JPS59161921A - Asynchronous boot strap buffer circuit device - Google Patents

Asynchronous boot strap buffer circuit device

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JPS59161921A
JPS59161921A JP58035867A JP3586783A JPS59161921A JP S59161921 A JPS59161921 A JP S59161921A JP 58035867 A JP58035867 A JP 58035867A JP 3586783 A JP3586783 A JP 3586783A JP S59161921 A JPS59161921 A JP S59161921A
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JP
Japan
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transistor
potential
point
circuit
output
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Application number
JP58035867A
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Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Sasaki
佐々木 厚志
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Oki Electric Industry Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/01Modifications for accelerating switching
    • H03K19/017Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
    • H03K19/01707Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits
    • H03K19/01714Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits by bootstrapping, i.e. by positive feed-back

Abstract

PURPOSE:To secure the excellent driving capacity with no deterioration of speed by separating an input (output of the preceding stage) from a load transistor after detecting that the input level reaches the prescribed value and turning on a switching transistor. CONSTITUTION:The level of an output point A of the preceding stage 11 rises up and exceeds the threshold level of a transistor TRT17, the TRT17 is turned on. However a TRT15 is not turned on and therefore the potential is high at a point D with no effect given to the following stage. Then the input potential rises up, and TRT15 and T17 are turned on. When the input potential reaches the value VA which is decided by the inverter ratio between the TRT15 and T17, the potential of the point D drops suddenly to turn off a TRT13 and to raises up the potential of a point E. In this case, a TRT11 which is turned on to increase the potential of the point B is turned off to cut off an input (load C11 of the preceding stage). Thus the feedback efficiency is increased to raise suddenly the potential of the point E.

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) この発明は、完全スタティック動作型の非同期型プート
・ストラップ・バッファ回路装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Technical Field) The present invention relates to a completely statically operated asynchronous Poot-strap buffer circuit device.

(従来技術) 従来、非同期型回路方式を使用したメモリおよびロジッ
クなどの半導体回路装置には、消費電力を減少させるた
め、または、高速動作を行うために、バッファ回路装置
として非同期型、すなわち、完全スタティック型のプー
ト・ストラップ回路装置が広く使用されている。
(Prior Art) Conventionally, semiconductor circuit devices such as memory and logic using an asynchronous circuit system have been equipped with a buffer circuit device of an asynchronous type, that is, a completely Static type Poot-Strapp circuit devices are widely used.

第1図に、従来のスタティック動作型プート・ストラッ
プ・バッファ回路装置を示す。この第1図において、1
は前□段駆動回路で、その出力点Aは、スイッチインク
・ゲートとして作用するエンハンスト・タイプ・トラン
ジスタT1のドレインに接続される。
FIG. 1 shows a conventional statically operated Poot strap buffer circuit device. In this Figure 1, 1
is a front-stage drive circuit whose output point A is connected to the drain of an enhanced type transistor T1 which acts as a switch gate.

このトランジスタT1のゲートは電源電圧Vccに接続
され、ソースは接続点B、すなわち、エンハンスメント
・タイプ・トランジスタT2のゲートに接続される。ト
ランジスタT2のドレインは電源電圧Vccに接続され
、ソースは出力点りに接続されるとともに、エンハンス
メント・タイプ・トランジスタT3のドレインに接続さ
れ、この出力点りと接続点3間に、プート・ストラップ
・コンデンサC3が接続される。
The gate of this transistor T1 is connected to the power supply voltage Vcc, and the source is connected to the connection point B, ie, the gate of the enhancement type transistor T2. The drain of the transistor T2 is connected to the power supply voltage Vcc, and the source is connected to the output point and to the drain of an enhancement type transistor T3. Capacitor C3 is connected.

さらに、出力点りと接地間には、コンデンサ(負荷容量
)C4が接続されている。トランジスタT3 のソース
は接地されている。
Furthermore, a capacitor (load capacitance) C4 is connected between the output point and ground. The source of transistor T3 is grounded.

