JPS5897346A - 組織用のガス濃度測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本ｉｌｉ明はゲートｍａｔ麿電界着単トランリスタ構ｆ
Ｅを有する半導体の水嵩イオンセンサを用いた組織用の
ガス濃度測寛装寓に関するものである。（本発明でいう
組織とは生体の筋肉１表皮、皮下ｌｌ肪等會０う） 近年医学分針において、生体中のガス製置を調定するこ
とがｍｓ視されはじめている。例えば麻酔患者やム症患
者あるいは回復室の車首の皇中炭敵ガス濃度の継続的な
＃Ｉ疋が緊急事−の発見に役立っている。このような目
的には組ＩＩｋ、あるいは血管内に挿入して用いること
のできるーめで小さいガス濃度絢定装置が必要とされる
。

本発明者らは上記目的のために半導体の水素イオンセン
サを用いたガス濃度調定装置ｌＩｌｆＩｆｔＭ紹５６−
２５４４号にＩＩＪＩＩした。かかる装置は嬉１−に示
すように半導体０水嵩イオンセンサ２１の表−にムｇ−
４ｇＣ４層５１をゲート部に近接して蒸着ａ乙Ｏセンサ
を一本Ｏ菅４０の内部にセンサＯゲート＠２２がＩＩＯ
先端に位置するように収容して。

センサと匂−ムｇ０４に接続したり一部ｉｌｌ　Ａ　Ｓ
を管に沿って延在させるとともに、上記リード線接続部
と管の円ａｉｍに電気絶縁樹１ｆ１１０を充填して管の
先端を閉塞し、さらに電解液を含む親木性ポリマー４ｓ
をセンサのゲート一応躾と妬−ムｇｃｊ　〇一部にまた
がるように被債し、その上にガス遥遥性膜４４ｊｉ−被
覆している。この装置は小麿化により電気抵抗が高くな
るという従来のガラス電極や一体電極の欠点を解消した
ものであり、特に血管中に一人して用いるのに適した装
置である。しかしこの被電は烏圧蒸気滅面を行うと実用
上全く使用本部となる場合が多く、またこの装置を組織
、とくに筋組織中番ζ挿入してガス濃度を測定する揚台
、＃＋１＃ＩＡ性のある測定細事が得られ難く実用上間
部であった。

本発０８者らは上記問題点はいづれも装置の形状に起因
するものと考え、更に鋭意検討した結畢本発明に到達し
たものである。すなわち本発明は先端に針ｆ有するｅｕ
ＩＩａ管の側壁に設けた開孔部に半導体の水素イオンセ
ンサと比較電−を収春して、リード線を管の後端に設け
たコネクタビンに接続し、かつ上記開孔部とセンサのゲ
ート部及び比較電極の一部で外部空間を形成するよう、
この管及びコネクタビン壁で形成さｒＬ２６内部空間に
電気絶縁性−膳を充填するとともに、この外部空間に電
解漱を含む親水性ポリマーを充填し、かつ少くとも上記
開孔をガス透過性膜で被覆した組織用のガス濃に測定装
置である。

本発＠Ｏ特徴は、先端に針を有する酊挑管の側壁に設け
た開孔部にセンサと比歓電ｉｋを収容したご仁にある。

かかる特徴により、生体組織の損傷ｆｌｌｋ小眼に保っ
た試聴でセンサのｌ１１１Ｉｋ中への挿入を行なうこと
及びセンサ部と生体組織のＩ！Ｉ曹＆を烏めることがＯ
Ｊ能となり、そのことによってはじめて自然な生体組織
中のガス濃度を再現性よく測定することが可能となった
。

本発明Ｏ他の特徴はセンサと比歓電−とコネクタビンＯ
リードｍ接結部を樹脂に完全に埋め込んだことにある。

かかる特徴暑こより高温の条件下においてもリード線の
軟結部が外れたり、リード線間がショートしたりするこ
とがなくｖｔｗｘｏｒｔｍ久性を着しく向上させること
が可能となったのである。

上記装置は、さらに管の先端からコネクタ調に補強用の
芯縁を延在させることが好ましい１．かかる芯縁により
雷と針とを容易に連結することが可能となり、かつ＾温
条件下でＯｗＯ変形を防止すると°と・ができるととも
に管方向の引っ張り強度が向上し、かつセンサの破損を
も防止することができたのである。

