JPS5885609A - 集中定数型サ−キユレ−タおよびアイソレ−タ - Google Patents
集中定数型サ−キユレ−タおよびアイソレ−タInfo
- Publication number
- JPS5885609A JPS5885609A JP18435581A JP18435581A JPS5885609A JP S5885609 A JPS5885609 A JP S5885609A JP 18435581 A JP18435581 A JP 18435581A JP 18435581 A JP18435581 A JP 18435581A JP S5885609 A JPS5885609 A JP S5885609A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electric conductors
- center
- terminal
- circulator
- isolator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、両帯、■１およびマイクロ波帯で使用される
小型で高性能な集中定数型サーキュレータおよびアイソ
レータの数層に関する。
小型で高性能な集中定数型サーキュレータおよびアイソ
レータの数層に関する。
マイクロ波装置の最重要部品としての集中定数溢サーキ
ュレータおよびアイソレータは、高電力動作時のトラン
ジスターの保護、段間整合、不畳輻射の除去岬の目的で
広くマイクロ波分野で使用されている。一方、最近の他
のマイクロ波素子の飛躍的な小型化にともない、全体の
マイクロ波装置におけるサーキュレータ・アイソレータ
の占める空間扛かなり目だったものとなってきた。例え
ば、ある横のｉ置では、これらの占積率が５０−を越え
るものも珍しくない。さらに、マイクロ波装置全体のコ
スト面から見れば、サーキュレータ・アイソレータの価
格はかなりのウェイトを占めるものとなっている。
ュレータおよびアイソレータは、高電力動作時のトラン
ジスターの保護、段間整合、不畳輻射の除去岬の目的で
広くマイクロ波分野で使用されている。一方、最近の他
のマイクロ波素子の飛躍的な小型化にともない、全体の
マイクロ波装置におけるサーキュレータ・アイソレータ
の占める空間扛かなり目だったものとなってきた。例え
ば、ある横のｉ置では、これらの占積率が５０−を越え
るものも珍しくない。さらに、マイクロ波装置全体のコ
スト面から見れば、サーキュレータ・アイソレータの価
格はかなりのウェイトを占めるものとなっている。
このため、サーキュレータ・アイソレータに対する小型
化、低価格化、高性能の要求は日増し九強くなるばかり
である。本発明は、このような産業界の％に小型化の要
望に答えるための集中定数型サーキュレータ・アイソレ
ータの構＊改ＳＶｃ関するものである。
化、低価格化、高性能の要求は日増し九強くなるばかり
である。本発明は、このような産業界の％に小型化の要
望に答えるための集中定数型サーキュレータ・アイソレ
ータの構＊改ＳＶｃ関するものである。
一一般に従来の集中定数型サーキュレータの構造は、第
ｔｔ１！ＪＫ示されるように磁気回路と電気的遮蔽の両
方の役割を担うためのケース１の中に２枚の永久磁石ｓ
＆、ｓｂが上下にと９つけられ丁度その中央の９間に２
枚のフェライトコア４ｍ、４ｂと中心導体７がシールド
板５て囲まれ、アース台４の上に配置されている。また
、上部磁石３ｂは回転ネジ２によって上下方向に移動し
、フェライトコアＫか＼る磁界が微調整される構造とな
っている。ｗｉ２図は、従来構造のシールド板５の内部
を展開し、５枚１組の網目状中心導体７と円板上の２枚
のフェライトコア４ｍ、４ｂとの関係を示す。
ｔｔ１！ＪＫ示されるように磁気回路と電気的遮蔽の両
方の役割を担うためのケース１の中に２枚の永久磁石ｓ
＆、ｓｂが上下にと９つけられ丁度その中央の９間に２
枚のフェライトコア４ｍ、４ｂと中心導体７がシールド
板５て囲まれ、アース台４の上に配置されている。また
、上部磁石３ｂは回転ネジ２によって上下方向に移動し
、フェライトコアＫか＼る磁界が微調整される構造とな
っている。ｗｉ２図は、従来構造のシールド板５の内部
を展開し、５枚１組の網目状中心導体７と円板上の２枚
のフェライトコア４ｍ、４ｂとの関係を示す。
図では、配ａｔ−わかり易くするために、フェライトコ
ア４ｍ、４．ｂ、、の間隔が実際よりもかなり広くとら
れている。３枚の中心導体７ｍ、７ｂ、 ７ｅは中央近
傍で互に１２０°で交叉して１岨の網目状中心導体７ｔ
−形成している。中心導体７ｍ、 ７ｂ、 ７ｅは中央
