JPS5896789A - 光増幅送信装置 - Google Patents
光増幅送信装置Info
- Publication number
- JPS5896789A JPS5896789A JP56194984A JP19498481A JPS5896789A JP S5896789 A JPS5896789 A JP S5896789A JP 56194984 A JP56194984 A JP 56194984A JP 19498481 A JP19498481 A JP 19498481A JP S5896789 A JPS5896789 A JP S5896789A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- optical
- photo
- amplifier
- optical amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、光増幅器を備えた光送信装置、特に光増幅
器の出力光信号の光変調度を改善した光増幅送信装置に
関する、 光フアイバ通信装置等では、送信光のレベルが高い程、
許容伝送路損失等が大きくとれるために、信号光を光増
幅器で光増幅して送信するということが考えられている
。この場合、従来は光増幅器を直流で励起していたが、
光増幅器は信号光を光増幅する他に直流励起による高レ
ベルの自然放出光も出力するために、送信光の光変調度
（光信号がパルス信号の場合にはオン−オフ比）が劣化
するという欠点があった。
器の出力光信号の光変調度を改善した光増幅送信装置に
関する、 光フアイバ通信装置等では、送信光のレベルが高い程、
許容伝送路損失等が大きくとれるために、信号光を光増
幅器で光増幅して送信するということが考えられている
。この場合、従来は光増幅器を直流で励起していたが、
光増幅器は信号光を光増幅する他に直流励起による高レ
ベルの自然放出光も出力するために、送信光の光変調度
（光信号がパルス信号の場合にはオン−オフ比）が劣化
するという欠点があった。
この発明の目的は、光増幅器の出力光信号の光変調度を
改善した光増幅送信装置を提供することにある。
改善した光増幅送信装置を提供することにある。
この発明の光増幅送信装置は、入力電気信号で変調され
た光信号を出力するレーザ光源と、とのレーザ光源の出
力の光信号を光増幅する光増幅器とを備え、この光増幅
器の出力光信号を送信光とする光増幅送信装置において
、前記光増幅器の励起信号には前記入力電気信号を用い
、前記光増幅器に入力す、る前記光信号をこの光信号に
同期した前記励起信号で同期増幅させることを特徴とす
る。
た光信号を出力するレーザ光源と、とのレーザ光源の出
力の光信号を光増幅する光増幅器とを備え、この光増幅
器の出力光信号を送信光とする光増幅送信装置において
、前記光増幅器の励起信号には前記入力電気信号を用い
、前記光増幅器に入力す、る前記光信号をこの光信号に
同期した前記励起信号で同期増幅させることを特徴とす
る。
この発明の光増幅送信装置では、光増幅器の励起信号に
は、レーザ光源を変調した信号と同じ情報の信号を用い
、しかも光増幅器に入力する光信号と前Ｐ励起信号とを
同期させている。そのために、光増幅器の利得は光信号
の大小に同期して増減しており、件えば光信号が２値の
パルス信号の場合には、パルスの符号が１＃のときには
光増幅器の利得は大きいが、パルスの符号が０″のとき
には光増幅器の利得はほとんど無いという状態になる。
は、レーザ光源を変調した信号と同じ情報の信号を用い
、しかも光増幅器に入力する光信号と前Ｐ励起信号とを
同期させている。そのために、光増幅器の利得は光信号
の大小に同期して増減しており、件えば光信号が２値の
パルス信号の場合には、パルスの符号が１＃のときには
光増幅器の利得は大きいが、パルスの符号が０″のとき
には光増幅器の利得はほとんど無いという状態になる。
その結果、パルス光信号は、パルスの符号が］”のとき
には光増幅器で光増幅されるが、パルスの符号が０″の
ときにはほとんど光増幅されない。また、パルスの符号
がＯ″のときにに光増忙器から（は自然放出光は１１と
んど発生しない。従ってパルス−３１−信号のオン−オ
フ比は光増幅器で劣化しないで、逆に改善される。
には光増幅器で光増幅されるが、パルスの符号が０″の
ときにはほとんど光増幅されない。また、パルスの符号
がＯ″のときにに光増忙器から（は自然放出光は１１と
んど発生しない。従ってパルス−３１−信号のオン−オ
フ比は光増幅器で劣化しないで、逆に改善される。
次にこの発明を実施例によ）図面を参照して訝。
明する。
第１図はこの発明の実施例の構成を示すブロック図、第
２図はこの実施例の各部における信号波形を示した図で
ある。電気信号入力端子１に入力した変調信号は分岐回
路２に導かれ、等価な２つの信号に分けられる。この分
岐回路２の出力の一方の信号は第１の駆動回路３に導び
