JPS59112493A - 電荷転送装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体本体の表面上にあってクロック電圧を
供給し情報電荷パケットを本体中の電荷転送チャンネル
を経て読取段に転送するクロックド”電極の列を具え、
読取段において転送されてきた電荷ハケットヲ検出し、
該読取段は各クロック周期の略々全期間に亘って読取る
べき情報を表わす定振幅の出力信号を取り出すことがで
きるよう構成して成る電荷転送装置に関するものである
＠　１・上述の特徴を有する電荷転送装置は「）（ａｎ
ｄｂｏｏｋｏｎ　Ｓｅｍ１ｏｏｎｃｉｕｃｔｏｒｓ　Ｊ
　Ｔ、Ｓ、Ｍｏ５ｓ編、Ｖｏｌ　、　４　。

ｃｈａｐｔｅｒ　８Ｂ、　ｐ、８９７〜４０１　、　Ｆ
ｉｇ、　８９から既知でｉｂ、この刊行物Ｋ　＃−ｔａ
ｘ　ｃｏｒｒａｌａｔｅｄ　ｄｏｕｂｌｅＳａｍｐｌｉ
ｎｇ　ｏｕｔｐｕｔ　ｎ　（相関ダブｋ　サ７７リング
出−・・力〕として既知の出力段が開示されている。こ
の１出力段においてＶｉ電荷パケットは出方ダイオード
に転送され、このダイオードは最初に基準電圧又はリセ
ット電圧にバイアスされる。この電荷パケットはこのダ
イオードに電圧変化を誘起し、この５電圧変化がこのダ
イオードに入力端子が接続された第１増幅器（特にノー
スホロワ〕に供給さｎ、このソースホロワの出刃がスイ
ッチを経て出方増幅器の入力端子に供給される。このス
イッチが閉じると、ソースホロワから供給された読取る
べき゛０電荷パケットを表わす信号が出方増幅器に供給
され、斯る後にこのスイッチは再び開くことができる。

このスイッチが再び開いた後に、ダイオードは次の電荷
パケット、全読取るために再び基準電圧にバイアスする
ことができる。その間、出方増幅１５器は第１電荷パケ
ツトを表わす出力信号を供給し続ける。他方、第２電荷
パケツトヲダイオードに転送し、ソースホロワで検出す
ることができる〇次いで、スイッチを再び閉じて第２電
荷パケツトを表わす出力信号を出力増幅器の出力端子が
ら取２（・シ出すことができる。

この出力段によればクロック周期の幅〔持続時間〕を有
する矩形信号を出方増幅器の出方端子から取り出すこと
ができる。従って、出刃電圧は２個の順次の信号間で基
準レベルに戻ることはない□・（ソースホロワの出力信
号は２個の順次の信号間で基準レベルに戻る）０前記列
行物のＦｉｇ、４ｏに示されているように、信号と基準
レベルとの間の交番は出力信号に高次のスペクトルを発
生し、これらのスペクトルは多くの用途において追加の
手１・・段により完全に又は部分的に除去しなければな
らない。これら高次のスペクトルを除去するためにはし
ばしば高価なフィルタが必要とされる。これに対し、全
り讐ツク周期中矩形波出力信号が供給されるときはこれ
ら高次のスペクトルは自動的に１・相当程度抑圧される
。

上記の既知の装置の欠点は装置が動作し得るクロック周
波数に制限がめる点にあシ、これは処理すべき信号帯域
幅が制限されることを意味する。

実際上、最高クロック周波数Ｆ１１１５〜２５　Ｍ）ｌ
ｚで、。

（４） あることが確かめられている０多くの用途、特に１ビデ
オ信号処理の分野では著しく高い周波数が必要とされる
。この周波数制限の重要な要因は出力ダイオードを２個
の順次の信号検出間においてスイッチを経て基準レベル
に戻さなければならない１点にある。更に、ノースホロ
ワと出方増幅器との間のスイッチ（一般にＭＯＳ　）ラ
ンジスタで構成される）もある一定の遅延をもたらし、
出方ダイオードがクロック周波数の主な制限因子を構成
しない場合にこの遅延が最大クロック周波数に重要な１
パ制限を課すことになる〇 このスイッチの追加の欠点はこのスイッチを駆動するク
ロック電圧が出力信号にクロストークする点にある。