次に本発明装置の一実施例を回向にて説明する。

第２ｔＩＡは本発明装置に用いるｐｋ１ｍ応の半導体セ
ンサ２１０−例を示す平面図である。このセンサ２１は
％例えば−０，４■、長さ５〜４−の細長形状のもので
、一端部にゲート部２２を、他端部にドレイン端子２５
、ソース端子２４を具える。ゲート部２２は＠Ｓ図に第
２図の八−入断面図を示すように、シリコン基板２５に
ドレインＫｉｋｌＨＩＲ２６及びソース拡散領域２７を
形成し全体を飯化１１２９及び表向安定化膿６０で順次
に被覆して４１１成する。

この表向安定化膿３０には窒化シリコン（８ｔｉＮ４）
。

アルミナ（ムｊ２０ｍへ五酸化タンタル（Ｔａ２０ｇ　
）などの膿の一つが利用でき、上記膿を有するセンサは
水素イオンに感応する。

第４図は上記センサ２１のゲート部２２に近接して、比
軟電ｆｋ５１を半導体イオンセンサ上に接着した例を示
す平向図である。この比較電極３１は、第５図に＄４図
ＱＢ−Ｂ断自図で示すように、例えば［５２及び塩化銀
５５で＃＃属されでいる。

上記ムｇ−ムｇＣ４はｌＩＡ看とメッキ及び電解により
作表することができる。しかしながら纏常銀はイオンセ
ンサの表向安定化膿６ｏとのＭ＆着性が―いため嫁と表
向安定化層との間にそのどちらにも良く接着する接１＃
層５４を設けることが好ましい、ζ。

の接着層５４としては、例えば表向安定化層が窒化シリ
コンの場合クロム、クロム銅、ニッケル等を用いること
ができる。２８はチャネルストッパ層である。上述のｗ
ｉ化シリコンＮａ５Ωに設けた接着−３４及びムｇ−ム
ｇＣ１層５２．Ａｓの厚さはセンサＯ安定性、耐久性に
大きな影響を与える。そのため適化シリコン３０上に設
けられる接着層５４の廖みは１００〜１．ｏｏｏ　Ａが
好ましい０接層層の厚みが１００１以下では接着１ｍの
接着５１ｂ來が不十分である。またｉ、ｏｏｏＸ以上で
は接着層の島着時聞を長くするのみで何ら利点がないば
かりでなく、熱的なひずみによりはがｎやすくなる。ま
た接着層上に設けらｎる銀＠　５２　Ｑ厚さ及び塩化銀
＠　５５Ｏ廖さは、あまり薄いとセンサの作表直後には
正冨に作動しても長時聞保存後には測定が不安定でドリ
フトが激しく使用が不可能となる。したがって充分な耐
久性を得るには銀層の厚さを６μ以ム、ムｇＣ４の厚さ
を１μ以上とすることが好ましい。趨−ムｇＣｊ層は例
えばセンサ表両の８ｉ１Ｎ４層上にクロム層を薄く蒸着
した後、その上に銀層を蒸着あるいはメッキにより設け
これを、さらにＮｉＡｌ１液中でムｇ―を鋤−にして電
解を行なうことにより銀層の表向が塩素化されてムｇ−
ムｇＣｊ比較電極を作製することができる。特に銀層を
厚くする場合にはまず＊！ｉ−法によってうすい銀層を
作りその上にメッキ法によって十分な厚みＯ銀層憂形威
させることが好ましい。また比較電極Ｏ１＃状及び配置
も重装でゲート部と比較電極間Ｏ距１ｉＬ（第５図）が
大きいと誘導＃Ｃよるノイズをひろいやすくなるのでゲ
ート部と比較電極Ｃ）＠の距ｌＩＬは２■以下にするこ
とが好ましい。との電層が２−以下ではノイズは実用上
全く問題がない。比較電極のリード縁縁１１部とセンサ
のゲート部間との短絡を防ぐため比較電極はセンサの形
状と鈎嫌０ＩＩＩＪＡｎｃ状の形状とし、その端部にリ
ード線を接続して、ゲート部とリード線接続部との閾の
距謙をｏＪ馳な限り大きくすることが好ましい。