一方、前段駆動回路・1の出力点AはトランジスタT1
のほかに、エンハンスメント・タイプ・トランジスタT
5のゲートに接続されている。トランジスタT5のドレ
インは、デプレッション・タイプ・トランジスタT4の
ソースおよびゲートに接続され、この接続点がCであり
、この接続点CはトランジスタT3のゲートに接続され
る。トランジスタT4のドレインは電源電圧Vccに接
続され、トランジスタT5のソースは接地されている。
On the other hand, the output point A of the front-stage drive circuit 1 is the transistor T1
In addition to the enhancement type transistor T
It is connected to gate 5. The drain of transistor T5 is connected to the source and gate of depletion type transistor T4, the connection point being C, which is connected to the gate of transistor T3. The drain of the transistor T4 is connected to the power supply voltage Vcc, and the source of the transistor T5 is grounded.

なお、C1は前段駆動回路1、の出力負荷容量で、A点
とアース間に接続され、C2は接続点Bでの浮遊容量で
ある。また、上記トランジスタはすべてMOS)ランジ
スタである。
Note that C1 is the output load capacitance of the front-stage drive circuit 1, which is connected between the point A and the ground, and C2 is the stray capacitance at the connection point B. Further, all of the above transistors are MOS transistors.

このように構成された従来のスターティック動作型プー
ト・ストラップ・ノくツファ回路装置の動作を説明する
。まず、前段駆動回路1の出力点Aが低レベルであると
き、トランジスタT1は導通状態であるので、接続点B
も低レベルとなり、トランジスタT2は非導通となる。
The operation of the conventional static operation type Putot-Strap-Nocket circuit device configured as described above will be explained. First, when the output point A of the front-stage drive circuit 1 is at a low level, the transistor T1 is in a conductive state, so the connection point B
also becomes a low level, and the transistor T2 becomes non-conductive.

また、トランジスタT5も非導通となり、トランジスタ
T4がデプレッション・タイプのトランジスタであるた
め、接続点Cは電源電圧Vccとなり、トランジスタT
3は、導通状態となる。したがって、出力点りは低レベ
ルとなる。
Further, the transistor T5 also becomes non-conductive, and since the transistor T4 is a depletion type transistor, the connection point C becomes the power supply voltage Vcc, and the transistor T
3 is in a conductive state. Therefore, the output point becomes a low level.

一方、前段駆動回路1の出力点Aが低レベルから高レベ
ルに上昇したときの各部の波形は第2図のようになる。
On the other hand, when the output point A of the pre-stage drive circuit 1 rises from a low level to a high level, the waveforms of each part are as shown in FIG.

以後、この波形図を参照して説明する。Hereinafter, explanation will be given with reference to this waveform diagram.

まず、前段駆動回路1の出力点Aの電圧は第2図(a)
に示すように除々に上昇し、これにともなって、接続点
Bの電位もトランジスタT1を介して、除々に上昇し、
第2図(b)に示すように、トランジスタT2のしきい
値VTを超えた時間t2からトランジスタT2は導通状
態となる。
First, the voltage at the output point A of the front-stage drive circuit 1 is shown in Fig. 2(a).
As shown in FIG.
As shown in FIG. 2(b), the transistor T2 becomes conductive from time t2 when the threshold value VT of the transistor T2 is exceeded.

一方、出力点Aの電位がトランジスタT5のしきい値V
Tを超えた時間1.から、トランジスタT5は導通し、
接続点Cの電位は第2図(e)に示すように下降し始め
る。そして、この接続点Cの電位がトランジスタT3の
しきい値VTを下まわった時間1.からトランジスタT
3は非導通となシ、出力点りの電位はトランジスタT2
からの充電により、第2図(d)ノ に示すように上昇する。
On the other hand, the potential at output point A is the threshold value V of transistor T5.
Time exceeding T1. , the transistor T5 conducts,
The potential at the connection point C begins to fall as shown in FIG. 2(e). Then, the time 1. when the potential of this connection point C becomes lower than the threshold value VT of the transistor T3. From transistor T
3 is non-conductive, and the potential at the output point is the transistor T2.
As a result of charging from , the voltage rises as shown in FIG.

