JPS59121187A - 化合物半導体単結晶の引上装置 - Google Patents
化合物半導体単結晶の引上装置Info
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- JPS59121187A JPS59121187A JP23002782A JP23002782A JPS59121187A JP S59121187 A JPS59121187 A JP S59121187A JP 23002782 A JP23002782 A JP 23002782A JP 23002782 A JP23002782 A JP 23002782A JP S59121187 A JPS59121187 A JP S59121187A
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- JP
- Japan
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- tube
- shaft
- single crystal
- internal magnet
- magnet
- Prior art date
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- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/28—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using weight changes of the crystal or the melt, e.g. flotation methods
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は例えばＧａＡｓ、ＧａＰのようなその−成分
に揮発性成分を含む化合物半導体単結晶の引上装置に関
する。
に揮発性成分を含む化合物半導体単結晶の引上装置に関
する。
近年、シリコンに代わる新しい半導体ウエノ・−として
、ＧａＡｓ単結晶が脚光を浴びているところである。こ
のＧａＡｓ単結晶を得る方法として帯域溶融法やチョク
ラルスキー法等がよく知られているが、いずれも融点に
おけるＡｓの平衝蒸気圧０．８．−０．９気圧を用いる
ものである。
、ＧａＡｓ単結晶が脚光を浴びているところである。こ
のＧａＡｓ単結晶を得る方法として帯域溶融法やチョク
ラルスキー法等がよく知られているが、いずれも融点に
おけるＡｓの平衝蒸気圧０．８．−０．９気圧を用いる
ものである。
したがって、引上装置としても、ＡＳの蒸、発を防止す
るため晶出系を含むルツボ支持棒や単結晶引上棒全体を
密閉容器の中に封じ込め、磁力利用により外部より引上
棒等を操作するように構成したものも公知であるが、こ
のようにして造られたＧａＡｓ単結晶は結晶が冷却する
までにＡｓの蒸発を避けることができないので、格子欠
陥が多いという欠点があった。同様なことは帯域溶融法
についても言え、この点の解決が焦眉の急務となってい
る。
るため晶出系を含むルツボ支持棒や単結晶引上棒全体を
密閉容器の中に封じ込め、磁力利用により外部より引上
棒等を操作するように構成したものも公知であるが、こ
のようにして造られたＧａＡｓ単結晶は結晶が冷却する
までにＡｓの蒸発を避けることができないので、格子欠
陥が多いという欠点があった。同様なことは帯域溶融法
についても言え、この点の解決が焦眉の急務となってい
る。
この発明者はかかる点に鑑み、炉体内をアルゴン等の高
圧不活性ガス雰囲気の下におき、その中で単結晶引上Ｆ
行うべきことを一完して主張し、そのための引上装置も
また種々提唱して来たところである。
圧不活性ガス雰囲気の下におき、その中で単結晶引上Ｆ
行うべきことを一完して主張し、そのための引上装置も
また種々提唱して来たところである。
との場合には、高温高圧の密閉容器内にあるルツボ支持
棒や単結晶引上棒へ慨智・跣を損うことなくいかに効率
よくスムーズに駆動力を伝達するかが常に問題となって
来たところであったが、この発明はこの点にさらになる
改良を加えると共に、密閉系の中で単結晶引上棒の移動
を妨げることなく引上単結晶の重量測定ができるように
成したものを提供せんとするものである。
棒や単結晶引上棒へ慨智・跣を損うことなくいかに効率
よくスムーズに駆動力を伝達するかが常に問題となって
来たところであったが、この発明はこの点にさらになる
改良を加えると共に、密閉系の中で単結晶引上棒の移動
を妨げることなく引上単結晶の重量測定ができるように
成したものを提供せんとするものである。
以下にこの発明を図面に示した一実施態様に基づいて詳
細に説明すると、ｌは例えばステンレス鋼で造った炉体
、２は加熱手段、３は例えばＳｉＣ製のルツボである。
