JPS59162522A - Optical modulator - Google Patents

Optical modulator

Info

Publication number
JPS59162522A
JPS59162522A JP58035361A JP3536183A JPS59162522A JP S59162522 A JPS59162522 A JP S59162522A JP 58035361 A JP58035361 A JP 58035361A JP 3536183 A JP3536183 A JP 3536183A JP S59162522 A JPS59162522 A JP S59162522A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
row
electrodes
row electrodes
shutter
liquid crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58035361A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuichi Masaki
裕一 正木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP58035361A priority Critical patent/JPS59162522A/en
Priority to US06/582,596 priority patent/US4653859A/en
Priority to FR8403292A priority patent/FR2542105B1/en
Priority to DE19843408110 priority patent/DE3408110A1/en
Priority to GB08405666A priority patent/GB2139394B/en
Publication of JPS59162522A publication Critical patent/JPS59162522A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve the light transmittance in a shutter opening state by applying a voltage to plural one-side beltlike electrodes of a matrix electrodes as row electrodes, row by row, on time-division basis and operating liquid crystal, and forming a metallic mask in an area other than shutter opening parts. CONSTITUTION:Shutter opening parts 21 (21a, 21b...) are arrayed zigzag at intersections of row electrodes 22a, 22b and signal electrodes 23 (23a-23d...). A row electrode substrate for a shutter is formed by providing the metallic light-shield mask 25 on a substrate 24 (glass, plastic, etc.) at the area except areas 21' (21'a and 21'b) where the shutter opening parts 21 are formed, and the row electrodes 22a and 22b are arranged thereupon with an insulating film 26 interposed (provided that the electrostatic capacity between the row electrodes is held below 100PF). Consequently, the light transmittance in the shutter opening state is improved.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光学変調装置、特に液晶−光学シャッタに関
し、詳しくは時分割駆動方式に適した液晶−光学シャッ
タに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an optical modulation device, particularly a liquid crystal-optical shutter, and more particularly to a liquid crystal-optical shutter suitable for a time-division driving method.

この液晶−光学シャッタは、液晶の電気−光学変調機能
を利用しておシ、この変調部をアレイ状に並べて、これ
に光をあて、その透過光を選択的にとり出すことによシ
ミ気菌像信号に応じた光信号を形成し、この光信号を電
子写真感光体に照射してデジタルコピーを得ることがで
きる。
This liquid crystal-optical shutter utilizes the electro-optical modulation function of liquid crystal.The modulators are arranged in an array, illuminated with light, and the transmitted light is selectively extracted. A digital copy can be obtained by forming an optical signal corresponding to the image signal and irradiating the electrophotographic photoreceptor with this optical signal.

この液晶−光シヤツタアレイの利点として挙げられるこ
とは、 1、電子写真プリンタに用いた場合、プリンタとしての
装置が小型化できること: 2、LBP(レーザビームプ・リンク)で使用されるポ
リゴンスキャナの様□な機械的駆動部分がないために騒
音がなく、□また、厳しい機械的精度の要求が小さいと
と; などがある。このような利点を要することはおのずから
信頼性の向上、軽量化および低コスト化の可能性を生み
だすものであるが、実際には種々の問題がある。
The advantages of this liquid crystal-optical shutter array are: 1. When used in an electrophotographic printer, the printer device can be made smaller; 2. It can be used in applications such as polygon scanners used in LBP (laser beam link). There are no mechanically driven parts, so there is no noise, and there is little requirement for strict mechanical precision. Although such advantages naturally lead to the possibility of improved reliability, weight reduction, and cost reduction, there are actually various problems.

第1図は最も容易に理解されるであろう液晶シャッタア
レイ構成例を示すものである。
FIG. 1 shows an example of a liquid crystal shutter array configuration that will be most easily understood.

第1図に示す様にシャッタの開口部lが設けられ、他の
斜線部分は洩れ光が生じない様にするため、通常マスク
が施される。液晶は、基板2の内幸面に設けた信号電極
3(3a、3b。
As shown in FIG. 1, a shutter opening l is provided, and other hatched areas are usually masked to prevent leakage of light. The liquid crystal has signal electrodes 3 (3a, 3b) provided on the inner surface of the substrate 2.

3c、3d・・・・・・)とこの信号電極3と対向して
配置した共通電極4の間に封入されている。しかし、こ
の様な液晶−光学シャッタは、第1図に示す形式で開口
部を並べ、形成画像の画像密度をl Odot / m
mとしたA−4判の短手長さを有するシャッタアレイと
して設計されるには、信号電極を約2000個必要とす
ることになシ、それぞれを駆動するドライバーの数も2
00.0個必要となる。
3c, 3d, . . .) and a common electrode 4 disposed opposite to the signal electrode 3. However, in such a liquid crystal-optical shutter, the apertures are arranged in the format shown in Fig. 1, and the image density of the formed image is set to l Odot/m.
In order to design a shutter array with an A-4 size width of m, approximately 2000 signal electrodes would be required, and the number of drivers to drive each would also be 2.
00.0 pieces are required.

ドライバICの数は5oピンのICであれば40個使用
しなければならない。ここで、おのずからコストを下げ
ることは制限されてしまう。
The number of driver ICs must be 40 if it is a 5o pin IC. This naturally limits the ability to reduce costs.

このため共通電極を複数行に分割して、信号電極とマト
リクス対応にさせることで、共通電極の各行に対し時分
割してシャッタ開閉を行なわせることか考えられている
が、この液晶シャッタアレイを電子写真複写機のヘッド
として用いた場合、通常行電極が長手方向iC150t
rrm以上、特に日本工業規格A−4判のサイズに適合
させるために行電極の長手方向の長さを210霞以上と
することが必要となっている。
For this reason, it has been considered that by dividing the common electrode into multiple rows and making them correspond to the signal electrodes in a matrix, the shutter can be opened and closed in a time-sharing manner for each row of the common electrode. When used as a head of an electrophotographic copying machine, the row electrode is usually iC150t in the longitudinal direction.
rrm or more, and in particular, it is necessary that the length in the longitudinal direction of the row electrode be 210 haze or more in order to conform to the size of Japanese Industrial Standards A-4 size.