接続点Bの電位がVccの電位に、前段駆動回路Iの出
力点Aの電位がVcc −VTの電位になる時間t4ま
では、トランジスタT1が導通であるので、接続点りの
電圧上昇分ΔV1はコンデンサc1とC2との和と、プ
ート・ストラップ・コンデンサc3とによッテ・03/
(C1+C2+C3)×/Iv1°タケトランジスタT
2のゲートにフィード・バックされる。
Until time t4 when the potential at the connection point B reaches the potential Vcc and the potential at the output point A of the pre-stage drive circuit I reaches the potential Vcc - VT, the transistor T1 is conductive, so the voltage increase at the connection point ΔV1 is the sum of capacitors c1 and C2 and the Poot strap capacitor c3.03/
(C1+C2+C3)×/Iv1° bamboo transistor T
It is fed back to the second gate.

時間t4以降は、トランジスタT1が非導通となるので
、出力点りの電位上昇分ΔV2はコンデンサc2とプー
ト・ストラップ・コンデンサc3とによってC3/(C
2+C3) XΔv2だけトランジスタT2のゲート電
位にフィード・バックされる。
After time t4, transistor T1 becomes non-conductive, so the potential increase ΔV2 at the output point is reduced by C3/(C
2+C3) XΔv2 is fed back to the gate potential of transistor T2.

したがって、出力点りの電位上昇が前記二段階のフィー
ド・バックにより促進されて、バッファ回路の駆動能力
が向上する。
Therefore, the potential increase at the output point is promoted by the two-stage feedback, and the driving ability of the buffer circuit is improved.

しかしながら、このような従来の装置では、バッファ回
路の駆動能力を向上させようとするとき、前段駆動回路
1の負荷容ttc1が比較的大きな場合、時間t3から
t4までの出力点りの立上り特性は緩慢となるため、プ
ート・ストラップ・コンデンサC3の容量を大きくする
必要があり、その分、前段駆動回路1の負荷容量C1を
大きくしたのと等価となり、またトランジスタT2の負
荷を大きくすることになる。
However, in such a conventional device, when trying to improve the driving ability of the buffer circuit, if the load capacitance ttc1 of the front stage driving circuit 1 is relatively large, the rise characteristic of the output point from time t3 to t4 is Because of this, it is necessary to increase the capacitance of the Poot-strap capacitor C3, which is equivalent to increasing the load capacitance C1 of the front-stage drive circuit 1, and also increases the load on the transistor T2. .

さらに、プート・ストラップの利きを良くするためには
、時間t!とt3との間を充分にとる必要があるため、
トランジスタT5のドライブ能力を下げる必要がある。
Furthermore, in order to improve the effectiveness of the Poot Strap, time t! Since it is necessary to leave a sufficient gap between and t3,
It is necessary to lower the drive ability of transistor T5.

このことは、トランジスタT4とトランジスタT5との
インバータ比が゛必要なことから、トランジスタT4の
ドライブ能力を下げることになり、トランジスタT3に
よる出力点りの放電能力を低下させることになる。
Since this requires an inverter ratio between the transistor T4 and the transistor T5, the drive capability of the transistor T4 is lowered, and the discharge capability of the transistor T3 at the output point is lowered.

このことは、出力点りが高レベルから低レベルに移行す
るに要する時間が増大することを意味するO したがって、従来の装置では、バッファ回路の駆動能力
、すなわち、プート・ストラップ効率を上げようとする
とき、スピードが犠牲となった。
This means that the time required for the output point to transition from a high level to a low level increases. Therefore, in conventional devices, attempts are made to increase the driving ability of the buffer circuit, that is, the putot strap efficiency. When doing so, speed was sacrificed.

(発明の目的) この発明は上記、従来の欠点を除去するためになされた
もので、スピードを犠牲とせず、すぐれた駆動能力を得
ることができる非同期型プート・ストラップ・バッファ
回路装置を提供することを目的とする。
(Object of the Invention) The present invention has been made to eliminate the above-mentioned drawbacks of the conventional art, and provides an asynchronous Poot-Strap buffer circuit device that can obtain excellent driving performance without sacrificing speed. The purpose is to

