JPS5888150U - 厚膜ガスセンサ - Google Patents

厚膜ガスセンサ

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JPS5888150U
JPS5888150U JP18363581U JP18363581U JPS5888150U JP S5888150 U JPS5888150 U JP S5888150U JP 18363581 U JP18363581 U JP 18363581U JP 18363581 U JP18363581 U JP 18363581U JP S5888150 U JPS5888150 U JP S5888150U
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JP
Japan
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gas sensor
thick film
film gas
semiconductor layer
lower electrode
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Pending
Application number
JP18363581U
Other languages
English (en)
Inventor
有馬　英夫
野呂　孝信
昌美 兼安
昭 池上
Original Assignee
株式会社日立製作所
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Publication date
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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、本考案によるガスセンサの構造の一実施例を
示した図面、第２図は、第１図のガスセンサのヒータ部
の構造図、第３図は、酸化スズ系の材料を用いたガスセ
ンサの各ガスの濃度とコンダクタンスの関係を示した線
図、第４図は、ＬａＮｉＯ３の材料を用いたガスセンサ
の各ガスの濃度とコンダクタンスの関係を示した線図、
第５図は、ヒータ部をガラスで被覆した酸化スズ系の材
料を用いたガスセンサの各ガスの濃度とコンダクタンス
の関係を示した線図である。 １・・・・・・上部電極、２・・・・・・半導体層、３
・・・・・・下部電極、４・・・・・・基板、５・・・
・・・ヒータ。 オ　３目 オ斗の

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 耐熱絶縁基板の一面に、下部電極、無機半導体層および
    上部電極からなる３層構造のガス検出部、　　　を、他
    の一面に面状ヒータを形成したことを特徴とする厚膜ガ
    スセンサ。
JP18363581U 1981-12-11 1981-12-11 厚膜ガスセンサ Pending JPS5888150U (ja)

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JP18363581U JPS5888150U (ja) 1981-12-11 1981-12-11 厚膜ガスセンサ

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JPS5888150U true JPS5888150U (ja) 1983-06-15

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