JPS59122128A - Cmos counter circuit - Google Patents

Cmos counter circuit

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Publication number
JPS59122128A
JPS59122128A JP22865082A JP22865082A JPS59122128A JP S59122128 A JPS59122128 A JP S59122128A JP 22865082 A JP22865082 A JP 22865082A JP 22865082 A JP22865082 A JP 22865082A JP S59122128 A JPS59122128 A JP S59122128A
Authority
JP
Japan
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transistor
level
conductivity type
gate
electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP22865082A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masaharu Kimura
雅春 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS59122128A publication Critical patent/JPS59122128A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K23/00Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains
    • H03K23/58Gating or clocking signals not applied to all stages, i.e. asynchronous counters
    • H03K23/60Gating or clocking signals not applied to all stages, i.e. asynchronous counters with field-effect transistors

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To output a non-inverting signal and an inverting signal in the same phase by a clock signal of single phase by constituting a dynamic counter circuit of a CMOS to quicken the speed and make the power consumption low. CONSTITUTION:When the level of an input is an L, then an MOS transistor(TR) T1 is turned off and a TRT2 is turned on. As a result, a point C goes to an H level and a T5 is turned off. Further, since the level of the input to a T3 is L, a voltage at a point (d) remains at the preceding level. When the voltage stored at the point (d) is in the L level, then a T8 is turned off and a T7 is turned off. Since a T9 is turned on, a point (e) reaches the H level and a non-inverting output Qn goes to the H level. Then, an output point (f) of inverters T10, T11 goes to the L level. Suppose that the input is changed to the H level, the point (d) goes to the H level and the output level at the points (e) and (f) is unchanged. When the input goes to the L level again, the point (e) goes to the L level and the point (f) is inverted into the H level.

Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の技術分野 本発明は、MOSトランジスタ回路に係り、特にCMO
3回路によって構成されたCMOSカウンタ回路に関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (1) Technical field of the invention The present invention relates to a MOS transistor circuit, and particularly to a CMO transistor circuit.
The present invention relates to a CMOS counter circuit composed of three circuits.

(2)技術の背景 バイポーラトランジスタを用いたカウンタ回路は消費電
力が大である。そこで、近年低消費電力のCMO3回路
を用いたカウンタ回路が使用されている。CMO3とは
周知のようにNチャンネルMO3I−ランジスタとPチ
ャンネルMO3I−ランジスタとを組み合せることによ
り、一つのクロック入力信号に対して電源より接地への
電流路が形成されることを回避することにより、低消費
電力による動作が可能となるものである。
(2) Technical Background Counter circuits using bipolar transistors consume a large amount of power. Therefore, in recent years, counter circuits using CMO3 circuits with low power consumption have been used. As is well known, CMO3 is a combination of an N-channel MO3I-transistor and a P-channel MO3I-transistor, which avoids the formation of a current path from the power supply to the ground for one clock input signal. , which enables operation with low power consumption.

ところで、カウンタ回路には、カウンタ値が保持される
スタティックカウンタと特定時間内にクロ・7りを入力
しないとカウンタ値が失われてしまうダイナミックカウ
ンタとがある。
Incidentally, counter circuits include static counters in which a counter value is held, and dynamic counters in which the counter value is lost unless a clock signal is input within a specific time.

ダイナミックカウンタ回路は、スタテイ・7ク力ウンタ
回路よりも高速に動作するのでダイナミックカウンタ回
路をCMO3で構成すれば高速且つ低消費電力のカウン
タ回路が得られる。
The dynamic counter circuit operates faster than the static/7-power counter circuit, so if the dynamic counter circuit is constructed from CMO3, a high speed counter circuit with low power consumption can be obtained.

(3)従来技術と問題点 従来のグイナミソクCMOSカウンタは、第1図に示す
ように、Nチャンネル及びPチャンネルのMOSトラン
ジスタ1.2の並列接続よりなる第1のトランスファゲ
ート3と同じくNチャンネル及びPチャンネルのMOS
)ランジスタ4,5の直列接続よりなる第1のインバー
タ回路6と、第1のトランスファゲート及びインバータ
回路とそれぞれ同一の構成の第2のトランスファゲート
7、第2,3のインハーク回路8,9とが閉ループ状に
直列接続されてなる。第1のトランスファゲート3のN
チャンネルMO3)ランジスクlとPチャンネルMOS
トランジスタ2のゲートにはクロック信号T及び反転ク
ロック信号Tとが加えられる。また、逆に、第2のトラ
ンスファゲート7のNチャンネルMOSトランジスタ及
びPチャンネルMO3I−ランジスクのゲートにはそれ
ぞれ反転クロック信号T及びクロック信号Tとが加えら
れる。インバータ回路8の出力が正相出力Qとなりイン
バータ回路9の出力が反転出力Qとなる。
(3) Prior Art and Problems As shown in FIG. 1, the conventional Guinamisoku CMOS counter is similar to the first transfer gate 3 consisting of N-channel and P-channel MOS transistors 1.2 connected in parallel. P channel MOS
) A first inverter circuit 6 consisting of transistors 4 and 5 connected in series, a second transfer gate 7 having the same configuration as the first transfer gate and inverter circuit, and second and third inverter circuits 8 and 9. are connected in series in a closed loop. N of first transfer gate 3
Channel MO3) Langisk l and P channel MOS
A clock signal T and an inverted clock signal T are applied to the gate of transistor 2. Conversely, an inverted clock signal T and a clock signal T are applied to the gates of the N-channel MOS transistor and the P-channel MO3I-RANDIS of the second transfer gate 7, respectively. The output of the inverter circuit 8 becomes the positive phase output Q, and the output of the inverter circuit 9 becomes the inverted output Q.