しかし、本発明者の研究によればこの様に長尺の行電極
を複数行で1枚の基体に並列配置し、しかも行電極間の
隙間からの洩れ光を防ぐために行電極間には絶縁性を有
する遮光マスクを配置した電極板を用いた液晶シャッタ
アレイでは、行電極間に大きな静電容量を生じる様にな
ル、これがシャッタ開口時の光透過率を数%程度と低い
ものにしていることが判明した。従って、シャッタ開口
時とシャッタ遮閉時のコントラストが小さく、このため
この液晶シャッタアレイを電子写真複写機のプリンタヘ
ッドに取シ付けた時には感光ドラム設計やプロセス設計
を難かしいもの姉している。特に、30W程度の螢光灯
を光源とした時には、良好な画像が形成できないという
欠点が見い出された。
However, according to research conducted by the present inventor, multiple rows of long row electrodes are arranged in parallel on a single substrate, and there is no insulation between the row electrodes in order to prevent light from leaking through the gaps between the row electrodes. In a liquid crystal shutter array that uses an electrode plate with a light-shielding mask placed on it, a large capacitance is generated between the row electrodes, and this causes the light transmittance when the shutter is open to be as low as a few percent. It turned out that there was. Therefore, the contrast between when the shutter opens and when the shutter closes is small, making it difficult to design a photosensitive drum or process when this liquid crystal shutter array is attached to a printer head of an electrophotographic copying machine. In particular, it has been found that when a fluorescent lamp of about 30 W is used as a light source, a good image cannot be formed.

従って、本発明の目的は、前述の欠点を解消した光学変
調装置、特に液晶−光学シャッタを提供することにある
SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide an optical modulation device, in particular a liquid crystal-optical shutter, which eliminates the above-mentioned drawbacks.

本発明の別の目的は、時分割駆動方式に適した液晶−光
学シャッタを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a liquid crystal-optical shutter suitable for time-division driving.

本発明の他の目的は、シャッタ開口時の光透過率を向上
させた液晶−光学シャッタを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a liquid crystal-optical shutter with improved light transmittance when the shutter is open.

すなわち、本発明は、互いに対向した複数の帯状電極を
交差させてマトリクス状とした電極構造を有し、一方の
複数の帯状電極を行電極(共通電極)として行ごとに時
分割で電圧を印加する方式の駆動方式によって液晶を動
作させることができ、かかる行電極を形成している基板
がシャツタ開口部となる区域を除いた区域に全域遮光マ
スクが形成されておシ、シかも行電極間の静電容量が1
00OPF (ピコファラド)以下に保たれている煮え
特徴を有している。
That is, the present invention has an electrode structure in which a plurality of band-shaped electrodes facing each other are crossed to form a matrix, and one of the plurality of band-shaped electrodes is used as a row electrode (common electrode) to time-divisionally apply a voltage to each row. The liquid crystal can be operated by a driving method that uses a drive method, and a light-shielding mask is formed over the entire area of the substrate forming the row electrodes except for the area that will become the shutter opening. The capacitance of is 1
It has a boiling characteristic that is maintained below 00 OPF (picofarads).

本発明の液晶−光学シャッタは、例えば第2図(a)に
示す態様を有し、そこに用いる行電極(共通電極)基板
は第2図(b)に示す態様を有している。
The liquid crystal-optical shutter of the present invention has, for example, the embodiment shown in FIG. 2(a), and the row electrode (common electrode) substrate used therein has the embodiment shown in FIG. 2(b).

第2図1に示すシャッタは、シャツタ開口部21(21
a、2.lb、・・・・・・)がチドリ状に複数個で配
列されておシ、行電極22aおよび22bと信号電極2
3 (23a、23b、23c、23d、−・・・・・
)の交差部に位置している。このシャッタに用いる行電
極基板は、基板24(ガラス、プラスチックなど)の上
にシャツタ開口部21を形成する区域21’ (21’
a 、 21’b)  を除いた区域に金属遮光マスク
25が形成され、その上に絶縁膜26を介して行電極2
2aと22bが配置されている。この態様は、第3図で
明らかにしている。
The shutter shown in FIG. 21 has a shutter opening 21 (21
a, 2. lb,...) are arranged in a zigzag pattern, and the row electrodes 22a and 22b and the signal electrode 2
3 (23a, 23b, 23c, 23d, ---
) is located at the intersection of The row electrode substrate used for this shutter has an area 21'(21'
A metal light-shielding mask 25 is formed in the area except for the areas 21'a and 21'b), and the row electrode 2 is formed on the metal light-shielding mask 25 through an insulating film 26.
2a and 22b are arranged. This aspect is made clear in FIG.

第3図において、このシャッタに用いる行電極基板は、
基板24(ガラス、プラスチックなど)の上にシャツタ
開口部21を形成する区域21’ (21’a 、 2
1’b )を除いた区域の行電極22aと22bの上に
金属遮光マスク25が形成されている。さ゛らに、行電
極22aと22bの間には絶縁性を有する遮光マスク2
6が配置されている。
In FIG. 3, the row electrode substrate used for this shutter is
An area 21'(21'a, 2
A metal light-shielding mask 25 is formed on the row electrodes 22a and 22b in the area except 1'b). Furthermore, a light-shielding mask 2 having insulation properties is provided between the row electrodes 22a and 22b.
6 is placed.

又、図中27は樹脂などからなる絶縁膜を示している。Further, numeral 27 in the figure indicates an insulating film made of resin or the like.

第3図に示す行電極基板の形成工程の一例を説明する。An example of the process of forming the row electrode substrate shown in FIG. 3 will be described.