部でそれぞれ絶縁されているが、それぞれの一端は外部
で接地されプいる。実際にはシールド板、 ｓＫ
接続される。このようにして＊成された従来構：ｌ！！
會肩するサーキュレータは第３図のような等価回路で嵌
わされる。こ＼で、Ｌｐは主に第２図に示される中心導
体７ａ、ｙｂ、 １６ Ｋよるインダクタンス仕上等価
的に表わしている。Ｃｐは外部から付は加えられるコン
デンサーの容量とその他の＊続する次めの入出力趨子で
あり、中心導体７ａ、７ｂ、 ７ｅの接地されていない
もう１つの端と接続されている。
ア４ｍ、４．ｂ、、の間隔が実際よりもかなり広くとら
れている。３枚の中心導体７ｍ、７ｂ、 ７ｅは中央近
傍で互に１２０°で交叉して１岨の網目状中心導体７ｔ
−形成している。中心導体７ｍ、 ７ｂ、 ７ｅは中央
部でそれぞれ絶縁されているが、それぞれの一端は外部
で接地されプいる。実際にはシールド板、 ｓＫ
接続される。このようにして＊成された従来構：ｌ！！
會肩するサーキュレータは第３図のような等価回路で嵌
わされる。こ＼で、Ｌｐは主に第２図に示される中心導
体７ａ、ｙｂ、 １６ Ｋよるインダクタンス仕上等価
的に表わしている。Ｃｐは外部から付は加えられるコン
デンサーの容量とその他の＊続する次めの入出力趨子で
あり、中心導体７ａ、７ｂ、 ７ｅの接地されていない
もう１つの端と接続されている。
さて、第１図、第２図、第５図の従来構造を用いて、産
業界の強い要望である小型化を指向する場合、厘ちに次
のような設計上の問題点に直面する。
業界の強い要望である小型化を指向する場合、厘ちに次
のような設計上の問題点に直面する。
（１） フェライトコアの最通直径ＤＧＯは動作周波
数ｆに反比例する。これは、ＶＨＦ帝等の低周波の場合
、サーキュレータ・アイソレータの寸法が大きくなシ装
置設計上切実な問題である。
数ｆに反比例する。これは、ＶＨＦ帝等の低周波の場合
、サーキュレータ・アイソレータの寸法が大きくなシ装
置設計上切実な問題である。
（２） フェライトコアの直径り、を上記条件ｔ−無視
して小さくした場合には、インピーダンスが著しく小さ
くなり外部回路との整合が困−となる。
して小さくした場合には、インピーダンスが著しく小さ
くなり外部回路との整合が困−となる。
磁界調整用ネジを変化させて、サーキュレータ内部のイ
ンピーダンスを高くすることは可能であるが、挿入損失
、比帯域中に悪影響が現われ、場合によって使用に耐え
ないことがある。
ンピーダンスを高くすることは可能であるが、挿入損失
、比帯域中に悪影響が現われ、場合によって使用に耐え
ないことがある。
第４図は、フェライトコアの寸法を小さくしていった場
合インピーダンスの低下を補うために、厘タリインダク
タンスＬｓ 、 ＭＪｌ ：７ンデンサーＣｐＩｔ接続
してインピーダンス変換を行なうための手段を示してい
る。しかし、この場合でも、付加されたインダクタンス
Ｌ、、コンデンサーＣｐｌの存在により挿入損失が増加
し、比帯域中も狭くなるという問題を避けることはでき
ないという欠点がある。
合インピーダンスの低下を補うために、厘タリインダク
タンスＬｓ 、 ＭＪｌ ：７ンデンサーＣｐＩｔ接続
してインピーダンス変換を行なうための手段を示してい
る。しかし、この場合でも、付加されたインダクタンス
Ｌ、、コンデンサーＣｐｌの存在により挿入損失が増加
し、比帯域中も狭くなるという問題を避けることはでき
ないという欠点がある。
本発明は、上記従来技術の欠点を解消するとともに１小
型て高性能の集中定数型サーキュレータ・アイソレータ
を提供することを目的とするものである。 □ 本実ａＡは、上記目的を達成するために、７工リ磁性体
間に中心導体を配した集中定数型サーキュレータおよび
アイソレータにおいて、３枚の７エリ磁性体會用い、こ
れらを１ね合わせた＃に生ずる２個所の層間に、それぞ
れ５枚１組の中心導体ｔ−１組づつ合計２組配するとと
もに、前記２組の中心導体をそれぞれ電気的に直列に接
続した仁と會特徴とするものである。
型て高性能の集中定数型サーキュレータ・アイソレータ
を提供することを目的とするものである。 □ 本実ａＡは、上記目的を達成するために、７工リ磁性体
間に中心導体を配した集中定数型サーキュレータおよび
アイソレータにおいて、３枚の７エリ磁性体會用い、こ
れらを１ね合わせた＃に生ずる２個所の層間に、それぞ
れ５枚１組の中心導体ｔ−１組づつ合計２組配するとと
もに、前記２組の中心導体をそれぞれ電気的に直列に接
続した仁と會特徴とするものである。
以下、本発明を実施例により詳＃ｉＢＫ説明する。
