JPS59152681A - 光通信装置 - Google Patents
光通信装置Info
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- JPS59152681A JPS59152681A JP58026176A JP2617683A JPS59152681A JP S59152681 A JPS59152681 A JP S59152681A JP 58026176 A JP58026176 A JP 58026176A JP 2617683 A JP2617683 A JP 2617683A JP S59152681 A JPS59152681 A JP S59152681A
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
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- G—PHYSICS
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/421—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical component consisting of a short length of fibre, e.g. fibre stub
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
- H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は光通信装置に関する。
〔背景技術］
光通信における光通信装置の一つとして、本発明者は第
１図および第２図に示すような構造の光ファイバー付ド
ザーダイオード装置を開発している。このレーザーダイ
オード装置は、長方形板のステム１を基にして組み立て
られている。すなわち、ステム１は長方形金属板の一面
を切削加工して中央部にリング状封止壁（周壁）２を形
成するとともに、このリング状封止壁２の内側をさらに
深くくり抜きかつその底面中央部に台座部３を形作って
いる。そして、この台座部３上にンルダーを介して固定
したサブマウント４上にンルダーによってレーザーダイ
オードチップ（チップ）５を固定している。また、ステ
ム１の両端には、チップ５のレーザ、−光を出射する出
射面に向かって延在するガイド孔６，７がそれぞれ設け
られている。
１図および第２図に示すような構造の光ファイバー付ド
ザーダイオード装置を開発している。このレーザーダイ
オード装置は、長方形板のステム１を基にして組み立て
られている。すなわち、ステム１は長方形金属板の一面
を切削加工して中央部にリング状封止壁（周壁）２を形
成するとともに、このリング状封止壁２の内側をさらに
深くくり抜きかつその底面中央部に台座部３を形作って
いる。そして、この台座部３上にンルダーを介して固定
したサブマウント４上にンルダーによってレーザーダイ
オードチップ（チップ）５を固定している。また、ステ
ム１の両端には、チップ５のレーザ、−光を出射する出
射面に向かって延在するガイド孔６，７がそれぞれ設け
られている。
一方のガイド孔６には光ファイバー８を中心部に挿嵌固
定したファイバーガイド９が嵌合され、銀鑞１０によっ
てステム１に固定されている。光ファイバー８の先端は
チップ５の一方の出射面に対面し、レーザー光を光フア
イバー８内に取り込むようになっている。この際、光フ
ァイバー８の先端部はレジンあるいはソルダ等の固定材
１１によってステム１の台座部３に固定され、締付、温
度特性、振動等によって光ファイバー８への光取込効率
（光結合効率）が変動しないように配慮されている。な
お、光ファイバー゛８のコア径が８μｍφ程度のシンク
ｙ・モード・ファイバーにあっては、使用に耐える所望
の光結合効率を得るには、チップ５に対する光ファイバ
ー８の先端の相対的光軸合せ精度は、たとえば±０．２
−″０．３μｍ以内にしなければならない。
定したファイバーガイド９が嵌合され、銀鑞１０によっ
てステム１に固定されている。光ファイバー８の先端は
