JPS59112398A - 電子式リレ−・スイツチ - Google Patents

電子式リレ−・スイツチ

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JPS59112398A
JPS59112398A JP58213415A JP21341583A JPS59112398A JP S59112398 A JPS59112398 A JP S59112398A JP 58213415 A JP58213415 A JP 58213415A JP 21341583 A JP21341583 A JP 21341583A JP S59112398 A JPS59112398 A JP S59112398A
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JP
Japan
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signal
switch
terminal
input
oscillator
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JP58213415A
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English (en)
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マイクル・ラルフ・ベンソン
ウイリアム・デイビツド・ヒル
ギヤレツト・ジヨ−ジ・オブライエン
デニス・ウエイン・ホ−レンベツク
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General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
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Publication date
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    • H03KPULSE TECHNIQUE
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2832Specific tests of electronic circuits not provided for elsewhere
    • G01R31/2836Fault-finding or characterising
    • GPHYSICS
    • G08SIGNALLING
    • G08CTRANSMISSION SYSTEMS FOR MEASURED VALUES, CONTROL OR SIMILAR SIGNALS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発  明  の  分  野 本発明は電気回路に関するものであり、特に被制御回路
を連続的に監視してその正しい動作を検証できるように
する光学的に分離された制御回路に関するものである。
【L良F匹え」 多くの制御システムの設計においては、制御入力信号か
ら離れた位置に被制御対象物または機器を配置すること
が望ましい場合がしばしばある。
更に多くのこのような設備、たとえば原子力発電所では
、制御素子を制御入力から完全に分離することが望まし
い。これは従来技術の制御システム  − で行なわれてきたが、従来の制御システムは通常、被制
mum器または対象物の正しい動作を監視することはで
きなかった。たとえば従来技術の制御システムにおいて
は、制御入力信号は遠隔位置にある被制御対象物に光学
技術または電子技術を使って与えられたが、制御入力信
号を発生するステーションは分離された被制御システム
の正しい動作を検出することはできなかった。
試験可能な光学的に結合された固体リレー・スイッチは
その環境である原子カプラントからの影響を可能な限り
最大限色れて連続的にかつ信頼性よく動作するように考
えられている。リレーはコンクリート壁によって物理的
にシールドされている。このコンクリート壁にはガラス
または石英の窓があり、この窓を通る光信号がリレーを
制御器に光学的に結合する。従来技術によるこの結合に
は、リレー人力が汚染信号等の異なる種類の光に応答す
るという欠点があった。たとえば、火からの光線が窓を
通れば、リレーは壁の反対側にある制御器内の火から正
しく分離されないことになる。
−5−。
−」− 原子炉が正常に動作しているときは、スイッチ素子が連
続的に大電流をソレノイドに流して、バネ装荷弁を閉じ
た状態に保持する。この連続した電流によりスイッチ内
に熱が発生し、熱によりスイッチの劣化を速める。スイ
