JPS59126321A - Multistage darlington transistor - Google Patents
Multistage darlington transistorInfo
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- JPS59126321A JPS59126321A JP58001452A JP145283A JPS59126321A JP S59126321 A JPS59126321 A JP S59126321A JP 58001452 A JP58001452 A JP 58001452A JP 145283 A JP145283 A JP 145283A JP S59126321 A JPS59126321 A JP S59126321A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 本発明はターンオフ時間改善のためにベース。[Detailed description of the invention] The present invention is based on improving turn-off time.
エミッタ間にスピードアップダイオードを接続した3段
以上の多段ダーリントントランジスタに関する。This invention relates to a multi-stage Darlington transistor with three or more stages in which a speed-up diode is connected between the emitters.
ダーリントントランジスタのオフ時における出力段トラ
ンジスタのベースのキャリヤを吸い出しターンオフ時間
を短くするために、第1図に示すように前段トランジス
タ1のベースとエミッタ、すなわち出力段トランジスタ
2のベースとの間にエミッタ接合に逆並列にスピードア
ップダイオードと呼ばれるダイオード3を接続すること
は公知である。同様に3段以上の多段ダーリントントラ
ンジスタにおいて後段側のトランジスタのベースのキャ
リヤを吸い出すため、第2図、第3図に示すように各段
のトランジスタ、12あるいは13のエミッタと前段ト
ランジスタ10ベースとの間にスピードアップダイオー
ド32.33を接続することが考えられる。しかしこの
場合各段トランジスタが十分飽和したオン状態にあると
し、そのベース、エミッタ飽和電圧が同一でvBF、で
あるとしトランジスタ10ベース、コレクタ間の電圧降
下値を■1とすると、例えば第2図においてトランジス
タ1のコレクタ、エミッタmmvoB、=vB、−vF
トランジスタ12のコレクタ、エミッタ飽和電圧V。8
2判■BB−vFトランジスタ2のコレクタ、エミッタ
飽和電圧vCES =3■BE二V。In order to suck out carriers from the base of the output stage transistor when the Darlington transistor is off and shorten the turn-off time, an emitter is connected between the base and emitter of the front stage transistor 1, that is, the base of the output stage transistor 2, as shown in FIG. It is known to connect a diode 3, called a speed-up diode, antiparallel to the junction. Similarly, in a multi-stage Darlington transistor with three or more stages, in order to suck out carriers from the base of the transistor at the later stage, as shown in FIGS. It is conceivable to connect speed-up diodes 32 and 33 between them. However, in this case, assuming that the transistors at each stage are in a sufficiently saturated on state, and the base and emitter saturation voltages are the same, vBF, and the voltage drop value between the base and collector of the transistor 10 is 1, then, for example, as shown in Figure 2. , the collector and emitter of transistor 1 mmvoB, = vB, -vF
Collector and emitter saturation voltage V of transistor 12. 8
2 size ■BB-vF Collector and emitter saturation voltage of transistor 2 vCES = 3■BE2V.
となり、VoF、2〈vcB、となるから、各段トラン
ジスタのhFFfの設定によってはトランジスタ2より
トランジスタ12の方が過剰キャリヤが多い場合がある
。そのためダイオード32としてダイオード3と同じタ
イプのダイオードを用いると、ベース回路が遮断され、
BE間に逆バイアスがかけられたとき、トランジスタ1
2よシトランジスタ客が先にターンオフしてしまい、電
源電圧がトランジスタ1のコレクタに印加されトランジ
スタ1が破壊してしまうことがある。従ってベース、エ
ミッタ間逆バイアス時の安全動作領域RBSC絹)ラン
ジスタ2ばかりかトランジスタ12まで広いことが求め
られ、トランジスタ12の面積が大となり価格の増大を
招く。あるいは第4図に示すようにダイオード32の代
りにダイオード34.35を用いる方法もあるが、スピ
ードアップダイオードの数の増大を引き起こす。すなわ
ちn段ダーリントントランジスタでは x(yl−t)
のダイオードをrFl
必要とし、膨大な数となる。Therefore, depending on the setting of hFFf of each stage transistor, there may be more excess carriers in transistor 12 than in transistor 2. Therefore, if the same type of diode as diode 3 is used as diode 32, the base circuit will be cut off.