本発明の目的は出力信号中に高次のスペクトル１５を発
生しないと共に一層高いクロック周波数で動作し得る電
荷転送装置を提供することにある。

本発明は頭書に記載した種類の電荷転送装置において、
読取段の区域において電荷転送チャンネルを２個の隣接
するサブチャンネルに分割し、こノ・・れらサブチャン
ネルには各別の第１ゲートと、共１通の第２ゲートと、
各別の第８ゲートを設け、前記各別の第１ゲートをもっ
て電荷パケット全前記２個のサブチャンネルに交互に転
送し得る手段を構成し、浮動電位に保つことができる前
記共通の・第２ゲートをこの第２ゲートの電位、従って
第２ゲートの下に蓄積された電荷パケットの大きさを決
定する出力増幅器の入力端子に接続し、前記各別の第８
ゲートをもって前記共通第２ゲートの下にあって読取ら
れた電荷パケットを更に転送するｌ・・手段を構成した
ことを特徴とする０ 図面についての・本発明の説明から明らかとなるように
、斯るチャンネルの細分化は電荷をクロック周期の全期
間に亘り検出可能にし、その結果として高次のスペクト
ルが抑圧される。更に、このチ１゜ヤンネル細分化は一
方のサブチャンネルのｔ荷パケット全読取後流出させる
と同時に次の電荷パケットヲ他方のサブチャンネルのフ
ローティングゲートの下に導入することが可能になる０
これが行なわれる速度は装置の他の部分内と同一の電荷
転−，。

過処理により決まり、転送路内に各信号ごとにす１セツ
トする必要のあるダイオードが存在することにより遅延
や出力増幅器の前にスイッチが存在することによる遅延
を受けることはない。フローティングゲートは適当な基
準電圧を供給するスイン５チに接続することができる。

しかし、このスイッチは速度を制限しない。その理由は
フローティングゲートは各電荷パケットごとにリセット
する必要がないためである。ビデオ信号処理においては
、フローティングゲートは例えば水平帰線時間中に１０
リセツトすることができる〇 本発明装置には前記２個の第１ゲートに互に反対位相の
クロック電圧を供給すると共に前記２個の第８ゲートに
互に反対位相のクロック電圧を供給する装置を設けるの
が好適である。

以下、本発明の実施例を図面を参照して説明するＯ 第１図は本発明電荷転送装置が形成された半導体本体（
好適にはシリコン）ｌを示す。

本装置の製造の詳細な説明は本発明の理解に必２ｕ要が
なく、またＯＯＤ技術は一般に既知であるので゛、特に
この装置の製造に使用し得る技術についてはここでは詳
細な説明を省略する（この点については例えばｒＯｈａ
ｒｇｅ−Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　ａｎｄ　Ｓ
ｙｓｔｅｍｓＪＭ、Ｊ、Ｈｏｗｅｓ　ａｎｄ　Ｄ、Ｖ、
Ｍｏｒｇａｎ著、０ｈａｐｔｅｒ　Ｌ　　　−ｍ　Ｆａ
ｂｒｉｃａｔｉｏｎ　Ｔｅｃｈｏｎｏｌｏｇｙ　ｆｏｒ
　Ｃｈａｒｇｅ　−ＣｏｕｐｌｅｄＤｅｖｉｃｅｓ　ｎ
の項を参照すれば十分である）。

本電荷転送装置はそのクロック電極列の下に略略全体的
に位置する電荷転送チャンネル２を具え、その横方向の
輪郭を破線で示すしある。この電荷１・□転送チャンネ
ル２は表面チャンネル型又は埋込チャンネル型の何れで
も良い０図にはチャンネルの全体を示してなく、装置の
出力段の直前の部分のみを示しである。電荷転送はクロ
ック電極系（本例では４摺動作に好適な電極系）により
制御されｌ・る０しかし１本発明の原理Ｆ１ａ相、８相
又は多相電荷転送装置（ＯＴＤ　）にも適用することが
できる〇クロック電極８（第１図には８個だけ示しある
）はクロック電圧φ　φ　φ　及びφ、がそれぞれ供１
、　　　ｆｉ、　　　８ 給される４個のクロックライン４に交互に接続さ２・・
（８） れた４つのグループに配列される。図にはこれら１クロ
ツク電極は簡単のため互に並置して示しであるが、実際
にはこれら電極は互に絶縁された互に重畳する２つのメ
タライズ層の形に設けることができる。例えば、クロッ
ク電圧φ　及びφ４が供給５される電極８及びクロック
ライン４は下側メタライズ層とし、クロックφ　及びφ
８が供給される電極Ｂ及びクロックライン４は上側メタ
ライズ層とすることができる。図には上下のメタライズ
層が交差する区域では下側メタライズ層を破線で示し１
０である。全てのクロックφ、〜φ、のクロック電極及
びクロックラインは多結晶シリコンで製造することもで
きる。