ッチ内での熱消費はできる限り最小限にしなければなら
ない。
リレーを正確に試験できるように、リレー中に用いられ
るスイッチング素子の応答時間は高速でなければならな
い。従来の全波整流形ダイオード・ブリッジを使って電
圧をスイッチング素子に供給すると、ダイオード・ポン
プ・ターンオン時間は高速になるが、ターンオフ時間は
スイッチング素子内の容量放電する間だけ遅れる。この
容量を急速に放電させるために充分に小さいブリーダ抵
抗を用いると、熱消費が大きくなり過ぎる。このため、
ダイオード・ブリッジから供給される電圧に対する改良
された高速ターンオフ回路が必要とされる。
最後にリレーはスイッチが開放する障害に対して高感度
でなければならない。出力接点電流のスCC6一 イツチングの検証は接点電流の分離を維持して行なわな
ければならない。従来技術の方法では出力線を抵抗分路
に接続し、その両端間の電圧降下を測定することにより
電流が流れているが否かを判定した。抵抗分路によって
接点電流の分離が妨げられた。
口の 本発明は、制御ステーションと被制御機器を互いに物理
的に分離しなければならない用途に使うのに適した試験
可能な光学的に分離された制御回路を提供する。本発明
が特に有用な用途は、被制御[111!I器が制御入力
源から物理的にも電気的にも分離していなければならな
いが、制御入力源が送受信と被制mta器の状態とを連
続的に監視できるようにしなければならない用途である
。代表的な用−実施例においては、本発明の試験可能な
光学的に分離された制御回路は第1および第2の物理的
に分離されたユニットを含んでいる。第1のユ 7− ニットは、制御信号を受信するための入力端子、制御信
号を第2のユニットに送信する第1の送信器、第1の送
信器を監視し、第1の送信器の状態を表わす信号を供給
する第1のセンサー、ならびに信号受信用の第1の受信
器を含む。また第2のユニットは、第1の送信器から信
号を受信し、受信した信号に応じてリレ一手段を制御す
る第2の受信器、第2の受信器とリレ一手段に接続され
てそれらの動作を検出する第2のセンサー、ならびに第
2のセンサーに接続されてそれからの信号を第1の受信
器に送信する第2の送信器を含む。第1のユニットはま
た第1のセンサーからの信号を受信するように接続され
て端子と第1の受信器用の端子も含む。好ましい実施例
では、各送信器には1つの発振器ならびに該送信器に結
合された少なくとも1つの論理ゲートが含まれている。
この発明の1つの目的は、第2の受信器に対して狭帯域
通過の入力周波数検出回路を設けることによって光学的
に制御される回路の分離を改良することである。
もう1つの目的は、2つの発光ダイオードを含む第2の
送信器に対して正確に交番する検証信号をも供給する位
相ロック・ループ発振器からリレー・スイッチ駆動信号
を導き出すことによって、光学的に制御されるリレーの
動作検証を改良することである。
更にもう1つの目的は、2つの巻線をそなえた変圧器を
設け、1つの巻線に出力接点電流を通し、そしてトリガ
ー・タイオードと発光ダイオ−−ドを含む第2の送信器
に交流を流している他の巻線を遮断することにより、出
力接点を通る電流を一層分離された方法で検証すること
である。
更にもう1つの目的は複数の電界効果トランジスタから
成る全波スイッチを使用することにより熱放散の少ない
被制御リレー回路を提供することである。
更にもう1つの目的は全波スイッチのための高速ターン
・オフ回路を提供することである。
本発明では、狭帯域通過同調入力−波器、入力−波器を
通過した信号によって作動されてリレー8− の後続段を駆動するクロック信号を発生する位相ロック
・ループ発振器、熱放散の少ない複数のFETトランジ
スタから成るスイッチ素子、FETトランジスタに対す
る制御電圧の低下によって作動されてその低下速度を速
める高速ターンオフ回路、ならびに出力電流が流れるこ
とにより飽和し、第2の送信器内の発光ダイオード(L
 E D )へのクロック信号をターンオフして出力電
流が流れている間オフに保持する出力電流検証変圧器を
設けることによって、光学的に制御される大電流リレー
・スイッチにおける分離、性能ならびに動作検証が改良
される。
本発明の伯の目的、特徴ならびに利点は以下の図面を参
照しての説明により、明らかとなる。
施 のn な珪 第6図に全体的に示すように、試験可能な光学的に分離
された制御回路は第1のユニット110゜第2のユニッ
ト1401ならびにこの2つのユニットの間の通信のた
めの結合手段130が含まれている。ユニット110お
よび140は相互に物理的かつ電気的に分離しており、
光学技術を使って結合されている。第6図に示すように
各ユニット110,114には、上側の機能部110a
140aならびに下側の試験部110b、140bが含
まれている。上側の機能部110a、140aは後述す