チップ５の一方の出射面に対面し、レーザー光を光フア
イバー８内に取り込むようになっている。この際、光フ
ァイバー８の先端部はレジンあるいはソルダ等の固定材
１１によってステム１の台座部３に固定され、締付、温
度特性、振動等によって光ファイバー８への光取込効率
（光結合効率）が変動しないように配慮されている。な
お、光ファイバー゛８のコア径が８μｍφ程度のシンク
ｙ・モード・ファイバーにあっては、使用に耐える所望
の光結合効率を得るには、チップ５に対する光ファイバ
ー８の先端の相対的光軸合せ精度は、たとえば±０．２
−″０．３μｍ以内にしなければならない。
一方、前記他方のガイド孔７にはモニターファイバー１
２が挿嵌固定されている。このモニターファイバー１２
の先端はチップ５の堺方の出射面に対面し、レーザー光
の光強度をモニターするようになっている。また、ステ
ム１には２本のリード１３．１４が配設されている。一
方のリード１３はグランドリードであって、ステム１に
溶接され、ステム１およびサブマウント４を介してチッ
プ５の下部電極に電気的に繋がっている。また、他方の
リード１３はステム１に図示しないガラス（絶□ 縁体
）を介して固定されるとともに、内端はステム１の端面
からリング状封止壁２内の空間部に突出している。そし
て、との内端とチップ５の上部電極とは金線からなる導
線（ワイヤ）１５で電気的に接続されている。さらに、
リング状封止壁２の上面にはシームウェルドによって板
状のキャップ１６が気密的に取シ付けられ、チップ５等
を気密的に封止している。
２が挿嵌固定されている。このモニターファイバー１２
の先端はチップ５の堺方の出射面に対面し、レーザー光
の光強度をモニターするようになっている。また、ステ
ム１には２本のリード１３．１４が配設されている。一
方のリード１３はグランドリードであって、ステム１に
溶接され、ステム１およびサブマウント４を介してチッ
プ５の下部電極に電気的に繋がっている。また、他方の
リード１３はステム１に図示しないガラス（絶□ 縁体
）を介して固定されるとともに、内端はステム１の端面
からリング状封止壁２内の空間部に突出している。そし
て、との内端とチップ５の上部電極とは金線からなる導
線（ワイヤ）１５で電気的に接続されている。さらに、
リング状封止壁２の上面にはシームウェルドによって板
状のキャップ１６が気密的に取シ付けられ、チップ５等
を気密的に封止している。
このようなレーザーダイオード装置１７は各種機器類に
実装されるときは、ステム１の４隅に設けた取付孔１８
を利用してねじで取付板に固定されるようになっている
。
実装されるときは、ステム１の４隅に設けた取付孔１８
を利用してねじで取付板に固定されるようになっている
。
ところで、このよう々レーザーダイオード装置は、被覆
線に被われた長い光ファイバーを有している。
線に被われた長い光ファイバーを有している。
しかし、このような構造では、レーザーダイオード装置
を他のファイバーと結合させ光伝送路をつくる場合、レ
ーザーぞ゛イオード装置からのびるファイバーを固定す
るだめのコネクターを必要とし、外部ファイバーとの接
続の点で工数がふえるという欠点がある。
を他のファイバーと結合させ光伝送路をつくる場合、レ
ーザーぞ゛イオード装置からのびるファイバーを固定す
るだめのコネクターを必要とし、外部ファイバーとの接
続の点で工数がふえるという欠点がある。
したがって、本発明の目的は、光通信装置の外側で簡単
に光ファイバーを接続できる構造の光通信装置を提供す
ることにある。
に光ファイバーを接続できる構造の光通信装置を提供す
ることにある。
〔実施例１〕
第３図は本発明の７実施例による光フアイバー付レーザ
ーダイオード装置の要部を示す平面図、第４図は同じく
断面図である。
ーダイオード装置の要部を示す平面図、第４図は同じく
断面図である。
このレーザーダイオード装置は、長方形板のステム１を
基にして組み立てられている。すなわち、ステム１はコ
バール板の一面を切削加工して中央部にリング状封止壁
（周壁）２を形成するとともに、このリング状封止壁２
の内側をさらに深く〈υ抜きかつその底面中央部に台座