ｗ１６図は本発明のガス濃＆測定装鳳の１ＩＩＩ成を示
−すａＳｖＩｋ向因である。この装置はポリエチレン。

ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン。

シリコン、ナイロン１１．ポリ塩化ビニル、ポリエチレ
ンテレフタレートなどの司挑性の賃４０、例えばカテー
テル（０８１１１１ｍ孔に第４ｇｇ及び亀５図に示す比
較電＠５１ｆ基板上に接着したｐＨ一応手導体センサ２
１を、そのゲート＠２２ｆ上紀開孔部に収容している。

上記比較亀−ｓ１及びイオンセンサ２１に接続されたリ
ードｉｌｌ　４５は絶縁被檀し、絶縁管内を逸してその
後端部に設けたコネクタ内壁４７に接結する。なお絶縁
管４０の先端には針５０が取り付けられている。この針
は注射針や手術針などを用いる。ことができる、またこ
の針の先増はあまり鋺るどくない万が組織に挿入時に血
管の損傷が少なく好ましい、針５０と管の側壁に設けた
開孔Ｏ距履は５ｃＭ以上ないと組織中への一人がｍ−で
ある。特に操作の谷易な針とセンナ闇Ｏ距庫は１０〜３
０１である。針５０とカテーテル４０の外径はほぼ同一
の太さであることが好ましく、もし針とカテーテルの太
さが異なっている場合には、その連結部の太さを連続的
に変化させて＊麦ｅなくすことが好ましい。針とカテー
テルの連結部が急に変化することは組織を傷つけたり、
組織とセンサ聞に空障を生じるのでさけるべきである１
、カテーテルの太さは組織の損傷をさけるため細いほど
よく、直径５−以下であることが好ましい。

上記針５０は管内に延在させた芯線を管先＠Ｉζ突出さ
せ、この芯線を針に挿入して、その隙間に轍着剤を充填
することにより容易に連結することができる。イオンセ
ンサ２１と比較電極ｓ１のリード線接続部と絶縁管及び
コネクタ内壁で形成さｎる内部空間に電気絶縁樹ＷＩ４
２を充填して絶縁賞を閉塞している。この場合、電気絶
縁性樹脂としてはエポキシ、シリコーン、ポリ塩化ビニ
ル。

ナイロン、ポリウレタン、ポリプロピレン等ヲ用いるこ
とができる。

ｐｍ一応イオンセンサ２１のゲートＭＩＩ２２と比較電
１ＩｉＩ６１０両方にまたがるようにガスを吸収するこ
とによりｐｉｉｏ変化する電解液を含んだ親水性ポリマ
一層４５が設けられている。このポリマ一層の厚さは乾
燥状態で１〜１０μが好ましい、このポリマ一層の厚さ
が１０μ以上になると応答過度が小さくなり、また１μ
以下ではシグナルが不安定になる。したがってポリマ一
層は薄く均一である必要がある。

ここで用いるポリマーは適反な吸水性（絢定温［３７℃
で６０　嵐に’ｈＪｄ上）を持う、ｃｏｏＨｉ１６　す
、！ｌ’の有機鍛基や塩基！ｋｆ実質的に含まない、言
い換えれば２ａ１０４％以下（全モノマーユニットに対
シて）である仁とが菖襞である。＃！Ｌ本性が低いと応
答速度が低くなり、また有機＃！基や塩基＆を含むと一
度が低下する。このようなポリマーとしてはポリビニル
アルコール（以下、ＰＶムという）、セルロース、ポリ
ヒドロキシエチルメタクリレート。

１９゛ビニルピロリドン、寒天、デンプン等や電解質ポ
リマー等がある。これらのポリマーは他の七ツマ−と共
篇會されていてもよく、また可朧剤等を含んでいてもよ
い。これらのポリマーのうぢで、特にｒｖムが安定性の
画で優れている。ごＯＰＶＡ　Ｏ嵐合度は５００〜！＄
０，０００が好ましい。

ＦＶＡ　（）　ｐｏｌｖｍａｒ　ａｈａｉｎ中には下式
に示すごとく、正常なマ１ｎｙｌ　ａｌωｂａｌ　ｗｉ
ｔ（至）の他に、末端アルデヒド１両、ケトン基０．酢
緻ビニル＆（［９゜ム　　　　　　　Ｂ　　　　　　　
０ Ｃ＝０ ａｎ。