るように所望の機器を制御するのに使用される。下側の
試験部110b、140bは機能部の動作を監視して、
正しい制御信号が送受信されていること、ならびに被制
御機器140が正しく制御されていることを確認する。
ユニット110の機能部110の端子111に所望の制
御入力信号が与えられる。この制御入力信号は第6図に
図示しない周知の装置から発生される。たとえば、周知
のセンサーにより温度等の所望のパラメータを検出して
端子111に適当な制御入力を与え、もってユニット1
40の線152および153に結合された被制御機器の
状態を調整することができる。ユニット114で制御入
力信号に対して所望のシP波、遅延、増幅等を行なった
後、この制御入力信号がナンド・ゲート1111− 6の第1の端子に与えられる。発振器112がナンド・
ゲート116の他方の端子に結合され、ナンド・ゲート
116の出力が第1の送信器117に結合されている。
図示例では、入力側のユニット110と出力側のユニッ
ト140との間の結合(130)は光学的に行なわれて
いるので、発振器112のパルス速度を100KHzに
して通常の60ヘルツの光源との干渉の可能性がないよ
うにしている。制御入力(111)によりゲート116
を介して結合された発振器112がらの100KHz信
号によって、第1の送信器117の発光ダイオードがこ
の速度でパルスを発生し、これらのパルスがユニット1
40内の受信器144のフォト・ダイオードによって検
出される。
好ましい例として、ユニット11oおよび114は原子
カプラント内の制御システムと組み合わせて使用される
ので、ユニット110と140との間に比較的厚い鋼鉄
、コンクリート等の不浸透性材料の壁が配置されること
がある。分離は維持しながら、このような壁を通しての
光の伝送は、12− 第1のレンズ131、石英管136、ならびに第2のレ
ンズ137によって達成される。勿論、このような厳し
い分離が必要でない設備においては、送信器117と受
信器144との間の伝送は他の公知の技術を使って行な
うことができる。
受信器144はコンデンサ145を介して増幅器147
に容量結合されている。実際上、これはろ波された再ト
リガ可能なマルチバイブレータを形成する。コンデンサ
145は伝送される信号の帯域幅を制限し、60Hzの
ノイズと高周波ノイズを除く。
光パルスが光学的な結合手段7130を通って出力側の
ユニット140に与えられている間は、このマルチバイ
ブレータ部分はDC負荷作動信号を保持する。負荷作動
信号はリレー148を駆動することにより、線152お
よび153に接続された機器を制御する。リレー148
の中には普通、サージ保護ダイオード150が含まれて
いる。
ユニット110および140の機能部の最高度の信頼度
を保証するために、それらの状態がユニット110およ
び140の試験部110bおよび140bによってそれ
ぞれ連続的に監視されている。機能部110aの線11
8は送信器117を駆動するゲート116の出力信号を
連続的に受信するように接続されている。この線は抵抗
119およびインバータ120を介して端子121に接
続されている。したがって端子121はゲート116の
出力信号に対して相補的な信号を連続的に送出する。端
子121は他の公知のモニター回路に接続される。端子
111に与えられた制御入力と端子121の反転パルス
送信信号とが互いに位相が一致していなければ、このモ
ニター回路を使ってアラームを鳴らしたり、別の制御シ
ステムを起動したり、他の公知の機能を行なわせること
ができる。
線157によって形成されるタップが増幅器147とリ
レー148との間に設けられる。この線は′抵抗159
を介してナンド・ゲート164の一方の端子に接続され
ている。ナンド・ゲート164の他方の端子は発振器1
42に接続されている。
発振器142は遠隔位置にある電m143によって駆動
される。ゲート164の出力は第2の送信器165内の
発光ダイオード165aを駆動する。
第2のタップ156は、典型的には単一ループのコイル
であるが、これはリレー148の中で作られているので
リレーの状態を連続的に監視することができる。このタ
ップは抵抗160を介してナンド・ゲート163の一方
の端子に接続されている。ゲート163の使方の端子は
発振器142に接続されており、送信器165内の第2
の発光ダイオード165bを駆動する。
送信器117について述べたのと同様に、送信器165
は信号を発生し、この信号は受信器122によって検出
される。ゲート164に結合された発光ダイオードから
の光出力はレンズ138、石英管134、レンズ132
、フォトダイオードを介して線123に伝送される。同
様に、ゲート163の出力はレンズ139と石英管13
5を介してレンズ133で受信され、線124に結合さ
れたフォトダイオードを制御する。線123および12
4にはコンデンサ125および126が接続されて、前