細に説明すると、ｌは例えばステンレス鋼で造った炉体
、２は加熱手段、３は例えばＳｉＣ製のルツボである。
この炉体ｌの上下方向には同軸に小径薄肉の下部管４と
上部管５が互いに連通状態で取りつけられており、炉体
１と下部管４と上部管５とで耐高温高圧の密閉容器を構
成している。ルツボ３′へはルツボ支持棒６が取りつけ
られており、このルツボ支持棒６は下部管４内部へ伸長
している。
上部管５が互いに連通状態で取りつけられており、炉体
１と下部管４と上部管５とで耐高温高圧の密閉容器を構
成している。ルツボ３′へはルツボ支持棒６が取りつけ
られており、このルツボ支持棒６は下部管４内部へ伸長
している。
下部管４蝉管体７と管体８とから成、す、各々の端部を
軸方向から突き合わせて連結手段９によって機密かつ着
脱可能に連結させである。ルツボ支持棒６は回動軸１１
ａと昇降軸１１ｂとから成り上記した突き合わせ部分で
、例えばスラストボールベアリング１０を介して互いに
軸方向へ連結されており、昇降軸１１ｂは管体８内部へ
と、さらに伸長している。
軸方向から突き合わせて連結手段９によって機密かつ着
脱可能に連結させである。ルツボ支持棒６は回動軸１１
ａと昇降軸１１ｂとから成り上記した突き合わせ部分で
、例えばスラストボールベアリング１０を介して互いに
軸方向へ連結されており、昇降軸１１ｂは管体８内部へ
と、さらに伸長している。
管体７内部には回動管１２がルツボ支持棒６全内部に挿
通させつつ収挿されて卦す、この回動管１２の下端部は
管体７の突き合わせ部分に嵌着された軸受管１３によっ
てスラストボールベアリング１４を介して支えられ、そ
の上端部は内部磁石１５の端部に取りつけられた中空の
下部保持管１６へ固着されている。内部磁石１５は例え
ば永久磁石であり、内部にルツボ支持棒６の回動軸１１
ａｉ挿通させつつその他端部に取りつけた上部保持管１
７をボールベアリング１８′ｆ：介して中空の枠管１９
に支持させている。回動管１２とルツボ支持棒６の間に
は、滑シキー２０が設けられ、回動管１２によって回転
させられるルツボ支持棒６が、同時に単独で上下に移動
できるようになってｂる。管体７外の内部磁石１５に対
応する位置には、外部磁石２１が回転可能に囲設されて
おり、この外部磁石２１１″ｉモ〜り２２によって、例
えば歯車機構による駆動力伝達手段２２ａを介して回転
せしめられる。その際に軸受部材２３．２４との間に設
けられた、例えばボールベアリング２５．２６は、外部
磁石２１の円滑な回転を助ける。
通させつつ収挿されて卦す、この回動管１２の下端部は
管体７の突き合わせ部分に嵌着された軸受管１３によっ
てスラストボールベアリング１４を介して支えられ、そ
の上端部は内部磁石１５の端部に取りつけられた中空の
下部保持管１６へ固着されている。内部磁石１５は例え
ば永久磁石であり、内部にルツボ支持棒６の回動軸１１
ａｉ挿通させつつその他端部に取りつけた上部保持管１
７をボールベアリング１８′ｆ：介して中空の枠管１９
に支持させている。回動管１２とルツボ支持棒６の間に
は、滑シキー２０が設けられ、回動管１２によって回転
させられるルツボ支持棒６が、同時に単独で上下に移動
できるようになってｂる。管体７外の内部磁石１５に対
応する位置には、外部磁石２１が回転可能に囲設されて
おり、この外部磁石２１１″ｉモ〜り２２によって、例
えば歯車機構による駆動力伝達手段２２ａを介して回転
せしめられる。その際に軸受部材２３．２４との間に設
けられた、例えばボールベアリング２５．２６は、外部
磁石２１の円滑な回転を助ける。
管体８内には下端部より支持管２７、下部保持管２８、
この下部保持管２８へ固着した内部磁石２９、この内部
磁石２９に固着した上部保持管３０、上部枠管３１の順
に収装されており、各々に昇降軸１１ｂを強挿させると
共に、下部保持管２８には雌捻子部３２が刻設せられ、
昇降軸１１ｂに設けた雄捻子部ｌｉｅと捻子着されてい
る。そして、雌捻子部３２と支持管２７との間にはスラ
ストボールベアリング３３が、下部保持管２８及び上部
保持管３０と管体８との間には、各々ラジアルボールベ
アリング３４．３５が各々設けられている。管体８の内
部磁石２９に対応する位置には、外部磁石３６が回転可
能に囲設されており、この外部磁石３６は例えば歯車機
構による駆動力伝達手段３７を介して駆動子〜り３８に
より定位置で回転するようになっている。この際、外部
磁石３６の外包囲体３６ａの上下部に対応して設けた軸
受部材３９ａ、３９ｂとの間に設けられたベアリング４
０．４１は、この回転をより一層円清なものにするのに
役立っている。
この下部保持管２８へ固着した内部磁石２９、この内部
磁石２９に固着した上部保持管３０、上部枠管３１の順
に収装されており、各々に昇降軸１１ｂを強挿させると
共に、下部保持管２８には雌捻子部３２が刻設せられ、
昇降軸１１ｂに設けた雄捻子部ｌｉｅと捻子着されてい