Ｌ）　　　　　　　　　　　　　　１ および木端カルボキシル基ル至）等の含カルボニルｈｅ
ｔ＠ｒｏ　ｗｉｔが含まれている。これら（Ｄ　ｈ＠ｔ
＠ｒｏ　ｗｉｔのうち末端アルデヒド基およびケトン基
はゲトーエノール貴性化によってエノール型となり、そ
れが弱いＩＩＪ！ｉとして作用する。酢酸ビニル基はケ
ン化されて酢酸を生じる。また末端カルボキシル基はそ
のままで酸として作用する。このように、Ｃｆ１６（ｉ
）含カルボニｈ　ｈｅｔｅｒｏ　ｕｎｉｔはいずれも”
＠Ｉｋとしての作用−を有し、ガスセンサーのｍｉ低Ｔ
−ｔもたらす・従って、本発明のガスセンサー用として
はこれら全ての含カルボニルｈｅｔｅｒｏ　ｗｉｔの含
有率が全モノマーユニットに対して２　ｍｏｊ％以下の
ＦＶＡを使用することが望ましい。またＦＶＡは他のモ
ノマー、例えばビニルヒロリドン、炭瞭ビニレンなどが
共重合された共重合体でもよい。ＦＶＡ及びビニルアル
コール共重合体は回層化されている万が乾燥に対する安
定性がよい。上紀可履勤としては、エチレングリコール
、ジエチレングリコール、トリメチロールプロパン、５
−メチル−１゜Ｓ、Ｓ−ペンタントリオール、ブタンジ
オール。

トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、グ
リ竜リン、ポリビニルピロリドン等を用いることができ
る。

上記ｉｔ本性ポリマーｌｌｌ１４ｓにおけるポリマーの
含有量（ポリマー／（ポリマー＋＃ＩＩｍ剤）Ｏ比率）
は乾燥試論で５０菖量％以上、？５５菖量以下が好まし
い、ポリマー含有率がこれより小さいと吸水性の低下や
形態保持性Ｏ低下により、長期の使用や保存ＯＩ［ゲー
トと比較電極間Ｏ電気的接触が切れやすくなる。ポリマ
ーの含有率が９５％以上になると、乾燥状態で放置した
ときに感度及び応答速度が低下しやすくなる。

またこのポリマ一層に含まｎる電解質液量は、ポリマー
に対し濃度が低いと１ＩｉＫ低下が起りやすくシグナル
が不安定となる。また濃度が大きいと応ｆＦｄ度の低下
が起る。したがって電解波量は上記トラブルの起らない
程度含ませることが必装である。例えば炭陵ガスセンサ
０６合にはポリマーに対しＮａＨＯＯ，を０．０１〜１
ｍｏ４、Ｎａ０Ｊを０．１〜２ｍｏｊ含ませることが好
ましい。このような電解ｌｊを含むポリマ一層は、ポリ
マーと電解１１ｆ共に溶解するような１８媒、例えば氷
で溶解してこれを塗布。

乾燥すればよい。また、あらかじめポリマー単独Ｏ劇檄
を塗布したり、ゲート上でム合して樽られたポリマーＪ
ｌｌを委すれば架橋した俊、電解１［＃＃に浸漬、＃＃
幽させた後乾燥してもよい。いづれの場合も乾燥は膨潤
状−の厚みを保持させるため凍結乾燥が好ましい。

上紀管の少くとも開孔部はガス透過性ポリマー４４で被
覆されている。

このポリマーは公知のガス透過性膜を使用することがで
きる。それらは例えばテトラフロロエチレン、トリフロ
ロエチレン、ヘキサフロロプロピレン、クロロトリフロ
ロエチレン等の嵐合体および共重合体の弗素樹脂、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、ポリペンテン−１，等Ｏポ
リオレフィン及びシリコン１１脂などである。仁の中で
とくに好ましいのはミリテトラフルオロエチレン及びシ
リコン１１鮨であ・す、前者を用いると経時変化の少な
いセンサが、また後者を用いると応答時間の短かいセン
サが得られる。また膜Ｏ１＃さは強度、応答時間の面か
ら弗素樹脂、オレフィンａｍでは５〜２０μ、シリコン
１１脂等のゴムでは５０〜３００＃が好ましい。

