JPS59111027A - 温度測定方法 - Google Patents
温度測定方法Info
- Publication number
- JPS59111027A JPS59111027A JP57221169A JP22116982A JPS59111027A JP S59111027 A JPS59111027 A JP S59111027A JP 57221169 A JP57221169 A JP 57221169A JP 22116982 A JP22116982 A JP 22116982A JP S59111027 A JPS59111027 A JP S59111027A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- light
- detection element
- light source
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K11/00—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00
- G01K11/12—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using changes in colour, translucency or reflectance
- G01K11/18—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using changes in colour, translucency or reflectance of materials which change translucency
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K11/00—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00
- G01K11/12—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using changes in colour, translucency or reflectance
- G01K11/14—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using changes in colour, translucency or reflectance of inorganic materials
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体光学結晶の光吸収が温度に依存するこ
とを利用して温度測定を行なう光学的温度測定方法に関
する。
とを利用して温度測定を行なう光学的温度測定方法に関
する。
この種の光温度測定装置には、一般に使用可能な温度が
広範囲に選べ、かつ使用温度範囲において長期信頼性を
確保することか望まれでいる。
広範囲に選べ、かつ使用温度範囲において長期信頼性を
確保することか望まれでいる。
従来提案されている光温度測定装置とし°Ｃは、大別し
で、■放射温に計に九７アイパを接続しこの元ファイバ
によって測定対象の放出する熱梧射線を伝達させるもの
、■温度によって何らかの形で光の伝搬状態が変化する
検出素子を有し、測定対象に接触させ光ファイバを介し
°Ｃ温胤により変調された信号光を伝達する接触型のも
のかある。
で、■放射温に計に九７アイパを接続しこの元ファイバ
によって測定対象の放出する熱梧射線を伝達させるもの
、■温度によって何らかの形で光の伝搬状態が変化する
検出素子を有し、測定対象に接触させ光ファイバを介し
°Ｃ温胤により変調された信号光を伝達する接触型のも
のかある。
［Ｆ］の型式の温度測定装置とおいでは、一般に赤外吸
収のため測定可能ｆｉ ｍ Ｋ範囲は約５００°Ｃ以上
とＩより、高温の測定には通するが、工業計測の領域で
ある５００υ以下では楕紘か悪い。
収のため測定可能ｆｉ ｍ Ｋ範囲は約５００°Ｃ以上
とＩより、高温の測定には通するが、工業計測の領域で
ある５００υ以下では楕紘か悪い。
■の接触型温度測定装置には、現在まで次のような方式
が報告されている。（ａ）バイメタルまたは熱電対起磁
力により光を遮断して伝送パワーを変えるもの。（ｂ）
複屈折性結晶の温度依存性を利用するもの。（Ｃ）液晶
の屈折率温度低存性を利用するもの。（ｄ）燐光物質か
らの各励起光強度か温度によって異なる現象を利用する
もの。（ｅ）光吸収の温度依存在を利用するもの。これ
らの方式を利用した光臨ＪＥ測定装置においては、検出
器を構成する検出素子、各棟光学部品、スペーサ・ケー
ス等の構造部品の耐熱性１機械的安定性等に問題かあり
、現任まで実現あるいは提案されている光温度測定装置
の使用温度測定装置の使用温度上限はほぼ３５０°Ｃに
とどまつでいる。
が報告されている。（ａ）バイメタルまたは熱電対起磁
力により光を遮断して伝送パワーを変えるもの。（ｂ）
複屈折性結晶の温度依存性を利用するもの。（Ｃ）液晶
の屈折率温度低存性を利用するもの。（ｄ）燐光物質か
らの各励起光強度か温度によって異なる現象を利用する
もの。（ｅ）光吸収の温度依存在を利用するもの。これ
らの方式を利用した光臨ＪＥ測定装置においては、検出
器を構成する検出素子、各棟光学部品、スペーサ・ケー
ス等の構造部品の耐熱性１機械的安定性等に問題かあり
、現任まで実現あるいは提案されている光温度測定装置
の使用温度測定装置の使用温度上限はほぼ３５０°Ｃに
とどまつでいる。
このように、現状で工業計測において最もＮ要および用
途の多い中低温領域において満足出来る性能を有する温
度計測装置はほとんど見当らない。
途の多い中低温領域において満足出来る性能を有する温
度計測装置はほとんど見当らない。
比較的構造がＴＩ＊ｙ単で実用に近いものとして＠の光
吸収方式があり、特に半導体のエネルギーバンドギャッ