前文に記したように、本電荷転送装ｆＩｔ、＃′ｉクロ
ック周期の略々全期間に亘って出力信号を取り出し１５
得る読取段Ｂを具えるため、その出力増幅器の出力端子
にはクロック周期に等しい幅を有する矩形の出力信号が
発生する〇 本発明では、チャンネル２を読取段Ｂの区域において２
個の隣接するサブチャンネル５及び６に！（・分割する
。これらサブチャンネルには、電荷転送□方向（左から
右であるものとする）に見て先ず、各別の第１ゲートＯ
Ｇ　及びＯＧ２’！ｒそれぞれ設ける〇これらゲート（
出力ゲート）によってチャンネル２を経て転送されてき
た電荷パケットヲ後述する″・ようにサブチャンネル５
及びサブチャンネル６に交互に供給することができる。

これらゲー）　ＯＧ。

及びＯＧ２の後段には両サブチャンネル５及び６に共通
の第２ゲー）　（ＦＧ）ｅ設ける。浮動電位に保つこと
ができるこのゲート（フローティングゲートト）ＦＧは
このゲートの下に蓄積された電荷パケットヲ読出す作用
をし、このため出力増幅器７に接続される。この増幅器
はソースホロワ回路で簡単に構成でき、第１図にはその
ＭＯＳ　）ランジスタのみを示し、そのゲート電極はフ
ローティングゲート　］・ＦＧに接続される。そのソー
ス及びドレイン電極８及び９は図には線図的に示しであ
る。他の増幅回路を用いることもできること勿論である
。フローティングゲー）ＦＧの他端ｑ　ＭＯ８Ｔスイッ
チ１０の一方の主電極領域に接続し、その他方の主電極
！・・領域１１は基準電圧に接続することができる０こ
゛のＭＯ８Ｔスイッチ１０の絶縁ゲート電極１２にはク
ロック信号を周期的に供給することができ為その結果と
してフローテングゲートＦＧを基準レベルに戻すことが
できる０このクロック信号の周波数はフローティングゲ
ートの電圧が変化する速度により決まる（リークパス）
０この速度は一般に極めて低いため、このゲート電極１
２のクロック信号の周波数は一般に相当低くすることが
でき、装置の速度を制限しない。

フローティングゲートの後段にはサブチャンネル５及び
６に対し各別のゲートＲＧ　及びＲＧｇｋ設置 ける。これらゲート（リセットゲート）によって電荷パ
ケットヲ読取後更に共通ドレイン接点１８に転送するこ
とができる。

他の例ではサブチャンネル５及び６をゲートＲＧ　及び
ＲＧ、の背屈で結合してチャンネル２と同一の共通チャ
ンネルを形成して電荷パケットを更に転送するようにす
ることができる。斯る構成は例えば電荷パケットをフィ
ルタのように電荷結２゜合装置中を転送中に数回読取る
必要のある場合に゛使用することができる。

本発明によるこの電荷転送装置の動作を第２図、８ａ、
Ｂｂ図及び４図を参照して説明する。第８ａ図は最后の
８個のクロック電極８（第８図には　φ　φ及びφ、で
示しである）の下側のチャンネ２．８ ル２内の電位分布及びサブチャンネル５の電位分布を示
す。第８ｂ図は同様に最后の８個のクロック電極８の下
側のチャンネルｚ内の電位分布及びサブチャンネル６内
の電位分布を示す。本装置のｊパ動作Ｖｉｎチャンネル
装置につき説明するが、本発明はＰチャンネル装置にも
使用し得ること勿論でＩる。第２図にはクロック電圧φ
、〜φ、及びゲー）ＯＧ　　ＯＧ　　ＲＧ　及びＦＧ２
に供給されるクロッ１、　　　　＄１．　　　１ り電圧を時間ｔの関数として示しである０更に、トゲ−
）　ＦＧの電位を一定の電圧として示してあり、即チゲ
ー）　ＦＧの下に電荷パケットがない場合を示しである
０第２図に−Ｏｖ秤で示す電圧レベルは基準レベルを示
し、これは必ずしもアース電位と一致する必要はない０
初めに、フローティング２・・（１２） □ゲー）　ＦＧはトランジスターＯにより適当な電位に
バイアスされているものとする。この電圧は、ＲＧ。