述のコンデンサ145と同じ役割を果す。
次に受信器122の出力はコンデンサ125および12
6により増幅器127および128に容量結合され、増
幅器127および128は端子115および129を制
御する。129に与えられる信号は送出された制御信号
を正しく受信したことを表わし、端子115に与えられ
る信号はリレー148が正常に動作していることを表わ
す。端子115および129は端子121と同様に、モ
ニター装置に接続することができる。
下記の表1はユニット110および140の全体的な動
作を示している。
表1 15− 特に有利なことは、被制御機器を動作させることなしに
、端子111に制御信号を短時間すなわちミリ秒程度の
間印加することにより、ユニット110および140 
、ならびにその間のレンズと管130の正常な動作を検
証することができることである。このような試験を行な
うとぎ、試験部110b内の試験回路の出力(121,
129および115)はすべてその時間の間、状態を変
えなければならない。しかしパルス幅を適切に制御すれ
ば、通常かなり大きな質量の被制御機器は状態を変えな
い。したがって、高信頼度の物理的に分離された制御シ
ステムが提供される。この制御システムのすべての部分
が正常に動作しているかどうか絶えず監視される。この
制御システムは、それが正常に動作しているかオンライ
ンで試験することができる。
特に、本発明では、第1図乃至第5図に示すように、第
2の受信器140の改良形である分離されたリレー10
を提供する。リレー10はスイッチ60を閉成して20
00ワツトの電流をソレノ16− イド99に供給する。このソレノイド99は図示してな
い原子炉用の圧縮空気制御棒ドライバーの中の図示して
ない弁を作動する。炉心から制御棒を引き上げて原子炉
を働かせたいときは、スイッチ60が閉成されて、交流
がソレノイド99に供給されるので、バネ(図示してな
い)に打ちかって弁が開成状態に保たれる。緊急事態で
制御棒を炉心に入れなければならないとき、または原子
炉保護システムが何か他の状態で故障した場合には、接
点が開いてソレノイドへの電流が遮断され、バネ装荷弁
が圧縮空気を放出して制御棒を炉の中へ駆動する。
2つのリレー・スイッチ10があり、2つのソレノイド
の各々に電流を供給している。この2つのソレノイドは
1つの制御棒に至る圧縮空気ラインの中の夫々の弁を制
御する。1つのリレー10が本発明を構成している。2
個以上、3個以下のスイッチ接点が、両方のソレノイド
に対する電流を遮断して両方の弁を復旧させるために、
同時に開放しなければならない。4つのスイッチは原子
炉設備の4つの別々の「ディビジョン」によって、個別
に制御される。リレーの冗長構成によって、安全性が向
上するだけでなく、圧縮空気を放出して原子炉を[スク
ラム(scram ) Jすることなくリレーを個別に
試験することができる。名リレーはその制御ディビジョ
ンを制御器110からできるだけ分離して、通信は特定
の光信号13.38および96だけで行なわなければな
らない。
第1図の鎖線で仕切られた各部分をそれぞれ詳しく示す
第2図、第3図、および第4図において、特別な表示が
ない限りすべての容量値の単位はマイクロファラッド、
すべての抵抗値の単位はオームであり、抵抗の電力定格
は0.250Wである。
特に第2図において、リレー・スイッチ10はそのディ
ビジョンとユニット110からコンクリート壁11によ
って分離されている回路カード上にある。このコンクリ
ート壁11は第6図の領域(130)の中にあってガラ
スまたは石英の窓136が設けられており、この窓13
6を光パルス信号13が通過する。このパルス信号は光
に感応するトランジスタ14によって受信される。この
トランジスタは第6図の受信器144に相当するもので
ある。1−ランジスタ14はそのエミッタのリードl1
176に信号13の周波数を持つ電流を生じる。同調回
路77には、たとえば620マイクロヘンリーのインダ
クタンス・コイル15、たとえば3900ピコフアラツ
ドのコンデンサ16、ならびに5ボルトの電源が含まれ
ている。同調回路77の特性周波数は100キロヘルツ
である。
線76から同調回路77のトランジスタ17のベースに
与えられる100KH2のパルスにより、トランジスタ
17のコレクタに流れる電流がインダクタンス・コイル
15およびコンデンサ16と共振し、線18に増幅され
た100KH7の信号が生じる。同調回路77では最も
一般的な背景ノイズである60t−1zについての利得
が非常に小さく、またDC利得はない。たとえばo、o
oiマイクOファラッドのコンデンサ19によって、非
共振時間中にインダクタンス・コイル15を通って流れ
るDC電流が阻止される。
−] ソ − 発振器20は標準の位相ロック・ループのトーン・デコ
ーダであり、100 K l−I 2の入力信号にロッ
クして、7%よりも大きく変化する信号を除去し、その