第3図においてガラス基板24の内面側には透明導電性
薄膜からなる電極行電極22aと22bおよび金属遮光
マスク25が形成されているものとし、その上に配向膜
としてポリビニールアルコール(PVA)膜を形成t;
4゜PVAはゴーセノール(日本合成化学工業)EG−
05の10%水溶液を用い感光性付子側として重クロム
酸アンモニウムを上記PVAの固形分に対し5%の割合
で添加したものを回転塗布した(6QQQrpm、IQ
 )後60℃にて15分間加熱して絶縁膜27を形成す
る0次に周縁蔀をマスクで覆づた状態でP、VA膜(絶
縁膜27)を10〜15秒露光し、純水により30秒間
現像して未露光部を除去する。次にN、ガスにより吹乾
後80℃で5分間加熱乾燥した後に、PVA膜表面をラ
ビングにより配向処理する。
In FIG. 3, it is assumed that electrode row electrodes 22a and 22b made of transparent conductive thin films and a metal light-shielding mask 25 are formed on the inner surface side of the glass substrate 24, and a polyvinyl alcohol (PVA) film is formed thereon as an alignment film. form t;
4゜PVA is Gohsenol (Nippon Gosei Kagaku Kogyo) EG-
Using a 10% aqueous solution of 05, ammonium dichromate was added to the photosensitive adhesive side at a ratio of 5% to the solid content of the PVA (6QQQrpm, IQ
) and then heated at 60°C for 15 minutes to form the insulating film 27. Next, with the peripheral edges covered with a mask, the P and VA films (insulating film 27) were exposed for 10 to 15 seconds, and then exposed to light using pure water. Develop for 30 seconds to remove unexposed areas. Next, after blow-drying with N gas and heating and drying at 80° C. for 5 minutes, the surface of the PVA film is subjected to an alignment treatment by rubbing.

次にフォトレジスト(PPP几=l(800)を回転塗
布(2000rpm、lO”)した後、80℃にて5分
間加熱してフォトレジスト層を形成、次艷で図中の26
の区域を覆う形のマスクをかけてフォトレジスト層を7
秒間露光後現像液で現像して図中の26の区域のフォト
レジスト層を除去した。
Next, a photoresist (PPP⇠=l(800)) was spin-coated (2000 rpm, lO'') and heated at 80°C for 5 minutes to form a photoresist layer.
7. Apply a layer of photoresist with a mask covering the area.
After exposure to light for a second, the photoresist layer was developed in a developer to remove the photoresist layer in 26 areas in the figure.

次に染料液に5分間浸漬してPVA皮膜を染色して、絶
縁性を有する遮光マスク26を形成する。染料は8um
ifix Black EN8 (住友化学)、8o1
opheny INGL(fバガイギー)、C1bac
etGreyNH(チバガイギー)の何れかをNH,O
H(7)2%水溶液で溶解して用い、2種又は3種の染
料に順次浸漬することによシ所要の濃度を得るようにし
てもよい。次に純水によるリンス後、メチルエチルケト
ンによ)フォトレジスト層の残部を除去、イングロビル
アルコールによるリンス、フロンペーパー乾燥、ベーキ
ング(180℃、15′)等の仕上工程を経て行電極2
2aと22bの隙間部分が不透明に染色された遮−光マ
スク26が完成する。
Next, the PVA film is immersed in a dye solution for 5 minutes to dye the PVA film, thereby forming an insulating light-shielding mask 26. The dye is 8um
ifix Black EN8 (Sumitomo Chemical), 8o1
opheny INGL (f Bageiggy), C1bac
etGreyNH (Ciba Geigy) NH,O
It may be used after being dissolved in a 2% aqueous solution of H(7), and the desired concentration may be obtained by sequentially immersing it in two or three types of dyes. Next, after rinsing with pure water, removing the remainder of the photoresist layer (with methyl ethyl ketone), rinsing with Inglobil alcohol, drying with Freon paper, and baking (180°C, 15'), the row electrodes 2
A light shielding mask 26 in which the gap between 2a and 22b is opaquely dyed is completed.

又、第4図に示す行電極基板の形成工程の一例を説明す
る。第4図において、ガラス基板24の内面には透明導
電性薄膜からなる行電極22aと22bおよび金属遮光
マスク25が形成されているものとし、その上にポリビ
ニルアルコール(PVA)膜を形成する。PVAはゴー
セノール(日本合成化学工業)no−osの10%水溶
液を用い感光性付子側として重クロム酸アンモニウムを
上記PVAの固形分に対し5%の割合で添加したものを
回転塗布した(6000rpm、  10″)後60℃
にて15分間加熱する。
Further, an example of the process of forming the row electrode substrate shown in FIG. 4 will be explained. In FIG. 4, it is assumed that row electrodes 22a and 22b made of transparent conductive thin films and a metal light shielding mask 25 are formed on the inner surface of a glass substrate 24, and a polyvinyl alcohol (PVA) film is formed thereon. For the PVA, a 10% aqueous solution of Gohsenol (Nippon Gosei Kagaku Kogyo) no-os was used, and as the photosensitive adhesive side, ammonium dichromate was added at a ratio of 5% to the solid content of the PVA, which was spin-coated (6000 rpm). , 10″) after 60℃
Heat for 15 minutes.

次に金属遮光マスク25の隙間部分のみに光が当たる様
なマスクをアライメントした状態でPVA膜を10〜1
5秒露光し、純水によ930秒現像して未露光部を除去
する。次にN2ガスによシ吹乾後80℃で5分間加熱乾
燥する。
Next, with the mask aligned so that light hits only the gap between the metal light-shielding mask 25, a PVA film of 10~1
The film was exposed for 5 seconds and developed with pure water for 930 seconds to remove the unexposed areas. Next, it is blown dry with N2 gas and then heated and dried at 80° C. for 5 minutes.

次に染料に5分間浸漬してPVA皮膜を染色する。染料
は8umifix Black ENS (住友化学)
、5olopheny INGL (チバガイギー)、
C1bacetGrey NH(チバガイギー)の何れ
かをNH4OHの2%水溶液で溶解して用い、2種又は
3種の染料に順次浸漬することにょシ所要の濃度を得る
ようにしてもよい。これKよfi PVA膜が染色され
て、絶縁性を有する遮光マスク26が形成される。
The PVA film is then dyed by immersion in the dye for 5 minutes. The dye is 8umifix Black ENS (Sumitomo Chemical)
, 5olopheny INGL (Ciba Geigy),
Either C1bacetGrey NH (Ciba Geigy) may be used after being dissolved in a 2% aqueous solution of NH4OH, and the desired concentration may be obtained by sequentially immersing it in two or three types of dyes. The PVA film is dyed to form an insulating light-shielding mask 26.