1−ランスファゲート3とトランスファゲート7はON
、OFFがそれぞれ逆に動作する。すなわち、トランス
ファゲート3がONのときはトランスファゲート7がO
FFとなり、I・ランスフアゲ−1−3がOFFのとき
はトランスファゲート7がONとなる。例えば、インバ
ータ回路9がローレベル(以下Lレベルと記す)のとき
にはクロック信号1゛がハイレベル(以下Hレベルと記
す)でMOSトランジスタ1がONとなり、Hレベルの
ときには反転クロック信号TがLレベルでMO3I−ラ
ンジスク2がOFFとなる。すなわち、クロック信号T
がHレベルのときトランスファゲート3がONとなる。
1- Transfer gate 3 and transfer gate 7 are ON
, OFF operate in reverse. That is, when transfer gate 3 is ON, transfer gate 7 is OFF.
When the transfer gate 1-3 is OFF, the transfer gate 7 is turned ON. For example, when the inverter circuit 9 is at a low level (hereinafter referred to as L level), the clock signal 1' is at a high level (hereinafter referred to as H level) and the MOS transistor 1 is turned on, and when it is at H level, the inverted clock signal T is at L level. MO3I-Ranjisk 2 is turned OFF. That is, the clock signal T
When is at H level, transfer gate 3 is turned on.

第2のトランスファゲート7のゲート人力12は第1の
トランスファゲート3のゲート入力に対して反転したク
ロック信号Tが入力しているので、クロック信号TがL
レベルのときにONとなる。
Since the clock signal T which is inverted with respect to the gate input of the first transfer gate 3 is input to the gate input 12 of the second transfer gate 7, the clock signal T is low.
It turns ON when the level is reached.

第2図は前記の従来のCMOSカウンク回路の動作を示
すタイミングクロックチャート図である。
FIG. 2 is a timing clock chart showing the operation of the conventional CMOS count circuit.

クロ、ツク信号T1によってトランスファゲート3がO
Nとなり、インバータ回路5の入力にはインバータ回路
9の出力すなわちHし;ルが加わり、a点はLレベルと
なる。次のクロック信号T+ ′によって1−ランスフ
ァゲート3はOFFとなり、インバータ回路5には前述
のI]レベルが印加されたままとなる。これはMO3I
−ランジスタの入力がほぼ無限大のインピーダンスであ
り、結線等の浮遊容量によって一定に保たれる。クロッ
ク信号T+ ′によってトランスファゲート7がONと
なり、インバータ回路5の出力すなわちa点のししヘル
がインバータ回路8に加わる。その結果インバータ回路
8の出力はHレベルとなり、正相出力QとしてHレベル
が出力される。またその出力はインバータ回路9に入力
し、その出力より15レベルが反転出力石として出力さ
れる。次にクロック信号T2によってトランスファゲー
ト3がONとなりインバ−タ回路9の出力すなわちLレ
ベルがトランスファケート3を介してインバータ回路5
に加わる。このとき、トランスファゲート7はOFFで
あるので正相出力Q並びに反転出力Qは変化しない。次
のクロック信号T2′によってトランスフアゲ−17が
ON、1−ランスフアゲ−1−3がOFFとなり、前述
のようにa点のレベルがインパーク回路8に入力し、更
に反転してインバータ回路9にくわわる。これによって
正相出力Q。
The transfer gate 3 is turned OFF by the BLACK and TUCK signals T1.
N, the output of the inverter circuit 9, that is, the H level is added to the input of the inverter circuit 5, and the point a becomes L level. The 1-transfer gate 3 is turned off by the next clock signal T+', and the above-mentioned I] level remains applied to the inverter circuit 5. This is MO3I
- The impedance of the input of the transistor is almost infinite, and it is kept constant by stray capacitance such as wiring. The transfer gate 7 is turned on by the clock signal T+', and the output of the inverter circuit 5, that is, the signal at point a is applied to the inverter circuit 8. As a result, the output of the inverter circuit 8 becomes H level, and the H level is output as the positive phase output Q. Further, the output is inputted to an inverter circuit 9, and 15 levels are output from the output as an inverted output stone. Next, the transfer gate 3 is turned ON by the clock signal T2, and the output of the inverter circuit 9, that is, the L level, is transferred to the inverter circuit 5 via the transfer gate 3.
join. At this time, since the transfer gate 7 is OFF, the positive phase output Q and the inverted output Q do not change. The next clock signal T2' turns on the transfer gate 17 and turns off transfer gates 1-3, and as mentioned above, the level at point a is input to the impark circuit 8, and further inverted and sent to the inverter circuit 9. Mouth. This results in positive phase output Q.