部３を形作っている。そして、この台座部（多段構造で
もよい。）３上にソルダーを介して固定したサブマウン
ト４の上にソルダーによってレーザーダイオードチップ
（チップ）５を固定している。また、ステム１の両端に
はチップ５のレーザー光を出射する出射面に向かって延
在するガイド孔６，７がそれぞれ設けられている。一方
のガイド孔６にはコバールからなるファイバー固定具１
９の小径部が嵌合されかつ鑞付けによって固定されてい
る。このファイバー固定具１９は中心に活って段付孔を
有している。段付孔の大径部は外端側にあ′シ、この部
分にはセラミックからなる筒状のファイバーコネクター
２０の一端部が嵌合されかつ鑞付けによって気密的に固
定されている。また、前記段付孔の小径部はステム内に
臨みかつこの部分には銅、ニッケル合金で作られた筒状
のファイバーガイド２１の一端がファイバーガイド２１
の外周部に設けた７ランジ２２に当接するようにして嵌
合され、鑞付けで気密的に固定されている。壕だ、この
ファイバーガイド２１．ファイバー固定具１９．ファイ
バーコネクター２０を貫通して光ファイバー８が挿入さ
れている。この″光ファイバー８はコア径力８μｍφの
シングルモードファイバー（コア径力５０μ−のマルチ
モールドファイバーでも同様に取り付けれる。）となっ
ている。また、この光ファイバー８はファイバーガイド
２１にソルダー（又は樹脂）２３で固定され光ファイバ
ー８とファイバ−ガイド２１彊小径孔部との間は塞がれ
、気密性が保たれている。また、ファイバー固定具１９
の内部には注入孔２４から注入されたレジン２５が充填
され、ファイバー固定具１９内の光ファイバー８を固定
している。さらに、光ファイバー８の外端はファイバー
コネクター２０の外端面と同一面となっている。
基にして組み立てられている。すなわち、ステム１はコ
バール板の一面を切削加工して中央部にリング状封止壁
（周壁）２を形成するとともに、このリング状封止壁２
の内側をさらに深く〈υ抜きかつその底面中央部に台座
部３を形作っている。そして、この台座部（多段構造で
もよい。）３上にソルダーを介して固定したサブマウン
ト４の上にソルダーによってレーザーダイオードチップ
（チップ）５を固定している。また、ステム１の両端に
はチップ５のレーザー光を出射する出射面に向かって延
在するガイド孔６，７がそれぞれ設けられている。一方
のガイド孔６にはコバールからなるファイバー固定具１
９の小径部が嵌合されかつ鑞付けによって固定されてい
る。このファイバー固定具１９は中心に活って段付孔を
有している。段付孔の大径部は外端側にあ′シ、この部
分にはセラミックからなる筒状のファイバーコネクター
２０の一端部が嵌合されかつ鑞付けによって気密的に固
定されている。また、前記段付孔の小径部はステム内に
臨みかつこの部分には銅、ニッケル合金で作られた筒状
のファイバーガイド２１の一端がファイバーガイド２１
の外周部に設けた７ランジ２２に当接するようにして嵌
合され、鑞付けで気密的に固定されている。壕だ、この
ファイバーガイド２１．ファイバー固定具１９．ファイ
バーコネクター２０を貫通して光ファイバー８が挿入さ
れている。この″光ファイバー８はコア径力８μｍφの
シングルモードファイバー（コア径力５０μ−のマルチ
モールドファイバーでも同様に取り付けれる。）となっ
ている。また、この光ファイバー８はファイバーガイド
２１にソルダー（又は樹脂）２３で固定され光ファイバ
ー８とファイバ−ガイド２１彊小径孔部との間は塞がれ
、気密性が保たれている。また、ファイバー固定具１９
の内部には注入孔２４から注入されたレジン２５が充填
され、ファイバー固定具１９内の光ファイバー８を固定
している。さらに、光ファイバー８の外端はファイバー
コネクター２０の外端面と同一面となっている。
ここで、光ファイバー８．ファイバー固定具１９、ファ
イバーコネクター２０． ファイバーガイド２１から
なるファイバーアセンブリの組立についそ説明する。あ
らかじめ、ファイバー固定具１９にはファイバーガイド
２１およびファイバーコネクター２０を取り付は固定し
ておいた後、ファイバーガイド２１側から光ファイバー