次に純水によるリンス後、イソプロビルアルコールニヨ
ルリンス、フロンペーパー乾燥、ベーキング(180℃
、15’)等の仕上工程を経て隙間部分が不透明に染色
された遮光マスク26が完成する。
Next, after rinsing with pure water, rinse with isopropyl alcohol, dry with Fron paper, and bake (180℃).
, 15'), etc., to complete the light-shielding mask 26 in which the gap portions are opaquely dyed.

そして、その表面にポリイミド樹脂(東し■製Sf’−
510)の2.5 X NMP溶液を用いて回転塗布し
た(3000rpm、60秒間)後に300℃30分間
加熱して絶縁膜27を形成する。
Then, polyimide resin (Sf'- manufactured by Toshi ■) was applied to the surface of the polyimide resin.
510) using a 2.5×NMP solution (3000 rpm, 60 seconds), and then heated at 300° C. for 30 minutes to form an insulating film 27.

シール及び電極端子部分°のポリイミド膜を除去(アル
カU 10%水溶液を用いて60℃の温度で10分間エ
ツチング)した後、ラビングにて液晶分子の配向方位を
決定づける。
After removing the polyimide film on the seal and electrode terminal portions (etching for 10 minutes at a temperature of 60° C. using a 10% aqueous alkali U solution), the alignment direction of the liquid crystal molecules is determined by rubbing.

金属遮光マスク25は、通常クロム、アルミニウムや銀
などの反射性金属を蒸着又はメッキなどの手段によって
被膜形成後フォトリソ工程を採用して形成することがで
きる。この金属遮光マスク25は、クロムで形成された
時には約300〜2000人の膜厚で形成される。又、
絶縁膜27は絶縁性を与えるに充分な膜厚(約0.5〜
3.0μ程度)でSin、やポリイミドなどの絶縁性物
質を蒸着、スパッタ又は塗工などによって被膜形成させ
て得ることができ、又、行電極22と信号電極23は酸
化インジウムや酸化スズあるいはそれらの合金などの透
明性導電物質によって形成できる。行電極22と信号電
極23の上には8i0.、ポリイミドやポリパラキシリ
レンなどの配向制御被膜を配置することができ、との配
向制御被膜の上にラビングなどの処理を施すと、そのラ
ビング方向に従って液晶を配向させることができる。
The metal light-shielding mask 25 can be formed by forming a film of a reflective metal such as chromium, aluminum, or silver by vapor deposition or plating, and then employing a photolithography process. When the metal light-shielding mask 25 is made of chromium, it has a film thickness of about 300 to 2000 layers. or,
The insulating film 27 has a thickness sufficient to provide insulation (approximately 0.5 to
The row electrodes 22 and the signal electrodes 23 can be formed using indium oxide, tin oxide, or other insulating materials such as Sin or polyimide (about 3.0μ) by vapor deposition, sputtering, or coating. It can be formed from a transparent conductive material such as an alloy of. 8i0. on the row electrode 22 and signal electrode 23. An alignment control film made of polyimide, polyparaxylylene, or the like can be disposed, and by performing a treatment such as rubbing on the alignment control film, the liquid crystal can be aligned according to the rubbing direction.

第5図は、本発明の液晶−光学シャッタアレイの一部を
示す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing a portion of the liquid crystal-optical shutter array of the present invention.

本発明の具体例では、第5図に示す1/2時分割駆動用
電極構造を有する液晶−光学シャッタアレイを用いるこ
とができる。第5図に示すアレイは亀第1基板上には2
行の行電極22aと22b(図中、点線で示す)が配置
されており、これ23C、23d・・・・・・・・・ 
)が配置されている。この行電極22aと22bおよび
信号電極23のそれぞれレイの開口部として言い換える
ことができるので、以下、開口部という。
In a specific example of the present invention, a liquid crystal-optical shutter array having a 1/2 time-division drive electrode structure shown in FIG. 5 can be used. The array shown in FIG.
Row electrodes 22a and 22b (indicated by dotted lines in the figure) are arranged, and these are 23C, 23d...
) are placed. Since the row electrodes 22a and 22b and the signal electrode 23 can each be referred to as an opening in a ray, they will be referred to as openings hereinafter.

かかる液晶−光学シャッタアレイは、第1基その間に挾
持したP型液晶が矢印許等の方向(偏光板の偏光方向に
対しほぼ45度の角度)に初期配向する様に、それぞれ
ラビング処理などによシホモジニアス配向処理が施され
ている。
Such a liquid crystal-optical shutter array is subjected to a rubbing treatment or the like so that the P-type liquid crystal sandwiched between the first groups is initially oriented in the direction of the arrow (approximately 45 degrees to the polarization direction of the polarizing plate). A highly homogeneous alignment process has been applied.

以下の説明を簡略化するために、行電極22a上に対応
する開口部A1とA2および行電極22b上に対応する
ta口部A:とA; に注目し、これら開口部A、 、
 A2. A1’およびA2’における動作を例に挙げ
て説明する。
In order to simplify the following explanation, we will focus on openings A1 and A2 corresponding to the row electrode 22a and ta openings A: and A; corresponding to the row electrode 22b, and these openings A, ,
A2. The operations in A1' and A2' will be explained as an example.

第6図は、本発明の駆動法で用いるタイムチャートを示
している。時間T、 、 rl11′、 T、Jr ・
・曲・・・は行電極22a上に対応する開口部が動作を
行なう時間であシ、行電極22b上に対応する開口部は
すべて動作を停止している。時間’r21 T2′、’
r2“・・・・・・は行電極22b上に対応する開口部
が動作を行なう時間であシ、行電極22a上に対応する
開口部は動作を停止している。すなわち、時間TI。
FIG. 6 shows a time chart used in the driving method of the present invention. Time T, , rl11', T, Jr.
・Song... is the time when the openings corresponding to the row electrodes 22a operate, and all the openings corresponding to the row electrodes 22b stop operating. Time 'r21 T2','
r2"... is the time during which the openings corresponding to the row electrodes 22b operate, and the openings corresponding to the row electrodes 22a stop operating. That is, time TI.