反転出力QはそれぞれI7レベル、Hレベルに変化する
。以下順次繰り返される。すなわぢ、出力Q。
The inverted output Q changes to I7 level and H level, respectively. The following steps are repeated sequentially. In other words, output Q.

Qはクロック信号Tに対して2分周された信号となる。Q is a signal obtained by dividing the clock signal T by two.

第1図に示した回路の動作は1ビツトのカウンタと同じ
動作であり、この回路の出力を次段のクロック信号入力
に加えることにより複数段のカウントが可能となる。
The operation of the circuit shown in FIG. 1 is the same as that of a 1-bit counter, and by adding the output of this circuit to the clock signal input of the next stage, multi-stage counting becomes possible.

前記従来のCMOSカウンタ回路はクロック信号として
正相と反転信号を必要とする。しかしながら、前述の回
路より明らかなように正相信号をインバータを介して反
転信号としているため、正相信号と反転信号とはその位
相は完全に一致していない欠点を有している。これは複
数ビットのカウンタを構成した場合に例えば2段目のト
ランスファゲートが同時にONとなってしまい、分周で
きないという問題点を有している。また一般的に逆相信
号は正相信号を反転して作られているためその位相は完
全に一致しているとは限らず、このような信号がクロッ
ク信号として入力した場合にも同様な問題を有していた
。さらに、二相すなわち正相と逆相を出力する回路はイ
ンパークを有するため、スピードが遅くなり前述のカウ
ンタ等では高速カウントができないという問題を有して
いた。
The conventional CMOS counter circuit requires a positive phase signal and an inverted signal as clock signals. However, as is clear from the above-mentioned circuit, since the normal phase signal is converted into an inverted signal via an inverter, the normal phase signal and the inverted signal have a drawback that their phases do not completely match. This has the problem that when a multi-bit counter is configured, for example, the second stage transfer gates are turned on at the same time, making it impossible to divide the frequency. Additionally, since a negative phase signal is generally created by inverting a positive phase signal, their phases may not match perfectly, and similar problems may occur if such a signal is input as a clock signal. It had Furthermore, since a circuit that outputs two phases, that is, a positive phase and a negative phase, has an impark, the speed is slow and the above-mentioned counter etc. cannot perform high-speed counting.

(4)発明の目的 本発明は前記問題点を解決するものであり、その目的ば
一相のクロック信号でグイナミソクに高速カウントする
CMOSカウンタ回路を提供することにある。
(4) Purpose of the Invention The present invention is intended to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to provide a CMOS counter circuit that counts at extremely high speed using a single-phase clock signal.

(5)発明の構成 本発明の特徴とするところは、入力がゲートに加えられ
るべき第1の一導電型Mos+〜ランジスタと、入力が
ケートに加えられ一方電極が電源に接続された第2の反
対導電型MO3)ランジスクと、入力がゲー1〜に加え
られる第2の一導電型MOSトランジスタと前記第1の
一導電型MOSトランジスタの一方電極と前記第1の反
対導電型MO3I−ランジスタの他方電極との第1の接
続点にゲートが接続された第3の一方導電型MO3I−
ランジスクからなり他方電極が接地された第1の直列接
続体と、前記第1の接続点に結合されたゲートと電源に
接続された一方電極とを有する第2の反対導電型MO3
I−ランジスタと、前記第1の接続点に接続されたゲー
トを有する第4の一導電型MO3I−ランジスタと前記
第1の直列接続体の一方端子と前記第2の反対導電型ト
ランジスタの他方電極とに接続されたゲートを有する第
5の一導電型MO3I−ランジスクとよりなり他方端子
が接地された第2の直列接続体と、前記第2の接続点に
ゲートが接続された第3の反対導電型MOSトランジス
タと入力がゲートに接続された第4の反対導電型MO3
)ランジスタとからなり一方端子が電源に接続された第
3の直列接続体と、前記第2の直列接続体の一方端子と
前記第3の直列接続体の他方端子との第3の接続点に結
合され反転出力が前記第1の一導電型MOSトランジス
タの他方電極に接続される反転回路とからなるCMOS
カウンタ回路にある。
(5) Structure of the Invention The present invention is characterized by a first one-conductivity type Mos+ transistor to which an input is applied to the gate, and a second transistor to which an input is applied to the gate and whose electrode is connected to a power source. an opposite conductivity type MO3) transistor, a second one conductivity type MOS transistor whose input is applied to gate 1~, one electrode of the first one conductivity type MOS transistor, and the other side of the first opposite conductivity type MO3I transistor; A third one conductivity type MO3I- whose gate is connected to the first connection point with the electrode.
a second opposite conductivity type MO3 having a first series connection body made of a randisk and whose other electrode is grounded; a gate coupled to the first connection point; and one electrode connected to a power source;
an I-transistor, a fourth one conductivity type MO3I-transistor having a gate connected to the first connection point, one terminal of the first series connection body, and the other electrode of the second opposite conductivity type transistor. a second series connection body consisting of a fifth one-conductivity type MO3I-Randisk having a gate connected to said second series connection body, the other terminal of which is grounded; and a third opposite connection body having a gate connected to said second connection point. a conductivity type MOS transistor and a fourth opposite conductivity type MO3 whose input is connected to the gate;
) a third series connection body consisting of a transistor, one terminal of which is connected to a power source, and a third connection point between one terminal of the second series connection body and the other terminal of the third series connection body; and an inverting circuit whose inverting output is connected to the other electrode of the first one-conductivity type MOS transistor.
It's in the counter circuit.