(発明の構成) この発明の非同期型プート・ストラップ・ノくツファ回
路装置は、前段駆動回路により入力検出レベル機能を有
する反転回路を駆動し、この反転回゛  路の出力によ
シスイッチ回路をオン、オフ制御し、このスイッチ回路
によりバッファ回路の第1の入力レベルと前段駆動回路
の出力負荷を遮断するとともにバッファ回路の第2人力
レベルをコントロールするようにしたものである。
(Structure of the Invention) The asynchronous Putt-Strapp-no-Future circuit device of the present invention drives an inverting circuit having an input detection level function by a front-stage drive circuit, and a switch circuit is driven by the output of the inverting circuit. This switch circuit cuts off the first input level of the buffer circuit and the output load of the preceding stage drive circuit, and also controls the second human power level of the buffer circuit.

(実施例) 以下、この発明の非同期型プート・ストラップ・バッフ
ァ回路装置の実施例について図面に基づき説明する。第
3図はその一実施例の回路図である。この第3図におい
て、11は前段駆動回路であり、その出力点Aは、エン
ノ・ンスメント・タイプ・トランジスタT11(スイッ
チインク回路)のドレインに接続され、ソースは接続点
B、すなわチ、エンハンスメント・タイプ・トランジス
タT12のゲート(バッファ回路の第1の入力)に接続
される。
(Embodiments) Hereinafter, embodiments of the asynchronous Poot-Strap buffer circuit device of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a circuit diagram of one embodiment. In this FIG. 3, 11 is a front-stage drive circuit, its output point A is connected to the drain of an enhancement type transistor T11 (switch ink circuit), and its source is connected to a connection point B, that is, an enhancement type transistor T11 (switch ink circuit). - Connected to the gate of type transistor T12 (first input of the buffer circuit).

トランジスタT12のドレイケは電源電圧Vccに接続
され、ソースは出力点Eに接続されるとともに、エンハ
ンスメント・タイプ・トランジスタT13のドレインに
接続され、この出力点Eと接続点3間に、ブー゛ト・ス
トラップ・コンデンサC13が接続されている。
The Drake of the transistor T12 is connected to the power supply voltage Vcc, the source is connected to the output point E, and the drain of the enhancement type transistor T13 is connected between the output point E and the connection point 3. Strap capacitor C13 is connected.

さらに、出力点Eと接地間には、コンデンサ(負荷容量
)C14が接続されている。トランジスタT13のソー
スは接地されている。
Furthermore, a capacitor (load capacitance) C14 is connected between the output point E and the ground. The source of transistor T13 is grounded.

一方、前段駆動回路11の出力点Aはトランジスタ11
め外に、エンノ・ンスメント・タイプ・トランジスタT
15およびエンハンスメント・タイプ・トランジスタT
17のゲートに接続されている。
On the other hand, the output point A of the front-stage drive circuit 11 is the transistor 11
In addition, an enforcement type transistor T
15 and enhancement type transistor T
It is connected to 17 gates.

トランジスタT15のドレインは接続点りに接続される
とともに、デプレッション・タイプ・トランジスタT1
4のゲートおよびソースに接続される。
The drain of transistor T15 is connected to the connection point and is connected to the depletion type transistor T1.
Connected to the gate and source of 4.

トランジスタT15のソースはトランジスタT17のド
レインに接続され、さらに、エン、ハンスメント・タイ
プ・トランジスタT16のソースに接続されている。こ
の接続点がCである。トランジスタT17のソースは接
地されている。→ランラスタT16のドレインは電源電
圧Vccに接続され、ゲートは接続点りに接続されてい
る。
The source of transistor T15 is connected to the drain of transistor T17, which is further connected to the source of enhancement type transistor T16. This connection point is C. The source of transistor T17 is grounded. →The drain of the run raster T16 is connected to the power supply voltage Vcc, and the gate is connected to the connection point.

さらに、この接続点りには、トランジスタT11のゲー
トおよびトランジスタT13のゲート(バッファ回路の
第2の入力)に接続されている。
Further, this connection point is connected to the gate of the transistor T11 and the gate of the transistor T13 (second input of the buffer circuit).

トランジスタT14.T15.T16およびT17はイ
ンバータ(反転回路)を構成し、このインバータは入力
レベル検出機能を備えている。
Transistor T14. T15. T16 and T17 constitute an inverter (inversion circuit), and this inverter has an input level detection function.