ｍｓ図は、本発明の一笑施例會示す従断面図である。５
枚のフェライトコア４ｍ、 ４ｂ、４ａがシールド板Ｓ
の中に収納されている。３枚のフェライトコア６ａ、４
ｂ、 ｈａにより構成された２つの層間には１枚１組の
網目状中心導体が２組挿入されており、これらは電気的
に直列に接続されている。
枚のフェライトコア４ｍ、 ４ｂ、４ａがシールド板Ｓ
の中に収納されている。３枚のフェライトコア６ａ、４
ｂ、 ｈａにより構成された２つの層間には１枚１組の
網目状中心導体が２組挿入されており、これらは電気的
に直列に接続されている。
これらの憚子扛、第６図により詳細に示されている。図
では、中心導体の配置関係をわかり易くするために、７
工ライトコア間の間隔を実際よりかなシ広く描いである
。こ＼で、２組の網目状中心導体はＨａ、 １２ｂ、
１２ｅおよび１２’ａ、１２’ｂ、 １２’ｅで表わさ
れている。そのうちの５枚１組の中心導体１２’ａ、
１２’ｂ、 １２’ａのそれぞれの一端は接地されてい
る。これらは実ｌ！ｊＫはシールド板５もしくはアース
台４に接続される。中心導体１２′１、Ｈ’ｌ）。
では、中心導体の配置関係をわかり易くするために、７
工ライトコア間の間隔を実際よりかなシ広く描いである
。こ＼で、２組の網目状中心導体はＨａ、 １２ｂ、
１２ｅおよび１２’ａ、１２’ｂ、 １２’ｅで表わさ
れている。そのうちの５枚１組の中心導体１２’ａ、
１２’ｂ、 １２’ａのそれぞれの一端は接地されてい
る。これらは実ｌ！ｊＫはシールド板５もしくはアース
台４に接続される。中心導体１２′１、Ｈ’ｌ）。
１２′ｃのもう一つの一端は、もう１組の中心導体１２
＆。
＆。
１２ｂ、１２＠のそれぞれの一端とフェライトコア６の
外部で接続されている。中心導体１２ｍ、１２ｂ、ｔ２
ｅのもう一つの一端は外部回路の接続用に用いられる。
外部で接続されている。中心導体１２ｍ、１２ｂ、ｔ２
ｅのもう一つの一端は外部回路の接続用に用いられる。
このようＫすると、中心導体１２′１．１２′ｂ、１２
′ｃにより構成されるインダクタンスと１２ｍ、 １２
ｂ、 １２ｅＫ構成されるものとは電気回路的には直列
に張続されることとなり、中心導体１組の従来品に比較
してインダクタンスが著しく大きくなる。すなわち電気
回路的にはは譬２倍の直径のフェライトコアを用いたこ
とと等価になり、集中定数微サーキュレータの全体の寸
法を大きくすることなく内部のインピーダンスを大巾に
大きくできるという、従来技術にはない著しい長所があ
る。
′ｃにより構成されるインダクタンスと１２ｍ、 １２
ｂ、 １２ｅＫ構成されるものとは電気回路的には直列
に張続されることとなり、中心導体１組の従来品に比較
してインダクタンスが著しく大きくなる。すなわち電気
回路的にはは譬２倍の直径のフェライトコアを用いたこ
とと等価になり、集中定数微サーキュレータの全体の寸
法を大きくすることなく内部のインピーダンスを大巾に
大きくできるという、従来技術にはない著しい長所があ
る。
第８図ａは、第５図および第６図の本発明の構造を用い
て、２００ＭＨｚ帯でｇｏ”の小型集中定ａ型サーキュ
レータを作成したものの電気的性能を示す。ｂは５０口
において従来技術の構造を用いた場合である。用いたフ
ェライトコア６は両省とも１２φの直径である。この図
から明らかなように、本発明のものの電気的特性は、ｌ
５ｏｌａｔｉｏｎ Ｌｏｓｓの帯域中にしても、また挿
入損失にしても、従来構造のものと比較すると著しく改
善されていることがわかる。従″米技術を用いて、第口
図ａｏ％性と同じものを得ようとすれば確実Ｋ Ｓｏ”
は必要であることを考えると、小型化という点において
不発明の効果の著しいことが明らかである。
て、２００ＭＨｚ帯でｇｏ”の小型集中定ａ型サーキュ
レータを作成したものの電気的性能を示す。ｂは５０口
において従来技術の構造を用いた場合である。用いたフ
ェライトコア６は両省とも１２φの直径である。この図
から明らかなように、本発明のものの電気的特性は、ｌ
５ｏｌａｔｉｏｎ Ｌｏｓｓの帯域中にしても、また挿
入損失にしても、従来構造のものと比較すると著しく改
善されていることがわかる。従″米技術を用いて、第口
図ａｏ％性と同じものを得ようとすれば確実Ｋ Ｓｏ”
は必要であることを考えると、小型化という点において
不発明の効果の著しいことが明らかである。
１１！７図は、本発明の他の実施例を示す縦断［Ｉ図で
ある。この構造は、第Ｓ図の双磁石力式とに異なり、薄
型化を計るために本発明者によって既に提供された単−
磁６方式奢用いた集中定数型サーキュレータを示すもの
である。こ＼で、９は永久磁石、１０はアース板、１９