(6)発明の実施例 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明を行う。(6) Examples of the invention Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings.

第3図は本発明の第1の実施例の回路図を示す。FIG. 3 shows a circuit diagram of a first embodiment of the invention.

第3図の実施例はPチャンネルMOSトランジスタT2
.T5.Ta、T9.Tl +とNチャンネルMO3)
ランジスタT1.T3.  Ta、、’Tr+。
The embodiment shown in FIG. 3 is a P-channel MOS transistor T2.
.. T5. Ta, T9. Tl + and N channel MO3)
Transistor T1. T3. Ta,,'Tr+.

TV、TIOによって構成される。入力INはMo3I
−ランジスタT2.T9のゲートとNチャンネルMOS
トランジスタTI、T3のゲートに入力する。Mo3)
ランジスクT2のドレインは電源Vccに接続されてい
る。Mo3)ランジスクT2のソースはT1のドレイン
に接続され、その接続点CはMo3)ランジスタT a
、 T 5. T 6のそれぞれのゲートに接続される
。Mo3I−ランジスタT1のソースは反転出力Qに接
続される。
Consists of TV and TIO. Input IN is Mo3I
- transistor T2. T9 gate and N channel MOS
Input to the gates of transistors TI and T3. Mo3)
The drain of the transistor T2 is connected to the power supply Vcc. Mo3) The source of transistor T2 is connected to the drain of T1, and its connection point C is Mo3) transistor Ta.
, T5. connected to the respective gates of T6. The source of Mo3I-transistor T1 is connected to the inverting output Q.

Mo3)ランジスタT3〜T5は電源と接地間に直列接
続してなり、MOSトランジスタT5のドレインが電源
Vccに、MOSトランジスタT3のソースがグランド
にそれぞれ接続される。MOSトランジスタT!lのソ
ースとMo3I−ランジスタT aのトレインとの接続
点dはMo3)ランジスタT7.T11のゲートに加わ
る。さらにMOSトランジスタ′F5〜T9も電源とグ
ランド間に直列接続してなり、MOSトランジスタ1゛
9のドレインが電源Vccに、Mo3)ランジスタT6
のソースがグランドにそれぞれ接続される。MOSトラ
ンジスタT8のソースとMo3)ランジスクT7のドレ
インとの接続点eは正相出力Qとして出力されるととも
にMOSトランジスタT++。
Mo3) The transistors T3 to T5 are connected in series between the power supply and the ground, with the drain of the MOS transistor T5 being connected to the power supply Vcc, and the source of the MOS transistor T3 being connected to the ground. MOS transistor T! The connection point d between the source of Mo3) and the train of transistor Ta is Mo3) transistor T7. Joins the gate of T11. Furthermore, MOS transistors 'F5 to T9 are also connected in series between the power supply and ground, and the drains of MOS transistors 1 and 9 are connected to the power supply Vcc, and transistors T6
The sources of each are connected to ground. A connection point e between the source of the MOS transistor T8 and the drain of the transistor T7 is output as a positive phase output Q, and is also connected to the MOS transistor T++.

T+oのゲートに入力する。Mo3I−ランジスタT+
+、T”+oも電源Vccとグランド間に直列接続して
なり、T++のドレインが電源Vccに、T++のソー
スがグランドにそれぞれ接続され、その接続点fが反転
出力Qとして出力される。
Input to the gate of T+o. Mo3I-ransistor T+
+, T''+o are also connected in series between the power supply Vcc and the ground, the drain of T++ is connected to the power supply Vcc, the source of T++ is connected to the ground, and the connection point f is outputted as an inverted output Q.

表(次頁参照)は本発明の第1の実施例の入力信号に対
するMo3)ランジスタTI〜T++のON、OFF状
態並びにc −f点における論理レベルを表す。以下、
表を用いて本発明の第1の実施例の動作を説明する。な
お、表において入力は表の左から右へ変化していくもの
とする。
The table (see next page) shows the ON and OFF states of Mo3) transistors TI to T++ and the logic level at points c-f with respect to the input signal of the first embodiment of the present invention. below,
The operation of the first embodiment of the present invention will be explained using a table. It is assumed that the inputs in the table change from the left to the right of the table.

まず入力がLレベルであるとする。このとき、Mo3I
−ランジスタT1はOFF、Mo3)ランジスクT2は
ONとなる。その結果C点はHレベルとなりMo3I−
ランジスタ1゛5はOFFとなる。
First, assume that the input is at L level. At this time, Mo3I
- The transistor T1 is OFF, Mo3) The transistor T2 is turned ON. As a result, point C becomes H level and Mo3I-
The transistors 1 and 5 are turned off.

また、Mo3I−ランジスクT3の入力はLレベルであ
るのでMo3)ランジスクT3はOFFであ表 り、さらにその点すなわちd点に接続されるものはMo
3)ランジスクT?、T8のゲートであるので、d点の
電圧は前回のレベルが保持される。
Also, since the input of Mo3I-ranjisk T3 is at L level, Mo3) ranjisk T3 is shown as OFF, and furthermore, what is connected to that point, that is, point d, is Mo3I-ranjisk T3.
3) Ranjisk T? , T8, the voltage at point d is held at the previous level.

