JPS5894741A - Negative ion producing method - Google Patents

Negative ion producing method

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JPS5894741A
JPS5894741A JP56192072A JP19207281A JPS5894741A JP S5894741 A JPS5894741 A JP S5894741A JP 56192072 A JP56192072 A JP 56192072A JP 19207281 A JP19207281 A JP 19207281A JP S5894741 A JPS5894741 A JP S5894741A
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tube
hydrogen
gas
low pressure
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Ryohei Itaya
板谷良平
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Kyoto University
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00Ion beam tubes
    • H01J27/02Ion sources; Ion guns
    • H01J27/028Negative ion sources

Abstract

PURPOSE:To produce a negative ion of hydrogen effectively with a simple process, by forming spaces at the high pressure side and the low pressure side either with a partition diaphragm permeating a H2 gas inside a case, while feeding a surface in space at the low pressure side of the diaphragm with an electron. CONSTITUTION:A tube 2 made of Pd, etc., is installed in a case 1 and a hydrogen gas source is interconnected to one end of the Pd tube 2 while the other end is closed up. With this, hydrogen gas is charged to the inner part of the Pd tube 2, forming space at the high pressure side and also forming space at the low pressure side and also forming space at the low pressure side at the outside. Then, a filament 3 is installed, as an electron discharge source, in close vicinity to the outside of the Pd tube 2 and a thermoelectron from the filament 3 is fed to the outer surface of the Pd tube 2 or to its vicinity while the Pd tube 2 is heated. If a hydrogen1 gas H2 is fed to the inner part of the Pd tube 2, the hydrogen gas H2 permeates the wall of the tube 2 by means of diffusion, so that it is discharged in a state of corpuscles from the outer surface at the low pressure side of the tube 2 or as molecules in a state of being excited. And, the thermoelectron is fed from the filament 3 and a negative ion of hydrogen is thus produced.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、水素1重水素または三重水素(以下、単に「
水素」という。)の負イオンを発生させるための方法に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to hydrogen deuterium or tritium (hereinafter simply "
"Hydrogen". ) relates to a method for generating negative ions.

一般に、核融合用プラズマを加熱するために、加速され
た中性の水素をプラズマ中に供給することが行なわれて
いるが、このためには一旦水素をイオン化して正または
負のイオンにし、加速したのち中性化する必要がある。
Generally, accelerated neutral hydrogen is supplied into the plasma in order to heat the plasma for nuclear fusion, but in order to do this, the hydrogen must first be ionized to become positive or negative ions. It is necessary to accelerate and then neutralize.

ところで、水素の正イオンの場合、高エネルギーになる
と、中性化の効率が着しく低下するため、より大鰺な加
速エネルギーを得るためには水素の負イオンを用いるの
が好ましい。
By the way, in the case of positive hydrogen ions, when the energy becomes high, the efficiency of neutralization decreases, so it is preferable to use negative hydrogen ions in order to obtain a larger acceleration energy.

このよらな観点から、従来より各種の水素負イオン発生
手段が提案されている。すなわち水素を放電させてその
正イオンをつくりこれを加速してセシウム(Cs)蒸気
中を通すことにより水素の負イオンを発生させる方法や
、水素の正イオンや中性水素をセシウムで被覆された金
属面に当てることにより水素の負イオンを発生させる方
法や、水素とセシウムとの混合気中で放電を行なって水
素の負イオンを発生させる方法等が提案されているので
ある。
From this point of view, various means for generating negative hydrogen ions have been proposed. In other words, there is a method in which negative hydrogen ions are generated by discharging hydrogen to create positive ions, which are then accelerated and passed through cesium (Cs) vapor, and a method in which positive hydrogen ions or neutral hydrogen are coated with cesium. Proposed methods include a method in which negative hydrogen ions are generated by applying it to a metal surface, and a method in which negative hydrogen ions are generated by discharging in a mixture of hydrogen and cesium.

しかしながら、このような従来の手段では、いずれの場
合も、水素の負イオン発生プロセスが複雑であるという
問題点があるほか、水素の放電場所と水素の負イオン発
生湯所とが連通しているので、両方の条件がからみあい
極めてガス効率が悪いという問題点がある。
However, in any case, such conventional means have the problem that the negative hydrogen ion generation process is complicated, and the hydrogen discharge location and the hydrogen negative ion generation hot water facility are in communication. Therefore, there is a problem in that both conditions are intertwined and the gas efficiency is extremely poor.