かれ、増幅されたのち、直流バイアス電流に重畳されて
半導体レーザ４に印加されている。半導体レーザ４は、
スレシホルド電流が２０ ｍＡ 、発振波長が１．３μ
ｍのＩｎＧａＡｓＰ半導体レーザで、埋め込み形ダブル
へテロ構造を有している。電気信号入力端子１に入力し
ている変調信号は、ビットレイトが１００Ｍｂ／ｓ、
デユーティファクタが約５０チのパルス符号変調された
信号で、この信号の波形の一部を第２図（ｂ）に、符号
を第２図（ａ）に示す。この信号は第１の駆動回路３で
パルスピーク値が６０ ｍＡの信号に増幅されると共に
、半導体ｌノーザ４のスレシホルド電流よシもわずかに
低い値（１９ｍＡ）の直流バイアス電流に重畳されて半
導体レーザ４に印加されている。半導体レーザ４からは
、パルスピーク値が３ｍＷ、パルスのオン−オフ比が１
０ ｄＢの光パルス信号が出力されている。光パルス信
号の波形の一部を、第２図（１））に対応させて第２図
（Ｃ）に示す。半導体レーザ４の出力の光パルス信号は
、結合回路５に入り、ことのレンズ系で集光されて光増
幅器６に効率よく結合される。なお、結合回範５には光
アイソレータが備えられておシ、半導体レーザ４の出力
光はこの光アイソレータを低損失で通過するが、光増幅
器６等での反射光は２５ ｄＢ Ｊ９上の損失を受ける
ために、反射光は半導体レーザ４には戻シにくくなって
いる。
２図はこの実施例の各部における信号波形を示した図で
ある。電気信号入力端子１に入力した変調信号は分岐回
路２に導かれ、等価な２つの信号に分けられる。この分
岐回路２の出力の一方の信号は第１の駆動回路３に導び
かれ、増幅されたのち、直流バイアス電流に重畳されて
半導体レーザ４に印加されている。半導体レーザ４は、
スレシホルド電流が２０ ｍＡ 、発振波長が１．３μ
ｍのＩｎＧａＡｓＰ半導体レーザで、埋め込み形ダブル
へテロ構造を有している。電気信号入力端子１に入力し
ている変調信号は、ビットレイトが１００Ｍｂ／ｓ、
デユーティファクタが約５０チのパルス符号変調された
信号で、この信号の波形の一部を第２図（ｂ）に、符号
を第２図（ａ）に示す。この信号は第１の駆動回路３で
パルスピーク値が６０ ｍＡの信号に増幅されると共に
、半導体ｌノーザ４のスレシホルド電流よシもわずかに
低い値（１９ｍＡ）の直流バイアス電流に重畳されて半
導体レーザ４に印加されている。半導体レーザ４からは
、パルスピーク値が３ｍＷ、パルスのオン−オフ比が１
０ ｄＢの光パルス信号が出力されている。光パルス信
号の波形の一部を、第２図（１））に対応させて第２図
（Ｃ）に示す。半導体レーザ４の出力の光パルス信号は
、結合回路５に入り、ことのレンズ系で集光されて光増
幅器６に効率よく結合される。なお、結合回範５には光
アイソレータが備えられておシ、半導体レーザ４の出力
光はこの光アイソレータを低損失で通過するが、光増幅
器６等での反射光は２５ ｄＢ Ｊ９上の損失を受ける
ために、反射光は半導体レーザ４には戻シにくくなって
いる。
一方、分岐回路２の出力の２つの信号のうちの他方は、
第２の駆動回路７に導びかれ、パルスピーク値が１００
ｍＡの信号に増幅されて光増幅器６に印力［１されて
いる。光増幅器６は、ＩｎＧａＡｓＰで構成された才導
体光増幅器で、光の入力対端面に無反射コートが旅され
た進行波形の構造を有している。光増幅器６の利得は、
この光増幅器６に入力する光パルス信号に同期して増減
するように、第２の駆動回路７の出力の信号の位相が定
められている。そのために光増幅器６の利得は、第２図
（ｄ）にその波形の一部を示したように、光増幅器６に
入力する光パルス信号の符号が“１＃のときに５− は太きいが、光パルス信号の符号が”０″のときにはほ
とんど無いという状態になる。そのために、光増幅器６
に入力する光パルス信号は、その符号が′１″のときに
だけ光増幅器６の光増幅を受けるが、符号が′Ｏ″のと
きには光増幅を受けない。
第２の駆動回路７に導びかれ、パルスピーク値が１００
ｍＡの信号に増幅されて光増幅器６に印力［１されて
いる。光増幅器６は、ＩｎＧａＡｓＰで構成された才導
体光増幅器で、光の入力対端面に無反射コートが旅され
た進行波形の構造を有している。光増幅器６の利得は、
この光増幅器６に入力する光パルス信号に同期して増減
するように、第２の駆動回路７の出力の信号の位相が定
められている。そのために光増幅器６の利得は、第２図
（ｄ）にその波形の一部を示したように、光増幅器６に
入力する光パルス信号の符号が“１＃のときに５− は太きいが、光パルス信号の符号が”０″のときにはほ
とんど無いという状態になる。そのために、光増幅器６
に入力する光パルス信号は、その符号が′１″のときに
だけ光増幅器６の光増幅を受けるが、符号が′Ｏ″のと
きには光増幅を受けない。
その結果、光増幅器６の出力光信号は、光増幅によシパ
ルスピーク値が２０ ｍＷの信号になると共に、パルス
のオン−オフ比は２５ｄＢに改善すれた。光増幅器６の