なお、このときMo3I−ランジスクT4はONである
がMo3)ランジスタT3と直列接続しているのでd点
に対するレベルの影響はない。この保持する時間はMo
3I−ランジスクT3のドレイン電極、Mo3)ランジ
スタT4のソース並びにドレイン電極、Mo3)ランジ
スタT5のソース電極並びに配線容量等のキャパシタン
スとd点に接続されている各MOSトランジスタのゲー
トに流れる漏電流によって決る。本発明はグイナミソク
カウンク等に関するものであり、入力信号のH3Lレベ
ルの繰り返し変化は前述の保持時間に比べてはるかに速
い。
At this time, the Mo3I resistor T4 is ON, but since it is connected in series with the Mo3I resistor T3, the level does not affect the point d. This holding time is Mo
3I - Drain electrode of transistor T3, Mo3) Source and drain electrode of transistor T4, Mo3) Source electrode and wiring capacitance of transistor T5, determined by capacitance such as wiring capacitance and leakage current flowing to the gate of each MOS transistor connected to point d . The present invention relates to a counter, etc., and the repeated changes in the H3L level of the input signal are much faster than the above-mentioned holding time.

d点で保持された電圧がLレベルであるならばMo3I
−ランジスタT8がON、Mo3’hランジスタT7が
OFFとなる。すなわち、Lレベルの入力によってMo
SトランジスタT9はONであるのでe点はMo3)ラ
ンジスタTB、T9のONによってHレベルとなる。こ
のときMOSトランジスタT6はONであるがMOSト
ランジスタT7がOFFであるのでMOSトランジスタ
T?、T6を介して電流が流れることはない。e点は正
相出力Qnとして出力される。すなわち、正相出力Qn
はI(レベルとなる。
If the voltage held at point d is at L level, Mo3I
- The transistor T8 is turned on, and the Mo3'h transistor T7 is turned off. That is, by inputting L level, Mo
Since the S transistor T9 is ON, the point e becomes H level by turning on the Mo3) transistors TB and T9. At this time, MOS transistor T6 is ON, but MOS transistor T7 is OFF, so MOS transistor T? , T6, no current flows through them. Point e is output as a positive phase output Qn. That is, the positive phase output Qn
is I (level).

また、MO3I−ランジスタT+o、T++はインバー
タ回路を構成しており、その出力点fばLレベルとなる
。次に入力信号がLレベルからHレベルに変化したとす
る。この信号の変化によってMOS)ランジスタT1が
ON、MO3l−ランジスク′■゛2がOFFとなる。
Furthermore, the MO3I-transistors T+o and T++ constitute an inverter circuit, and the output point f thereof becomes an L level. Next, assume that the input signal changes from L level to H level. Due to the change in this signal, the MOS transistor T1 is turned on, and the MO3 transistor T1 is turned off.

MO3I−ランジスタT1のソースばこのときLレベル
であるので、C点はI7レベルとなる。その結果、MO
SトランジスタT5はONとなる。一方、MOS)ラン
ジスタT3には入力レベルすなわちI(レベルが入力し
ているので、一方MO3)ランジスタT4にはC点のレ
ベルが入力しているのでT4ばOFFとなる。すなわち
、d点はMOSトランジスタT5を介して電源Vccの
電圧レベルすなわちI】レベルとなる。このときMO3
I−ランジスタT3はONであるがMOS)ランジスタ
T4と直列接続されているのでレベルへの影響はない。
Since the source of MO3I-transistor T1 is at L level at this time, point C is at I7 level. As a result, M.O.
S transistor T5 is turned on. On the other hand, since the input level, that is, I (level) is input to the MOS transistor T3, the level at point C is input to the MO3 transistor T4, so T4 is turned off. That is, the point d becomes the voltage level of the power supply Vcc, that is, the I] level via the MOS transistor T5. At this time MO3
Although the I-transistor T3 is ON, it has no effect on the level because it is connected in series with the MOS transistor T4.

このHレベルはMOS)ランジスクTt、Teに入力し
、MOSトランジスタT7がON、MOSトランジスタ
T8がOFFとなる。一方、MOSトランジスタT9に
はHレベル、MOS)ランジスタT6にはLレベルが入
力し、MO3I−ランジスタT 6 。
This H level is input to the MOS transistors Tt and Te, and the MOS transistor T7 is turned on and the MOS transistor T8 is turned off. On the other hand, the H level is input to the MOS transistor T9, the L level is input to the MOS transistor T6, and the MO3I-transistor T6.

I9はOFFとなる。MOS)ランジスタTs〜T9は
直列接続よりなるのでe点は前のレベルすなわちHレベ
ルが保持される。すなわち正相出力Qnはl−Iレベル
、反転出力0nばLレベルのまま変化しない。
I9 is turned OFF. Since the MOS transistors Ts to T9 are connected in series, the previous level, ie, H level, is maintained at point e. That is, the positive phase output Qn remains at the l-I level, and the inverted output 0n remains at the L level.