本発明は、これらの問題点を解決しようとするもので、
簡単なプロセスでしかも極めてガス効率の良い水素の負
イオン発生方法を提供することを目的とする。
The present invention aims to solve these problems.
The purpose of the present invention is to provide a method for generating negative ions of hydrogen using a simple process and extremely high gas efficiency.

次に、第1図を用いて本発明の水素負イオン発生力法の
原理を説明する。
Next, the principle of the hydrogen negative ion generation method of the present invention will be explained using FIG.

従来よりパラジウム(Ps)、バナジウム(V)、鉄(
Fe)あるいはニオブ(Nb)等の金属や、パラジウム
と金あるいはパラジウムと銀との合金等は、水素のガス
を吸蔵または吸着するということが知られでおり、した
がってこれらの金属や合金で隔壁Aを構成し、この隔壁
Aで空間を2つに仕切ってから、これら2つの空間にガ
ス圧の差を与えると、水素の〃スH2は高圧側空間1(
Sから低圧側空間LSへ狗けて隔壁A中を拡散してゆく
のである。
Conventionally, palladium (Ps), vanadium (V), iron (
It is known that metals such as Fe) or niobium (Nb), and alloys of palladium and gold or palladium and silver, occlude or adsorb hydrogen gas. When the space is partitioned into two by this partition wall A and a difference in gas pressure is applied to these two spaces, the hydrogen gas H2 is reduced to the high pressure side space 1 (
It spreads from S to the low-pressure side space LS and spreads through the partition wall A.

なお、この隔壁A中の水素のガスはガス分子ではなく原
子に解離しているといわれている。
Note that it is said that the hydrogen gas in this partition A is dissociated into atoms rather than gas molecules.

このように水素のガスが隔壁A中を拡散していった結果
、この水素のガスが隔壁Aの低圧側空間LSにおける表
面から放出されるが、このとト隔壁Aの表面ポテンシャ
ルの状況によって、水素は原子状態のまま(符号のHで
示す。)、あるいは励起状態の分子(符号のH2で示す
。)として、上記隔壁表面から離れてゆく。なお、隔壁
Aの温度が高いほど、水素がこの隔壁Aを透過していく
量は多い。
As a result of the hydrogen gas diffusing in the partition wall A in this way, this hydrogen gas is released from the surface of the partition wall A in the low pressure side space LS, but depending on the surface potential of the partition wall A, Hydrogen leaves the surface of the partition wall either as an atomic state (denoted by the symbol H) or as molecules in an excited state (denoted by the symbol H2). Note that the higher the temperature of the partition wall A, the greater the amount of hydrogen that permeates through the partition wall A.

このようにして放出された水素のうち原子状態にあるも
のHは0.75eVの電子親和力をもっているため、こ
れに電子eを供給することにより、容易に負のイオンH
゛を発生させることができ、また上記放出された水素の
うも励起状態の分・子H”2 として存在するものに電
子eを衝突させでも、容易に負イオンH−を発生させる
ことができる。
Of the hydrogen released in this way, H in the atomic state has an electron affinity of 0.75 eV, so by supplying electrons e to it, it is easy to form negative ions H.
Also, negative ions H- can be easily generated by colliding electrons e with molecules of the released hydrogen which exist as excited state molecules/molecules H''2. .

すなわち、低圧側空間LSへ放出されてくる水素のガス
H= H:に、隔壁Aの低圧側空間LSにおける表面ま
たはその近傍で、電子eを供給することによって、容易
に負イオンH−を発生させうろことが理解されるのであ
る。
That is, by supplying electrons e to the hydrogen gas H = H: released into the low-pressure side space LS at or near the surface of the partition wall A in the low-pressure side space LS, negative ions H- can be easily generated. It is understood that there is no need to let it go.

このため、本発明の方法は、水素のガスを透過しうる金
属(合金を含む。)から成る隔壁で仕切られた2つの空
間の一方に、上記ガスを充填して高圧側空間を形成する
とともに、その他方にそれよりも低いガス圧を保持する
ことにより低圧側空間を形成して、上記高圧側空間から
上記隔壁中を拡散して上記低圧側空間へ放出される上記
ガスに、上記隔壁の上記低圧側空間における表面または
その近傍で、電子を供給することによって、上記ガスの
負イオンを発生させることを特徴としている。
For this reason, the method of the present invention involves filling one of two spaces partitioned by a partition wall made of a metal (including alloy) through which hydrogen gas can permeate with the above gas to form a high-pressure side space. , a lower pressure side space is formed by maintaining a lower gas pressure on the other side, and the gas diffused through the partition wall from the high pressure side space and released into the low pressure side space is exposed to the gas pressure of the partition wall. It is characterized in that negative ions of the gas are generated by supplying electrons at or near the surface of the low-pressure side space.