なお、C1lは前段駆動回路11の出力負荷容量で、出
力点Aとアース間に接続され、C12は接続点Bの浮遊
容量である。また、上記トランジスタはすべてM5S)
ランジスタである。
Note that C1l is the output load capacitance of the front-stage drive circuit 11, which is connected between the output point A and the ground, and C12 is the stray capacitance at the connection point B. Also, all the above transistors are M5S)
It is a rangister.

次に、以上の様に構成されたごの発明の非同期型プート
・ストラップ・バッファ回路装置の動作について説明す
る。まず、前段駆動回路11の出力点Aが低レベルであ
るとき、トランジスタT15゜T17のゲート入力も低
レベルとなり、トランジスタT15およびトランジスタ
T17は非導通となるが、このとキ、トランジスタT1
4はデプレッション・タイプのトランジスタであるため
、接続点りは高レベル(Vcc電圧)となり、トランジ
スタT11゜T13およびT16は導通状態となる。
Next, the operation of the asynchronous Poot-Strap buffer circuit device of the invention constructed as described above will be explained. First, when the output point A of the front-stage drive circuit 11 is at a low level, the gate inputs of the transistors T15 and T17 are also at a low level, and the transistors T15 and T17 become non-conductive.
Since 4 is a depletion type transistor, the connection point becomes high level (Vcc voltage), and transistors T11, T13, and T16 become conductive.

したがって、接続点Cit Vcc −vtの電位とな
シ、接続点BはトランジスタTllを介して低レベルと
なシ、トランジスタT13は、導通となって、コンデン
サC14に蓄積された電荷はトランジスタT13を介し
て放電され、出力点Eは低レベルとなる。
Therefore, the potential of the connection point Cit Vcc -vt becomes low level through the transistor Tll, the transistor T13 becomes conductive, and the charge accumulated in the capacitor C14 is transferred through the transistor T13. is discharged, and the output point E becomes a low level.

一方、前段駆動回路11の出力点Aが低レベルから高レ
ベルに上昇し次ときの各部の波形は第4図のようになる
。以後、この波形図を参照して説明する。
On the other hand, when the output point A of the pre-stage drive circuit 11 rises from a low level to a high level, the waveforms of the various parts become as shown in FIG. Hereinafter, explanation will be given with reference to this waveform diagram.

まず、前段駆動回路の出力点Aの電位は4図(a)に示
すように、除々に上昇し、トランジスタT17のしきい
値VTを超えた時間1.からトランジスタT17は導通
となり、これにともなって、接続点Cの電位は*34図
(C)に示すように下降し始める。
First, as shown in FIG. 4(a), the potential at the output point A of the front-stage drive circuit gradually rises, and exceeds the threshold value VT of the transistor T17 at the time 1. Then, the transistor T17 becomes conductive, and accordingly, the potential at the connection point C starts to fall as shown in Fig. 34 (C).

しかしながら、接続点りが高レベル(VCC電圧)であ
るため、トランジスタT16は導通であり、このトラン
ジスタT16により、接続点Cの電位降下は緩慢となる
However, since the connection point C is at a high level (VCC voltage), the transistor T16 is conductive, and the potential drop at the connection point C is slow due to the transistor T16.

出力点Aの電位がさらに上昇し、トランジスタT15の
ゲートとソース間の電位差が、トランジスタT15のし
きい値VTを超えた時間t3から接続点りの′電位は降
下し始める。
The potential at the output point A further increases, and at time t3 when the potential difference between the gate and source of the transistor T15 exceeds the threshold value VT of the transistor T15, the potential at the connection point begins to drop.

このときの出力点Aの電位をVAとすると、VAはトラ
ンジスタT16とトランジスタT17のインノく−タ比
によって、トランジスタT17のしきい値以上の電位で
任意に決定することができる。
If the potential at the output point A at this time is VA, then VA can be arbitrarily determined at a potential equal to or higher than the threshold value of the transistor T17, depending on the inoctor ratio of the transistor T16 and the transistor T17.