プの温度変化を利用するものが供されてい゛る。光源と
しては生として半導体レーザが用いられ、ｊ′ｔ、源の
スペクトルと合う光学吸収端波長を持つ半導体または化
合物半導体か選択される。代表的な例としてはＧａＡＳ
７たはＯｄ Ｔ ｅとＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ（〜
０．８μｍ）との組み合わせがある。
吸収方式があり、特に半導体のエネルギーバンドギャッ
プの温度変化を利用するものが供されてい゛る。光源と
しては生として半導体レーザが用いられ、ｊ′ｔ、源の
スペクトルと合う光学吸収端波長を持つ半導体または化
合物半導体か選択される。代表的な例としてはＧａＡＳ
７たはＯｄ Ｔ ｅとＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ（〜
０．８μｍ）との組み合わせがある。
しかし、これらの組み合わせでは光源スペクトル幅との
関係から測定温度上限はそれぞれ２００’Ｏ。
関係から測定温度上限はそれぞれ２００’Ｏ。
３００℃と限定される。その上、これらの化合物半導体
は３００℃以上の温度領域で固浴体領域が存在し、長期
安定性に問題かある。
は３００℃以上の温度領域で固浴体領域が存在し、長期
安定性に問題かある。
本発明は、上述の欠点を除去しで、よりコストの安い、
信頼性のある光温度測定方法を提供することを目的とす
る。本発明は、前記（ｅ）光吸収の温度依存性を利用す
るもので、＠度検出素子として４元化合物半導体０ｄＩ
ｎＧａＳ４を使用することを特徴とする。本発明者等が
檀々の研究および実験を重ねた結果、４元化合物半導体
０ｄｌｎＧａ８４を使用することで、広い温度範囲にわ
たって安定かつ１ぎ頼性ある光温度測定装置を構成する
ことが出来ることが見出された。０ｄＩｎＧａＳ４はブ
リッジマン法で容易に良質の層状単結晶を得ることが出
来る。
信頼性のある光温度測定方法を提供することを目的とす
る。本発明は、前記（ｅ）光吸収の温度依存性を利用す
るもので、＠度検出素子として４元化合物半導体０ｄＩ
ｎＧａＳ４を使用することを特徴とする。本発明者等が
檀々の研究および実験を重ねた結果、４元化合物半導体
０ｄｌｎＧａ８４を使用することで、広い温度範囲にわ
たって安定かつ１ぎ頼性ある光温度測定装置を構成する
ことが出来ることが見出された。０ｄＩｎＧａＳ４はブ
リッジマン法で容易に良質の層状単結晶を得ることが出
来る。
さらに簡単な気相成長法で光学的に均一なノー状単結晶
が得られ、膜厚を任意にコントロールすることが出来、
研磨の工桿無しで所定の温度検出素子が得られる長所が
ある。
が得られ、膜厚を任意にコントロールすることが出来、
研磨の工桿無しで所定の温度検出素子が得られる長所が
ある。
８１図に０ｄＩｎＧａＳ４０）光吸収スペクトル、ｐ、
２図にスペクトルから求まるエネルギー書ギャップの温
度変化を示す。＃４１図に示すように、ある温ＦＴで２
ｇ（Ｔ） ＝ １．２４７ＥｇＣＴ） テ与エラｎ ル
エネルギー・ギャップＥｇ（Ｔ）に対応する波長λｇ（
Ｔ）を吸収端として、２ｇ（Ｔ）より短い波長域の光に
対して急激にその吸収係数αが増大する。吸収領域は第
１図に示すように５００〜６００ｎｍの間の可視光領域
であり、ｍＫか上昇するにつれて吸収端λｇ（Ｔ）はは
長波長側へ移行する。その依存性は第２図のエネルギー
・ギャップの温度変化に対応する。ＧａＡ ｓでは一１
５０℃以上で直線的に変化することが知られでいるか、
本発明による０ｄＩｎＧａＳ４ではＭ２図に示すように
一２００υ以上で直線的ζこ変化する。
２図にスペクトルから求まるエネルギー書ギャップの温
度変化を示す。＃４１図に示すように、ある温ＦＴで２
ｇ（Ｔ） ＝ １．２４７ＥｇＣＴ） テ与エラｎ ル
エネルギー・ギャップＥｇ（Ｔ）に対応する波長λｇ（
Ｔ）を吸収端として、２ｇ（Ｔ）より短い波長域の光に
対して急激にその吸収係数αが増大する。吸収領域は第
１図に示すように５００〜６００ｎｍの間の可視光領域
であり、ｍＫか上昇するにつれて吸収端λｇ（Ｔ）はは
長波長側へ移行する。その依存性は第２図のエネルギー
・ギャップの温度変化に対応する。ＧａＡ ｓでは一１
５０℃以上で直線的に変化することが知られでいるか、
本発明による０ｄＩｎＧａＳ４ではＭ２図に示すように
一２００υ以上で直線的ζこ変化する。
さらに温度変化率は約Ｕ、１６ｎｒｎ／ ｄｅｇで、（
ｌａＡｓの値の約半分であり、広い温ｆ頗域での温度測
定が可能となる。本発明における０ｄＩｎＧａＳ４は５
００”０以上の高温で安定であり、酸化、吸湿性の反応
も示さず長期安定性を保持する。
ｌａＡｓの値の約半分であり、広い温ｆ頗域での温度測
定が可能となる。本発明における０ｄＩｎＧａＳ４は５
００”０以上の高温で安定であり、酸化、吸湿性の反応
も示さず長期安定性を保持する。
第３図に本発明による方法を実施するための透過型光温
度測定装置を示す。光源１より出射した光は光ファイバ
２を経て４元化合物牛導体０ｄＩｎ−ＧａＳ４温度検出
素子３に入射する。広い温度領域測定には光源１として
白色光を用いる。光源出射部にフィルターを押入するこ
とで任意の温度範囲を設定することも可能である。また
、発光ダイオードや半導体レーザを使用することで、狭
い温度領域の梢密測定も可能である。温度検出素子３は
、熱伝導の良い材料（図示されでいない）に密着され、
温度の応答性を良くしである。検出素子３を透過した光
は元ファイバ２０７ｉ−経て受光器４で受光される。光
源変動を補償Ｔるため、光源１からの光を直接受光器５
で受け、その出力と受光器４の比を（Ｎ号処理ｓ６で求
める。さらに信号処理部６ではその信号出力を温度に変
侯し、温度表示部７で温度の値が衣示される。
度測定装置を示す。光源１より出射した光は光ファイバ
２を経て４元化合物牛導体０ｄＩｎ−ＧａＳ４温度検出
素子３に入射する。広い温度領域測定には光源１として
白色光を用いる。光源出射部にフィルターを押入するこ
とで任意の温度範囲を設定することも可能である。また
