JPS59133745A - 光受信回路 - Google Patents
光受信回路Info
- Publication number
- JPS59133745A JPS59133745A JP58008370A JP837083A JPS59133745A JP S59133745 A JPS59133745 A JP S59133745A JP 58008370 A JP58008370 A JP 58008370A JP 837083 A JP837083 A JP 837083A JP S59133745 A JPS59133745 A JP S59133745A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance
- capacitor
- amplifier
- fet12
- preamplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/697—Arrangements for reducing noise and distortion
- H04B10/6973—Arrangements for reducing noise and distortion using noise matching networks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光通信の光受信器における前置増幅回路に関す
るものである。
るものである。
従来例の構成とその問題点
第１図は受光素子１１にビンホトダイオード（ＦＤ）又
はアバランシホトダイオード（Ａ Ｐ Ｄ）を用いた従
来の低インピーダンス型の光増幅器の一部の回路を一例
として示したものである。
はアバランシホトダイオード（Ａ Ｐ Ｄ）を用いた従
来の低インピーダンス型の光増幅器の一部の回路を一例
として示したものである。
初段の増幅器には、ＦＥＴ１２を用いて、このＦＥＴ１
２のゲート側には増幅器１３からの信号を抵抗１４を介
して負帰還を行ない、ＦＥＴ１２の入力インピーダンス
を下げている。この低インピーダンス型の前置増幅器は
普通一般の回路構成であシ、くわしい動作説明は省略す
る。
２のゲート側には増幅器１３からの信号を抵抗１４を介
して負帰還を行ない、ＦＥＴ１２の入力インピーダンス
を下げている。この低インピーダンス型の前置増幅器は
普通一般の回路構成であシ、くわしい動作説明は省略す
る。
ＦＥＴ１２の入力インピーダンスの値は、はとんどが、
抵抗１４からの帰還される信号量によって決定され、数
百Ωから５にΩまでが普通一般的な値である。
抵抗１４からの帰還される信号量によって決定され、数
百Ωから５にΩまでが普通一般的な値である。
受光素子１１は光信号を電気信号に変換し、この変換さ
れた電気信号は抵抗１６の両端より取り出され、コンデ
ンサ１６を介してＦＥＴ１２に入力される。このコンデ
ンサ１６を通過する信号のインピーダンスは１ ／ｊω
Ｃとなり当然周波数が低くなればインピーダンスが大き
くなる。
れた電気信号は抵抗１６の両端より取り出され、コンデ
ンサ１６を介してＦＥＴ１２に入力される。このコンデ
ンサ１６を通過する信号のインピーダンスは１ ／ｊω
Ｃとなり当然周波数が低くなればインピーダンスが大き
くなる。
しだがって前記したようにＦＥＴ１２の入力インピーダ
ンスが低いことから、低域の周波数特性を良くするため
には、コンデンサ１６の値を大きくしなければならない
。しかし大きくすれば、電源ライン１７に電源を加えた
ときの時定数、つまリ、コンデンサ１６．抵抗１５．１
４の時定数が大きくなる。またコンデンサ１６の値が大
きくなれば、当然漏れ電流も大きくなる、また形状も大
きくなって好ましくないＲ２０は電圧分割用抵抗である
。
ンスが低いことから、低域の周波数特性を良くするため
には、コンデンサ１６の値を大きくしなければならない
。しかし大きくすれば、電源ライン１７に電源を加えた
ときの時定数、つまリ、コンデンサ１６．抵抗１５．１
４の時定数が大きくなる。またコンデンサ１６の値が大
きくなれば、当然漏れ電流も大きくなる、また形状も大
きくなって好ましくないＲ２０は電圧分割用抵抗である
。
発明の目的
本発明は映像信号の強弱信号を、そのまま光信号の強弱
信号に変換し、光フアイバ伝送、または空間伝送し、光
受信回路において歪のない、特に低域ひずみを改善する
ものである。つまシ映像信号においては、低域周波数は
３０Ｈｚまでの低域成分を必要とし、この低域成分が少
なくなれば垂直サグ歪が発生するがこの垂直サグ歪を改
善するものである。
信号に変換し、光フアイバ伝送、または空間伝送し、光
受信回路において歪のない、特に低域ひずみを改善する
ものである。つまシ映像信号においては、低域周波数は
３０Ｈｚまでの低域成分を必要とし、この低域成分が少
なくなれば垂直サグ歪が発生するがこの垂直サグ歪を改
善するものである。
発明の構成
本発明は、光受信素子からの出力を増幅するに際し、前
置増幅器を設け、前記前置増幅器と光受信素子の間をコ
ンデンサ結合し、前記コンデンサの両端から抵抗Ｒ１，
’Ｒ２を介して前記前置増幅器に接続される増幅器の出
力端を接続して帰還ループを形成し、前記コンデンサと
前置増幅器の間に一端が接続される抵抗をＲ２とする左
Ｒ＋）Ｒ２とするものである。
置増幅器を設け、前記前置増幅器と光受信素子の間をコ
ンデンサ結合し、前記コンデンサの両端から抵抗Ｒ１，
’Ｒ２を介して前記前置増幅器に接続される増幅器の出
力端を接続して帰還ループを形成し、前記コンデンサと
前置増幅器の間に一端が接続される抵抗をＲ２とする左
Ｒ＋）Ｒ２とするものである。
実施例の説明
第２図は本発明の一実施例を示すものであり、光受信回
路の前置増幅器の一例を示す。第１図と同じ動作を示す
ものは同一の番号で示す。
路の前置増幅器の一例を示す。第１図と同じ動作を示す
ものは同一の番号で示す。
受光素子１１の負荷抵抗１８は増幅器１３からの信号を
負帰還することによって、前記した垂直サグ歪を改善す
ることができる。
負帰還することによって、前記した垂直サグ歪を改善す
ることができる。
受光素子１１の両端には逆バイアス電圧１７を加えると
、光信号の光のバイアス光の強弱に応じて受光素子１１
において逆方向電流が変化する。
、光信号の光のバイアス光の強弱に応じて受光素子１１
において逆方向電流が変化する。
また受光素子１１０種類、または温度によって、光信号
がなくても数μムから数十μＡまで暗電流として電流が