したがって、トランジスタT14.T15.T16 お
よび’l’17で構成されるインノく一夕の出力電圧す
なわち、接続点りの電位が降下し始める出力点Aの電位
をトランジスタT17のしきい値VT以上で任意に決定
することができる。
Therefore, transistor T14. T15. The instantaneous output voltage composed of T16 and 'l'17, that is, the potential at the output point A where the potential at the connection point begins to drop, can be arbitrarily determined to be above the threshold VT of the transistor T17. .

このことは、トランジスタT14.T15.T16およ
びT17で構成されるインノ(−夕は入力レベル検出機
能を備えていると言うことができる。
This means that transistor T14. T15. It can be said that the inno (-) composed of T16 and T17 has an input level detection function.

また、接続点Cおよび接続点りの電位は、VA75fト
ランジスタT17のしきい値VT以上であり、接続点D
(7)lit位がトランジスタT16のゲートに自己ツ
伶還が行われるため、急速に低下腰接続点りの電位は第
4図(d)に示すようにノ・−ドなインノく一夕特性を
示す。
Furthermore, the potentials at the connection point C and the connection point D are equal to or higher than the threshold value VT of the VA75f transistor T17, and the potential at the connection point D
(7) Since the voltage at the LIT level is self-returning to the gate of the transistor T16, the potential at the low voltage connection point rapidly decreases, and as shown in Fig. 4(d), the potential at the low voltage connection point exhibits a node-like constant voltage characteristic overnight. shows.

一方、接続点Bの電位は、時間t、までの間は、前段駆
動回路11の出力点Aとほぼ同一に上昇し、接続点Bの
電位が第4図(b)に示すように、トランジスタT12
のしきい値VTを超えた時間t2からトランジスタT1
2は導通状態となる。
On the other hand, the potential at the connection point B rises to almost the same level as the output point A of the preceding stage drive circuit 11 until time t, and the potential at the connection point B increases as shown in FIG. T12
From the time t2 when the threshold value VT is exceeded, the transistor T1
2 is in a conductive state.

しかるに、接続点りの電位がトランジスタT13のしき
い値VTとなる時間t4までは トランジスタT13は
導通状態であり、出力点Eの電位は低レベルのままであ
る。
However, until time t4 when the potential at the connection point reaches the threshold value VT of the transistor T13, the transistor T13 remains conductive and the potential at the output point E remains at a low level.

時間t4以降はトランジスタT13は非導通となり、出
力点Eの電位は、トランジスタT12からの充電によシ
、第4図(e)に示すように上昇する。このときの出力
点Eの電位上昇分AvはトランジスタTllが非導通と
なるので、コンデンサC12とプート・ストラップ・コ
ンデンサC13のみによって、C13/(C12+C1
3) XΔVだけトランジスタT12のゲート電位にフ
ィード・バックされる。
After time t4, transistor T13 becomes non-conductive, and the potential at output point E rises as shown in FIG. 4(e) due to charging from transistor T12. At this time, the potential increase Av at the output point E causes the transistor Tll to become non-conductive, so the capacitor C12 and the Poot-strap capacitor C13 alone are used to increase the potential by C13/(C12+C1
3) XΔV is fed back to the gate potential of transistor T12.

このように、出力点Eの電位が上昇するとき、トランジ
スタTllが非導通となり、接続点Bの浮遊容1c12
は、プート・ストラップ・コンデンサC13と比較する
と非常に小さく、出力点Eの電位がトランジスタT12
のゲート電位にフィード・バックされる比率は非常に高
くな9、これにより、出力点Eの電位上昇もまた促進さ
れる。
In this way, when the potential at the output point E increases, the transistor Tll becomes non-conductive, and the floating capacitance 1c12 at the connection point B increases.
is very small compared to the Poot-strap capacitor C13, and the potential at the output point E is the same as that of the transistor T12.
The rate of feedback to the gate potential of E is very high 9, which also promotes an increase in the potential of output point E.