は上部軟磁性体である。この構造においても、第６図に
示された５枚のフェライトコア６と中心導体１２の配置
を用いることは可能である。これを用いて同様にＭＯ”
にｋ ＩＡ ”Ｃ２００ＭＨｚ帯集中定数型サー中すレ
ータｔ−作成し、第ａ ｆｌＪ ａの結果とはソ同じ結
果を得た。本図において、アース台１ｏとシールド板５
は別々なものとして描がかれているが、実際には一体物
として作られる場合が多い。また、第７囚では、ケース
は表されていないが、必要に応じて、磁気シールドケー
ス、電気シールドケースあるいは単なるグラスチックケ
ース會かぶせることが可能である。
ある。この構造は、第Ｓ図の双磁石力式とに異なり、薄
型化を計るために本発明者によって既に提供された単−
磁６方式奢用いた集中定数型サーキュレータを示すもの
である。こ＼で、９は永久磁石、１０はアース板、１９
は上部軟磁性体である。この構造においても、第６図に
示された５枚のフェライトコア６と中心導体１２の配置
を用いることは可能である。これを用いて同様にＭＯ”
にｋ ＩＡ ”Ｃ２００ＭＨｚ帯集中定数型サー中すレ
ータｔ−作成し、第ａ ｆｌＪ ａの結果とはソ同じ結
果を得た。本図において、アース台１ｏとシールド板５
は別々なものとして描がかれているが、実際には一体物
として作られる場合が多い。また、第７囚では、ケース
は表されていないが、必要に応じて、磁気シールドケー
ス、電気シールドケースあるいは単なるグラスチックケ
ース會かぶせることが可能である。
以上実施例を用いて詳述したごとく、本発明は３枚の７
エライトコアを用い、２個所の層間に５枚食組の中心導
体を配し、それらを電気的に直列に接続したことにより
、同寸法て従来構造のものと比較した場合、挿入損失、
比帯域中が著しく改善できたものである。従って小型化
、高性能化に対する産業界の要求と合致するものであり
、特に最近重要視されている省資源、省エネルギーの観
点からも、本発明の効果はこの鴇の産業界の期待に充分
答えられるものである。
エライトコアを用い、２個所の層間に５枚食組の中心導
体を配し、それらを電気的に直列に接続したことにより
、同寸法て従来構造のものと比較した場合、挿入損失、
比帯域中が著しく改善できたものである。従って小型化
、高性能化に対する産業界の要求と合致するものであり
、特に最近重要視されている省資源、省エネルギーの観
点からも、本発明の効果はこの鴇の産業界の期待に充分
答えられるものである。
第１図は従来の集中定数型サーキュレータおよびア〈ン
レータの縦断面図、第２図は要部の組立状態を示す斜視
図、第３図、第４図に従来のものの等価回路図、第５図
は本発明の一実施例を示す縦断面図、第４図は要部の組
立状態を示す斜視図、第７図は本発明の他の実施例を示
す縦断面図、第８図は本発明品と従来品との特性比較図
である。 １：ケース、２：調整ネジ、Ｓｍ、 ！ｌｂ、 ？ ：
永久磁石、４．１０：アース台、Ｓ：シールド板、４ｍ
、 ４ｂ、６ｃ：フェライトコア、１２ｍ、 １２ｂ、
１２ｅ、 ＋２’ａ、 １２’ｂ。 １２’ｃ：中心導体、８．１！：軟磁性体、２ｏ：ヒー
トシンク 代理人 升場士 本 間 崇 隼５ 図 第 ６ 図手続補正書（
自発） 昭和５７年２月 １日 特許庁 長官島田春樹殿 １ 事件の表示 昭和５６年 特 許 願第１８４３５５号２、発明の名
称 集中定数型サーキュレータおよびアイソレータ ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人１Ｆ 所 東
京都千代田区丸の内２丁目１番２号氏 名（名称１（５
０８）日立金属株式会社代表者 河 野 典 夫 ４、代理 人
レータの縦断面図、第２図は要部の組立状態を示す斜視
図、第３図、第４図に従来のものの等価回路図、第５図
は本発明の一実施例を示す縦断面図、第４図は要部の組
立状態を示す斜視図、第７図は本発明の他の実施例を示
す縦断面図、第８図は本発明品と従来品との特性比較図
である。 １：ケース、２：調整ネジ、Ｓｍ、 ！ｌｂ、 ？ ：
永久磁石、４．１０：アース台、Ｓ：シールド板、４ｍ
、 ４ｂ、６ｃ：フェライトコア、１２ｍ、 １２ｂ、
１２ｅ、 ＋２’ａ、 １２’ｂ。 １２’ｃ：中心導体、８．１！：軟磁性体、２ｏ：ヒー
トシンク 代理人 升場士 本 間 崇 隼５ 図 第 ６ 図手続補正書（
自発） 昭和５７年２月 １日 特許庁 長官島田春樹殿 １ 事件の表示 昭和５６年 特 許 願第１８４３５５号２、発明の名
称 集中定数型サーキュレータおよびアイソレータ ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人１Ｆ 所 東