流れている。またＦＥＴ１２のゲート電圧はＦＥＴ１２
の最もよい動作条件、たとえばｙ−ｍがほぼ最大になる
条件になるように抵抗１９で直流帰還を行ない回路上の
安定性も保っている。
がなくても数μムから数十μＡまで暗電流として電流が
流れている。またＦＥＴ１２のゲート電圧はＦＥＴ１２
の最もよい動作条件、たとえばｙ−ｍがほぼ最大になる
条件になるように抵抗１９で直流帰還を行ない回路上の
安定性も保っている。
しだがって、受光素子１１のカソード側とＦＥＴ１２の
ゲート側の電位は異なることから、直接接続することは
できないので、コンデンサ１６によって、受光素子１１
とＦＥＴ１２とを結合している。このとき前記したよう
にＦＥＴ１２の信号に対する入力インピーダンスは低い
だめ、コンデンサ１６の容量が少ないと増幅器１３から
の映像信号では垂直サグ歪が多くなるが、この映像信号
、全抵抗１８を介して受光素子１１のカソード側に負帰
還することによって、コンデンサ１６を通過して低域成
分が少なくなれば当然帰還される低域成分も少なくなシ
、低域の周波数特性を補正することができる。つまり結
合のコンデンサ１６を帰還形の増幅器の帰還ループに入
れることによって低域の周波数特性を改善している。抵
抗１９はＦ’ＫＴ１２のゲート電圧のバイアス電圧を加
えるだめのものであり、抵抗１８は増幅器の周波数特性
を改善するためであり、抵抗１９の抵抗値Ｒ１と、抵抗
１８の抵抗値Ｒ２との関係はＲ１）Ｒ２であることが望
ましい。このことはＦＥＴ１２のゲートの直流入力抵抗
は非常に大きいことから、単にＦ゛ＥＴ１２のゲートバ
イアス電圧を加えるだけでよいＯ −ダンス型の前置増幅器を用いた光受信回路で、低域か
ら高域までの周波数成分を含む映像信号のうち、特に低
域の周波数特性を良くすることにより、映像信号の低域
歪を改善することができる。
ゲート側の電位は異なることから、直接接続することは
できないので、コンデンサ１６によって、受光素子１１
とＦＥＴ１２とを結合している。このとき前記したよう
にＦＥＴ１２の信号に対する入力インピーダンスは低い
だめ、コンデンサ１６の容量が少ないと増幅器１３から
の映像信号では垂直サグ歪が多くなるが、この映像信号
、全抵抗１８を介して受光素子１１のカソード側に負帰
還することによって、コンデンサ１６を通過して低域成
分が少なくなれば当然帰還される低域成分も少なくなシ
、低域の周波数特性を補正することができる。つまり結
合のコンデンサ１６を帰還形の増幅器の帰還ループに入
れることによって低域の周波数特性を改善している。抵
抗１９はＦ’ＫＴ１２のゲート電圧のバイアス電圧を加
えるだめのものであり、抵抗１８は増幅器の周波数特性
を改善するためであり、抵抗１９の抵抗値Ｒ１と、抵抗
１８の抵抗値Ｒ２との関係はＲ１）Ｒ２であることが望
ましい。このことはＦＥＴ１２のゲートの直流入力抵抗
は非常に大きいことから、単にＦ゛ＥＴ１２のゲートバ
イアス電圧を加えるだけでよいＯ −ダンス型の前置増幅器を用いた光受信回路で、低域か
ら高域までの周波数成分を含む映像信号のうち、特に低
域の周波数特性を良くすることにより、映像信号の低域
歪を改善することができる。
第１図は低入力インピーダンス型前置増幅器を用いた従
来の一実施例の光受信回路の構成図、第２図は低入力イ
ンピーダンス型前置増幅器を用いた本発明の一実施例に
おける光受信回路の構成図である。 １１・・・・・・受信素子、１２・・・・・・ＦＥＴ、
１３・川・・増幅器、１８．１９・・・・・・抵抗。
来の一実施例の光受信回路の構成図、第２図は低入力イ
ンピーダンス型前置増幅器を用いた本発明の一実施例に
おける光受信回路の構成図である。 １１・・・・・・受信素子、１２・・・・・・ＦＥＴ、
１３・川・・増幅器、１８．１９・・・・・・抵抗。
Claims (1)
- 抵抗Ｒ１によって帰還した低入力インピーダンス型の前
置増幅器の入力端と、受光素子の一端とをコンデンサで
結合し、前記受光素子の一端は前記前置増幅器からの出
力信号を抵抗Ｒ２を介して前記前置増幅器に接続し、前
記Ｒ１とＲ２との関係をＲ１〉Ｒ＋にしたことを特徴と
する光受信回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58008370A JPS59133745A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | 光受信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58008370A JPS59133745A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | 光受信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59133745A true JPS59133745A (ja) | 1984-08-01 |
Family
ID=11691342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58008370A Pending JPS59133745A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | 光受信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59133745A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5787616A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-01 | Victor Co Of Japan Ltd | Amplifying circuit |
-
1983
- 1983-01-20 JP JP58008370A patent/JPS59133745A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5787616A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-01 | Victor Co Of Japan Ltd | Amplifying circuit |
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