次に再度入力がLレベルとなると、MOSトランジスタ
T1がOFF、MOS)ランジスタT2がONとなり、
C点はHレベルとなる。その結果MO3I−ランジスタ
T5がOFFとなる。MOSトランジスタT4の入力は
C点のレベルですなわち1ルベルであるので、MOS)
ランジスタT4はONとなる。一方MO3I−ランジス
タT3にはLレベルが人力するので、MOSトランジス
タT3ばOF Fとなり、MO3I−ランジスクT 3
 。
Next, when the input becomes L level again, MOS transistor T1 turns OFF, MOS transistor T2 turns ON,
Point C becomes H level. As a result, MO3I-transistor T5 is turned off. Since the input of MOS transistor T4 is at the level of point C, that is, 1 level, MOS)
Transistor T4 is turned on. On the other hand, since the L level is manually applied to MO3I-transistor T3, MOS transistor T3 becomes OFF, and MO3I-transistor T3
.

]゛5がOFFであるのでd点は今までのI4レベルが
保持される。d点が)Iレベルであるならば、MOS)
ランジスタTθはOFF、MOS)ランジスタT7はO
Nとなる。またMO3I−ランジスクT6のゲートにも
C点のレベルオなわらI4レベルが加わっているのでM
O3+−ランジスタT6もONとなる。すなわちMOS
)ランジスク’l’ 6 。
] 5 is OFF, the current I4 level is maintained at point d. If point d is )I level, then MOS)
Transistor Tθ is OFF, MOS) transistor T7 is OFF
It becomes N. Also, since the I4 level is added to the gate of MO3I-Landisk T6 as well as the level of C point, M
The O3+- transistor T6 is also turned on. That is, MOS
) Lanjisku 'l' 6.

T7がONとなり、MOSトランジスタT9ばONであ
るがMOS )ランジスタT8がOFFとなっているの
でe点はLレベルとなる。前述と同様にMOS)ランジ
スタT1o、T1+によって構成されたインハーク回路
によってf点ずなわら反転出力Qは)Iレベルとなる。
T7 is turned on, and the MOS transistor T9 is turned on, but since the MOS transistor T8 is turned off, the point e becomes L level. Similarly to the above, the inverting output Q at point f becomes the I level by the in-hark circuit constituted by the MOS transistors T1o and T1+.

さらに、入力信号はIIレベルとなるとMOSトランジ
スタ]゛2はOFFとなる。MOS1〜ランジスクT1
のゲートには入力信号が加わるが、そのソースは反転出
力Qと同レベルであるので、MO3I−ランジスタT1
はOFFである。その結果、C点は前のHレベルがその
まま保持される。
Further, when the input signal reaches the II level, the MOS transistor [2] is turned off. MOS1 ~ Ranjisk T1
An input signal is applied to the gate of MO3I-transistor T1, but its source is at the same level as the inverted output Q.
is OFF. As a result, the previous H level is maintained at point C.

C点がHレベルであるならば、MO3I−ランジスタT
5はOFFとなり、またMOS)ランジスタT3には入
力レベルすなわちHレベルが入力し、MOS)ランジス
タT4には0点レベルすなわちHレベルが入力している
ので、MO3I−ランジスクT++、”「4はともにO
Nとなり、d点は17レベルになる。これによってMO
SトランジスタT8がON、MOS)ランジスタT7が
OFFとなる。
If point C is at H level, MO3I-transistor T
5 is OFF, and the input level, that is, the H level, is input to the MOS) transistor T3, and the 0 point level, that is, the H level is input to the MOS) transistor T4. O
N, and point d becomes level 17. This allows M.O.
The S transistor T8 is turned on, and the MOS transistor T7 is turned off.

またMOSトランジスタT9のゲートには入力信号のH
レベルが加わり、MO3+−ランジスタT9ばOFFと
なるのでe点すわなち出力Qnは前のLレベルが保持さ
れる。なお、MOS)ランジスタT6ばこのときONと
なっているが、MOSトランジスタT7がOFFである
ので動作に影響を及ぼさない。e点がLレベルであるの
でf点すなわち反転出力QnはHレベルとなる。さらに
入力信号がLレベルになると前述したようにMOSトラ
ンジスタTI、T3.T5.T?、Tl +がOFF、
、MOS I−ランジスタT 2. T 4.  T 
6゜Ta、T9.Tl oがONとなり、C点〜e点は
それぞれH,L、  H,Lレベルになる。入力信号の
変化によって順次前述のレベル変化が繰り返される。
Furthermore, the gate of the MOS transistor T9 is connected to the input signal H.
Since the level is added and the MO3+- transistor T9 is turned off, the point e, that is, the output Qn, is maintained at the previous L level. Note that although the MOS transistor T6 is ON at this time, it does not affect the operation because the MOS transistor T7 is OFF. Since point e is at L level, point f, that is, the inverted output Qn, is at H level. Further, when the input signal goes to L level, the MOS transistors TI, T3 . T5. T? , Tl + is OFF,
, MOS I-transistor T2. T4. T
6°Ta, T9. Tlo is turned ON, and points C to e become H, L, H, and L levels, respectively. The above-described level changes are sequentially repeated as the input signal changes.