When reverse bias is applied across BE, transistor 1
2) If the transistor turns off first, the power supply voltage may be applied to the collector of transistor 1 and transistor 1 may be destroyed. Therefore, the safe operating area when reverse biasing between the base and emitter (RBSC) is required to be wide not only for the transistor 2 but also for the transistor 12, which increases the area of the transistor 12 and increases the cost. Alternatively, as shown in FIG. 4, there is a method of using diodes 34 and 35 instead of diode 32, but this causes an increase in the number of speed-up diodes. In other words, in an n-stage Darlington transistor, x(yl-t)
diodes rFl are required, resulting in a huge number of diodes.
本発明は3段以上の多段ダーリントントランジスタにス
ピードアップダイオードを接続する場合に、出力段トラ
ンジスタが確実に最後にターンオフするような回路を低
い費用で実現することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to realize, at low cost, a circuit in which an output stage transistor is reliably turned off last when a speed-up diode is connected to a multi-stage Darlington transistor of three or more stages.
この目的は3段以上の多段ダーリントントランジスタの
出力段を除く各トランジスタのエミッタ接合に逆並列の
スピードアップダイオードが接続されるものにおいて、
出力段の直前段のトランジスタのエミッタ接合に逆並列
のスピードアップダイオードはそのトランジスタのエミ
ッタ、ベース間に接続されることによって達成される。This purpose is for multi-stage Darlington transistors with three or more stages in which an anti-parallel speed-up diode is connected to the emitter junction of each transistor except the output stage.
This is achieved by connecting an anti-parallel speed-up diode to the emitter junction of the transistor immediately preceding the output stage between the emitter and base of that transistor.
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。第
5図は4段ダーリントントランジスタに対する一実施例
を示し、各段トランジスタ1゜12.13のベース、エ
ミッタ接合にそれぞれ逆並列にスピードアップダイオー
ド3.32.33が接続されている。このダーリントン
トランジスタのベース回路がしゃ断された時には、トラ
ンジスタ1.12,13.2の順にターンオフするため
、出力段トランジスタ2以外のトランジスタには広いR
BSOA 特性を要求されることはなく、小さなチップ
寸法のトランジスタを用いることができる。またスピー
ドアップダイオードの数もfi−1ですむ。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 5 shows an embodiment for a four-stage Darlington transistor, in which speed-up diodes 3, 32, and 33 are connected in antiparallel to the base and emitter junctions of transistors 1, 12, and 13 in each stage, respectively. When the base circuit of this Darlington transistor is cut off, transistors 1.12 and 13.2 are turned off in this order, so transistors other than output stage transistor 2 have a wide R
BSOA characteristics are not required and small chip size transistors can be used. Also, the number of speed-up diodes can be fi-1.
第6図は別の実施例で、この場合はトランジスタ12の
エミッタ接合に逆並列のスピードアップダイオード32
は最前段トランジスタ1のベースとの間に接続されてい
る。すなわちダイオード3とダイオード32が並列にな
っているため、トランジスタ120次にトランジスタ1
3がターンオフしないで、第7図のコレクタ電流線図に
各トランジスタの符号を付して示したようにトランジス
タ13がトランジスタ12より先にターンオフすること
がある。しかしダイオード33はダイオード32と直列
に接続されているので最後にターンオフするのはトラン
ジスタ2であシ、高いコレクタ、エミッタ電圧(vol
il)が印加されるのはトランジスタ2のみである。従
って、広いRBSOAが要求されるのはトランジスタ2
だけであり、前段側のトランジスタには広いRBSOA
は要求されず、スピードアップダイオードの数はやはj
)n−1個ですむ。FIG. 6 shows another embodiment in which a speed-up diode 32 is placed anti-parallel to the emitter junction of transistor 12.
is connected between the base of the first stage transistor 1. In other words, since diode 3 and diode 32 are connected in parallel, transistor 120 then transistor 1
In some cases, the transistor 13 does not turn off and the transistor 13 turns off before the transistor 12, as shown in the collector current diagram of FIG. However, since diode 33 is connected in series with diode 32, it is transistor 2 that turns off last, resulting in a high collector-emitter voltage (vol
il) is applied only to transistor 2. Therefore, a wide RBSOA is required for transistor 2.
