JPS59158523A - プラズマ励起装置 - Google Patents

プラズマ励起装置

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Publication number
JPS59158523A
JPS59158523A JP3174683A JP3174683A JPS59158523A JP S59158523 A JPS59158523 A JP S59158523A JP 3174683 A JP3174683 A JP 3174683A JP 3174683 A JP3174683 A JP 3174683A JP S59158523 A JPS59158523 A JP S59158523A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
discharge
electrode
discharge chamber
generated
Prior art date
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Pending
Application number
JP3174683A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyoshi Shiroyama
白山 潔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SPC Electronics Corp
Shimada Rika Kogyo KK
Original Assignee
SPC Electronics Corp
Shimada Rika Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SPC Electronics Corp, Shimada Rika Kogyo KK filed Critical SPC Electronics Corp
Priority to JP3174683A priority Critical patent/JPS59158523A/ja
Publication of JPS59158523A publication Critical patent/JPS59158523A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はプラスマ全用いたエツチング装置やCVD装置
等のプラズマ励起装置に関するものである。
従来のプラズマ励起装置は第1図に示すように、マダネ
トロン/で発生ざぜだマイクロ波をアンチナノを介して
導波11−3に導入し、導波管3内全伝播させて石英管
グで被われた真空容器X内の放電室乙に吸収きせるよう
になっている。
放電室乙に吸収されたマイクロ波はコイルタの磁界によ
る相互作用によってサイクロトロン共鳴を生じ、放電室
乙にプラズマを発生させるが、放′岨室乙内にはガス導
入管7を介して所定のエッチ/ダ用ガス或いはCvD用
ガス等の放′亀ガスが導入されているので、放電室6内
に設置された試料台g上の試料りは、エツチング作用或
はCVD作用を受けることになる。但し放電室6内は真
空容器Xに接続された図示せざる真空ホンダにより真空
に保持されるようになっている0 ところが上記従来のプラズマ励起装置においては、マイ
クロ波と磁界との相互作用によるサイクロトロン共鳴の
みによってプラズマを発生させるようにし2ているだけ
であるため、放電室乙にマイクロ波が吸収訟れても、す
ぐにはプラズマが発生しないという欠点があった。
第一図は上記従来のプラズマ励起装置におけるマイクロ
波吸収後放亀開始迄の時間Tと真空度■との関係を示す
特性図であるが1図中に示す概略値は装置のマツチング
条件等により多少変動することは言う−までもない。
本発明は上記従来の欠点に鑑みて提案されたもので、試
料台が設置される放′亀室を形成する真空容器に、゛そ
の放′慮室内に放電ガスを導入する手段とマイクロ波を
導入する手段と磁界を発生きせる手段を設けると共に、
上記放ぼ室内に高亀圧乏印7J[Iする′[lj極を設
けたことを特徴とするプラズマ励起装置を要旨とするも
のである。
本発明のプラズマ励起装置は上記のように構成されてい
るので、放′亀室にマイクロ波を導入すると同時に放電
室に設けだ′電極に高電圧を印加すると、 ’EI4極
と真空容器との間で放1シシてプラズマが発生ずるので
、これがトリガーとなって放′亀室内に導入されだ放′
亀ガスを直ちに安定してプラズマ化することができ、操
作も容易でプラズマエツチングやプラズマCVDの処4
!ヲ短縮する上で実用上きわめて便利なプラズマ励起装
置を提供し得るものである。
以下本発明を図面に示す実施例に基づいて具体的に説明
する。
第3図は本発明の7実施例を示すプラズマ励起装置の原
理図で、図中第1図に示す部材と同一部材には同一符号
が付きれている。
本発明のプラズマ励起装置が従来のものと異なるのは、
真空容器Xに放電室z内に高電圧を印加する電極〆0を
新たに付設しまた点だけで′あり、他の眉j・成は従来
のものと同じであるため説明を省略する。世し電極10
は絶縁拐を介し7てA空容器Xとは電気的に完全に絶縁
されており高′耽匝の外部′電源//と接にされている
上記構成よりなる本発明のプラズマ励起装置においては
、マクネトロン/で発生させたマイクロ波を放電室6内
に導入すると同時に外部電源//のスイッチをONにし
て放゛亀室乙に設けた電極10に置′畦圧を印加すると
、′電極10と真空容器Xとの間で放電してプラズマが
発生する。このプラズマはトリカーの役目を果し、外部
電源//をOFFにしても放′亀室乙に吸収されたマイ
クロ波はコイル汐の磁界による相互作用によってサイク
ロトロン共鳴により放電が持続され、放′t、ml内に
導入された放電ガスは直ちに安定してプラズマ化きれる
ことになる。
第9図は上記構成よりなる本発明のプラズマ励起装置に
おける高′亀圧の印加時間T′と真空度■との関係を示
す特性図で、第2図に示す特性図と比較して明らかなよ
うに、放電ガスのプラズマ化に要する時間が大幅に改善
されていることが解る。
但し、1L極10に印加される高′亀圧は直流、交流又
はパルス或はそれらを組合せた正負いずれの電圧でも良
いが、装置に応じて電極10と真空容器Xとの間で放′
也し得る最適の電圧を選定しておくことが望せしい。な
お−゛−電極10棒状、板状等いずれでも良いが、その
放′屯室乙内への突出長袋は調節し得るようにしておく
ことが望ましい。第5図(・11口)け′電極10の位
置関係を示す部分断面図で、(イ)は外部″屯源//が
0)1のとき、又(ロ)は外部鳴源//がOFFのとき
の電極10の位置を各々示す。このように電極10の突
出長ざを可変にしておけば、外部電源//をOFFにし
たとき電極10を真空容器Xの側壁まで後退烙せて、電
極10がマイクロ波と磁界の相反作用によるサイクロト
ロン共鳴によって生じるプラズマ放電によって汚染され
るのを防止することができるのできわめて好都合である
但し、餉、極10が貫通される真空容器Xの摺勧部/2
は、絶縁性及び気密性が完全に保たれるよう設計的に十
分配慮しておく必要がある。
々お、放′帆室乙内に放電ガスを導入する手段やマイク
ロ波を導入する手段、磁界を発生σせる手段等は図示の
美施例に限定されるものではなく、必要に応じて権々設
計変更し得るものである。
以上具体的に説明したように、本発明のプラズマ励起装
置においては放′醸室内に導入されだ放゛屯カスtti
ちに安定してプラズマ化することができ、操作も容易で
既設のものに対しても′電極を何役するだけで安価に実
施することかできる等、多くの利点を有するものである
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のプラズマ励起装置の原理図で、第2図は
その装置におけるマイクロ波吸収後放′亀開始迄の時間
と真空度との関係を示す特性図、第3図は本発明の/実
施例を示すプラズマ励起装置の原理図で、第9図はその
装置における高電圧の印加時間と真空度との関係を示す
特性図、第5図(11口)は電極の位置関係を示す部分
断面図である。 尚図中/はマグネ[・ロン、2はアンテナ、3は等波管
、グは石英管1.ダはコイル、乙は放・屯室、7はガス
導入管、どけ試料台、ゾは試料、10は電極、//は外
部電源、/)は摺動部、又は真空容器を夫々示す。 特許出願人 島田理化工業株式会社 第 1 図; 第2図 (真立皮Torr) V 第 3 図 ? 第4図 秒 (真ダ魔Torr)V