以下、図面により本発明の一実施例としての負イオン発
生方法について説明すると、#2図は本方法の効果を確
認するための装置についてその一部を破断して示す上面
図、第3図は第2図のIII −III線に沿う断面状
態を示す模式図、第4図は上記装置の電気回路図、第5
.6図および#7図(a)、(b)はいずれも本方法の
作用を説明するためのグラフである。
Below, the negative ion generation method as an embodiment of the present invention will be explained with reference to the drawings. Figure #2 is a partially cutaway top view of an apparatus for confirming the effect of this method, and Figure 3 is FIG. 2 is a schematic diagram showing a cross-sectional state along line III-III in FIG. 2, FIG. 4 is an electric circuit diagram of the above device, and FIG.
.. 6 and #7 (a) and (b) are graphs for explaining the operation of this method.

第2図に示すごとく、本方法の原理を証明するための装
置は、排気ポンプに連通する排気口1aを有し内部を適
宜低圧状態にしうるケース1をそなえており、このケー
ス1内には、パラジウム管2が設けられている。このパ
ラジウム管2は、その一端が水素ガス源に連通されると
ともに、その他端が閉塞されていて、これによりパラジ
ウム管2の内側に、水素のガスを充填された高圧側空間
H3が形成されるとともに、パラジウム管2の外側に、
これよりも低いガス圧の低圧側空間LSが形成される。
As shown in Fig. 2, the device for proving the principle of this method is equipped with a case 1 that has an exhaust port 1a that communicates with an exhaust pump and can appropriately maintain a low pressure inside the case 1. , a palladium tube 2 is provided. The palladium tube 2 has one end communicated with a hydrogen gas source and the other end closed, thereby forming a high-pressure side space H3 filled with hydrogen gas inside the palladium tube 2. At the same time, on the outside of the palladium tube 2,
A low-pressure side space LS having a gas pressure lower than this is formed.

($2.3図参照)また、パラジウム管2の外側近傍に
は、電子放出源としての2本のフイラメン) 3.3が
設けられており、これによりこれらのフィラメント3が
らの熱電子をパラジウム管2の外表面あるいはその近傍
へ向けて供給することができるほか、パラジウム管2を
加熱することができる。
(See Figure $2.3) Also, near the outside of the palladium tube 2, two filaments (3.3) are provided as electron emission sources, and thermionic electrons from these filaments (3) are transferred to the palladium tube. In addition to being able to supply the palladium to the outer surface of the tube 2 or its vicinity, the palladium tube 2 can also be heated.

これにより水素の〃スH2をパラジウム管2内へ供給す
ると、第1図において説明した原理どおり水素の〃スH
2がパラジウム管壁を拡散により透過してパラジウム管
2の低圧側外表面から原子状態のままあるいは励起状態
にある分子として放出されるため、これらにフィラメン
ト3から熱電子が供給され、水素の負イオンが発生する
はずである。
When the hydrogen gas H2 is thereby supplied into the palladium tube 2, the hydrogen gas H2 is supplied into the palladium tube 2.
2 passes through the palladium tube wall by diffusion and is emitted from the low-pressure outer surface of the palladium tube 2 in an atomic state or as molecules in an excited state. Ions should be generated.

この現象を確かめるために、ガードリング4とコレクタ
5とから成る検出器りが設けられている。
In order to confirm this phenomenon, a detector consisting of a guard ring 4 and a collector 5 is provided.

また、パラジウム管2とフィラメント3とはほぼ同一の
平面内に配設されており、これらのパラジウム管2やフ
ィラメント3と、ガードリング4やコレクタ5との間に
は、メツシュ7ノード6が設けられている。
Further, the palladium tube 2 and the filament 3 are arranged in almost the same plane, and a mesh 7 node 6 is provided between the palladium tube 2 and the filament 3 and the guard ring 4 and the collector 5. It is being

なお、これらの部材2〜6罰の電気的な接続状態を示す
と、第4図に示すようになる。
Incidentally, the electrical connection state of these members 2 to 6 is shown in FIG. 4.