８を挿入する。光ファイバー８の先端近傍にはあらかじ
めメタライズを施しておく。そして、光ファイバー８を
ファイバーコネクタ２０内にまで貫通させた状態で、フ
ァイバーガイド２１の先端部にソルダー又は樹脂２３を
付けて光ファイバー８を気密的に固定する。つぎに、注
入孔２４からレジ／２５をファイバー固定具１９内に注
入して光ファイバー８をレジン２５で固定した後、ファ
イバーコネクター２０の先端を研摩して光ファイバー８
とファイバーコネクター２０の端面が同一面となるよう
にする。なお、ファイバーコネクター２０の光ファイバ
ー８を案内する孔は光ファイバーの外径と略同−で、フ
ァイバーコネクター２０の外周と同一円となっている。
イバーコネクター２０． ファイバーガイド２１から
なるファイバーアセンブリの組立についそ説明する。あ
らかじめ、ファイバー固定具１９にはファイバーガイド
２１およびファイバーコネクター２０を取り付は固定し
ておいた後、ファイバーガイド２１側から光ファイバー
８を挿入する。光ファイバー８の先端近傍にはあらかじ
めメタライズを施しておく。そして、光ファイバー８を
ファイバーコネクタ２０内にまで貫通させた状態で、フ
ァイバーガイド２１の先端部にソルダー又は樹脂２３を
付けて光ファイバー８を気密的に固定する。つぎに、注
入孔２４からレジ／２５をファイバー固定具１９内に注
入して光ファイバー８をレジン２５で固定した後、ファ
イバーコネクター２０の先端を研摩して光ファイバー８
とファイバーコネクター２０の端面が同一面となるよう
にする。なお、ファイバーコネクター２０の光ファイバ
ー８を案内する孔は光ファイバーの外径と略同−で、フ
ァイバーコネクター２０の外周と同一円となっている。
したがって、一般に使用されている光ファイバーの先端
に取り付けるカップリング２６を、このファイバーコネ
クター２０に取シ付けるだけで、ファイバーアセンブリ
の光ファイバー８とカップリング２６によって連結され
た光ファイバー８とは高い光結合効率、を維持して結合
される。カップリングを用いたファイバーとの結合形態
の一例を第７図に示す。レーザー装置側面に固定された
コネクタ２０．およびファイバー８が中心に固定されて
いる他のコネクタ３４をカップリング２６にさしこみ、
ねじ止め固定することにより容易に光学的に結合させる
ことができる。このようなファイバーアセンブリはステ
ム１に挿入しかつ鑞付けで気密的に固定される。
に取り付けるカップリング２６を、このファイバーコネ
クター２０に取シ付けるだけで、ファイバーアセンブリ
の光ファイバー８とカップリング２６によって連結され
た光ファイバー８とは高い光結合効率、を維持して結合
される。カップリングを用いたファイバーとの結合形態
の一例を第７図に示す。レーザー装置側面に固定された
コネクタ２０．およびファイバー８が中心に固定されて
いる他のコネクタ３４をカップリング２６にさしこみ、
ねじ止め固定することにより容易に光学的に結合させる
ことができる。このようなファイバーアセンブリはステ
ム１に挿入しかつ鑞付けで気密的に固定される。
一方、このようにステム１に組み込まれた光ファイバー
８は光結合率を測定されながら先端を固定する。すなわ
ち、チップ５をレーザー発振させ、。
８は光結合率を測定されながら先端を固定する。すなわ
ち、チップ５をレーザー発振させ、。
このレーザー光を光ファイバー８の先端部に受ける。そ
して、光検出器で光フアイバー内に取シ込まれる光量を
測定する。この際、光ファイバー８の先端部を微動させ
、光量が最大となる位置を捜し、その位置でレジンある
いはソルダーからなる固定材１１で光ファイバー８の先
端部をステム１に固定する。
して、光検出器で光フアイバー内に取シ込まれる光量を
測定する。この際、光ファイバー８の先端部を微動させ
、光量が最大となる位置を捜し、その位置でレジンある
いはソルダーからなる固定材１１で光ファイバー８の先
端部をステム１に固定する。
他方、前記他方のガイド孔７にはモニターファイバー１
２が挿入され気密的に固定されている。
２が挿入され気密的に固定されている。
このモニターファイバー１２の先端はチップ５の他方の
出射面に対面し、レーザー光の光強度をモニタするよう