る。そして、雌捻子部３２と支持管２７との間にはスラ
ストボールベアリング３３が、下部保持管２８及び上部
保持管３０と管体８との間には、各々ラジアルボールベ
アリング３４．３５が各々設けられている。管体８の内
部磁石２９に対応する位置には、外部磁石３６が回転可
能に囲設されており、この外部磁石３６は例えば歯車機
構による駆動力伝達手段３７を介して駆動子〜り３８に
より定位置で回転するようになっている。この際、外部
磁石３６の外包囲体３６ａの上下部に対応して設けた軸
受部材３９ａ、３９ｂとの間に設けられたベアリング４
０．４１は、この回転をより一層円清なものにするのに
役立っている。
単結晶の引上棒４２は回動軸４７ａと昇降軸４７ｂとか
ら成り、上部管５内を上方へと伸長している。この上部
管５も同じく管体４′３と管体４４とから成り、この両
者を突き合わせて連結手段４５７で機密に軸方向へ着脱
可能に連結させて成り、回動軸４７ａはこの突き合わせ
部で例えばスラストボールベアリング４６を介して昇降
１ｉ（ｉ１４７ｂと軸方向に連結されており、この昇降
軸４’７ ｂは管体４４の上方へとさらに伸長している
。管体４３の中には下方に支持管４８が収挿され、次い
で両端部に上・下部保持管４９．５０１ｃ取りつけた内
部磁石５１が収装されると共に、上部保持管４９にはさ
らに回動管５２が固着されている。下部保持管５０と支
持管４８との間にはスラストボールベアリング４８ａが
、上部保持管４９と回動軸４７ａとの間及び回動管５２
と上部軸受管５３との間［（ｒ：ｉ各々ラジアルボール
ベアリング５４．５５が各々設けられている。そして、
支持管４８、内部磁石５１、上・下部保持管４９．５０
及び回動管５２は、各々に回動軸４７ａを強挿させてお
シ、滑りキー５６によって該回動軸４７ａは回動管５２
と共に回動゛するようになっている。管体４３の内部磁
石５１に対応する位置には、外部磁石５７が囲設され、
この外部磁石５７は駆動モータ５８により歯車機構によ
る駆動力伝達手段５９を介して回動自在である。そして
、外部磁石５７の外包囲体６０と軸受部材６１．６２と
の間にはボールベアリング６３．６４が設けられている
。
ら成り、上部管５内を上方へと伸長している。この上部
管５も同じく管体４′３と管体４４とから成り、この両
者を突き合わせて連結手段４５７で機密に軸方向へ着脱
可能に連結させて成り、回動軸４７ａはこの突き合わせ
部で例えばスラストボールベアリング４６を介して昇降
１ｉ（ｉ１４７ｂと軸方向に連結されており、この昇降
軸４’７ ｂは管体４４の上方へとさらに伸長している
。管体４３の中には下方に支持管４８が収挿され、次い
で両端部に上・下部保持管４９．５０１ｃ取りつけた内
部磁石５１が収装されると共に、上部保持管４９にはさ
らに回動管５２が固着されている。下部保持管５０と支
持管４８との間にはスラストボールベアリング４８ａが
、上部保持管４９と回動軸４７ａとの間及び回動管５２
と上部軸受管５３との間［（ｒ：ｉ各々ラジアルボール
ベアリング５４．５５が各々設けられている。そして、
支持管４８、内部磁石５１、上・下部保持管４９．５０
及び回動管５２は、各々に回動軸４７ａを強挿させてお
シ、滑りキー５６によって該回動軸４７ａは回動管５２
と共に回動゛するようになっている。管体４３の内部磁
石５１に対応する位置には、外部磁石５７が囲設され、
この外部磁石５７は駆動モータ５８により歯車機構によ
る駆動力伝達手段５９を介して回動自在である。そして
、外部磁石５７の外包囲体６０と軸受部材６１．６２と
の間にはボールベアリング６３．６４が設けられている
。
管体４４．内部には、さらに下部支持管６５と両端部に
上・下部保持管６７．６８を固着し内部に昇降軸４７ｂ
を挿通させた内部磁石６９、及び同じく内部に昇ｊ坤軸
４７ｂを仰通させた重管７０が収装されており、下部保
持管６８と管体４４の間、上部保持管６７と管体４４の
間、及び重管７０と下部保持管６７に設けた雌捻子部７
１との間には、各々に２シアルボールベアリング７２．
７３及びスラストボールベアリング７４が設けられると
共に、雌捻子部７１と昇降軸４７ｂに設けた雄捻子部４
７ｃとは互いに捻子合わされている。昇降軸４７ｂと重
管７０との間、及び重管７０に捻子着させた吊棒７５と
上部取付管７６との間には各々滑クキ−７７，７８が設
けられており、吊棒７５と管体４４の上端部の間にはラ
ジアルボールベアリング９６が設けられている。
上・下部保持管６７．６８を固着し内部に昇降軸４７ｂ
を挿通させた内部磁石６９、及び同じく内部に昇ｊ坤軸
４７ｂを仰通させた重管７０が収装されており、下部保
持管６８と管体４４の間、上部保持管６７と管体４４の
間、及び重管７０と下部保持管６７に設けた雌捻子部７
１との間には、各々に２シアルボールベアリング７２．
７３及びスラストボールベアリング７４が設けられると
共に、雌捻子部７１と昇降軸４７ｂに設けた雄捻子部４