ガス透過性ｌｌＩ４４４のコーティング法としては。

浸し塗り、スプレー塗り、真空蒸着、紫外線惠番プラズ
マ凰合、スパッタリングによる方法等を用いることがで
きる。ガス透過性膜は十分な応答速成を得るために均一
で薄い膜であることが必要であり、とくにポリテトラフ
ロロエチレンやポリエチレン、ポリプロピレンのような
ゴム状でないポリマーは躊膜である必要があり、真空蒸
着、紫外線嵐合、プラズマ凰合、スパッタリング法等の
気相嵐合法をとることが望ましい。さらにガス透過性の
チューブを少なくとも管の開孔部に被覆しチューブの他
端をセンサと液蜜に一定するＣともできる。この方法は
細長形０センサの場合ガスセンサを小国化することがで
き好ましい方法である。

上記賞の内部には針と雪とを接続し、かつ管の変形を防
止する補強用０７＆＊　４８がその先端からコネクタま
で延在している。この芯線は管が曲がる程度の曲げ剛性
を有していればよく、例えば直ｉ０．０５〜０．２０■
のステンレス線、タングステンｉＩ１．モリブデン線、
チタン線等を用いることができる。・ このようにして作成された装置の親水性ポリマ一層は乾
燥しているためこのままでは作動しないので上記センサ
を水中もしくは水蒸気中で親水性ポリマーを吸湿、膨潤
させてから用いられる・このセンサは−たん乾燥しても
、水に長時間浸漬することにより再び使用ＤＪ能となる
が、直ちに使用するためにはセンサを水中で保存するこ
とが好ましい。本発明のセンサは長時間の水中保存によ
ってもベースラインのドリフト、応答過直、一度の低下
は起らない。

上記センサは次に第７図の一路により＃ｌ定することが
できる。この回路はツースフォロワー−路であり、比較
電＠５１は接地されている。ドレイン２６には一定電圧
Ｔｏが加えられ、ドレイン２６とソース２７＠には定電
流一路５１により一定の電流が流れている。□ガスセン
サが筋組緘中に挿入されるとガス透過１１１４４を透過
したガスは親水性ポリマー＠４Ｂに含まれる電解液に吸
収されて電解液Ｏ水素イオン濃度を変化させ、上記ポリ
マ一層に露出された半導体センサ２１０ゲート部分２２
０界画電位を変化させる。この界函電位の変化に伴って
ソース電位Ｖｓが変化する。従って出力端子５２゛と比
較電極３１［の電位を測定することにより、ポリマ一層
の本案イオン濃度、言い換えればｍ液中のガス濃度を調
定することができる。

以上のように本発明装観は先端に針を有する可撓管の側
壁に設けた開孔にイオンセンサと比較電極を収容すると
ともに、上記管内に電気絶縁性樹脂を充填する仁とによ
り、生体組織の損傷を最小限に保った状態でセンサを組
織中に挿入できてセンサと組織との密着性を高められる
結果組織中のガス濃度を再現性よく測定でき、かつ高圧
蒸気滅ＩＩ可能なため医療用装置として使用することか
でｈ実用上極めて利点がある。

実施例１゜ −＄６図のような構造を有する組織用の炭酸ガス濃度測
定装置を次のようにして作成した。まず幅０．４■、長
さ５■、厚さ０．１５■のｐＨセンサ２１及びＡｇ／ム
ｇＣ４比蚊電極５１のボンディング部にリード１１４５
を級合し、センサと比較電−が先端に位置するようにリ
ードＳをあらかじめ媛い８線４８ｆ過した内径Ｏ，Ｓ閤
、外径□、６５■の第１のナイロンカテーテル４ｏ中に
通す。次にナイロンカテーテルのコネクタａｒｉａ口部
を真空で吸引しなカラ、イオンセンサ装着側開口部から
シリコーン樹ｍ＆をカテーテル内に吸い込み、カテーテ
ルの内部全体にシリコーン１１驕液が員たされたら吸引
をやめる。シリコーン１１驕液が固化した侠芯巌の先端
より第２のカテーテルを第１のカテーテルとの間に隙間
が形成されるようにはめ込み、その自端は樹脂で本線に
固定する。次醗こリード巌のコネクタ＠を、コネクタ用
ピン４７にハンダで接合し、コネクタ成型用のモールド
ａ型機にセンサ収納カテーテルトヒンをセットし、ＩＡ
ｍ用の型にシリコーン５ｍ１ｔ流し込み硬化させて、第
６図０４９に相当する部分をＭ、型し、続いてコネクタ
４６の成型用の型にポリ塩化ビニル樹Ｊｉｉ１１を仕込
んで加熱し、第６図の４６に相当する部分子成型する。