また、接続点りの電位が降下し始める、トランジスタT
15およびトランジスタT17のゲート電位、すなわち
、前段駆動回路11の出力点Aの電位が一トランジスタ
T15およびトランジスタT17のしきい値VTと無関
係に設定できるため、トランジスタT12のゲート電位
、すなわち、接続点Bの電位が充分上昇しており、プー
ト・ストラップ・インノ(−タによるフィード・バック
効率は非常にすぐれたものとなる。
Also, the potential at the connection point begins to drop, the transistor T
Since the gate potential of the transistor T15 and the transistor T17, that is, the potential of the output point A of the pre-stage drive circuit 11 can be set independently of the threshold voltage VT of the transistor T15 and the transistor T17, the gate potential of the transistor T12, that is, the potential of the connection point B The potential has risen sufficiently, and the feedback efficiency by the Putt-Strap Innotor is very good.

さらに、トランジスタT14のドライブ能力を減する必
要がないため、トランジスタT13による出力点Eの放
電能力は低下せず、出力点Eが高レベルから低レベルへ
移行する時間も増大しない。
Furthermore, since there is no need to reduce the drive capability of the transistor T14, the discharge capability of the output point E by the transistor T13 does not decrease, and the time required for the output point E to transition from a high level to a low level does not increase.

以上の実施例の説明から明らかなように、この発明の非
同期型プート・ストラップ・)(ソファ回路装置では、
入力検出レベル機能を有する反転回路の出力により、オ
ン、オフ制御されるスイッチ回路を介して、バッファ回
路の第1の入力レベルと、前段駆動回路の出力の出力負
荷を遮断することおよびバッファ回路の第2人力レベル
をコントロールすることにより、スピードを犠牲とする
ことなく、すぐれた駆動能力を得ることができる。
As is clear from the description of the embodiments above, the asynchronous poot strap (sofa circuit device) of the present invention
The first input level of the buffer circuit and the output load of the output of the preceding stage drive circuit are cut off through a switch circuit that is controlled on and off by the output of an inverting circuit having an input detection level function. By controlling the second human power level, excellent driving performance can be obtained without sacrificing speed.

(発明の効果) 以上のよ′うに、この発明の非同期型ブート・ストラッ
プ・バッファ回路装置によれば、入力検出レベル機能を
有する反転回路の出力によシスイッチ回路をオン、オフ
制御してバッファ回路の第1人力レベルと前段駆動回路
の出力負荷を遮断するとともに、バッファ回路の第2人
力レベルをコントロールするようにしたので、すぐれた
駆動能力を得ることができる。
(Effects of the Invention) As described above, according to the asynchronous bootstrap buffer circuit device of the present invention, the output of the inverting circuit having the input detection level function controls the on/off switching circuit to buffer the Since the first human power level of the circuit and the output load of the front-stage drive circuit are cut off, and the second human power level of the buffer circuit is controlled, excellent driving performance can be obtained.