第4図は入力信号とC点〜f点のレベル関係のクイムヂ
ャ−1・を示す。入力信号に対して、0点すなわら正相
出力Qnは〃分周された信号となっている。また、f点
すなわぢ反転出力Qnは0点の信号に対してインバート
した信号となっている。
FIG. 4 shows the level relationship between the input signal and points C to F. The zero point, that is, the positive phase output Qn, is a frequency-divided signal with respect to the input signal. Further, the point f, that is, the inverted output Qn, is a signal inverted from the signal at the 0 point.

この動作すなわち2動作は1ピツ1〜のカウンタと同じ
動作であり、■ビットのカウンタとしても動作可能であ
る。
This operation, that is, the 2 operation, is the same operation as a 1-bit counter, and can also be operated as a ■-bit counter.

第5図は本発明の第2の実施例の回路図を示す。FIG. 5 shows a circuit diagram of a second embodiment of the invention.

第1の実施例とはMOS)ランジスタT1o。The first embodiment is a MOS) transistor T1o.

T11で構成されたインバータ回路が異なっている。す
なわち、第2の実施例においては0点の出力は正相出力
Qnとして出力するとともにMOSトランジスタT12
のゲートに入力する。MOS1−ランジスクT12のソ
ースば接地されており、そのドレインがMOSトランジ
スタ′「、のソースとMOS)ランジスタT3のゲート
に接続されている。第1の実施例ではインハークの出力
はHレベルとLレベルが存在するが、第2の実施例にお
いてはLレベルとオープン状態すなわち高インピーダン
ス状態が存在する。前述の第1の実施例の説明において
、インバータの出力すなわちfがHレベルのときのMO
SトランジスタT1のゲートにHレベルが加わる状態が
存在していた。このときMOSトランジスタT1はOF
Fとなっていた。
The inverter circuit composed of T11 is different. That is, in the second embodiment, the output at point 0 is output as the positive phase output Qn, and the MOS transistor T12
input into the gate. The source of MOS1 transistor T12 is grounded, and its drain is connected to the source of MOS transistor ', and the gate of MOS transistor T3.In the first embodiment, the output of Inhark is at H level and L level. However, in the second embodiment, there is an L level and an open state, that is, a high impedance state.In the explanation of the first embodiment, the MO
There existed a state in which an H level was applied to the gate of the S transistor T1. At this time, MOS transistor T1 is OF
It was F.

第2の実施例においては、MOSトランジスタT12が
OFFとなるので同じ動作となる。
In the second embodiment, the MOS transistor T12 is turned off, so the same operation occurs.

第3.第5図に示した本発明の第1.第2の実施例にお
いて、MO3I−ランジスタT3とT 4 。
Third. The first aspect of the present invention shown in FIG. In the second embodiment, MO3I-transistors T3 and T4.

T6とT7.TeとT9のそれぞれの直列接続のそれぞ
れのゲートに入力する信号はそれぞれ入れ換えても同様
の動作をする。例えばMOS)ランジスタT3とT4に
おいて、0点をMO3’)ランシスク1゛3のゲートに
接続し、MOSトランジスタTaのゲートに入力信号を
入力する。さらにMO3I−ランジスクT6とT7にお
いては、d点をMOSトランジスタT6のゲートに、0
点をMO3I−ランジスクT7のゲートにそれぞれ接続
し、また、MO3I−ランジスタT8とT9においては
、d点をMOSトランジスタT9のゲートに接続し、M
O3+−ランジスタT8のゲートに入力信号を入力する
ことも可能である。
T6 and T7. Even if the signals input to the respective gates of the series connection of Te and T9 are switched, the same operation will occur. For example, in MOS transistors T3 and T4, the 0 point is connected to the gate of MO3') transistor 13, and an input signal is input to the gate of MOS transistor Ta. Furthermore, in MO3I-ranjisku T6 and T7, point d is connected to the gate of MOS transistor T6, and 0
points are connected to the gates of MO3I transistors T7, and in MO3I transistors T8 and T9, points d are connected to the gates of MOS transistors T9, and M
It is also possible to input an input signal to the gate of O3+- transistor T8.