”r、r 、 T:r 、、、、、、においては信号電
極23bと23cに与えられる信号S1と82によって
開口部AI’とA2′の動作に影響を与えてはならない
し、時間T2゜T2p、 、it・・・・・・において
は信号S、とS、にょって開口部萬とA、の動作に影響
を与えてはならない。
``r, r, T:r,'', the signals S1 and 82 applied to the signal electrodes 23b and 23c must not affect the operation of the openings AI' and A2', and the time T2° In T2p, , it..., the signals S and S must not affect the operation of the apertures A and A.

まず、時間’111 ’r、’、 TI”・・・・・・
における各開口部の動作を説明する。第6図のタイムチ
ャートに図示する様に、行′献極22aおよび22b 
Kそれぞれ電圧CとC′を印加する。この際電圧Cは、
電圧C′に対して逆相である。これに対して、信号電極
23bと23Cには、アドレスする行電極22Hに印加
する電圧Cと同相の電圧か、あるいはある一定の電圧レ
ベルに保つことでシャッタのオンかオフを決めることが
できる0 第6図に図示した時間T、においては開口部A。
First, time '111 'r,', TI''...
The operation of each opening in will be explained. As shown in the time chart of FIG.
Apply voltages C and C' to K, respectively. At this time, the voltage C is
The phase is opposite to voltage C'. On the other hand, by applying a voltage to the signal electrodes 23b and 23C that is in phase with the voltage C applied to the addressing row electrode 22H, or by keeping it at a certain voltage level, it is possible to determine whether the shutter is on or off. At the time T shown in FIG. 6, the opening A.

のみがシャッタオン状態(照射光を透過する状態)にな
る例を挙げた。但し、本例では1行をアドレスする時間
の終端部には必ずオフ状態を促す信号を入れる時間τを
設けである。時間T1において行電極22bの相当する
折開口部A、′およびん′がシャッタオフ状態(照射光
を遮断する状態)にあることを説明すると、八〇′にお
ける液晶の動作は電圧C′と信号S、による電界によっ
て決まる。C′と81は互いに逆相の電圧信号であるの
で、八〇′における液晶層は強い電界を受けることにな
シ、先の従来技術例で説明したように光を透過しない状
態(オフ状態)である。一方、A2はC′と82によっ
て決まるが、S2はある一定電圧レベルに保たれている
ので、電圧C′によfi A2’における液晶層にも比
較的強い電界がかかり、オフ状態となる。一方、A2は
信号S2と電圧Cによって決まるが% ”lは一定信号
レベルであるので電圧CKよシンにおける液晶層には比
較的強い電界が作用するのでオフ状態である。ところが
A1においてはCと81で決まるが、SlはCと同相の
電圧信号であるため、AIにおける液晶層にはIC−8
11の絶対値である電圧がかかるととKなシ、これは零
かあるいは比較的弱い電界をもたらすため光が透過する
状態(オン状態)を生み出す。
An example was given in which only the shutter is in a shutter-on state (a state in which irradiated light is transmitted). However, in this example, a time τ is provided at the end of the time for addressing one row to ensure that a signal prompting the off state is input. To explain that at time T1, the corresponding fold openings A,' and A' of the row electrode 22b are in a shutter-off state (a state where irradiation light is blocked).The operation of the liquid crystal at 80' is caused by the voltage C' and the signal It is determined by the electric field caused by S. Since C' and 81 are voltage signals with opposite phases to each other, the liquid crystal layer at 80' is not subjected to a strong electric field and is in a state where no light is transmitted (off state) as explained in the prior art example above. It is. On the other hand, A2 is determined by C' and 82, and since S2 is maintained at a certain constant voltage level, a relatively strong electric field is applied to the liquid crystal layer at fi A2' due to the voltage C', resulting in an off state. On the other hand, A2 is determined by the signal S2 and the voltage C, and since %l is a constant signal level, a relatively strong electric field acts on the liquid crystal layer at the voltage CK, so it is in the off state.However, at A1, C and However, since Sl is a voltage signal in the same phase as C, IC-8 is used in the liquid crystal layer in AI.
When a voltage with an absolute value of 11 is applied, this produces a zero or relatively weak electric field, creating a state (on state) through which light is transmitted.

また、同じく行電極22aのなす行をアドレスする時間
T、’ においては、AIとA、 ともオン状態にした
例であり、A、′とA2′はそれぞれS、、S、とC′
とで決まる比較的強い電界によりオフ状態である。以上
まとめると、行電極22aのなす行をアドレスする時間
においては、信号S、と82のとる状態にかかわらず、
行電極22bのなす折開口部は常に確実にオフ状態にあ
る。
Similarly, at the time T,' when addressing the row formed by the row electrode 22a, both AI and A are in the on state, and A,' and A2' are S, , S, and C', respectively.
It is in the off state due to a relatively strong electric field determined by . To summarize the above, at the time of addressing the row formed by the row electrode 22a, regardless of the states of the signals S and 82,
The folded opening of the row electrode 22b is always reliably in the OFF state.

次に、行電極22bのなす行をアドレスする時間T、 
、 T、’、 T、″・・・・・・について説明する。
Next, the time T for addressing the row formed by the row electrode 22b,
, T,', T,''... will be explained.