これにともない、メモリ装置のワード・ライン・バッフ
ァ回路装置、出力バッファ回路装置、あるいは各種ロジ
ックLSIの装置内のバッファ回路装置として利用でき
るものである。
Accordingly, it can be used as a word line buffer circuit device of a memory device, an output buffer circuit device, or a buffer circuit device in various logic LSI devices.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来のスタティック動作型ブート・ストラップ
・バッファ回路装置を示す回路図、第2図(a)ないし
第2図(d)は第1図のスタティック動作型プート・ス
トラップ・バッファ回路装置の動作を説明するための波
形図、第3図はこの発明の非同期型ブート・ストラップ
・バッファ回路装置の一実施例を示す回路図、第4図(
a)ないし第4図(e)はそれぞれ同上非同期型ブート
・ストラップ・バラフッ回路装置の動作を説明するため
の波形図である。 11・・・前段駆動回路、Tll〜T17・・・トラン
ジスタ、C1l・・・出力負荷容量、C12・・・浮遊
容量、C13・・・ブート・ストラップ・コンデンサ、
C14・・・コンデンサ。 第2図 tl t2 13  t* 第3111 第4図 t、 t2   t3t4 手続補正書(方式) %式% 1 事件の表示 特願昭58−35867号 2 発明の名称 非同期型ブート・ストラップ・バッファ回路装置3 補
正をする者 事件との関係  特許出願人 (0291沖電気工業株式会社 5 補正命令の日付 昭和58年6月28日(発送日)
6 補正の対象 別紙の通り 第2図 第4図 手続補正書 昭和58年1.0月匹′日 特許庁長官若杉和夫 殿 1、事件の表示 昭和58年 4“Y 許  願第35867   号2
、発明の名称 非同期型ブート・ストラッグ・バッファ回路装置3、補
正をする者 事件との関係      特許  出願人(029)沖
戊気工業株式会社 4、代理人 5、補正命令の日付  昭和  年  月  匡自発)
び図面 7、補正の内容 別紙の通り 7、補正の内容 ■)明細書3頁末行U−スターティック」を「スタティ
ック」と訂正する。 2)FI8頁l a行rドレイケ」を「ドレイン」先訂
正する。 3)同9頁3行「スタIIJを「スタT11」と訂正す
る。 4)同11頁5行[4図(a) Jを「第4図(a)」
と訂正する。 5)図面第4・図を別紙の通シ訂正する。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a conventional static operation type bootstrap buffer circuit device, and FIGS. 2(a) to 2(d) show the static operation type boot strap buffer circuit device of FIG. A waveform diagram for explaining the operation, FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the asynchronous bootstrap buffer circuit device of the present invention, and FIG.
4(a) to 4(e) are waveform diagrams for explaining the operation of the asynchronous bootstrap/balance circuit device, respectively. 11... Previous stage drive circuit, Tll to T17... Transistor, C1l... Output load capacitance, C12... Stray capacitance, C13... Boot strap capacitor,
C14... Capacitor. Figure 2 tl t2 13 t* Figure 3111 Figure 4 t, t2 t3t4 Procedural amendment (method) % formula % 1 Indication of the case Patent application No. 1983-35867 2 Name of the invention Asynchronous bootstrap buffer circuit device 3 Relationship with the case of the person making the amendment Patent applicant (0291 Oki Electric Industry Co., Ltd. 5 Date of amendment order June 28, 1983 (shipment date)
6 Subject of amendment As shown in the appendix, Figure 2 Figure 4 Procedural amendment January 1, 1982 Kazuo Wakasugi, Commissioner of the Japanese Patent Office 1, Indication of the case 1988 4 "Y Permit No. 35867 2
, Name of the invention Asynchronous boot strug buffer circuit device 3, Relationship with the case of the person making the amendment Patent Applicant (029) Oki Boki Kogyo Co., Ltd. 4, Agent 5, Date of amendment order Showa year, month, Tadashi spontaneously )
and Drawing 7, Contents of the Amendment As shown in Attachment 7, Contents of the Amendment ■) "U-Static" at the end of page 3 of the specification is corrected to "Static." 2) FI page 8 l, line a, r Drake' is corrected to 'drain'. 3) On page 9, line 3, "Star IIJ is corrected to ``Star T11." 4) Page 11, line 5 [Figure 4 (a) J is changed to “Figure 4 (a)”
I am corrected. 5) Correct the drawing number 4 and figure in the attached sheet.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 前段駆動回路と、この前段駆動回路の出力により駆動さ
れ入力レベル検知機能を有する反転回路と、プート・ス
トラップ機能を有し第1および第2の入力端を有し第2
の入力端が上記反転回路の出力端に接続されたパンファ
回路と、上記前段駆動回路の出力端と上記パンファ回路
の第1の入力端間に接続され上記反転回路によりオン、
オフ制御されて上記前段駆動回路の出力負荷と上記バッ
ファ゛回路とを遮断するスイッチング回路とよりなる非
同期型プート・ストラップ・バッファ回路装置代0
a front-stage drive circuit; an inverting circuit driven by the output of the front-stage drive circuit and having an input level detection function; and a second circuit having a Poot-strap function and first and second input ends.
an amplifier circuit whose input terminal is connected to the output terminal of the inverting circuit; and an amplifier circuit connected between the output terminal of the pre-stage drive circuit and the first input terminal of the amplifier circuit, and turned on by the inverting circuit;
An asynchronous Poot Strap buffer circuit device comprising a switching circuit which is controlled to be off and cuts off the output load of the preceding stage drive circuit and the buffer circuit.
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Cited By (6)

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