かくして作成さｎた！１１及び第２のカテーテルで形成
さｎた空間に１０轟合％のポリビニルアルコール（菖會
［１７００，ケン化度９９．８％）、５１量％Ｑ　工ｆ
　Ｌ／　ング’Ｊ　コ−ル、　０．　Ｉ　ＪｉｔａＮａ
ＭＯＯＢ、　ＩＭのＮａ０Ｊを含む水溶液中に浸漬し、
引き上げた後凍結乾燥により水分を除去する。次いで、
この先端部に一万の閉じたシリコーンゴム管４４をかぶ
せる。次にＸ＊の先端に針５０を取着して接着剤で芯線
とカテーテル先端とを接合する。これによって、第６凶
のような、先端に針を有し、かつカテーテル１）−Ｊ＆
０’コネクター内の全てが芯線によって補強さｒしたシ
リコーン樹脂で充填された装置が完成する。

Ｃのようにして作成された装＄１２０本を１２０℃ＯＡ
圧水蒸気中で１時１１１ＩＩＩ鋪処理したところ、故障
率は０％で、且つカテーテル部の変形は起らなかった。

比歓例 第１図に示したような、カテ−テル先端及びコネクター
内部が空洞となっている炭酸ガス濃度測定Ｗ７ｔｉｉＩ
ｔセンサを作成した。この場合、使用材料は＊施例１と
同じであるが、シリコーンゴム管脂の充填はイオンセン
サ装看耶に限定された。

このようにして作成されたＭｉｌｌ　２０本１ｉｐ１２
０℃の高圧水蒸気中で１時間滅菌処理したところ、故障
率は７０％であった。故障ＩＺ）Ｑ因は王にハンダ部の
１Ｉｌｒｉ！ｌ及びリード縁部のショートでめった。ま
た全てのイオンセンサのカテーテル部の変形が着しかっ
た。

実施例２゜ 実施例ｔで得られた装置とｌｌｇＩ図で示す装置を用い
て犬の大腿筋の炭酸ガス製置をモンタリングした結果を
第８図に示す。この場合、第９図にボしたごとく、セン
サ部が筋肉５１中に完全にそう人された伏線で使用する
ことが必袈である。

第８図において実線は本発明装置によりなさｎた筋肉中
のＲ＠ガスモンタリング例であり、点線はＷｓ１図の装
置を留置針によりｊＩｉ肉中に挿入して測定した例であ
る。それぞれ矢印で示した時点で呼吸数ｆ２０回から５
５同に変化させているが、本発明装置は安定した測定が
なされているのに対し、従来０ａｌｌで測定した場合は
次第に応答が小さく鈍くなっている。

【図面の簡単な説明】

第１１！Ｑは従来装置の断―図であり、第２図は半導体
イオンセンサの平ｍ図であり、嬉５図は嬉２−〇ムーム
断向図であり、嬉４図は上記センサに比歓電−を接電し
た平向−であ＄１、ｉ８５＃Ａは第４図０Ｂ−Ｂ断自図
であり、第６図は本発明装置の＃曲間であり、第７図は
本発明装置を用いる電気回＊―であり、第８図は本発明
装置と従来装置の性絽を比較するグラフであり、第９図
は本発明装置の便用状麗を示す概略図である◎ 特許出願人　株式会社　り　ラ　し 代理人弁理士本多　１ 第６図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 先端に針を有する可撓菅Ｏ側麿に設けた開孔部に半導体
   の水素イオンセンサと比較電極を収容して、リード線を
   管Ｏ＃に端に設けたコネクタビンに＊＃Ｌ、かつ上記開
   孔部とセンサのゲート部及び比較電極の一部で外Ｉ１１
   ！関を形成するよう、こＯ冒及びコネクタ内壁で形成さ
   れる内部空間に電気絶縁性樹脂を充填するとともに、こ
   の外部空間に電解液を含む親木性ポリマーを充填し、か
   つ少くとも上紀關孔をガス遥過性膜で被債したことを特
   徴とする組織用のガス濃度調定ｉｉ！！麓。