出力光パルス波形の一部を第２図（ｅ）に示す。
ルスピーク値が２０ ｍＷの信号になると共に、パルス
のオン−オフ比は２５ｄＢに改善すれた。光増幅器６の
出力光パルス波形の一部を第２図（ｅ）に示す。
以上の実施例で述べたように、本発明の光増幅送信装置
では、光増幅器６の励起信号に、この光増幅器６に入力
する光信号と同じ情報の信号を用い、しかも光信号と励
起信号とを同期させているために、光増幅によって高出
力の光信号が得られ。
では、光増幅器６の励起信号に、この光増幅器６に入力
する光信号と同じ情報の信号を用い、しかも光信号と励
起信号とを同期させているために、光増幅によって高出
力の光信号が得られ。
る他に、信号の光変調度（パルス信号の場合にはオン−
オフ比）の改善が出米るという利点がある。
オフ比）の改善が出米るという利点がある。
々お、以−トの実施例では光増幅器は１段であったが、
光増幅器を縦続に数段接続してもよい６第３図は第２の
実施例の構成を示すブロック図で、６一 光増幅器は縦続に２段接続されている。結合回路１０は
結合回路５と、光増幅器１１は光増幅器６と、駆動回路
１２は駆動回路７と同様の構成になっておシ、光増幅器
６の出力光は結合回路１０のレンズ系で集光されて光増
幅器１１に入力している。分岐回路２で分岐された変調
信号は駆動回路１２に導びかれ、増幅されたのち光増幅
器１１に印加されている。ここで、光増幅器１１の利得
は、この光増幅器１１に入力する光パルス信号に同期し
て増減するように駆動回路１２の出力の信号の位相が定
められている。他の部分の構造、動作は第１図で示した
実施例の場合と同様である。本実施例の場合には、光増
幅器が縦続に２段接続されているために、光変調度や光
強度の改善効果が１段の場合よシも大きい。
光増幅器を縦続に数段接続してもよい６第３図は第２の
実施例の構成を示すブロック図で、６一 光増幅器は縦続に２段接続されている。結合回路１０は
結合回路５と、光増幅器１１は光増幅器６と、駆動回路
１２は駆動回路７と同様の構成になっておシ、光増幅器
６の出力光は結合回路１０のレンズ系で集光されて光増
幅器１１に入力している。分岐回路２で分岐された変調
信号は駆動回路１２に導びかれ、増幅されたのち光増幅
器１１に印加されている。ここで、光増幅器１１の利得
は、この光増幅器１１に入力する光パルス信号に同期し
て増減するように駆動回路１２の出力の信号の位相が定
められている。他の部分の構造、動作は第１図で示した
実施例の場合と同様である。本実施例の場合には、光増
幅器が縦続に２段接続されているために、光変調度や光
強度の改善効果が１段の場合よシも大きい。
なお、以上の実施例では、電気信号入力端子１にはパル
ス符号変調された２値のパルス信号が入力するとしたが
、多値のＰＷＭ（パルス幅変調）信号であってもよいし
、またＰＦＭ（パルス周波数変調）信号によるパルス化
アナログ信号であってもよい。また、光増幅器はＩｎＧ
ａＡｓＰ半導体光増幅器であるとしたが、入力光に対し
て利得を有する限シ他の材料の半導体光増幅器であって
もよいし、また半導体以外の他の種類の光増幅器（例え
ば固体光増幅器）であってもよい。また、光増幅器は進
行波型であるとしたが、共振器型であってもよいし、両
者の中間の型であってもよい。なお、レーザ光源は１．
３μｍの波長の光を出力するＩｎＧａＡｓＰ半導体レー
ザであるとしたが、他の波長の光を出力するものや他の
材料のもの、さらには他の種類のレーザ（例えば固体レ
ーザ）であってもよい。まだ、半導体レーザ４と第１の
駆動回路３には、半導体レーザ４のスレシホルド電流の
温度変化や経年変化を補償するためのＡＰＣ回路（自動
出力制御回路）を設け、半導体レーザ４の出力光パワー
が温度等によらずに常に一定値になるように直流バイア
ス電流等を制御してもよい。
ス符号変調された２値のパルス信号が入力するとしたが
、多値のＰＷＭ（パルス幅変調）信号であってもよいし
、またＰＦＭ（パルス周波数変調）信号によるパルス化
アナログ信号であってもよい。また、光増幅器はＩｎＧ
ａＡｓＰ半導体光増幅器であるとしたが、入力光に対し
て利得を有する限シ他の材料の半導体光増幅器であって
もよいし、また半導体以外の他の種類の光増幅器（例え
ば固体光増幅器）であってもよい。また、光増幅器は進
行波型であるとしたが、共振器型であってもよいし、両
者の中間の型であってもよい。なお、レーザ光源は１．
３μｍの波長の光を出力するＩｎＧａＡｓＰ半導体レー
ザであるとしたが、他の波長の光を出力するものや他の
材料のもの、さらには他の種類のレーザ（例えば固体レ
ーザ）であってもよい。まだ、半導体レーザ４と第１の
駆動回路３には、半導体レーザ４のスレシホルド電流の
温度変化や経年変化を補償するためのＡＰＣ回路（自動
出力制御回路）を設け、半導体レーザ４の出力光パワー
が温度等によらずに常に一定値になるように直流バイア
ス電流等を制御してもよい。
