JPS59138911U - パワ−トランジスタのベ−スドライブ回路 - Google Patents

パワ−トランジスタのベ−スドライブ回路

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JPS59138911U
JPS59138911U JP3382283U JP3382283U JPS59138911U JP S59138911 U JPS59138911 U JP S59138911U JP 3382283 U JP3382283 U JP 3382283U JP 3382283 U JP3382283 U JP 3382283U JP S59138911 U JPS59138911 U JP S59138911U
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JP
Japan
Prior art keywords
power transistor
circuit
drive circuit
diode
base drive
Prior art date
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Pending
Application number
JP3382283U
Other languages
English (en)
Inventor
明博 近藤
浅井　長美
Original Assignee
ダイキン工業株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by ダイキン工業株式会社 filed Critical ダイキン工業株式会社
Priority to JP3382283U priority Critical patent/JPS59138911U/ja
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Pending legal-status Critical Current

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  • Power Conversion In General (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来例としてのベースドライブ回路の電気回路
図、第２図は本考案のベースドライブ回路の電気回路図
、第３図は本考案の各部の電流波形を示す図である。 １・・・ゲート回路、３・・・微分回路、Ｃ１・・・ス
ピードアップコンデンサ、Ｄ□・・・コレクタキャッチ
ャ−ダイオード、Ｄ２．Ｄ３・・・ダイオード、Ｒ１・
・・抵抗、−Ｑ、、　Ｑ２・・・トランジスタ、Ｑ３・
・・パワートランジスタ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ベース信号を受けて開くトランジスタＱ、、　Ｑ２より
    なるゲート回路１を備え、該ゲート回路１を抵抗Ｒ１と
    スピードアップコンデンサＣ１とよりなる微分回路３お
    よびダイオードＤ２の直列回路を介してパワートランジ
    スタＱ３のベースへ接続スるとともに、抵抗Ｒ１とパワ
    ートランジスタＱ３のベース方向への電流流れを許容す
    るダイオードＤ２トの間と前記パワートランジスタＱ３
    のコレクタとの間には、パワートランジスタＱ３のコレ
    ツ′　　夕方向への電流流れを許容する・レクタキャッ
    チャーダイオードＤ１を接続して、ゲート回路ＯＮ時に
    ゲート回路１からベース電流を供給してパワートランジ
    スタＱ３をＯＮ作動せしめる如（したベースドライブ回
    路において、前記スピードアップコンデンサＣ□を前記
    抵抗Ｒ１とダイオードＤ２の直列回路をバイパスしてそ
    の正極側がゲート回路１側となる如く接続して、ゲート
    回路がＯＦＦ時に蓄積キャリヤ除去を行う如（したこと
    を特徴とするパワートランジスタのベースドライブ回路
    。
JP3382283U 1983-03-08 1983-03-08 パワ−トランジスタのベ−スドライブ回路 Pending JPS59138911U (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005192394A (ja) * 2000-01-31 2005-07-14 Hitachi Ltd 半導体素子の駆動装置及びその制御方法
WO2020084806A1 (ja) * 2018-10-26 2020-04-30 オムロン株式会社 スイッチング素子の駆動回路及びスイッチング回路

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005192394A (ja) * 2000-01-31 2005-07-14 Hitachi Ltd 半導体素子の駆動装置及びその制御方法
WO2020084806A1 (ja) * 2018-10-26 2020-04-30 オムロン株式会社 スイッチング素子の駆動回路及びスイッチング回路
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