７ｃとは互いに捻子合わされている。昇降軸４７ｂと重
管７０との間、及び重管７０に捻子着させた吊棒７５と
上部取付管７６との間には各々滑クキ−７７，７８が設
けられており、吊棒７５と管体４４の上端部の間にはラ
ジアルボールベアリング９６が設けられている。
管体４４の内部磁石６９に対応する位置には、外部磁石
８０が囲設され、この外部磁石８０は駆動モータ８１に
より歯車機構による駆動力伝達手段８２を介して回転自
在である。その外包囲体８３と軸受部材８４．８５との
間にはボールベアリング８６．８７が各々配設されてい
る。
８０が囲設され、この外部磁石８０は駆動モータ８１に
より歯車機構による駆動力伝達手段８２を介して回転自
在である。その外包囲体８３と軸受部材８４．８５との
間にはボールベアリング８６．８７が各々配設されてい
る。
そして、吊棒７５の先端には中間ロッド８８が取９つけ
られ、この中間ロッド８８は上部取付管７６内を貫通し
て上方へ延び、その先端には取付ケース８９が取９つけ
られている。この取付ケース８９内には、上部取付管７
６の上端に機密に固着した、例えばロードセル等の重量
測定手段７９の弾性ロッド９０が収納され、この弾性ロ
ッド９０と取付ケース８９との間に該弾性ロッド９０に
環巻きさせつつ圧縮コイルスプリング９１が弾設されて
いる。
られ、この中間ロッド８８は上部取付管７６内を貫通し
て上方へ延び、その先端には取付ケース８９が取９つけ
られている。この取付ケース８９内には、上部取付管７
６の上端に機密に固着した、例えばロードセル等の重量
測定手段７９の弾性ロッド９０が収納され、この弾性ロ
ッド９０と取付ケース８９との間に該弾性ロッド９０に
環巻きさせつつ圧縮コイルスプリング９１が弾設されて
いる。
次にこの発明に係る引上装置の使用方法乃至作用効果に
ついて説明すると、ルツボ３内へ例えば小さく砕いたＧ
ａＡｓ多結晶体を収容し、その上面へ円盤状に加工した
Ｂ２０３等を被せた後、これを炉体１内へ収容させ、ル
ツボ支持棒６上へ載置固定させる。
ついて説明すると、ルツボ３内へ例えば小さく砕いたＧ
ａＡｓ多結晶体を収容し、その上面へ円盤状に加工した
Ｂ２０３等を被せた後、これを炉体１内へ収容させ、ル
ツボ支持棒６上へ載置固定させる。
次論で、引上棒４２の回動軸４７ａの先端へ。
ＧａＡｓ単結晶から成る種結晶９２を取シつけた後、炉
体１内を密閉させ、内部を数回真空排気させた後、アル
ゴン等の不活性ガスを導入させてやる。次いで加熱手段
２によるルツボ３の加熱を開始させ、その前後に炉体１
内をアルゴン等の不活性ガスで当該温度におけるＡｓ
単体の蒸気圧以上の圧力になるよう加圧させる。かくし
て、Ｇ、ａＡｓの組成融液９３の出来るのを待って、必
要な温度勾配を造シ、種結晶９２を回転させつつ静かに
組成融液９３の中へＢ２０３９４の液体被覆をやぶって
浸漬させ、公知の方法によ多回転させつつ引上げを行う
。
体１内を密閉させ、内部を数回真空排気させた後、アル
ゴン等の不活性ガスを導入させてやる。次いで加熱手段
２によるルツボ３の加熱を開始させ、その前後に炉体１
内をアルゴン等の不活性ガスで当該温度におけるＡｓ
単体の蒸気圧以上の圧力になるよう加圧させる。かくし
て、Ｇ、ａＡｓの組成融液９３の出来るのを待って、必
要な温度勾配を造シ、種結晶９２を回転させつつ静かに
組成融液９３の中へＢ２０３９４の液体被覆をやぶって
浸漬させ、公知の方法によ多回転させつつ引上げを行う
。
この際に、炉体１内は継続して少なくともＧａＡｓの融
点における揮発性成分たるＡｓの単体の蒸気圧以上に加
圧されると共に、ルツボ３は引上棒４２とは反対方向へ
回転させられ、時間の経過につれて液面が低下するので
、ルツボ支持棒６によって上方へ押し上げられる。これ
らの一連の引上操作の運動系をさらに詳細に説明すると
、まず、ルツボ３の回転であるが、外部磁石２１を駆動
モータ２２によって駆動力伝達手段２２ａを介して回転
させると、薄肉の管体７′ｆ介して磁力が内部磁石１５
との間に強力に作用しているので、内部磁石１５はこの
磁力１吸着力によって共に回転させられる。
点における揮発性成分たるＡｓの単体の蒸気圧以上に加
圧されると共に、ルツボ３は引上棒４２とは反対方向へ
回転させられ、時間の経過につれて液面が低下するので
、ルツボ支持棒６によって上方へ押し上げられる。これ
らの一連の引上操作の運動系をさらに詳細に説明すると
、まず、ルツボ３の回転であるが、外部磁石２１を駆動
モータ２２によって駆動力伝達手段２２ａを介して回転
させると、薄肉の管体７′ｆ介して磁力が内部磁石１５
との間に強力に作用しているので、内部磁石１５はこの
磁力１吸着力によって共に回転させられる。
すると、この内部磁石１５に固着された下部保持管１６
に固着されている回動管１２が回転し、この回動凝１２
と滑りキー２０によって連結されているルツボ支持棒６