になっている。また、ステム１には２本のリード１３．
１４が配設されている。一方のり一ド１３はグランドリ
ードであって、ステム１に溶接され、ステム１．サブマ
ウント４を介してチップ５の下部電極に電気的に繋って
いる。また、他方のリード讐４はステム１に図示しない
絶縁体（ガラス）を介して貫通固定疏るとともに、内端
はワイヤ１５を介してチップ５の上部電極と電気的に接
続されている。また、周壁２の上面にはシームウェルド
によって板状のキャップ１６が気密的に取り付けられて
いる。
出射面に対面し、レーザー光の光強度をモニタするよう
になっている。また、ステム１には２本のリード１３．
１４が配設されている。一方のり一ド１３はグランドリ
ードであって、ステム１に溶接され、ステム１．サブマ
ウント４を介してチップ５の下部電極に電気的に繋って
いる。また、他方のリード讐４はステム１に図示しない
絶縁体（ガラス）を介して貫通固定疏るとともに、内端
はワイヤ１５を介してチップ５の上部電極と電気的に接
続されている。また、周壁２の上面にはシームウェルド
によって板状のキャップ１６が気密的に取り付けられて
いる。
このレーザーダイオード装置１７は各種機器類に実装さ
れるときは、ステム１の４隅に設けた取付孔１８を利用
してねじで取付板に固定される。
れるときは、ステム１の４隅に設けた取付孔１８を利用
してねじで取付板に固定される。
〔実施例２〕
第５図および第６図は・・イブリッド構造に対して本発
明を適用した例を示す。すなわち、第５図で示す光通信
装置は、単体の光フアイバー付レーザーダイオードのキ
ャップ１６で塞がれるステム１内に、上面に配線層（図
示せｆ）を有するセラミック板等からなる絶縁板２７を
固定した構造となっていて、この絶縁板２７上には抵抗
チップ２８゜サーミスタチップ２９が固定され、ステム
１の温度検出が行なわれるようになっている。また、レ
ーザー身イオードチップ５を支持するサブマウント４は
ペルチェ素子３０を介してステム１に固定゛されている
。ペルチェ素子３０はザブマウント４を冷却して、間接
的にチップ５の温度上昇を阻止し、レーザー発揚が安定
して行なわれるようになっている。
明を適用した例を示す。すなわち、第５図で示す光通信
装置は、単体の光フアイバー付レーザーダイオードのキ
ャップ１６で塞がれるステム１内に、上面に配線層（図
示せｆ）を有するセラミック板等からなる絶縁板２７を
固定した構造となっていて、この絶縁板２７上には抵抗
チップ２８゜サーミスタチップ２９が固定され、ステム
１の温度検出が行なわれるようになっている。また、レ
ーザー身イオードチップ５を支持するサブマウント４は
ペルチェ素子３０を介してステム１に固定゛されている
。ペルチェ素子３０はザブマウント４を冷却して、間接
的にチップ５の温度上昇を阻止し、レーザー発揚が安定
して行なわれるようになっている。
一方、第６図の光通信装置は、ガラスエポキシレジン等
からなる配線基板２８上にベルチェ素子３０を介して光
フアイバー付レーザーダイオード装置１７を固定（７た
構造となっている。まだ、この配線基板３１上には駆動
制御用チップ３２．ベルチェ素子制御用チップ３３．モ
ニタ用センサ装置３４がそれぞれ配設されている。ベル
チェ素子３０はベルチェ氷子制御用チップ３３に制御さ
れてレーザーダイオード装置１７の冷却を行なう。
からなる配線基板２８上にベルチェ素子３０を介して光
フアイバー付レーザーダイオード装置１７を固定（７た
構造となっている。まだ、この配線基板３１上には駆動
制御用チップ３２．ベルチェ素子制御用チップ３３．モ
ニタ用センサ装置３４がそれぞれ配設されている。ベル
チェ素子３０はベルチェ氷子制御用チップ３３に制御さ
れてレーザーダイオード装置１７の冷却を行なう。
また、駆動制御用チップ３２はレーザーダイオード装！
、１７の発信制御９発振出力制御を行なう、１だ、モニ
タ用センサ装置３４はモニターファイバーからの光を検
出してその電気信号を駆動制御用チップ３２にフィード
バックするようになっている。このような構造によって
、適正な光通信を行々う。
、１７の発信制御９発振出力制御を行なう、１だ、モニ