(7)発明の効果 以上述べたように本発明はCMO3回路に係るものであ
り、本発明によれは、二人力すなわぢ二相クロックを必
要としないカウンタが可能となるばかりでなく、高速で
動作するCMOSカウンタ回1烙を得ることが可能とな
る。
(7) Effects of the Invention As described above, the present invention relates to a CMO3 circuit, and the present invention not only enables a counter that does not require two-person labor or a two-phase clock, but also enables high-speed operation. It is possible to obtain a CMOS counter operating in one cycle.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来のCMOSカウンタ回路図、第2図は従来
のCMOSカウンタ回路のタイミングチャート図、第3
図、第5図は本発明の第1.第2の実施例のCMOSカ
ウンタ回路、第4図は本発明の第1の実施例のカウンタ
回路のタイミングチャート図である。 T+、T3.Ta、T6.T7.Tlo。 Tl2・・・NチャンネルCMOS )ランジスタ、T
2.T5.Ta、T9.T11 ・・・PチャンネルC
MO3I−ランジスク。 オ 3 図 オ 4 図
Figure 1 is a conventional CMOS counter circuit diagram, Figure 2 is a timing chart diagram of a conventional CMOS counter circuit, and Figure 3 is a diagram of a conventional CMOS counter circuit.
Figure 5 shows the first embodiment of the present invention. CMOS counter circuit according to the second embodiment. FIG. 4 is a timing chart diagram of the counter circuit according to the first embodiment of the present invention. T+, T3. Ta, T6. T7. Tlo. Tl2...N channel CMOS) transistor, T
2. T5. Ta, T9. T11...P channel C
MO3I-Randysk. O 3 Fig. O 4 Fig.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)入力がケートに加えられるべき第1の一導電型M
OSトランジスタと、入力がゲートに加えられ一方電極
が電源に接続された第1の反対導電型MOSトランジス
タ、入力がゲートに加えられる第2の一導電型MO3I
−ランジスタと前記第1の一導電型MO3+−ランジス
タの一方電極と前記、第1の反対導電型MO3I−ラン
ジスタの他方電極との第1の接続点にゲートが接続され
た第3の一方導電型MO3)ランジスタがらなり他方電
極が接地された第1の直列接続体と、前記第1の接続点
に結合されたゲートと電源に接続された一方電極とを有
する第2の反対導電型MO3)ランジスタと、前記第1
の接続点に接続されたゲートを有する第4の一導電型M
O3I−ランジスクと前記第1の直列接続体の一方端子
と前記第2の反対導電型MO3I−ランジスタの他方電
極とに接続されたゲートを有する第5の一導電型MO3
I−ランジスタとよりなり他方端子が接地された第2の
直列接続体と、前記第2の接続点にゲートが接続された
第3の反対導電型MO3)ランジスタと入力がゲートに
接続された第4の反対導電型MOSトランジスタとから
なり一方端子が電源に接続された第3の直列接続体と、
前記第2の直列接続体の一方端子と前記第3の直列接続
体の他方端子との第3の接続点に結合され反転出力が前
記第1の一導電型MO3)ランジスタの他方電極に接続
される反転回路とからなるCMOSカウンク回路。
(1) The first conductivity type M to which input is to be applied to the gate
an OS transistor, a first opposite conductivity type MOS transistor with an input applied to its gate and one electrode connected to a power supply, and a second monoconductivity type MO3I having an input applied to its gate.
- a third one-conductivity type transistor whose gate is connected to a first connection point between one electrode of the transistor and the first one-conductivity type MO3+ transistor and the other electrode of the first opposite-conductivity type MO3I- transistor; MO3) A second opposite conductivity type MO3) transistor having a first series connection body in which the transistor is connected and the other electrode is grounded, and a gate coupled to the first connection point and one electrode connected to a power supply. and the first
a fourth conductivity type M having a gate connected to a connection point of
a fifth one conductivity type MO3 having a gate connected to an O3I transistor, one terminal of the first series connection body, and the other electrode of the second opposite conductivity type MO3I transistor;
a second series-connected body consisting of an I- transistor whose other terminal is grounded; a third MO3) transistor of the opposite conductivity type whose gate is connected to the second connection point; and a third series-connected body whose input is connected to the gate. a third series connection body consisting of four opposite conductivity type MOS transistors, one terminal of which is connected to a power supply;
The inverting output is coupled to a third connection point between one terminal of the second series connection body and the other terminal of the third series connection body and is connected to the other electrode of the first monoconductivity type MO3) transistor. A CMOS counting circuit consisting of an inverting circuit and an inverting circuit.
(2)前記反転回路は前記第3の接続点に接続されたゲ
ートをそれぞれ有し他方電極が接地された第6の一導電
型MO3)ランジスタと一方電極が電源に接続された第
5の反対導電型MO3)ランジスクからなり前記反転出
力は前記第6の一導電型MOSトランジスタの一方電極
と前記第5の反対導電型トランジスタの他方電極との接
続点であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のCMOSカウンク回路。
(2) The inverting circuit has a sixth MO3) transistor of one conductivity type, each having a gate connected to the third connection point, the other electrode of which is grounded, and a fifth opposite transistor, one electrode of which is connected to the power supply. The inverted output is a connection point between one electrode of the sixth one conductivity type MOS transistor and the other electrode of the fifth opposite conductivity type transistor. The CMOS count circuit described in item 1.
(3)前記反転回路は前記第3の接続点に接続されたゲ
ートを有し、他方電極が接地された第7の一導電型MO
3Lランジスタよりなり、前記第7の一導電型MOSト
ランジスタの一方電極は第1の一導電型MO3Lランジ
スクの他方電極に接続されたことを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載のCMOSカウンタ回路。
(3) The inversion circuit has a gate connected to the third connection point, and the other electrode is grounded.
3. The CMOS counter circuit according to claim 1, wherein the CMOS counter circuit comprises a 3L transistor, and one electrode of the seventh one-conductivity type MOS transistor is connected to the other electrode of the first one-conductivity type MO3L transistor. .
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5012497A (en) * 1990-01-25 1991-04-30 David Sarnoff Research Center, Inc. High speed frequency divider circuit

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WO1991011860A1 (en) * 1990-01-25 1991-08-08 David Sarnoff Research Center, Inc. High speed frequency divider circuit

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