、発光ダイオードや半導体レーザを使用することで、狭
い温度領域の梢密測定も可能である。温度検出素子３は
、熱伝導の良い材料（図示されでいない）に密着され、
温度の応答性を良くしである。検出素子３を透過した光
は元ファイバ２０７ｉ−経て受光器４で受光される。光
源変動を補償Ｔるため、光源１からの光を直接受光器５
で受け、その出力と受光器４の比を（Ｎ号処理ｓ６で求
める。さらに信号処理部６ではその信号出力を温度に変
侯し、温度表示部７で温度の値が衣示される。
次に、本発明による方法を実施するための反射型光温度
測定装置を第４図に示す。光源１より出射した光は、元
ファイバ２、ビーム・スプリッタ８、光ファイバ２０を
経て４元化合物半導体０ｄＩｎＧａＳ４温度検出素子３
に入射する。温度検出素子３の一面に設けられた反射膜
３０で反射された光は、再度、温度検出素子３および光
ファイバ２０を通り、ビーム時スプリッタ８で反射され
、光ファイバ２１を経て受光器４で受光される。受光器
４から後の処理は第３図の実施例の場合と同様である。
測定装置を第４図に示す。光源１より出射した光は、元
ファイバ２、ビーム・スプリッタ８、光ファイバ２０を
経て４元化合物半導体０ｄＩｎＧａＳ４温度検出素子３
に入射する。温度検出素子３の一面に設けられた反射膜
３０で反射された光は、再度、温度検出素子３および光
ファイバ２０を通り、ビーム時スプリッタ８で反射され
、光ファイバ２１を経て受光器４で受光される。受光器
４から後の処理は第３図の実施例の場合と同様である。
第′３図および第４図の実施例の変形としで、温度変化
を光強度に変換するのでなく、光吸収波長を直接読み取
り温度に換算することが出来る。第５図に透過型光温度
測定装置、第６図に反射型光１度側足装置の構成例を示
す。構成は第３図および第４図の実施例の場合とほとん
ど同様であるが、受光器４に入射する入射光は分波器９
で分けらヘ一方は受光器４に他方は分光器４０に入射す
る。
を光強度に変換するのでなく、光吸収波長を直接読み取
り温度に換算することが出来る。第５図に透過型光温度
測定装置、第６図に反射型光１度側足装置の構成例を示
す。構成は第３図および第４図の実施例の場合とほとん
ど同様であるが、受光器４に入射する入射光は分波器９
で分けらヘ一方は受光器４に他方は分光器４０に入射す
る。
また、光源震動を補償するため、光源１からの光を直接
受光器５で受け、その出力と受光器４の比を１８号処理
部６で求め、表示部７０に出力か直接表示される。出力
を常に一定に保つように分光器４０の波長を変換し、そ
の時の波長の値が温度に変換され温度表示部７に表示さ
れる。
受光器５で受け、その出力と受光器４の比を１８号処理
部６で求め、表示部７０に出力か直接表示される。出力
を常に一定に保つように分光器４０の波長を変換し、そ
の時の波長の値が温度に変換され温度表示部７に表示さ
れる。
以上説明した４元化合物半導体０ｄＩｎ（ｊａｓ４を温
度検出素子として使用した本発明による光温度測定方法
は、従来の方法に比べ次の優れた利点がある。
度検出素子として使用した本発明による光温度測定方法
は、従来の方法に比べ次の優れた利点がある。
（１） ０ｄＩｎＧａＳ４は高温で安定で、長期信頼に
優れている。
優れている。
（υ０ｄＩｎＧａ８４は広い温度範囲で安定である。
（３） ０ｄＩｎＧａＳ４は容易に良質の単結晶を得る
ことが出来で安価であり、素子化が容易である。
ことが出来で安価であり、素子化が容易である。
（４） ０ｄＩｎＧａＳ４は気相成長法により平面度の
良い良質の箔状単結晶を育成することが出来るので、研
磨加工の必要が無い。
良い良質の箔状単結晶を育成することが出来るので、研
磨加工の必要が無い。
（５）白色光光源を用いることで広い温に範囲の測定が
出来る。さらにフィルターを用いることにより測定温度
範囲を設定出来る。
出来る。さらにフィルターを用いることにより測定温度
範囲を設定出来る。
第１図は４元化合物半導体０ｄＩｎＧａ８４の光吸収係
数のスペクトラムの温度変化を示す図、第２図は４元化
合物半導体０ｄＩｎＧａＳ４の光吸収端エネルギーギャ
ップの温度変化を示す図、第３図ないし第６図は本発明
による＠度側定方法を実施するためのそれぞれ異なる実
施例の概略構成図である。 」：光源、２ 、２０ 、２１ ニーｇ、フーｙイハ、
３：４元化合物０ｄＩｎ（）ａｓ４温度検出素子、４，
５：受光器、６：信号処理部、７：温此表示部、８：ビ
ームスプリッタ、３ｏ：反則膜、４ｏ：分光器、７ｏ：
、出力表示部。 ｆ １ 剥 す ２ 目 ｆ ４ 目
数のスペクトラムの温度変化を示す図、第２図は４元化
合物半導体０ｄＩｎＧａＳ４の光吸収端エネルギーギャ
ップの温度変化を示す図、第３図ないし第６図は本発明
による＠度側定方法を実施するためのそれぞれ異なる実
施例の概略構成図である。 」：光源、２ 、２０ 、２１ ニーｇ、フーｙイハ、
３：４元化合物０ｄＩｎ（）ａｓ４温度検出素子、４，
５：受光器、６：信号処理部、７：温此表示部、８：ビ
ームスプリッタ、３ｏ：反則膜、４ｏ：分光器、７ｏ：
、出力表示部。 ｆ １ 剥 す ２ 目 ｆ ４ 目
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体光学結晶の光吸収が温度ｌこ依存することを
利用して温度測定を行なう測定方法において、前記半導
体として４元化合物半導体０ｄＩｎＧａＳ４を用いるこ
とを特徴とする温度測定方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の測定方法において、温
度変化に伴なって、前記半導体の光透過強度が変化する
ことを利用することを特徴とする温度測定方法。 ３）特許請求の範囲第１項記載の測定方法においで、貌
に変化に伴なって、前記半導体の光吸収波長が変化する
ことを利用することを特徴とする温に測定方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57221169A JPS59111027A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 温度測定方法 |