の回動軸１１ａが回転する。而、この際に昇降軸１１ｂ
は回動軸１１ａとスラストボールベアリング１０を介し
て接続されると共に、それ自身は非回転の上部幹管３１
に、滑りキー３１ａによって固定されているので、共に
回転することはない。
に固着されている回動管１２が回転し、この回動凝１２
と滑りキー２０によって連結されているルツボ支持棒６
の回動軸１１ａが回転する。而、この際に昇降軸１１ｂ
は回動軸１１ａとスラストボールベアリング１０を介し
て接続されると共に、それ自身は非回転の上部幹管３１
に、滑りキー３１ａによって固定されているので、共に
回転することはない。
次に、ルツボ３の昇降であるが、今度は外部磁石３６を
駆動モータ３８によって駆動力伝達手段３７を介して回
転させると、薄肉の管体８を介して互いに強力に磁力吸
引し合っている内部磁石２９は共に回転する。すると、
この内部磁石２９に固着させられている下部保持管２８
に設けた雌捻子部３２と、非回転の上部幹管３１に滑り
キー３１ａによって係合されている昇降軸１１ｂは上述
したように捻子合わされているので、内部磁石２９０回
転方向により、昇降軸１１ｂは回転することなく上下方
向に昇降する。
駆動モータ３８によって駆動力伝達手段３７を介して回
転させると、薄肉の管体８を介して互いに強力に磁力吸
引し合っている内部磁石２９は共に回転する。すると、
この内部磁石２９に固着させられている下部保持管２８
に設けた雌捻子部３２と、非回転の上部幹管３１に滑り
キー３１ａによって係合されている昇降軸１１ｂは上述
したように捻子合わされているので、内部磁石２９０回
転方向により、昇降軸１１ｂは回転することなく上下方
向に昇降する。
この昇降運動はスラストボールベアリング１０を介して
ルツボ支持棒６の回動軸１１ａへ伝えられ、これによっ
てルツボ３は回転させられつつ上下に任意に昇降させら
れることになる。
ルツボ支持棒６の回動軸１１ａへ伝えられ、これによっ
てルツボ３は回転させられつつ上下に任意に昇降させら
れることになる。
次に、単結晶の引上棒４２の回転運動であるが、外部磁
石５７を駆動モータ５８によって駆動力伝達手段５９ｆ
介して回転させると、同じく薄肉の管体４３を介して磁
力が内部磁石５１との間に強力に作用しているので、こ
の内部磁石５１はこの磁力吸着力によって共に回転させ
られる。すると、この内部磁石５１に固着された上部保
持管４９に固着されている回動管５２が回転踵この回動
管５２と滑りキー５６によって連結されている回動軸４
７ａが回転する。
石５７を駆動モータ５８によって駆動力伝達手段５９ｆ
介して回転させると、同じく薄肉の管体４３を介して磁
力が内部磁石５１との間に強力に作用しているので、こ
の内部磁石５１はこの磁力吸着力によって共に回転させ
られる。すると、この内部磁石５１に固着された上部保
持管４９に固着されている回動管５２が回転踵この回動
管５２と滑りキー５６によって連結されている回動軸４
７ａが回転する。
尚、この際に昇降軸４７ｂは回動軸４７ａとスラストボ
ールベアリング４６を介して接続されると共に、それ自
身は非回転の両管７０に滑りキー７７を介して固定され
ており、さらに−両管７０は上部取付管７６に同じく滑
りキー７８を介して係合されているので、共に回転する
ことなく、上下方向へ移動する。
ールベアリング４６を介して接続されると共に、それ自
身は非回転の両管７０に滑りキー７７を介して固定され
ており、さらに−両管７０は上部取付管７６に同じく滑
りキー７８を介して係合されているので、共に回転する
ことなく、上下方向へ移動する。
次に、昇降軸４７ｂの昇降運動であるが、外部磁石８０
を駆動モータ８１によって駆動力伝達手段８２を介して
回転させる４と、薄肉の管体４４を介して互いに強力に
磁力吸引されている内部磁石６９は共に回転する。する
と、内部磁石６９に固着させられている上部保持１Ｊ６
７１ｃ設けた雌捻子部７１と、昇降軸４７ｂに設けた雄
捻子部４７ｃとは互いに捻子合わされているが、該昇降
軸４７ｂは上述したように滑りキー７７によって回転す
ることがないので、内部磁石６９０回転方向によって任
意ニ上下方向へ移動することになる。この昇降運動は、
スラストボールベアリング４６を介して回動軸４７ ａ
へ伝えられ、これによって、種結晶９２及び引上げられ
る単結晶９５は任意の速度で回転させられつつ、任意の
速度で上方へ引上げられることになる。
を駆動モータ８１によって駆動力伝達手段８２を介して
回転させる４と、薄肉の管体４４を介して互いに強力に
磁力吸引されている内部磁石６９は共に回転する。する
と、内部磁石６９に固着させられている上部保持１Ｊ６
７１ｃ設けた雌捻子部７１と、昇降軸４７ｂに設けた雄
捻子部４７ｃとは互いに捻子合わされているが、該昇降
軸４７ｂは上述したように滑りキー７７によって回転す
ることがないので、内部磁石６９０回転方向によって任
意ニ上下方向へ移動することになる。この昇降運動は、
