formed by the row electrode 12a
In I′, both 戊 and A are in the on state,
A1' and 戊' are in a geo-off state due to relatively strong electric fields determined by Sl, S2 and C', respectively.
以上まとめると、行電極12aのなす行をアドレスする
時間においては、信号S1と82 のとる状態にかかわ
らず、行電極12bのなす行のシャツタ開口部は常に確
実にオフ状態にある。In summary, at the time when a row of row electrodes 12a is addressed, the shutter openings of rows of row electrodes 12b are always reliably in the OFF state, regardless of the states of signals S1 and 82.
次に、行電極12bのなす行をアドレスする時間’r、
I T2Z T2’・・・・・・について説明する。Next, the time 'r for addressing the row formed by the row electrode 12b,
I T2Z T2'... will be explained.
時間T2はA、′のみオン状態またT、’ [おいては
・A2′のみオン状態となる例を挙げた。’r、 I
rr2/ v T2′’・・・・・・において電圧C′
はCに対して逆相である。これに対し、信号電圧S、と
82はC′と同相のものであるかあるいはある一定の電
圧レベルに保つかによシシャツタのオンかオフを決める
。シャツタ開口部A、とA2における液晶層においては
先の時間T1゜T、Z T:/・・・・・・におけるA
I′とA、′に対して説明した様に常に比較的強い電界
が作用するためオフ状態が保たれる。これに対し時間’
r、 ? ’r、’、 T2″・・・・・・KおけるA
I’とん′は信号S、とS、のいかんによって先のT1
.T□′、T:/におけるA1とA2に対して説明した
様にオンかオフの状態が選べる0ここで’r、 * ’
r、I TI’s Tfi’s Ti’* T2’・・
・・−・の各時間の終端部に設けたτはすべてのシャツ
タ開口部を一様にオフ状態にするだめのものであり、こ
れは信号S、と82 を一定レベルの電圧にすることに
よシ行なったものである。この消去信号を入れることに
よ)、次にオフ状態にあるべきシャツタ開口部よシ確実
に光透過を遮断することができる。At time T2, only A,' is on, and at time T,', only A2' is on. 'r, I
Voltage C' at rr2/ v T2''...
is in reverse phase with respect to C. On the other hand, whether the signal voltages S and 82 are in phase with C' or maintained at a certain voltage level determines whether the shutter is turned on or off. In the liquid crystal layer at the shutter openings A and A2, the A at the previous time T1゜T, Z T:/...
As explained above, a relatively strong electric field always acts on I' and A,', so that the off state is maintained. In contrast, time'
r,? 'r,', T2''...A in K
I'ton' is the previous T1 depending on the signal S, and S.
.. T□', T: As explained for A1 and A2 in /, you can choose between on and off states.0 where 'r, *'
r, I TI's Tfi's Ti'* T2'...
The τ provided at the end of each time period is to uniformly turn off all the shutter openings, and this causes the signals S and 82 to be at a constant voltage level. It was well done. By inputting this erase signal, it is possible to reliably block light transmission from the shutter opening which should then be in the OFF state.
又、第6図のプリンタは、液晶シャッタアレイを用いて
光信号を感光体に与えるだめの概略構成を示している。Further, the printer shown in FIG. 6 shows a schematic configuration of a printer that uses a liquid crystal shutter array to apply an optical signal to a photoreceptor.
但し、帯電器等は省略しである。61は液晶シャッタア
レイ、62は感光ドラム、63は光源(螢光灯など)、
64はセルフォックレンズアレイ、65は集光カバーで
ある。先に述べた様に液晶シャッタアレイを用いた場合
、プリンタは従来のLBPに比ベコン、くクトな形にま
とめることができる。However, the charger etc. are omitted. 61 is a liquid crystal shutter array, 62 is a photosensitive drum, 63 is a light source (fluorescent lamp, etc.),
64 is a SELFOC lens array, and 65 is a condensing cover. As mentioned above, when a liquid crystal shutter array is used, the printer can be assembled in a more compact form than the conventional LBP.