| EP83112420A EP0111853B1 (en) | 1982-12-17 | 1983-12-09 | Temperature measuring apparatus |
| DE8383112420T DE3376032D1 (en) | 1982-12-17 | 1983-12-09 | Temperature measuring apparatus |
| US06/562,881 US4671651A (en) | 1982-12-17 | 1983-12-19 | Solid-state optical temperature measuring device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57221169A JPS59111027A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 温度測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59111027A true JPS59111027A (ja) | 1984-06-27 |
| JPH0151933B2 JPH0151933B2 (ja) | 1989-11-07 |
Family
ID=16762549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57221169A Granted JPS59111027A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 温度測定方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4671651A (ja) |
| EP (1) | EP0111853B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59111027A (ja) |
| DE (1) | DE3376032D1 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61133826A (ja) * | 1984-12-04 | 1986-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 光計測装置 |
| FI860632A (fi) * | 1986-02-12 | 1987-11-18 | Soundek Oy | Fiberoptisk temperaturalarm. |
| US4790669A (en) * | 1986-04-08 | 1988-12-13 | Cv Technology, Inc. | Spectroscopic method and apparatus for optically measuring temperature |
| US4841150A (en) * | 1987-12-28 | 1989-06-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Reflection technique for thermal mapping of semiconductors |
| US4890933A (en) * | 1988-02-17 | 1990-01-02 | Itt Corporation | Transmission method to determine and control the temperature of wafers or thin layers with special application to semiconductors |
| US5167452A (en) * | 1988-02-17 | 1992-12-01 | Itt Corporation | Transmission method to determine and control the temperature of wafers or thin layers with special application to semiconductors |
| US5098199A (en) * | 1988-02-17 | 1992-03-24 | Itt Corporation | Reflectance method to determine and control the temperature of thin layers or wafers and their surfaces with special application to semiconductors |
| GB2216652B (en) * | 1988-03-09 | 1992-09-02 | British Aerospace | Apparatus and method for determining the wavelength of optical radiation and optical apparatus employing said apparatus and method |
| GB2238868A (en) * | 1989-11-22 | 1991-06-12 | Res Corp Technologies Inc | Silicon wafer temperature measurement by optical transmission monitoring. |
| US5221142A (en) * | 1991-05-20 | 1993-06-22 | Peak Systems, Inc. | Method and apparatus for temperature measurement using thermal expansion |