スラストボールベアリング４６を介して回動軸４７ ａ
へ伝えられ、これによって、種結晶９２及び引上げられ
る単結晶９５は任意の速度で回転させられつつ、任意の
速度で上方へ引上げられることになる。
そして、単結晶９５の引上げにともなう重量の増加は、
回転しなめ両管７０及び吊棒７５さらには中間コンド８
８等から成る吊下手段及び弾性ロッド９０等−を介して
刻々と重量測定手段７９へ伝えられ、図示してない場所
へ記録表示され、かつ、各駆動モータ２２．３８．５８
．８１や、加熱手段２のコントロール手段へインプット
される。
回転しなめ両管７０及び吊棒７５さらには中間コンド８
８等から成る吊下手段及び弾性ロッド９０等−を介して
刻々と重量測定手段７９へ伝えられ、図示してない場所
へ記録表示され、かつ、各駆動モータ２２．３８．５８
．８１や、加熱手段２のコントロール手段へインプット
される。
尚、実施例では各々の外部磁石に対応させて４個の、駆
動モータを示したが、必ずしも４個用いる必要はなく、
駆動モータを１個ないし２個とし種々の駆動力伝達手段
によってこれに代えても良い。
動モータを示したが、必ずしも４個用いる必要はなく、
駆動モータを１個ないし２個とし種々の駆動力伝達手段
によってこれに代えても良い。
次に、この発明は炉体１と連通させた、ルツボ支持・ｉ
仝６や単結晶の引上棒４２を収納させる下部管４と上部
−＃５とを小径のものとしたので、これを薄肉のものと
しても炉体１内の２００−７３００気圧という高圧力に
耐えることができ、かつ、薄肉（４ｍｍ〜５ｒｒｕη厚
）のものとしたので、全体を密閉構造として磁力利用Ｃ
Ｃよりルツボ支持棒６や単結晶の引上棒４２へ必要な駆
動力を伝達できるものである。
仝６や単結晶の引上棒４２を収納させる下部管４と上部
−＃５とを小径のものとしたので、これを薄肉のものと
しても炉体１内の２００−７３００気圧という高圧力に
耐えることができ、かつ、薄肉（４ｍｍ〜５ｒｒｕη厚
）のものとしたので、全体を密閉構造として磁力利用Ｃ
Ｃよりルツボ支持棒６や単結晶の引上棒４２へ必要な駆
動力を伝達できるものである。
さらに、この発明はルツボ支持棒６や引上棒４２を互い
に異方向へ回動可能にして軸方向（（連結した回動軸１
１ａ、４７ａと昇降軸１１ｂ１４７ｂで構成すると共に
、下部管４や下部管５を軸方向に衝き合わせて機密に接
続させた少なくとも２本以上の管体７．８・４３．４４
で構成し、その各々の管体７．８・４３．４４内部へ回
動軸１１ａ、４７ａと昇降軸１１ｂ、４７ｂをその操作
機構と共に収納させたので、ルツボ３お引上単結晶９５
に対して、画一的でないバラエティに富んだ独立した回
転・昇降運ｎｆｆ与えることができ、内部磁石１５．２
９．５１．６９を始めとする内部の操作機構を組み込む
際にも、回動軸１１ａ、４７ａと昇降軸１１ｂ１４７ｂ
を各々の操作機構と共に対応する管体７．４３．８１．
４−４内部へ組み込みしかる後両者を連結させれば良い
ので、組み立て易い。
に異方向へ回動可能にして軸方向（（連結した回動軸１
１ａ、４７ａと昇降軸１１ｂ１４７ｂで構成すると共に
、下部管４や下部管５を軸方向に衝き合わせて機密に接
続させた少なくとも２本以上の管体７．８・４３．４４
で構成し、その各々の管体７．８・４３．４４内部へ回
動軸１１ａ、４７ａと昇降軸１１ｂ、４７ｂをその操作
機構と共に収納させたので、ルツボ３お引上単結晶９５
に対して、画一的でないバラエティに富んだ独立した回
転・昇降運ｎｆｆ与えることができ、内部磁石１５．２
９．５１．６９を始めとする内部の操作機構を組み込む
際にも、回動軸１１ａ、４７ａと昇降軸１１ｂ１４７ｂ
を各々の操作機構と共に対応する管体７．４３．８１．
４−４内部へ組み込みしかる後両者を連結させれば良い
ので、組み立て易い。
そして、このことは管体７．８・４３．４４内部に組み
込んだ操作機構の保持点検の際にもこれを行い易く便利
であることを意味する。
込んだ操作機構の保持点検の際にもこれを行い易く便利
であることを意味する。
その上、この発明は重量測定手段７９へ荷重を伝える吊
下手段の両管７０が非回転となるように構成すると共に
、昇１洋軸４７．ｂと接続された回動軸４７ａを内部磁
石５１に固層させず、該内部磁石５１と共に回転する回
動管５２に滑りキー５６を介して連係されるようにした
ので、より正確な引上単結晶の重量測定が可能となって
いる。
下手段の両管７０が非回転となるように構成すると共に
、昇１洋軸４７．ｂと接続された回動軸４７ａを内部磁
石５１に固層させず、該内部磁石５１と共に回転する回
動管５２に滑りキー５６を介して連係されるようにした
ので、より正確な引上単結晶の重量測定が可能となって
いる。
以上詳細に説明したようＶここの発明は、炉体を高温高
圧を用いる構造のものとしても、これを密閉構造とする
ことができ、かつ密閉構造としても磁力利用を効果的に