また同様に、光増幅器６の出力光パワーが温度変化等に
よらずに常に一定値になるように、光増幅器６の出力光
パワーの一部を光検出器でモニターし、この光検出器の
出力レベルが所定値になるように第２の駆動回路７の出
力レベル（すなわち光増幅器６の励起レベル）を制御し
てもよい。
よらずに常に一定値になるように、光増幅器６の出力光
パワーの一部を光検出器でモニターし、この光検出器の
出力レベルが所定値になるように第２の駆動回路７の出
力レベル（すなわち光増幅器６の励起レベル）を制御し
てもよい。
第１図はこの発明の実施例の構成を示すブロック図、第
２図はこの実施例の動作を説明するだめの波形図、第３
図はこの発明の他の実施例の構成を示すブロック図であ
る。 １・・・・・・電気信号入力端子、２・・・・・・分岐
回路、３゜７・・・・・・駆動回路、４・・・・・・半
導体レーザ、５・・・・・・結合回路、６・・・・・・
光増幅器。 ９− 垢 １ 区 ／ 第 ？ 閃 （α） ＯＩｔＯＩ００１０
２図はこの実施例の動作を説明するだめの波形図、第３
図はこの発明の他の実施例の構成を示すブロック図であ
る。 １・・・・・・電気信号入力端子、２・・・・・・分岐
回路、３゜７・・・・・・駆動回路、４・・・・・・半
導体レーザ、５・・・・・・結合回路、６・・・・・・
光増幅器。 ９− 垢 １ 区 ／ 第 ？ 閃 （α） ＯＩｔＯＩ００１０
Claims (1)
- を備え、との光増幅器の出力光信号を送信光とする光増
幅送信装置において、前言１光増幅器の励起信号には前
記入力型り、信号を用い、前配光増幅器に入力する前記
光信号をこの光信号に同期した前記励起信号で同期増幅
させるととを特徴とする光増幅送信装置、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56194984A JPS5896789A (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | 光増幅送信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56194984A JPS5896789A (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | 光増幅送信装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5896789A true JPS5896789A (ja) | 1983-06-08 |
Family
ID=16333599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56194984A Pending JPS5896789A (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | 光増幅送信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5896789A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014120726A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信モジュール、半導体光増幅器の電流制御方法及び光通信システム |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3484713A (en) * | 1964-04-03 | 1969-12-16 | Gen Electric | Two-stage semiconductor coherent radiation source |
| JPS4973987A (ja) * | 1972-10-03 | 1974-07-17 |
-
1981
- 1981-12-03 JP JP56194984A patent/JPS5896789A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3484713A (en) * | 1964-04-03 | 1969-12-16 | Gen Electric | Two-stage semiconductor coherent radiation source |
| JPS4973987A (ja) * | 1972-10-03 | 1974-07-17 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014120726A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信モジュール、半導体光増幅器の電流制御方法及び光通信システム |
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