| DE19654773C1 (de) * | 1996-12-31 | 1998-04-23 | Schott Glaswerke | Verfahren und Vorrichtung zur betrieblichen Messung der Temperatur in mindestens einer Kochzone eines Kochfeldes mit einer Glaskeramikplatte |
| US6116779A (en) * | 1997-03-10 | 2000-09-12 | Johnson; Shane R. | Method for determining the temperature of semiconductor substrates from bandgap spectra |
| US6595685B2 (en) * | 1998-10-13 | 2003-07-22 | National Research Laboratory Of Metrology | Method and apparatus for measuring thermophysical properties |
| US6168311B1 (en) * | 1998-10-13 | 2001-01-02 | Checkpoint Technologies Llc | System and method for optically determining the temperature of a test object |
| US7234862B2 (en) * | 2000-10-13 | 2007-06-26 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for measuring temperatures of a wafer using specular reflection spectroscopy |
| WO2003081193A1 (en) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | Council Of Scientific And Industrial Research | Intensity modulated fiber optic temperature switching immersion probe |
| US6776522B2 (en) | 2002-10-09 | 2004-08-17 | Steven J. Syracuse | Apparatus and system for monitoring temperature of high voltage conductors |
| US7951632B1 (en) * | 2005-01-26 | 2011-05-31 | University Of Central Florida | Optical device and method of making |
| US8277119B2 (en) * | 2006-12-19 | 2012-10-02 | Vibrosystm, Inc. | Fiber optic temperature sensor |
| US9395251B2 (en) | 2009-09-30 | 2016-07-19 | Imagineering, Inc. | Temperature sensitive body, optical temperature sensor, temperature measurement device, and heat flux measurement |
| US8629411B2 (en) | 2010-07-13 | 2014-01-14 | First Solar, Inc. | Photoluminescence spectroscopy |
| US11359972B2 (en) * | 2020-09-15 | 2022-06-14 | Applied Materials, Inc. | Temperature calibration with band gap absorption method |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU574631A1 (ru) * | 1975-07-22 | 1977-09-30 | Предприятие П/Я В-2763 | Устройство дл измерени температуры в электрических аппаратах |
| US4140393A (en) * | 1976-02-23 | 1979-02-20 | University Of Arizona | Birefringent crystal thermometer |
| US4136566A (en) * | 1977-06-24 | 1979-01-30 | University Of Utah | Semiconductor temperature sensor |
| US4355910A (en) * | 1979-01-22 | 1982-10-26 | Rockwell International Corporation | Method and apparatus for an optical sensor utilizing semiconductor filters |
| SE431259B (sv) * | 1979-10-10 | 1984-01-23 | Asea Ab | Fiberoptisk temperaturgivare baserad pa fotoluminiscens hos ett fast material |
| US4338516A (en) * | 1980-09-12 | 1982-07-06 | Nasa | Optical crystal temperature gauge with fiber optic connections |