行うことができる他、ルツボや引上単結晶に対して、バ
ラエティに富んだ独立の回転・昇降運動を与えることが
でき、さらに、組立、保守点検を行い易いと共に、械′
！ｆｊ構造を維持したまま、被雑な内部機構にも拘わら
ず引上単結晶の重量測定をも行うことができるという作
用効果を葵し得る。
圧を用いる構造のものとしても、これを密閉構造とする
ことができ、かつ密閉構造としても磁力利用を効果的に
行うことができる他、ルツボや引上単結晶に対して、バ
ラエティに富んだ独立の回転・昇降運動を与えることが
でき、さらに、組立、保守点検を行い易いと共に、械′
！ｆｊ構造を維持したまま、被雑な内部機構にも拘わら
ず引上単結晶の重量測定をも行うことができるという作
用効果を葵し得る。
図面はこの発明の一実施例を示し、第１図はこの発明を
概略的に説明するための説明図、第２図は下部管の内部
構造を概略的に示す縦断面図、第３図は上部管の内部構
造を概略的に示す一部縦断面図、第４図はとくに重量測
定手段の部分を示す一部縦断面図である。 １・・・炉体 ２・・・加熱手段３・・・ル
ツボ ４・・・下部管５・・・上部管
６・・・ルツボ支持棒７．８・４３．４４・・・管体
９．４５・・・接続手段１１ａｓ４７ａ”・回動軸
１１ｂ、４７ｂ−−−昇降軸１１０％ ４７ ｃ・・
・雄捻子部 １２．５２・・・回動管１５．２９．５１
．６９・・・内部磁石３１ａ、７７・・・滑りキー ３
２．７１・・・雌捻子部４２・・・引上棒 ７
０・・・両管７５・・・吊棒 ７９・・・重
量測定手段９０・・・弾性ロッド ９５・・・引上
単結晶９６・・・中間ロンド 特 許 出 願 人 株式会社雅慶電機製作所手続
補正書（自発） 特許庁長官 若杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特許 願第２３００２７号２、発明の名称
化合物半導体単結晶の引上装置３、 補正をする者 事件との関係出願人 住 −所 東京都足立区千住桜木２−１８−９４、代理
人 覧− ８、補正の内容本願に別紙の通りの図面を補充する。
概略的に説明するための説明図、第２図は下部管の内部
構造を概略的に示す縦断面図、第３図は上部管の内部構
造を概略的に示す一部縦断面図、第４図はとくに重量測
定手段の部分を示す一部縦断面図である。 １・・・炉体 ２・・・加熱手段３・・・ル
ツボ ４・・・下部管５・・・上部管
６・・・ルツボ支持棒７．８・４３．４４・・・管体
９．４５・・・接続手段１１ａｓ４７ａ”・回動軸
１１ｂ、４７ｂ−−−昇降軸１１０％ ４７ ｃ・・
・雄捻子部 １２．５２・・・回動管１５．２９．５１
．６９・・・内部磁石３１ａ、７７・・・滑りキー ３
２．７１・・・雌捻子部４２・・・引上棒 ７
０・・・両管７５・・・吊棒 ７９・・・重
量測定手段９０・・・弾性ロッド ９５・・・引上
単結晶９６・・・中間ロンド 特 許 出 願 人 株式会社雅慶電機製作所手続
補正書（自発） 特許庁長官 若杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特許 願第２３００２７号２、発明の名称
化合物半導体単結晶の引上装置３、 補正をする者 事件との関係出願人 住 −所 東京都足立区千住桜木２−１８−９４、代理
人 覧− ８、補正の内容本願に別紙の通りの図面を補充する。
Claims (1)
- ′電気炉体の上下方向に設けた小径薄肉の下部管と上部
管の内部にルツボ支持棒と単結晶引上棒とを個人し、各
々を磁力利用の回動昇降手段によって駆動せしめるもの
において、前記上部管の上端部に重量測定手段を機密に
取りつけると共に、前記単結晶引上棒を互いに独立に回
転できるように接続して成る回動軸と昇降軸とで構成し
て各々が内部磁石内を貫通して上方向へ伸長するごとく
成し、前記回動軸はさらに内部磁石と共に該菅体内で回
転させられる回動管に挿通させられつつ滑りキーにより
連係されることによって昇降に支障なく回動せしゝめら
れ、前記昇降軸は同じく内部磁石と共に回転せしめられ
る雌捻子部に捻子着された部分を有し滑シキーによって
それ自身は回転すること々〈昇降せしめられるように構
成し、前記雌捻子部と前記重量測定手段の弾性ロンドと
を該雌捻子部へそれ自身は回転しないように連係させた
吊下手段を介して接続させたことを特徴とする、化合物
半導体単結晶の引上装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23002782A JPS59121187A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 化合物半導体単結晶の引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23002782A JPS59121187A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 化合物半導体単結晶の引上装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121187A true JPS59121187A (ja) | 1984-07-13 |