タ用センサ装置３４はモニターファイバーからの光を検
出してその電気信号を駆動制御用チップ３２にフィード
バックするようになっている。このような構造によって
、適正な光通信を行々う。
第８図に第６図に示す本発明による）・イブリッド構造
の光通信装置を、実際の光通信システムに適用した場合
の概要を示す。ここでは、前掲の図面と同一構成部分は
、同一符号を用いて示しである。なお、３５は変調回路
、３６は／リコンフオトダイオード、３７はアンプ（増
幅回路）、３８は復調回路である。
の光通信装置を、実際の光通信システムに適用した場合
の概要を示す。ここでは、前掲の図面と同一構成部分は
、同一符号を用いて示しである。なお、３５は変調回路
、３６は／リコンフオトダイオード、３７はアンプ（増
幅回路）、３８は復調回路である。
この場合、送信信号（ＳＤ）を変調回路３５で変調し、
変調信号に対応して、レーザー駆動用チップ３２を駆動
させ、レーザー装置１７で発生した光パルスを光ファイ
バー８を通して送信する。
変調信号に対応して、レーザー駆動用チップ３２を駆動
させ、レーザー装置１７で発生した光パルスを光ファイ
バー８を通して送信する。
受信側では、送信されてきたパルスをフォトタイオード
３゛６で受光し電気信号に変換して、アンプ３７、復調
回路３８を経て受信信号（ＲＩ））を得る。
３゛６で受光し電気信号に変換して、アンプ３７、復調
回路３８を経て受信信号（ＲＩ））を得る。
〔効果′）
このような実施例によれば、キャップ１６によって塞が
れる空間部は気密的に封止されることから、耐湿性に優
れ、寿命の向上が図れる。
れる空間部は気密的に封止されることから、耐湿性に優
れ、寿命の向上が図れる。
また、この実施例では光ファイバー８の外端はファイバ
ーコネクター２０で支持されている。このため、カップ
リングを用いることによって、装置外部近傍で光ファイ
バーの連結が容易にできる。
ーコネクター２０で支持されている。このため、カップ
リングを用いることによって、装置外部近傍で光ファイ
バーの連結が容易にできる。
したがって、顧客サイドでも簡単に光ファイバー（光ケ
ーブル）の接続ができる。また、安定した信号の送、受
信が可能な光３ｉｎ信システムを提供することができる
。
ーブル）の接続ができる。また、安定した信号の送、受
信が可能な光３ｉｎ信システムを提供することができる
。
以上、本発明者によってなされた発明を、実施例にもと
づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変
更可能であることはいうまでも々い。
づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変
更可能であることはいうまでも々い。
本発明は発光源と光ファイバーとを具備する光通信装置
及びこれを用い・た光通信システム全搬に利用可能であ
る。
及びこれを用い・た光通信システム全搬に利用可能であ
る。
第１図は本出願人の開発によるレーザーダイオード装置
の要部を示す平面図、 第２図は第１図の１１− ＩＩ線に沿う断面図、第３図
は本発明の一実施例によるレーザーダイオード装置の要
部を示す平面図、 第４図は同じく断面図、 第５図は他の実施例による光通信装置の要部を示す断面
図・ 第６図は他の実施例による光通信装置の要音昏を示す断
面図である。 第７図は光ファイバーとレーザー装置の結合形態を示す
斜視図、 第８図は光通信装置を用いた光通信システムの概要を示
す模式図である。 １・・・ステム、２・・・周壁、４・・・サブマウント
、５・・・チップ、８・・光ファイノ＜−１１２−・・
モニタファイバー、１６・・・キャップ、１７・・・レ
ーザーダイオード装置 イバーコネクター、２１・・・ファイノく−ガイド、２
５・・レジン、２６・・・カップリング、２８・・・抵
抗チップ、２９・・・サーミスタチップ、３０・・・ベ
ルチェ素子、３１・・・配線基板、′３２・・・駆動制
御用チップ、３３・・ベルチェ素子制御用チップ゛、３
４・・・モニタ用センサ装置、３５・・・変調回路、３
６・・フォトダイオード、３７・・・増幅回路（アンプ