これによりメツシュ7ノード6と、パラジウム管2やフ
ィラメント3のカソード部分との間に電界が形成されて
、負イオンを加速放出することができるが、このままで
は水素の負イオンよりも軽い電子のみが加速されて、負
イオンの引き出しを妨げることになり、更に検出器りに
で検出される情報が電子によるものなのか、水素の負イ
オンによるものなのかわからない。
As a result, an electric field is formed between the mesh 7 node 6 and the cathode portion of the palladium tube 2 or filament 3, and negative ions can be accelerated and emitted. This accelerates the extraction of negative ions, and furthermore, it is unclear whether the information detected by the detector is due to electrons or negative hydrogen ions.

そこで、本装置では、第3,4図に示す方向に磁束密度
Bの磁界をかけることにより上記弊害を防止している。
Therefore, in this device, the above-mentioned disadvantages are prevented by applying a magnetic field with a magnetic flux density B in the directions shown in FIGS. 3 and 4.

すなわち二の磁場により電子を水素よりも非常に小さな
半径で回転させてこの電子が検出器り側へ放出されない
ようにしているのである。このことを確認したのが、第
5図である。すなわちこの第5図において、磁界をかけ
ない[B=(lウス(gauss)1の場合(特性曲線
a、b参照)に比べて磁界をかけた(B=、290.f
ウス)場合(特性曲線c、d参照)の方が、コレクタ5
を流れる電流Icが少ないことから、電子が検出器り側
へ放出されていないこと換言すれば電子と水素負イオン
とが分#Iされていることがわかるのである。
In other words, the second magnetic field rotates the electrons with a much smaller radius than the hydrogen, preventing them from being emitted toward the detector. FIG. 5 confirms this fact. That is, in FIG. 5, when a magnetic field is applied (B=, 290.f
(see characteristic curves c and d), the collector 5
Since the current Ic flowing through is small, it can be seen that electrons are not emitted to the detector side, in other words, electrons and negative hydrogen ions are separated.

なお、この第5図において横軸はコレクタ電圧Vcであ
る。
In addition, in this FIG. 5, the horizontal axis is the collector voltage Vc.

また、パラジウム管2を透過する水素ガスの量を増加す
ると、放出される水素の負イオンが多くなるはずである
が、これを確認したのが第6図である。すなわちこの第
6図において、パラジウム管2内の水素ガス圧を高め透
過する水素ガスの量を増やしてゆくと、コレクタ電流I
cが多くなることから、放出される水素の負イオンが多
くなることがわかるのである。
Moreover, if the amount of hydrogen gas permeating through the palladium tube 2 is increased, the amount of negative hydrogen ions released should increase, and this was confirmed in FIG. 6. That is, in FIG. 6, as the hydrogen gas pressure inside the palladium tube 2 is increased and the amount of hydrogen gas permeating is increased, the collector current I
It can be seen that as c increases, more negative hydrogen ions are released.

なお、第6図における圧力PH2は負イオンとして発生
した水素がその後ケース1の内壁等に衝突して再び水素
のがスH2となって排気口1aから出てくるところの圧
力であって水素の透過量に関係している。
In addition, the pressure PH2 in FIG. 6 is the pressure at which the hydrogen generated as negative ions collides with the inner wall of the case 1 and comes out of the exhaust port 1a as hydrogen gas H2 again. It is related to the amount of permeation.

また、前述の実験等から、コレクタ電流(H″を流)と
77−ド電圧Vaあるいは圧力Pとの関係を求めてみる
と、第7図(a)、(b)のようになった。
Further, when the relationship between the collector current (flowing H'') and the voltage Va or pressure P was determined from the above-mentioned experiment, the results were as shown in FIGS. 7(a) and 7(b).

このようにして、本方法の原理およびその有効性が上記
の装置によって確認されたのである。
In this way, the principle of the method and its effectiveness were confirmed by the above device.