出力21に100に+−(Zのクロッ゛り信号を発生す
る。発振器20が100KHzにロックしたときは、そ
の出力22にディジタル低レベル信号が発生し、ロック
されないときはディジタル高レベル信号が発生する。デ
ィジタル信号は反転シュミット・トリガー23を通って
線24に出る。線21の発振信号はレベル・シフター2
5を通って線26に出る。線24と26の信号はナンド
・ゲート27の入力となる。ナンド・ゲート27の出力
28には別の100Kl−1zの信号が生じるゎ線28
の信号は増幅器29によって増幅され反転される。この
ように素子23.25.27および29の作用は100
 K l−1zの信号の増幅、反転ならびに整形を行な
うことである。この信号は線30により相補型バイポー
ラ・トランジスタ31および32のベースに与えられる
。トランジスタ31は発振信号の高電圧部分を増幅する
のに対20− し、トランジスタ32は低電圧部分を増幅する。
その結果、発振信号が12ボルトに電力増幅されて、変
圧器34の入)〕33に与えられる。たとえば0.1マ
イクロフアラツドのコンデンサ87が整形増幅器で生じ
るDC電圧を除去する。変圧器34はコイル比が1:1
:1の「チョッパー」であり、変圧器の出力線35と3
6の間に別の12ボルトの発振信号が得られる。入力線
33の接地故障が変圧器によって隔離される。
赤外線発光ダイオード(LED)37は光パルス38を
送出して、変圧器34の出力を表示する。
L E、D 37は第6図のLED165aと類似して
いるが、全く同一ではない。LED37からの100 
K l−1z光パルス38は、正しい100Kt−1z
入力信号が受信されて、同調回路77、増幅整形素子2
3.25.27.29.31および32、ならびに隔離
用変圧器34を通過したことを検証している。光パルス
信号38は第6図の窓(134)を通って送出される。
ダイオード88は変圧器の出力極性が逆転したときにL
ED37を保護する。
線35と36の間の12ボルトの交流は全波整流ダイオ
ード・ブリッジ40に与えられる。ダイオード・ブリッ
ジ40のダイオード41および42のカソードは線50
に接続され、ダイオード43および44のアノードは線
51に接続されている。このようにして、線35と36
の間の12ボルトのAC信号は2つのダイオードの電圧
降下分だけ減少して整流され、線50に正のDC電圧1
0.6ボルト、線51に隔離されたアース電圧を生じる
線50の10.6ボルトの正電圧は線58に、第3図に
示す電界効果トランジスタ(FET)アレイ60用のタ
ーンオン電圧を生じる。第3図に示すように、アレイ6
0には2列のNチャンネルFFT61乃至64ならびに
67乃至70が含まれており、各列の中のトランジスタ
は並列に相互接続されている。各トランジスタ内部のド
レインにはダイオード72のカソードが接続され、ソー
スにはダイオード72のアノードが接続されている。好
ましい実施例においては、このトランジスタ/ダイオー
ドの組み合わせとしてインターナショナル・レフティフ
ァイヤー・カンパニー製の[ベックスフエツト(Hex
fet ) Jが用いられる。
アレイ60のずべてのFETのゲートはたとえば各々2
00オームの抵抗59を介して線58に接続され、ソー
スは隔離されたアース端子66に接続されている。ベッ
クスフエツトは非常に高速でターン・オンするので、複
数個並列接続されたときターン・オン電圧の差によって
ドレイン71および65に撮動が生じる。抵抗59は奇
生振動抑圧器として動き、この振動を防止する。FET
61乃至64のドレインは全てスイッチ接点端子65に
接続され、FET67乃至70のドレインは全て線71
に接続されている。線71は後述の電流検知変圧器80
を介してスイッチ接点75に接続されている。線58の
電圧が正で6ボルトを超える場合は、FETゲート群が
導通状態になり、スイッチ接点65と75の間の回路が
完成する。
これらの接点は第6図の端子152および15323− に対応している。線58と隔離された共通アース線51
との間のダイオード57(第2図)はへツクスフエツト
・ゲートを破損する恐れのある過大な過渡電圧を防止す
る。スイッチ接点を通る電流はソレノイド99(第1図
)を励磁して、圧縮空気ラインの図示してないバネ装荷
弁を閉じた状態にする。
光感応性トランジスタまたはフォトトランジスタ14へ
の100KHzの光入力信号を遮断覆ると、線58の電
圧が遮断されてFETが導通しなくなり、接点65と7
5を通る電流が遮断される。
この際、アレイ60のFETができるだけ速く接点65
と75を通る電流を遮断するようにすることが望ましい
。各FETのゲートには大きな容量があり、これを放電
してFETをターンオフしなければならない。これは第
2図のブリーダ抵抗48およびターンオフ回路49によ
って行なわれる。
一旦、変圧器34が線50と51の間の電流発生を停止