| JPH111437A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Horiuchi:Kk | モズクエキスの製造方法 |
-
1982
- 1982-12-17 JP JP57221169A patent/JPS59111027A/ja active Granted
-
1983
- 1983-12-09 EP EP83112420A patent/EP0111853B1/en not_active Expired
- 1983-12-09 DE DE8383112420T patent/DE3376032D1/de not_active Expired
- 1983-12-19 US US06/562,881 patent/US4671651A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0111853B1 (en) | 1988-03-16 |
| JPH0151933B2 (ja) | 1989-11-07 |
| DE3376032D1 (en) | 1988-04-21 |
| US4671651A (en) | 1987-06-09 |
| EP0111853A2 (en) | 1984-06-27 |
| EP0111853A3 (en) | 1984-07-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59111027A (ja) | 温度測定方法 | |
| Jellison Jr et al. | Optical functions of silicon at elevated temperatures | |
| Hopman et al. | Quasi-one-dimensional photonic crystal as a compact building-block for refractometric optical sensors | |
| US7327472B2 (en) | High temperature, minimally invasive optical sensing modules | |
| TW202217253A (zh) | 使用通過光學干涉儀的光學信號傳輸之溫度測量系統及方法 | |
| Riza et al. | Harsh environments minimally invasive optical sensor using free-space targeted single-crystal silicon carbide | |
| Zhao et al. | A fiber ring cavity laser temperature sensor based on polymer-coated no-core fiber as tunable filter | |
| Nagakubo et al. | Temperature behavior of sound velocity of fluorine-doped vitreous silica thin films studied by picosecond ultrasonics | |
| Sitter et al. | Exact determination of the real substrate temperature and film thickness in vacuum epitaxial growth systems by visible laser interferometry | |
| US11815404B2 (en) | High accuracy frequency measurement of a photonic device using a light output scanning system and a reference wavelength cell | |
| KR101187057B1 (ko) | 간섭형 전기광학센서 및 그 측정 시스템 | |
| JP2967637B2 (ja) | レーザ干渉計測装置 | |
| Zhang et al. | High-temperature Bragg grating waveguide sensor | |
| SU499508A1 (ru) | Устройство дл измерени температуры | |
| CN114608719B (zh) | 一种高温物体的激光测温装置 | |
| RU2272259C1 (ru) | Волоконно-оптический термометр | |
| Rottschalk et al. | Temperature dependence of the extraordinary refractive index in proton exchanged LiNbO3 waveguides | |
| JPS6190032A (ja) | 圧力測定装置 | |
| Kutas et al. | Terahertz quantum sensing with visible light | |
| SU811121A1 (ru) | Абсорбциометр | |
| JPS627484B2 (ja) | ||
| Chumack et al. | Optothermal characterization of AszS3 chalcogenide glasses | |
| Zhang et al. | Wide range periodic waveguide temperature sensor | |
| Komma et al. | Thermo-optic coefficient of silicon at 1550 nm at low temperatures | |
| JPS58135928A (ja) | 光学式温度測定器 |