京都千代田区丸の内２丁目１番２号氏 名（名称１（５
０８）日立金属株式会社代表者 河 野 典 夫 ４、代理 人
Claims (1)
- ７工リ磁性体関に中心導体を配した集中電数瀧サーキュ
レータおよびアイソレータにおいて、５枚の７工リ磁性
体を用い、これらｔ−１ね合わせた時に生ずる２個所の
層間に、それぞれ５枚１組の中心導体を１組づつ合計２
組配するとともＫ、前記２組の中心導体ｔそれぞれ電気
的に＠列に接続したことを％黴とする集中定数型サーキ
ュレータおよびアイソレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18435581A JPS5885609A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 集中定数型サ−キユレ−タおよびアイソレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18435581A JPS5885609A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 集中定数型サ−キユレ−タおよびアイソレ−タ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5885609A true JPS5885609A (ja) | 1983-05-23 |
Family
ID=16151794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18435581A Pending JPS5885609A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 集中定数型サ−キユレ−タおよびアイソレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5885609A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0777290A1 (en) | 1995-11-28 | 1997-06-04 | Tokin Corporation | Dual-band nonreversible circuit device comprising two nonreversible circuit elements contained in a single housing to be operable in different frequency bands |
| US6696901B1 (en) | 1999-03-26 | 2004-02-24 | Hitachi Metals, Ltd. | Concentrated constant irreciprocal device |
-
1981
- 1981-11-18 JP JP18435581A patent/JPS5885609A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0777290A1 (en) | 1995-11-28 | 1997-06-04 | Tokin Corporation | Dual-band nonreversible circuit device comprising two nonreversible circuit elements contained in a single housing to be operable in different frequency bands |
| US5898346A (en) * | 1995-11-28 | 1999-04-27 | Tokin Corporation | Dual-band nonreversible circuit device comprising two nonreversible circuit elements contained in a single housing to be operable in different frequency bands |
| US6696901B1 (en) | 1999-03-26 | 2004-02-24 | Hitachi Metals, Ltd. | Concentrated constant irreciprocal device |
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