が高電圧でＦＧ２が低電圧の場合にＦＣの下の表面電位
がＲＧ、の下の表面電位とＦＧ２の下の表面電位との間
の値になるように選択する（第８ａ及びＢｂ図５のｔ□
参照）。この状態ではサブチャンネル６のＦＣの下にポ
テンシャルウェルが形成され、このウェルに電荷パケッ
ト１４を蓄積することができる。この電荷パケット１４
はフローティングゲートＦＧに電圧変化を誘起し、この
電圧変化を増幅１０器７により読取ることができる。電
極φ８．φ、の下には次の電荷パケット１５が蓄積され
ており、この電荷パケットはｔ２において電極φ、の下
に全部蓄積される０このとき、ＯＧ　は高電圧レベルに
、０Ｇ、は低電圧レベルにあるので、ＯＧ□の下に低い
１５電位障壁が、ＯＧ、の下に高い電位障壁が形成され
ているＯ ｔ８ではφ、が低電圧レベルにある。このとき電に流れ
込む０このとき、ＲＧ□は低電圧レベルに、゛ＲＧ２Ｖ
ｉ高電圧レベルになっているので、この電荷パケット１
５はＦＧの下に維持され、電荷パケット１４は接点１８
を経て流出することができる０従って、ＦＧの電位は今
までパケット１４の太き　−゛さにより決まっていたが
今度はパケット１５の大きざにより決まる０ その間に、次の電荷パケット１６がチャンネル２ｆ経て
供給されるｏｔ、においてこのノ（ケラトは電極φ、及
びφ、の下に蓄積される。ｔ、において、１１訃このパ
ケットは電極φ　及びφ、の下に蓄積されるＯこの電荷
転送中、バケツ）１５Ｈ電極ＦＧの下のサブチャンネル
５内に維持される０このとき１ゲートＯＧ　　及びＯＧ
２は同時にそれぞれ低及び高電圧しベルに変化している
ためＯＧ工の下に、ＯＧ、の下よ）・りも高い電位障壁
が形成されている。ｔ６において、電荷パケット１６は
チャンネル２の最終電極φの下に全部蓄積されるｏｔ、
においてＳＲＧ工及びＲＧ、　Ｈ高及び低電圧レベルに
それぞれクロックされているため、ポテンシャルプロフ
ィールは１７．、。

に対し示すようになる。従って、サブチャンネル先す内
の電荷パケット１５が流出すると同時に、電荷パケット
１６がサブチャンネル６のグー）　ＦＧの下に導かれる
ため、この電荷パケットを読取ることができる（１，１
８等）。

これがため、電荷転送チャンネルを読取段の区域で２つ
のサブチャンネルに分割することによシ一方のサブチャ
ンネルのフローティングゲートＦＧの下の第１電荷パケ
ツトを流出させると同時に、次の第２電荷パケツトヲ他
方のサブチャンネルの１０フローテイングゲートの下に
蓄積することができる。この場合、フローティングゲー
トＦＧの電位、従ってンースホロワ７の出力信号は時間
ｔの関数として矩形状に変化し、２個の順次の信号間に
す□・セットレベルを発生しない。これを第４図に線図
１５的に示すＯ第４図において曲線１８は遅延し次入力
信号を示し為矩形１９は上述の装置で入力信号をサンプ
ルし遅延した出力信号を示す。矩形の幅はクロック同期
φ１〜φ、に等しく、その結果入力信号に対するこの出
力信号の高次のスペクトルは２０（１５） 小さくなる。読取速度は本質的に電荷転送速度（゛読取
段でもチャンネル２内と略々等しい）により決まる。リ
セット動作のような速度制限因子は存在しないため、本
装置は高いクロック周波数で動作することができ、例え
ばビデオ信号処理用にも・好適である。ＯＧ　　及びＯ
Ｇ２のクロック信号並びにＲＧ及びＦＧ２のクロック信
号は第２図に示すように互に反対位相であるため、フロ
ーティングゲートＦＧのクロストーク信号が互に相殺し
合うため、ＯＧ　　ＯＧ　　ＲＧ及びＲＧ、のクロック
信号のクロス？・・１、　　　２．　　　１ トークは出力信号中に全て又は少くとも殆んど発生しな
い。