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 試料台が設置される放電室を形成する真空容器に、その
    放電室内に放′龜ガスを導入する手段とマイクロ波を導
    入する手段と磁界を発生させる手段を設けると共に、上
    記放電室内に高電圧を印加する電極を設けたことを特徴
    とするプラズマ励起装置。
JP3174683A 1983-03-01 1983-03-01 プラズマ励起装置 Pending JPS59158523A (ja)

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JP3174683A JPS59158523A (ja) 1983-03-01 1983-03-01 プラズマ励起装置

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JP3174683A JPS59158523A (ja) 1983-03-01 1983-03-01 プラズマ励起装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59158523A true JPS59158523A (ja) 1984-09-08

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ID=12339585

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JP3174683A Pending JPS59158523A (ja) 1983-03-01 1983-03-01 プラズマ励起装置

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JP (1) JPS59158523A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63136628A (ja) * 1986-11-28 1988-06-08 Tokuda Seisakusho Ltd エツチング装置
JPS63137182A (ja) * 1986-11-28 1988-06-09 Tokuda Seisakusho Ltd グロ−スタ−タ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63136628A (ja) * 1986-11-28 1988-06-08 Tokuda Seisakusho Ltd エツチング装置
JPS63137182A (ja) * 1986-11-28 1988-06-09 Tokuda Seisakusho Ltd グロ−スタ−タ

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