゛）、３８・・・復調回路。 第５図 第 ６ 図 第 ７ 図 第 ：５Ｄ 記と Ｊσ
の要部を示す平面図、 第２図は第１図の１１− ＩＩ線に沿う断面図、第３図
は本発明の一実施例によるレーザーダイオード装置の要
部を示す平面図、 第４図は同じく断面図、 第５図は他の実施例による光通信装置の要部を示す断面
図・ 第６図は他の実施例による光通信装置の要音昏を示す断
面図である。 第７図は光ファイバーとレーザー装置の結合形態を示す
斜視図、 第８図は光通信装置を用いた光通信システムの概要を示
す模式図である。 １・・・ステム、２・・・周壁、４・・・サブマウント
、５・・・チップ、８・・光ファイノ＜−１１２−・・
モニタファイバー、１６・・・キャップ、１７・・・レ
ーザーダイオード装置 イバーコネクター、２１・・・ファイノく−ガイド、２
５・・レジン、２６・・・カップリング、２８・・・抵
抗チップ、２９・・・サーミスタチップ、３０・・・ベ
ルチェ素子、３１・・・配線基板、′３２・・・駆動制
御用チップ、３３・・ベルチェ素子制御用チップ゛、３
４・・・モニタ用センサ装置、３５・・・変調回路、３
６・・フォトダイオード、３７・・・増幅回路（アンプ
゛）、３８・・・復調回路。 第５図 第 ６ 図 第 ７ 図 第 ：５Ｄ 記と Ｊσ
Claims (1)
- １、主面周縁部に周壁を有するステムと、とのステムの
中央に固定されたチップと、前記周壁を貫通して内端を
前記チップに対面させた光ファイバーと、を有する光通
信装置であって、前記光ファイバーの外端部はステム周
壁に取シ付けられたファイバーコネクターを貫通してい
ることを特徴とする光通信装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58026176A JPS59152681A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 光通信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58026176A JPS59152681A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 光通信装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59152681A true JPS59152681A (ja) | 1984-08-31 |
Family
ID=12186220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58026176A Pending JPS59152681A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 光通信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59152681A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0762567A1 (en) * | 1995-08-18 | 1997-03-12 | Nec Corporation | Temperature-controlled semiconductor laser apparatus and temperature control method therefor |
-
1983
- 1983-02-21 JP JP58026176A patent/JPS59152681A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0762567A1 (en) * | 1995-08-18 | 1997-03-12 | Nec Corporation | Temperature-controlled semiconductor laser apparatus and temperature control method therefor |
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