本発明は上述した例にのみ限定されるものでなく１多く
の変形や変更が可能である０例えば本発明Ｆｉ２相及び
８相０’ｌ’Ｄ及びパケットブリゲート型１−・（ＢＢ
Ｄ）の電荷結合装置に適用することもできる〇第５図は
第１図の電荷転送装置の変形例の平面図を示す。この図
において１上述の第１の実施例と対応する部分は同一の
符号で示す。トランジスタフ及び１０は単に種々の電極
間の電気的接続と・・・（１６） ともに記号的に示しである０第５図に示す装置は１第１
図に示す装置と、出力グー）　ＯＧ工及びＯＧＢとフロ
ーティンググー）　ＦＣとの間に、サブチャンネル５及
び６に共通の他のゲート電極０Ｇ８ｅ配置しである点が
主として相違する０ゲート電極０Ｇ８５は固定（直流）
電圧■。。、に接続する。本例ではゲートＯＧ　　ＲＧ
及びＯＧ、　ＦＧ２にそれぞれ共通の１、　　　１ クロック電圧φ□。１及びφＲＧ４　’供給することが
でき、この目的のためにゲート０ＧＲＧ及びＯＧ。

１、Ｉ ＲＧｇ’ｅそれぞれ線図的に示す接続線２１及び２２　
、。

で互に電気的に接続する。

第６図は第６図の装置に供給する電圧の波形を示し、第
７図はこ、の場合に瞬時ｔ□〜ｔ８の各瞬時にサブチャ
ンネル５．６に発生するポテンシャルプロフィールを示
す〇 第７ｂ図から明らかなように、瞬時ｔ０〜ｔ、において
は電荷パケット１４はサブチャンネル６のフローティン
ググー）　ＦＣの下に存在する。その間、次の電荷パケ
ット１５が電荷転送チャンネル２を経て供給される０瞬
時ｔ、において、この電、（。

荷パケット１５はＯＧ、の下に到達している（第７　ａ
１図）０次にＯＧ　及びＲＧｌの電圧レベルが下がり、
その結果ＯＧ及びＲＧ□の下の（電子に対する）１！位
が上昇する。　ＲＧ、の下には電位障壁が形成され、そ
の結果ＯＧ８及びＲＧｌの下の電位障壁により限界゛さ
れたポテンシャルウェルがＦＣの下（サブチャンネル５
内）に形成される。電圧Ｖ。ａｓ　ＶｉφＲＧの最低レ
ベルより僅かに高く選択しであるため１０Ｇ　　の下の
（一定の）を位障壁がＯＧ、及びＲＧ。

の下より僅かに低くなる０従って、電荷パケット（・１
トを次の電荷パケット１６がサブチャンネル６のＦＧの
下に蓄積されるまでの全クロック期間の間中読取ること
ができる。

電荷パケット１５がＦＧの下に転送されるとき、ＲＧ、
の下の電位障壁が低減することによりサブチャンネル６
の先行電荷パケット１４が流出するため、２個の順次の
電荷パケットが読出される瞬時間に殆んど時間間隔は存
在しない。　　　　　　・・・グー）　ＯＧ□からＦＧ
への電荷の転送中に電荷の１一部がＯＧ２？経てサブチ
ャンネル６に流れるのを阻止するために、最終クロック
電極φ、を、電極ＯＧ　及びＯＧ、の下側に部分的に延
在すると共にすブチヤンネル５及び６の上方１で延在す
るよう形成してサブチャンネル５及び６間の電荷の戻り
を阻止する障壁を形成するようにする０図にはこの電極
４のＯＧ　及びＯＧ、の下側に位置する部分全点鎖線で
示しである。

第１実施例と比較してこの実施例は２つのクロ１０ツク
、即ちφ、。□及びφ、。たけて十分である利点を有す
る。更に、ＲＧ　　ＯＧ　及びＲＧｓ、ＯＧ、がスイ１
．１ ブチされる瞬時はφ、に対して臨界的でないため、本実
施例の時間制御は第１笑施例の場合よシ幾分臨界的でな
い利点がある０