すると、たとえば10キロオームの抵抗48が線50の
容量を放雷し始める。ダイオード524− 2は線50から線58に正の電流を流す。線50したが
ってトランジスタ550ベースのリード線53の電圧が
線58に比べて約0.7ボルト低いとき、トランジスタ
55はそのエミッタ54および]レクタ56を介してア
ースへと導通し始め、FETのゲート端子の線58に残
っている約32゜000ビ]フアラツドの電荷を急速に
放電してFET (60)をターンオフする。
ダイオード95(第3図)はツェナー・ダイオードを背
中合わせにしたもので、降服電圧は約300ボルトであ
る。これらのダイオードはソレノイドで発生ずる誘導性
キック電圧がベックスフエツトの定格である400ボル
トを超えないようにする。ダイオード95は第6図のダ
イオード150に相当している。
FET (60)が導通しなくなったことの検証は第4
図の電流検知変圧器80によって行なわれる。この変圧
器には方形ループ特性の小さな磁心を使用している。線
71は変圧器80に3巻数を有する第1の巻線73によ
って出力接点75に接続されている。2000ワツトの
ソレノイドを通る正常電流、すなわち5アンペアより大
きい電流があると、変圧器80が飽和して変圧器として
働かなくなる。巻線82はたとえば0.10マイクロフ
アラツドのコンデンサ83とたとえば10キロオームの
抵抗84を介して第2図のレベル・シフター25からの
100KI−1zのクロック信号に接続されている。変
圧器80が飽和したとき、巻線82は入力線85で非常
に低いインピーダンスであり、巻線82からCMOSゲ
ート91に与えられる1 00KH2の電圧は論理「1
」とはならない。接点65と75を通って電流が流れて
いる間は、ゲート91からの出力はない。接点と巻線7
3を通る電流が止まると、変圧器80は変圧器として働
き始めて高インピーダンスのインダクタンスとなり、線
85と90の電圧が上昇し、CMOSゲート91は線8
5からの100KH2信号を通し始める。トリガー出力
線92の100 K H2信号はインバータ93によっ
て増幅され反転されてLED94を駆動する。LED9
4からの光パルス96が接点間の回路が断になったこと
を表示する。光パルス96は第3のガラス窓136(第
6図)を通してユニット110等の制御器に送られ、ス
イッチ接点の開放を表示する。LED94は第6図のL
ED165bに類似している。
100K)−12の信号が第2図のLED14に送られ
ている間にLED94が発光するということばカードの
誤動作を表わす。信号13がLED14に送出されてい
ないときにLED94が発光しないことも同様に誤動作
を表わす。
以上本発明の一実施について述べてきたが、この実施例
は本発明を説明するためのものであって本発明を限定す
るものではない。当業者には本発明の範囲を逸脱するこ
となくこのシステムに対して種々の変形を加え得ること
は明らかであろう。
たとえば、2つの物理的に分離されたユニットの間の通
信に無線信号等の手段を使うことができる。
本発明の範囲は請求範囲により決定される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す概略ブロック図27− である。第2図は第1図中の周波数検出回路と変圧器隔
離回路を示す回路図である。第3図は第1図中のスイッ
チすなわち隔離されたスイッチング素子を示す回路図で
ある。第4図は第1図中の電源と隔離された電流検知変
圧器を示す回路図である。第5図は緊急停止なしにユニ
ットの個別試験を行なうことができ、かつ電源の故障の
際にシステム全体をスクラムするための原子カシステム
内の回路カードの配置を例示する概略図である。第6図
は試験可能な光学的に分離された制御回路を示す概略図
である。 (符号の説明) 10・・・リレー・スイッチ、 15・・・インダクタンス・コイル、 16・・・コンデンサ、 17・・・トランジスタ、 18・・・100KHz信号線、 20・・・発振器、 21.22・・・発振器20の出力、 40・・・全波整流ダイオード・ブリッジ、28− 49・・・ターンオフ回路、 60・・・FETのアレイ(スイッチ)73・・・変圧
器80の第1の巻線、 80・・・電流検知変圧器、 82・・・変圧器80の第2の巻線、 97・・・周波数検出回路、 98・・・変圧器隔離回路。 特許出願人 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ代理人 (76
30)  生 沼 徳 二第1頁の続き 0発 明 者 デニス・ウニイン・ホーレンベツク アメリカ合衆国カリフォルニア 州すンノゼ・ドレル・ドライブ 903番 665−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)制御器から正確に交番する光信号によって制御さ