なお、前述の実施例では、電子放出体としてフィラメン
ト3が用いられたが、第8図に示すように、バナジウム
やバナジウム等の金属や合金から成る隔壁Aの低圧側空
間LSにおける表面に、電子放出体として、隔壁A側を
n型半導体とするp−n接合部7を設け、これに順方向
バイアス電流を流すことによって生じる負の電子親和力
をもつ表面を用いで、この表面から電子eと原子状態に
ある水素(この例の場合は重水素で示しである。この第
8図において以下同じ。)や励起状態にある水素分子と
を発生させることにより、水素の負イオンD−を発生さ
せることもで終る。また、第8図中の符号8はバナジウ
ムとバリウムあるいはセシウムから成る表面層を示して
いる。
In the above-mentioned embodiment, the filament 3 was used as the electron emitter, but as shown in FIG. As an emitter, a p-n junction 7 with an n-type semiconductor on the side of the partition wall A is provided, and a surface with negative electron affinity generated by passing a forward bias current is used to emit electrons e and e from this surface. By generating hydrogen in an atomic state (in this example, it is shown as deuterium; the same applies hereinafter in Fig. 8) and hydrogen molecules in an excited state, negative hydrogen ions D- are generated. It ends with this. Further, reference numeral 8 in FIG. 8 indicates a surface layer made of vanadium and barium or cesium.

以上詳述したように、本発明の負イオン発生方法によれ
ば、簡単なプロセスでしかも高いガス効率で水素の負イ
オンを発生できる利点が得られる。
As described in detail above, the negative ion generation method of the present invention has the advantage of being able to generate negative hydrogen ions with a simple process and high gas efficiency.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の負イオン発生力法の原理を説明するた
めの模式図であり、第2〜8図は本発明の一実施例とし
ての負イオン発生方法を説明するもので、第2図は本方
法の効果を確認するための装置についてその一部を破断
して示す上面図、第3図は第2図のIII −111線
に沿う断面状態を示す模式図、第4図は上記装置の電気
回路図、第5,6図および第7図(a)、(b)はいず
れも本方法の作用を説明するためのグラフであり、第8
図はその電子放出体の他の例を示す模式図である。 1・・ケース、Ia・・排気口、2・・パラジウム管、
3・・フィラメント、4・・ガードリング、5・・コレ
クタ、6・・メ・ンシュア/−ド、7・・p−n接合部
、8・・表面層、A・・隔壁、H3・・高圧ml空聞、
LS・・低圧側空間。 代理人 弁理士  飯 沼 義 彦 第1図 第3図 第4図 pd
FIG. 1 is a schematic diagram for explaining the principle of the negative ion generation method of the present invention, and FIGS. 2 to 8 are schematic diagrams for explaining the negative ion generation method as an embodiment of the present invention. The figure is a partially cutaway top view of an apparatus for confirming the effect of this method, Figure 3 is a schematic diagram showing a cross-sectional state along line III-111 in Figure 2, and Figure 4 is the above-mentioned The electric circuit diagram of the device, FIGS. 5 and 6, and FIGS. 7(a) and (b) are all graphs for explaining the action of the present method, and
The figure is a schematic diagram showing another example of the electron emitter. 1...Case, Ia...Exhaust port, 2...Palladium tube,
3...Filament, 4...Guard ring, 5...Collector, 6...Mensure/-de, 7...p-n junction, 8...Surface layer, A...Partition, H3...High pressure ml empty story,
LS: Low pressure side space. Agent Patent Attorney Yoshihiko Iinuma Figure 1 Figure 3 Figure 4 pd

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 水素1重水素または三重水素のガスを透過しうる金属か
ら成る隔壁で仕切られた2つの空間の一方に、上記ガス
を充填して高圧側空間を形成するとともに、その他方に
それよりも低いガス圧を保持することにより低圧側空間
を形成して、上記高圧側空間から上記隔壁中を拡散して
上記低圧側空間へ放出される上記ガスに、上記隔壁の上
記低圧側空間における表面またはその近傍で、電子を供
給することによって、上記ガスの負イオンを発生させる
ことを特徴とする、負イオン発生方法。
One of two spaces partitioned by a partition wall made of a metal that can permeate hydrogen 1 deuterium or tritium gas is filled with the above gas to form a high pressure side space, and the other side is filled with a lower pressure gas. By maintaining the pressure, a low-pressure side space is formed, and the gas diffused through the partition wall from the high-pressure side space and released to the low-pressure side space is exposed to the surface of the partition wall in the low-pressure side space or its vicinity. A negative ion generation method, characterized in that negative ions of the gas are generated by supplying electrons.
JP56192072A 1981-11-30 1981-11-30 Negative ion generation method Expired JPS5853459B2 (en)

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