JPS5890597U - 半導体記憶素子 - Google Patents

半導体記憶素子

Info

Publication number
JPS5890597U
JPS5890597U JP18689981U JP18689981U JPS5890597U JP S5890597 U JPS5890597 U JP S5890597U JP 18689981 U JP18689981 U JP 18689981U JP 18689981 U JP18689981 U JP 18689981U JP S5890597 U JPS5890597 U JP S5890597U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
refresh
circuit
terminal
read
semiconductor memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18689981U
Other languages
English (en)
Inventor
原　明大
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP18689981U priority Critical patent/JPS5890597U/ja
Publication of JPS5890597U publication Critical patent/JPS5890597U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のりフレッンユ端子を用いた半導体記憶素
子のブロック図、第２図は本考案の一実施例を示すブロ
ック図である。 １・・・・・・チップ選択タイミング発生回路（ＣＥｉ
）、２・・・・・・チップ選択タイミング発生回路（Ｃ
Ｆ２）、３・・・・・・リード・ライト制御タイミング
発生回路（Ｒ／Ｗ）、４・・・・・・アドレスセレクタ
（Ａ−３）、５・・・・・・リフレッシュアドレス発生
回路（Ａ−Ｇ）、６・・・・・・リフレッシュ制御回路
（ＲＦ−ｃｏｎＴ）、７・・・・・・アドレスデコーダ
（Ａ・Ｄ）、８・・・・・・メモリセルとセンスアンプ
（ＭＣ＆ＳＡ）、９・・・・・・データ入出力回路（Ｄ
Ｉｌｏ）、１０・・・・・・リフレッシュ動作選択回路
（ＲＦ、Ｓ）。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. チップ選択機能を持つ端子とリード・ライト制御端子と
    、ダイナミック記憶素子と、前記チップ選択機能を持つ
    端子とリード・ライト制御端子に入力された信号を合成
    するリフレッシュ動作選択回路と、前記リフレッシュ動
    作選択回路より出力されたリフレッシュ動作信号により
    活性化される内蔵リフレッシュ制御回路と前記リフレッ
    シュ制御回路により制御されるリフレッシュアドレス発
    生回路とリフレッシュアドレスセレクタとを含ムリフレ
    ッシュ回路とをもち、前記チップ選択機能を持つ端子を
    非活性とすることにより、リード・ライトコントロール
    信号でリフレッシュを行なうことを特徴とする半導体記
    憶素子。
JP18689981U 1981-12-15 1981-12-15 半導体記憶素子 Pending JPS5890597U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18689981U JPS5890597U (ja) 1981-12-15 1981-12-15 半導体記憶素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18689981U JPS5890597U (ja) 1981-12-15 1981-12-15 半導体記憶素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5890597U true JPS5890597U (ja) 1983-06-18

Family

ID=29989246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18689981U Pending JPS5890597U (ja) 1981-12-15 1981-12-15 半導体記憶素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5890597U (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5890597U (ja) 半導体記憶素子
JPS6452198U (ja)
JPS58155597A (ja) 半導体メモリの書き込み制御方式
JPS6093200U (ja) ダイナミツクメモリアクセス回路
JPS59134842U (ja) 車載電子機器用のワンチツプマイコンのメモリ拡張装置
JPS6039161U (ja) 記憶保護手段を有する記憶装置
JPS623699U (ja)
JPH0190198U (ja)
JPS61136396U (ja)
JPS60166899U (ja) 記憶装置
JPH01151497U (ja)
JPS61163400U (ja)
JPS6152399U (ja)
JPS61193385U (ja)
JPS6448799U (ja)
JPS5995498U (ja) 記憶装置
JPS58155698U (ja) 記憶回路
JPS59194199U (ja) 磁気バブル記憶装置
JPS60111598U (ja) 記憶素子
JPS58114597U (ja) 半導体制御装置
JPH03124398U (ja)
JPS6448800U (ja)
JPS60176481U (ja) 表示制御装置
JPH0166697U (ja)
JPS60180400U (ja) 不揮発性半導体メモリ