    れ、かつ該制御器に受信と動作の検証を表わす光出力信
    号を与えると共に、該制御器から実用的に最大限に分離
    されていて、隔離されたアース端子ならびに上記交番信
    号を整流してスイッチ接点制御電圧を発生する全波整流
    手段をそなえた形式の電子式リレー・スイッチに於いて
    、入力周波数検出回路、 ドレインのリード線が第1と第2の端子に接続され、ソ
    ースのリード線が上記の隔離されたアース端子の1つに
    接続され、ゲートのリード線が上記整流手段に接続され
    た′第1および第2の複数のへツクスフエツト・トラン
    ジスタを含むスイッチ素子、 上記整流手段と上記ゲートのリード線との間に接続され
    た高速ターンオフ回路、ならびに2つの巻線を持ち、そ
    の第1の巻線が上記第1および第2の端子の間に直列接
    続され、第2の巻線が上記隔離されたアース端子の1つ
    と上記入力)P波器との間に直列接続されていて、該第
    1の巻線の電流により該第2の巻線の電圧を制御し、こ
    の電圧で上記動作の検証を表わす光信号を制御するよう
    にした電流検知変圧器を含む動作検証手段を有すること
    を特徴とする電子式リレー・スイッチ。 (2、特許請求の範囲第(1)項記載の電子式リレー・
    スイッチに於いて、上記ターンオフ回路がPNPバイポ
    ーラ・トランジスタを含み、このトランジスタのコレク
    タが上記アース端子の1つに接続され、ベースとエミッ
    タがともに上記ゲートと上記整流手段との間に接続され
    ており、また上記ターンオフ回路はダイオードも含んで
    いて、このダイオードのカソードが上記エミッタに、ア
    ノードが上記ベースに接続されている、電子式リレー・
    スイッチ。 (3)特許請求の範囲第(1)項記載の電子式すレー・
    スイッチに於いて、上記周波数検出回路が同調形狭帯域
    通過入カー波器を含み、この入力−波器が、電気信号入
    力端子、出力端子、正の電圧源端子、アース端子、エミ
    ッタが上記アース端子に接続されベースが上記入力端子
    に接続されコレクタが上記出力端子に接続されたNPN
    バイポーラ・トランジスタ、ならびに上記電圧源端子と
    上記コレクタとの間に並列接続されたインダクタンス・
    コイルとコンデンサの回路網で構成されており、上記イ
    ンダクタンス・コイルとコンデンサの特性周波数が約1
    00KH2であり、上記入力端子に100KH2信号が
    印加されたときに上記トランジスタが上記回路網と共振
    動作を行なって上記出力端子に100KI−1zの信号
    を発生する、電子式リレー・スイッチ。 (4)特許請求の範囲第(3)項記載の電子式リレー・
    スイッチに於いて、上記周波数検出回路が更に、上記同
    調回路の出力端子に接続された発振器入力、発振器ディ
    ジタル出力端子、発振器クロック出力端子、ならびに発
    振器入力の100KH− Zの信号にロックし、100KHzよりも7%を超えて
    変化する信号を除去すると共に上記ディジタル出力端子
    に当該発振器がロックされたか否かを表わす高レベルと
    低レベルの論理信号を送出し、ロックされたときは上記
    クロック出力端子に100KHzの信号を送出する位相
    ロック・ループ発振器を有している、電子式リレー・ス
    イッチ。
JP58213415A 1982-11-15 1983-11-15 電子式リレ−・スイツチ Pending JPS59112398A (ja)

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US442395 1982-11-15

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KR (1) KR840006858A (ja)
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ES (1) ES8608189A1 (ja)
IT (1) IT1167584B (ja)
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SE8305382L (sv) 1984-05-16
IT1167584B (it) 1987-05-13
DE3340611A1 (de) 1984-05-24
SE8305382D0 (sv) 1983-09-30
DE3340611C2 (de) 1984-12-13
SE452536B (sv) 1987-11-30
US4495655A (en) 1985-01-22
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