賽間T2はA1′のみオン状態、また、T、′において
はん′ のみオン状態となる例を挙げた。T2. T、
’、 T211・・・・・・・・・において電圧C′は
Cに対して逆相である。これに対し、信号電圧SIと8
2はC′と同相のものであるか、あるいはある一定の電
圧レベルに保つかによシ、シャッタのオ/かオフを決め
る0開口部人、とAtにおける液晶層においては、先の
時間’r、 I Tl’v ’11″・・・・・・・・
・におけるAI′とA、7に対して説明した様に常に比
較的強い電界が作用するため、オフ状態が保たれる。こ
れに対し、時間’r、 s Tt’*T2′・・・・・
−・・・におけるA1′とA2′は信゛号S、とS2の
いかんによって先の’111 ’r、’、 ’I’1″
におけるA、とA2に対して説明した様にオンかオフの
状態が選べる。
An example has been given in which only A1' is in the on state in Saima T2, and only A1' is in the on state at T and'. T2. T,
', T211..., the voltage C' is in opposite phase to C. On the other hand, the signal voltage SI and 8
2 is in phase with C', or whether it is kept at a certain voltage level. r, I Tl'v '11''・・・・・・・・・
As explained above, a relatively strong electric field always acts on AI', A, and 7, so that the off state is maintained. On the other hand, time 'r, s Tt'*T2'...
A1' and A2' in ... are '111 'r, ', 'I'1'' depending on the signals S and S2.
As explained for A and A2 in , on or off states can be selected.

ここでT、+ Tt * TI’* ’r、’、 ’r
、” I T2″・・・・・・・・・の各時間の終端部
に設けたτはすべての開口部を一様にオフ状態にするだ
めのものであ)°、これは信号S1と82を一定レベル
の電圧にすることにより行なったものである。この消去
信号を入れることによシ、次にオフ状態にあるべき開口
部よシ確芙に光透過を遮断することができる。
Here T, + Tt * TI' * 'r, ', 'r
, "I T2" ......... is provided at the end of each time to uniformly turn off all the apertures), which is the same as the signal S1. This is done by setting voltage 82 at a constant level. By applying this erase signal, it is possible to block light transmission to the opening that should be in the OFF state next time.

前述の液晶のリタデーションを利用した動作モードの時
、遮光状態(オフ)を維持するために行電極22と信号
電極230間象は常に電圧を印加する状態に保ち、選択
されたシャ、ツタ開口部21を開口状態(オン)とする
には、選択された信号電極23を行電極22と同期させ
てゼロ電圧あるいは閾値以下の低電圧を液晶に印加する
ことによって、液晶の配向モードを変換させて動作させ
ることができる(換言すれば、第5図に示す様にシャッ
タ開口状態を得るには、行電極と同期させて信号電極に
行電極が印加される電圧波形と同相で同レベルの電圧波
形を印加することによって、シャッタ開口状態を得−る
ことかできる。)が、前述した様に、行電極基板側の行
電極間で容量結合が生じているため、開口状態を動作さ
せる時、液晶に余分の電圧が印加されることになシ、こ
のために開口状態で充分な光透過率を得ることができな
い事態が生じる。
In the operation mode that utilizes the retardation of the liquid crystal described above, a voltage is always applied between the row electrode 22 and the signal electrode 230 in order to maintain the light shielding state (off), and the voltage is always applied to the selected shutter and ivy opening. 21 to be in the open state (on), the selected signal electrode 23 is synchronized with the row electrode 22 and zero voltage or a low voltage below the threshold is applied to the liquid crystal, thereby converting the alignment mode of the liquid crystal. In other words, in order to obtain the shutter open state as shown in FIG. ) However, as mentioned above, since capacitive coupling occurs between the row electrodes on the row electrode substrate side, when operating the open state, This causes a situation in which sufficient light transmittance cannot be obtained in the open state.

しかも、この静電容量はC=ε・S/d (但し1Cは
容量、εは比誘電率、Sは行電極間の対向する部分の面
M、dは行電極間の間隔の距離を表わしている)で決定
されるため、例えば液晶−光学シャッタを電子写真プリ
ンタのヘッドに適用するには日本工業規格A4判サイズ
あるいは同人3判の短手長分の長さを必要とし、それだ
けこの種のシャッタでは前述の式中におけるS′が大き
くなることになる。このため、長尺の液晶−光学シャッ
タアレイではシャッタ開口時に充分なる透過光量が得ら
れないことから、発光源の光量を多くするか、あるいは
比較的低スピードで感光ドラムを回転させる低スピード
のプリンタとすることが必要であった。
Moreover, this capacitance is C=ε・S/d (where 1C is the capacitance, ε is the dielectric constant, S is the surface M of the opposing part between the row electrodes, and d is the distance between the row electrodes. For example, in order to apply a liquid crystal-optical shutter to the head of an electrophotographic printer, a length equivalent to the short side of Japanese Industrial Standard A4 size or Doujin 3 size is required, and this type of shutter is determined by In the case of a shutter, S' in the above equation becomes large. For this reason, a long liquid crystal-optical shutter array cannot obtain a sufficient amount of transmitted light when the shutter is opened, so it is necessary to increase the amount of light from the light emitting source, or to use a low-speed printer that rotates the photosensitive drum at a relatively low speed. It was necessary to do so.

本発明の好ましい具体例では、前述の静電容itをt、
、ooopp (ピコファラド)以下、好ましくは50
0PF以下、特に好ましくは250PF以下に設定する
ことができる。
In a preferred embodiment of the invention, the aforementioned capacitance it is equal to t,
, ooopp (picofarad) or less, preferably 50
It can be set to 0PF or less, particularly preferably 250PF or less.

第7図(a) 〜(d)はそれぞれ100OPFの、4
70PF% 220PFとQPF靜電容量をもつ行電極
基板を用いた液晶−光学シャッタにag6図に示す駆動
波形を有すΣ電圧を印加させてシャツタ開口部をオン状
態とした時の透過率を表わしている。
Figure 7(a) to (d) are each 100OPF, 4
70PF% Expresses the transmittance when the shutter opening is turned on by applying a Σ voltage having the drive waveform shown in figure AG6 to a liquid crystal-optical shutter using a row electrode substrate with 220PF and QPF static capacitance. There is.

第7図(a)〜(d)によれば、行電極間の静電容量’
f1000Pl;’とした時のシャッタ開口時の透過上
は約5%で、470PFとした時のシャッタ開口時の透
過率は約13%、220PFとした時のシャッタ開口時
の透過上は約22%で、絶縁性を有する遮光マスク26
の使用を省略したOFFではシャッタ開口時の透過率は
約24%となっていることが判る。
According to FIGS. 7(a) to (d), the capacitance between the row electrodes'
When f1000Pl;' is set, the transmission when the shutter is open is about 5%, when it is 470PF, the transmission when the shutter is open is about 13%, and when it is 220PF, the transmission when the shutter is open is about 22%. A light-shielding mask 26 having insulating properties
It can be seen that in the OFF mode where the use of is omitted, the transmittance when the shutter is open is approximately 24%.