この様な電子写真プリンタ、すなわち70am〜9 Q
與mのシャツタ開口部の並列方向の長さを有し、且つ
シャツタ開口部間を1101!1m〜130μ
1%mの間隔にしてチドリ状に配置した液晶シャッタア
レイ光信号発生部を備えたプ1ノンタの場合では、形成
されるドツト状画像を約i o onmの大きさで画像
形成することができ、このためドツト状画像のシャープ
性を向上させること力;でき、従って1ラインの画像に
は濃度ムラ力よなく、良好な再現画像を形成すること7
5ぶできる。Such an electrophotographic printer, i.e. 70am~9Q
A printer comprising a liquid crystal shutter array optical signal generating section having a length in the parallel direction of shutter openings of 10 m and arranged in a staggered manner with an interval of 1101!1 m to 130 μm 1% m between the shutter openings. In the case of 1 nonta, it is possible to form a dot-like image with a size of about io onm, and therefore it is possible to improve the sharpness of the dot-like image; to form a good reproduced image without density unevenness 7
I can do 5.
第1図は、本発明の液晶シャッタアレイの平面図で、&
2図および第3図はその行電極基板のA−A断面図であ
る。第4図は、本発明の行電極と信号電極の平面図であ
る0第5図は、本発明の液晶シャッタアレイを動作させ
た時のタイムチャートを示す説明図である。第6図は、
本発明の液晶シャッタアレイを用いた電子写真プリンタ
の概略斜視図である0
11 (lla、 llb、・・・・・・)・・・・・
・シャツタ開口部、12 (12a、 12b、・・・
・・・ )・・・・・・行電極(共通電極)、13 (
13a、 13b、・・・・・−)・・・・・・信号゛
電極、14−・・・基板、15・・・金属遮光マスク、
16・・・着色絶縁膜、17・・・絶縁膜、21.22
・・・偏光方向、23・・・ラビング方向、61・・・
液晶シャッタアレイ、62・・・感光ドラム、63・・
・光源、64・・・セルフォックレンズ、65・・・集
光カッく−、D、、D1’・・・・・・シャツタ開口部
の並列方向における長さ、D2 * D2’・・・・・
・並列方向に配置した複数のシャツタ開口部間の間隔。
心3MFIG. 1 is a plan view of the liquid crystal shutter array of the present invention;
2 and 3 are sectional views taken along line A-A of the row electrode substrate. FIG. 4 is a plan view of the row electrodes and signal electrodes of the present invention. FIG. 5 is an explanatory diagram showing a time chart when the liquid crystal shutter array of the present invention is operated. Figure 6 shows
0 11 (lla, llb, . . . ) is a schematic perspective view of an electrophotographic printer using the liquid crystal shutter array of the present invention.
- Shirt openings, 12 (12a, 12b,...
)... Row electrode (common electrode), 13 (
13a, 13b,...-)... Signal electrode, 14-... Substrate, 15... Metal light-shielding mask,
16... Colored insulating film, 17... Insulating film, 21.22
...Polarization direction, 23...Rubbing direction, 61...
Liquid crystal shutter array, 62... Photosensitive drum, 63...
- Light source, 64...Selfoc lens, 65...Condensing cut-out, D,, D1'...Length in the parallel direction of the shutter opening, D2 * D2'...・
- Distance between multiple shirt openings arranged in parallel direction. Heart 3M
Claims (1)
本の行電極をマ) IJクス状とした電極構造および該
信号電極と行電極の対向部をシャツタ開口部とした液晶
シャッタアレイにおいて、並列方向に配置した前記複数
のシャツタ開口部間の間隔が該シャツタ開口部の並列方
向における長さの1.22倍〜2.0倍の長さを有する
ことを特徴とする液晶シャッタアレイ。A plurality of signal electrodes and two electrodes arranged opposite to the signal electrodes.
In a liquid crystal shutter array in which the row electrodes of a book are arranged in an IJ box-like electrode structure and the opposing portions of the signal electrode and the row electrode are shutter openings, the distance between the plurality of shutter openings arranged in parallel direction is A liquid crystal shutter array having a length of 1.22 to 2.0 times the length of the shutter openings in the parallel direction.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58037046A JPS59162523A (en) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | Liquid crystal shutter array |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58037046A JPS59162523A (en) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | Liquid crystal shutter array |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59162523A true JPS59162523A (en) | 1984-09-13 |
Family
ID=12486645
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58037046A Pending JPS59162523A (en) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | Liquid crystal shutter array |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59162523A (en) |
-
1983
- 1983-03-07 JP JP58037046A patent/JPS59162523A/en active Pending
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