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明電荷転送装置の第１の実施例の平面図− 第２図は第１図の装置に供給さねるクロック電圧の波形
図Ｓ２υ （１９） 第８図は第１図の装置の電荷転送チャンネルに”動作中
の各瞬時に発生する電位分布を示す図、第４図は第１図
の装置により得られる出力信号の波形図、 第５図は本発明電荷転送装置の第２の実施例の゛平面図
１ 第６図は第５図の装置に供給されるクロック電圧の波形
図、 第７図は第５図の装置に第６図のクロック電圧を供給し
たときその電荷転送チャンネルに発生すＩ・する電位分
布を示す図である。 １・・・半導体本体　　　　２・・・電荷転送チャンネ
ル８・・・クロック電極　　　４・・・クロックライン
φ、〜φ４・・・クロック電圧　５．６・・・サブチャ
ンネルＢ・・・読取段　　　　　　７・・・出力増幅器
８・・・ソース電極　　　　９・・・ドレイン電極１０
・・・スイッチ　　　　　１１・・・主電極領域１２・
・・ゲート電極　　　　１Ｂ・・・共通ドレイン接点Ｏ
Ｇ□、ＯＧ２・・・第１（出力）ゲートＦＧ・・・第２
（フローティング）　ケート、。 （２０） ＲＧｌ、ＲＧ２・・・第８（リセット）ゲートＯＧ・・
・ゲート。 特許出願人　　エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラ
ンペンファブリケン　　　　１０＞＞＞＞）＞　　　　
　　＞＞＞ ○　　ｏ　　ｏ　　　ロ　　　ｏ　ｏ　　　　　Ｑ　ｏ
　　　Ｏざ　：　　：　　、、１　　、ｆ　ざ　　３　
Ｓ　　置ｏＯｃｒ：、　　　ヱ ＦＩＧ、７ａ ４）３ζ０Ｇ２０Ｇ３　ＦＧ　ＲＧ２　ＱＦＩＧ、７ｂ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　半導体本体の表面上にあってクロック電圧を供給し
   情報電荷パケットヲ本体中の電荷転・送チャンネルを経
   て読取段に転送するクロック電極の列を具え、読取段に
   おいて転送されてきた電荷パケットを検出し、該読取段
   は各クロック周期の略々全期間に亘って読取るべき情報
   を表わす定振幅の出力信号を取り出す；・・ことができ
   るよう構成して成る電荷転送装置において、前記読取段
   の区域において電荷転送チャンネルを２個の隣接するサ
   ブチャンネルに分割し、これらサブチャンネルには各別
   の第１ゲートと、共通の第２ゲートと、各別ｌの第８ゲ
   ートを設け、前記各別の第１ゲートをもって電荷パケッ
   トヲ前記２個のサブチャンネルに交互に転送し得る手段
   を構成し、浮動電位に保つことができる前記共通の第２
   ゲートをこの第２ゲートの電位、従って第２ゲ、。 −トの下に蓄積された電荷パケットの大きさ１を決定す
   る出力増幅器の入力端子に接続し、前記各別の第８ゲー
   トをもって前記共通第２ゲートの下にあって読取られた
   電荷パケットを更に転送する手段を構成したことを特徴
   と−・する電荷転送装置。 魚　特許請求の範囲第１項記載の装置において、前記各
   別の第１ゲートに互に反対位相のクロック電圧を供給す
   ると共に前記各別の第８ゲートにも互に反対位相のクロ
   ック電圧を供給１・・する装置を具えることを特徴とす
   る電荷転送装置。 ＆　特許請求の範囲第１項記載の装置において、各サブ
   チャンネルの上方には前記第１及び第２ゲート間に別の
   ゲートが設けられているこｌ。 とを特徴とする電荷転送装置。 ４　特許請求の範囲第８項記載の装置において、前記２
   個のサブチャンネルには前記別のゲートが共通に設けら
   れていることｆｆｉ％徴とする電荷転送装置０１．１ 翫　特許請求の範囲第８項記載の装置において、一方の
   サブチャンネル上の第１ゲートと第８ゲートヲ互に導電
   的に接続すると共に、他方のサブチャンネル上の第１ゲ
   ートと第８ゲートを互に導電的に接続しであることを特
   徴と□する電荷転送装置０