前述した様に、時分割駆動方式を採用した液晶−光学シ
ャッタでは行電極間に隙間を生じ、そこから洩れ光が例
えば第8図に示す様なプリンタヘッドに備えた感光ドラ
ムに照射させて、誤動作あるいは不要画像の形成といっ
た事態が生じるため、行電極間の透光マスクが必要とな
る0 行電極間で形成される静電容量が、シャッタ開口時の透
過率を考慮して100OPF以下、好ましくは500P
F以下、特に好ましくは250P’F以下に設定される
様に、行電極間の間隔と長手方向の長さを決定すること
ができる。特に、長手方向の長さを150簡以上、特に
A4判の短手方向の長さに合致させる上で21 Orm
s以上距離に保持することができる。
As mentioned above, in a liquid crystal-optical shutter that employs a time-division drive system, a gap is created between the row electrodes, and the light leaking from there is irradiated onto a photosensitive drum provided in a printer head as shown in FIG. 8, for example. Situations such as malfunctions or the formation of unnecessary images may occur, so a transparent mask is required between the row electrodes.The capacitance formed between the row electrodes is preferably 100 OPF or less, taking into account the transmittance when the shutter is open. is 500P
The spacing between the row electrodes and the length in the longitudinal direction can be determined so as to be set to less than F, particularly preferably less than 250 P'F. In particular, in order to match the length in the longitudinal direction to 150 Orm or more, especially the length in the short direction of A4 size paper, the length should be 21 Orm.
It can be maintained at a distance of s or more.

又、比較実験として行電極の長手方向の長さμ を210wnに設定し、′行電極間の間隔を10%mの
距離に保持した2行の行電極を設けた行電極基板を用い
て、液晶−光学シャッタを調製し、これに第6図に示す
駆動波形を有する電圧を印加して動作させたところ、行
電極間の静電容量が100OPF以上となり、しかもシ
ャッタ開口時の光透過率が約2%程度であることが判明
した0 これに対して、本発明では行電極間の間隔を3o/:、
。や□よツォ、え、8ア、わ。ヵ間。
In addition, as a comparative experiment, the length μ in the longitudinal direction of the row electrodes was set to 210wn, and a row electrode substrate with two row electrodes with the interval between the row electrodes maintained at a distance of 10% m was used. When a liquid crystal-optical shutter was prepared and operated by applying a voltage having the drive waveform shown in Fig. 6, the capacitance between the row electrodes was 100 OPF or more, and the light transmittance when the shutter was open was as follows. On the other hand, in the present invention, the spacing between the row electrodes is 3o/:,
. Ya□yo tso, eh, 8a, wow. Between.

静電容量を500PF以下とすることができ、シャッタ
開口時の光透過率については約15%とすることができ
た。
The capacitance could be reduced to 500PF or less, and the light transmittance when the shutter was open was approximately 15%.