The front transistor has a wide RBSOA.
is not required and the number of speed-up diodes is now j
) n-1 pieces are enough.
以上述べたように本発明は3段以上の多段ダー5−
リントントランジスタにスピードアップダイオードを接
続する際、出力段トランジスタのベース側に接続される
ものは必ずその直前のトランジスタのエミッタ、ベース
間に接続するようにして、前段側トランジスタのターン
オフしたのち最後に出力段トランジスタがターンオフす
るようにしたものである。これによりスピードアップダ
イオードの数も最小限ですみ、また前段側のトランジス
タに広いRBSOAをもつことも要求されないのでター
ンオフ時間の短いダーリントントランジスタを経済的に
構成できるので、得られる効果は極めて大きい。もちろ
ん、NPNトランジスタ2で構成されるダーリントント
ランジスタに限らず、PNPトランジスタで構成する場
合にも適用できる。、As described above, when a speed-up diode is connected to a multi-stage driver 5-Lington transistor of three or more stages, the one connected to the base side of the output stage transistor is always connected between the emitter and base of the transistor immediately before it. After the previous stage transistor is turned off, the output stage transistor is finally turned off. As a result, the number of speed-up diodes can be minimized, and since the front-stage transistor is not required to have a wide RBSOA, a Darlington transistor with a short turn-off time can be constructed economically, so the effect obtained is extremely large. Of course, the present invention is applicable not only to the Darlington transistor made up of the NPN transistor 2 but also to the case made up of PNP transistors. ,
第1図ないし第4図はダーリントントランジスタにおけ
るスピードアップダイオードの各種の接続例を示す回路
図、第5図は本発明の一実施例を示す回路図、第6図は
別の実施例を示す回路図、第7図は第6図の回路の各素
子のターンオフ時の6−
コレクタ電流およびコレクタ、エミッタ電圧の時間的経
過の一例を示す線図である。
4・・最前段トランジスタ、2・・出力段トランジスタ
、3.32.33・・スピードアップダイオード、12
.13川中間段トランジスタ。
7−Figures 1 to 4 are circuit diagrams showing various connection examples of speed-up diodes in Darlington transistors, Figure 5 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention, and Figure 6 is a circuit diagram showing another embodiment. 7 is a graph showing an example of the time course of the collector current and collector-emitter voltage of each element in the circuit of FIG. 6 at turn-off. 4... First stage transistor, 2... Output stage transistor, 3.32.33... Speed up diode, 12
.. 13 River middle stage transistor. 7-
Claims (1)
を除く各トランジスタのエミッタ接合に逆並列のスピー
ドアップダイオードが接続されるものにおいて、出力段
の直前段のトランジスタのエミッタ接合に逆並列のスピ
ードアップダイオードが該トランジスタのエミッタ、ベ
ース間に接続されたことを特徴とする多段ダーリントン
トランジスタ01) In a multi-stage Darlington transistor with three or more stages in which an anti-parallel speed-up diode is connected to the emitter junction of each transistor except the output stage, an anti-parallel speed-up diode is connected to the emitter junction of the transistor immediately before the output stage. is connected between the emitter and the base of the transistor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58001452A JPS59126321A (en) | 1983-01-08 | 1983-01-08 | Multistage darlington transistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58001452A JPS59126321A (en) | 1983-01-08 | 1983-01-08 | Multistage darlington transistor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59126321A true JPS59126321A (en) | 1984-07-20 |
Family
ID=11501831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58001452A Pending JPS59126321A (en) | 1983-01-08 | 1983-01-08 | Multistage darlington transistor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59126321A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6022026U (en) * | 1983-07-20 | 1985-02-15 | 三菱電機株式会社 | Transistor base circuit |
US4866401A (en) * | 1987-12-08 | 1989-09-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | High current Darlington amplifier |
-
1983
- 1983-01-08 JP JP58001452A patent/JPS59126321A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6022026U (en) * | 1983-07-20 | 1985-02-15 | 三菱電機株式会社 | Transistor base circuit |
US4866401A (en) * | 1987-12-08 | 1989-09-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | High current Darlington amplifier |
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