| JPH0341434B2 JPH0341434B2 (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=16901418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23002782A Granted JPS59121187A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 化合物半導体単結晶の引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59121187A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4832922A (en) * | 1984-08-31 | 1989-05-23 | Gakei Electric Works Co., Ltd. | Single crystal growing method and apparatus |
| JPH02164790A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-25 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | 単結晶直径制御装置 |
| CN102425004A (zh) * | 2011-12-28 | 2012-04-25 | 苏州优晶光电科技有限公司 | 一种晶体生长监测装置 |
| CN102534761A (zh) * | 2011-12-28 | 2012-07-04 | 苏州优晶光电科技有限公司 | 一种用于监测晶体生长的装置 |
| JP2021007975A (ja) * | 2019-07-01 | 2021-01-28 | 国立研究開発法人理化学研究所 | レーザ加工装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4991971A (ja) * | 1972-09-08 | 1974-09-03 | ||
| JPS539190A (en) * | 1976-07-13 | 1978-01-27 | Toshiba Corp | Ammonia measuring device |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP23002782A patent/JPS59121187A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4991971A (ja) * | 1972-09-08 | 1974-09-03 | ||
| JPS539190A (en) * | 1976-07-13 | 1978-01-27 | Toshiba Corp | Ammonia measuring device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4832922A (en) * | 1984-08-31 | 1989-05-23 | Gakei Electric Works Co., Ltd. | Single crystal growing method and apparatus |
| JPH02164790A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-25 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | 単結晶直径制御装置 |
| CN102425004A (zh) * | 2011-12-28 | 2012-04-25 | 苏州优晶光电科技有限公司 | 一种晶体生长监测装置 |
| CN102534761A (zh) * | 2011-12-28 | 2012-07-04 | 苏州优晶光电科技有限公司 | 一种用于监测晶体生长的装置 |
| JP2021007975A (ja) * | 2019-07-01 | 2021-01-28 | 国立研究開発法人理化学研究所 | レーザ加工装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0341434B2 (ja) | 1991-06-24 |
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