第8図は、液晶シャッタアレイを用いて光信号を感光体
に与えるための概略構成を示していは光源(i光量など
)、84はセルフォラフレプリンタは従来のLBPに比
ベコンパクトな形にまとめることができる。
Figure 8 shows a schematic configuration for applying an optical signal to a photoreceptor using a liquid crystal shutter array. 84 is a light source (i-light amount, etc.), and 84 is a Selfolafre printer that is more compact than a conventional LBP. Can be summarized.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、従来の液晶−光学シャッタの平面図である。 第2図は、本発明の液晶−光学シャツタの平面図で、第
3図および第4図はその行電極基板のA−A断面図であ
る。第5図は、本発明の行電極と信号電極の平面図であ
る。第6図は、本発明の液晶−光学シャッタを動作させ
た時のタイムチャートを示す説明図である。第7図(a
)、第7図(b)、第7図(C)および第7図(d)は
本発明の液晶−光学シャッタを動作させた時のシャツタ
開口部における透過基を示す説明図である。第8図は、
本発明の液晶−光学シャッタを用いたプリンタヘッドの
概略斜視図である。 21 (21a、  21b・・・・・・)・・・・・
・シャツタ開口部22 (22a、  22b・・・・
・・ )・・・・・・行電極(共通電極)23 (23
a、  23b・・・・・・)・・・・・・信号電極2
4・・・・・・基板 25・・・・・・金I14遮光マスク 26・・・・・・絶縁性を有する遮光マスク27・・・
・・・絶縁膜 34.35・・・・・・偏光方向 36・・・・・・ラビング方向 81・・・・・・シャッタアレイ 82・・・・・・感光ドラム 83−・・・・・光源 84−・・・・・セルフォックレンズ 85・・・・・・集光カバー d・・・・・・・・・行電極間の間隔の距離特許出頓人
  キャノン株式会社
FIG. 1 is a plan view of a conventional liquid crystal-optical shutter. FIG. 2 is a plan view of the liquid crystal-optical shutter of the present invention, and FIGS. 3 and 4 are sectional views taken along line AA of the row electrode substrate. FIG. 5 is a plan view of the row electrodes and signal electrodes of the present invention. FIG. 6 is an explanatory diagram showing a time chart when operating the liquid crystal-optical shutter of the present invention. Figure 7 (a
), FIG. 7(b), FIG. 7(C), and FIG. 7(d) are explanatory diagrams showing the transmission group at the shutter opening when the liquid crystal-optical shutter of the present invention is operated. Figure 8 shows
1 is a schematic perspective view of a printer head using a liquid crystal-optical shutter of the present invention. 21 (21a, 21b...)...
- Shirt opening 22 (22a, 22b...
)... Row electrode (common electrode) 23 (23
a, 23b...)...Signal electrode 2
4... Substrate 25... Gold I14 light-shielding mask 26... Light-shielding mask 27 having insulation properties.
... Insulating film 34, 35 ... Polarization direction 36 ... Rubbing direction 81 ... Shutter array 82 ... Photosensitive drum 83 ... Light source 84 --- Selfoc lens 85 --- Concentrating cover d --- Distance between row electrodes Patent developer Canon Co., Ltd.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)複数の信号電極とこの信号電極に対向させて配置
した複数の行電極をマトリクス状とした電極構造と、前
記信号電極と行電極の間に配置した液晶を備えた時分割
駆動用光学変調装置において、前記複数の行電極間の静
電容量を100OPF (ピコファラド)以下としたこ
とを特徴とする光学変調装置。
(1) A time-division drive optical system comprising an electrode structure in which a plurality of signal electrodes and a plurality of row electrodes arranged opposite to the signal electrodes are arranged in a matrix, and a liquid crystal arranged between the signal electrodes and the row electrodes. An optical modulation device, characterized in that the capacitance between the plurality of row electrodes is 100 OPF (picofarad) or less.
(2)前記複数の行電極間の静電容量を500PF(ピ
コファラド)以下とした特許請求の範囲第1項記載の光
学変調装置。
(2) The optical modulation device according to claim 1, wherein the capacitance between the plurality of row electrodes is 500 PF (picofarad) or less.
(3)前記複数の行電極間の静電容量を250PF(ピ
コファラド)以下とした特許請求の範囲第2項記載の光
学変調装置。 μ
(3) The optical modulation device according to claim 2, wherein the capacitance between the plurality of row electrodes is 250 PF (picofarad) or less. μ
(4)前記複数の行電極間の間隔を15%m−100ハ %mの距離に保持した特許請求の範囲第1項記載の光学
変調装置。
(4) The optical modulation device according to claim 1, wherein the distance between the plurality of row electrodes is maintained at a distance of 15% m to 100% m.
(5)前記複数の行電極間の間隔を2− Q % m〜
50に %mの距離に保持した特許請求の範囲第4項記載の光学
変調装置。
(5) The spacing between the plurality of row electrodes is 2-Q% m~
The optical modulation device according to claim 4, wherein the optical modulation device is maintained at a distance of 50% m.
(6)  前記複数の行電極が長手方向に150mm以
上の°長さを有する特許請求の範囲第5項記載の光学変
調装置。 μ
(6) The optical modulation device according to claim 5, wherein the plurality of row electrodes have a length of 150 mm or more in the longitudinal direction. μ
(7)前記複数の行電極間の間隔を25外m〜40μ %mの距離に保持した特許請求の範囲第6項記載の光学
変調装置。
(7) The optical modulation device according to claim 6, wherein the distance between the plurality of row electrodes is maintained at a distance of 25 m to 40 m.
(8)前記複数の行電極を有する基板が少なくともシャ
ツタ開口部となる区域を除いた区域に金属遮光マスクが
配置されている特許請求の範囲第1項記載の光学変調装
置。
(8) The optical modulation device according to claim 1, wherein a metal light-shielding mask is disposed in an area of the substrate having the plurality of row electrodes excluding at least an area serving as a shutter opening.
(9)前記複数の行電極間に絶縁性を有する遮光マスク
が配置されている特許請求の範囲第1項記載の光学変調
装置。
(9) The optical modulation device according to claim 1, wherein an insulating light shielding mask is disposed between the plurality of row electrodes.
JP58035361A 1983-03-04 1983-03-04 Optical modulator Pending JPS59162522A (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58035361A JPS59162522A (en) 1983-03-04 1983-03-04 Optical modulator
US06/582,596 US4653859A (en) 1983-03-04 1984-02-22 Liquid crystal optical modulating element having particular capacitance between lines and method for driving the same
FR8403292A FR2542105B1 (en) 1983-03-04 1984-03-02 OPTICAL MODULATION ELEMENT AND ITS CONTROL METHOD
DE19843408110 DE3408110A1 (en) 1983-03-04 1984-03-05 OPTICAL MODULATION ELEMENT FOR TIME MULTIPLEX CONTROL AND METHOD FOR THE CONTROL THEREOF
GB08405666A GB2139394B (en) 1983-03-04 1984-03-05 Optical modulating element and method for driving the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58035361A JPS59162522A (en) 1983-03-04 1983-03-04 Optical modulator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59162522A true JPS59162522A (en) 1984-09-13

Family

ID=12439745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58035361A Pending JPS59162522A (en) 1983-03-04 1983-03-04 Optical modulator

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59162522A (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5045563A (en) * 1973-07-31 1975-04-23

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5045563A (en) * 1973-07-31 1975-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4569574A (en) Optical modulation device with masking structure and method of driving the same
US4636817A (en) Image forming apparatus with shutter array element
US5718996A (en) Electrostatic information recording medium and electrostatic information recording and reproducing method
US3890628A (en) Liquid crystal light control device and circuit
EP0375268B1 (en) Liquid crystal display device
JPS599639A (en) Liquid crystal display element
DE3850237T2 (en) Optical image capture device.
US4653859A (en) Liquid crystal optical modulating element having particular capacitance between lines and method for driving the same
JPS6026316A (en) Image forming device
JP2003228054A (en) Liquid crystal shutter panel, optical printer head and method for manufacturing liquid crystal shutter panel
US4837097A (en) Optical Shield for liquid crystal devices and method of fabrication
JPS59162522A (en) Optical modulator
US5777776A (en) Full optical type optical element
JP2002189232A (en) Liquid crystal display device, and active matrix substrate
JP2987045B2 (en) Liquid crystal panel substrate and method of manufacturing the same
JPS59162523A (en) Liquid crystal shutter array
JPS59129831A (en) Optical modulating device
JPS6358379A (en) Time-division driven liquid crystal optical switch array for printer
JPH11337724A (en) Production of color filter panel and production of liquid crystal display device
JP2879570B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JPS59135426A (en) Optical modulator
CA1229308A (en) Image forming apparatus with shutter array element
JPS6279402A (en) Manufacture of color filter
JPH01221265A (en) Image forming device
JP2001067017A (en) Manufacture of and manufacturing device for active matrix substrate