JPS5885478A - Liquid crystal display element - Google Patents

Liquid crystal display element

Info

Publication number
JPS5885478A
JPS5885478A JP56183511A JP18351181A JPS5885478A JP S5885478 A JPS5885478 A JP S5885478A JP 56183511 A JP56183511 A JP 56183511A JP 18351181 A JP18351181 A JP 18351181A JP S5885478 A JPS5885478 A JP S5885478A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
substrate
electrode
layer
crystal display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP56183511A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0261725B2 (en
Inventor
大津 孝二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP56183511A priority Critical patent/JPS5885478A/en
Publication of JPS5885478A publication Critical patent/JPS5885478A/en
Publication of JPH0261725B2 publication Critical patent/JPH0261725B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は液晶表示装置に係わる。[Detailed description of the invention] The present invention relates to a liquid crystal display device.

液晶表示装置、例えばテレビジョン映像をなす平面型液
晶表示装置においては、いわゆるX−Y単純マトリクス
方式と、スイッチングMO8)ランジスタ(絶縁ゲート
型電界効果トランジスタ)とホールド用容量を内蔵した
アクティブマトリクス方式とが一般的に知られている。
In liquid crystal display devices, for example, flat-type liquid crystal display devices that display television images, there are two types: the so-called X-Y simple matrix method, and the active matrix method that incorporates a switching MO8) transistor (insulated gate field effect transistor) and a hold capacitor. is generally known.

これら表示装置において表示画像の階調やクロストーク
などの点で後者のアクティブマトリクス方式によるもの
の方が優れている。この種アクティブマトリクス方式に
よる液晶表示装置は、時分割多重駆動による。
Among these display devices, the latter active matrix method is superior in terms of display image gradation and crosstalk. This type of active matrix type liquid crystal display device uses time division multiplex driving.

この駆動回路は、例えば第1図に示す構成を有する。図
においてLCはその水平及び垂直方向のマトリクス状に
配列された各液晶表示部を示す。これら液晶表示部LC
は、その各−万の電極は、共通の電極とされて例えば接
地電位とされ、他方の電極は夫々独立に絵素電極として
導出される。また図において(1)は水平方向のシフト
レジスタ、バッファ回路入力回路等を含む水平方向の制
御回路部を示し、(21は垂直方向のシフトレジスタ、
バッツァ回路等を含む垂直方向の制御回路部で、水平方
向制御回路部(1)妊表示信号が与えられて順次的にス
イッチングMUS )ランジスタによって各液晶表示部
を表示するようになされる。またCは各イールド信号期
間中の電荷蓄積用のすなわちホ−ルド用容量を示す。
This drive circuit has a configuration shown in FIG. 1, for example. In the figure, LC indicates each liquid crystal display section arranged in a matrix in the horizontal and vertical directions. These liquid crystal display parts LC
Each of the ten thousand electrodes is made into a common electrode and is set to, for example, a ground potential, and the other electrodes are each independently derived as a picture element electrode. In the figure, (1) indicates a horizontal control circuit section including a horizontal shift register, a buffer circuit input circuit, etc., (21 indicates a vertical shift register,
A horizontal control circuit section (1) is supplied with a pregnancy display signal to a vertical direction control circuit section including a Batza circuit, etc., and sequentially switches each liquid crystal display section to display a display using a switching MUS (MUS) transistor. Further, C indicates a capacitor for charge storage, that is, a hold capacitor, during each yield signal period.

本発明はこのようなアクティブマトリクス方式による液
晶表示装置において、その液晶表示部とこれの駆動回路
とを共通の基板上に形成して全体の小型密実化と、更に
液晶表示部の長寿命化を図るようにした液晶表示装置を
提供するものである。
In such an active matrix type liquid crystal display device, the present invention forms the liquid crystal display section and its driving circuit on a common substrate, thereby making the entire device compact and compact, and further extending the life of the liquid crystal display section. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device designed to achieve the following.

1ず第2図及び第3図を参照して本発明を反射型液晶表
示装置に適用するたぬの一例を説明する。
1. First, an example of applying the present invention to a reflective liquid crystal display device will be explained with reference to FIGS. 2 and 3.

第2図は本発明装置の路線的平面図で、第3図はその一
部の拡大断面図を示す。捷ず@2図を参照して本発明装
置の概略構成を説明するに、本発明においては、基板(
lυとこれに対向して設けられた透明基板(12との間
に液晶(131を封入する液密空間を形成する。そして
、その中央部において各絵素な構成する液晶表示部Eを
配t L、その周辺の例えば四周に第1図で説明した制
御回路(1)及び(21を構成する周辺回路部Sを配置
する。
FIG. 2 is a schematic plan view of the device of the present invention, and FIG. 3 is an enlarged sectional view of a portion thereof. The schematic structure of the present invention device will be explained with reference to Figure 2. In the present invention, the substrate (
A liquid-tight space in which a liquid crystal (131) is sealed is formed between the Lυ and a transparent substrate (12) provided opposite thereto.Then, in the center of the liquid-tight space, a liquid crystal display section E constituting each picture element is arranged. The peripheral circuit section S constituting the control circuits (1) and (21) explained in FIG.

基板(Illは例えば100結晶面を有し比抵抗が2〜
3Ω・σのシリコン半導体基板より成り、これに対向し
て設けられる透明基板Q2+は例えば石英ガラス或いは
フロートガラス等の基板によって構成する。そして、こ
れら間に形成しだ液密空間内には、液晶例えばゲスト−
ホスト型の液晶(131を封入する。基板(IIl上に
は、第3図に示すように、液晶表示部を駆動制御する制
御回路及び各絵素に対応して設けられる駆動回路等を構
成する半導体回路が設けられる。半導体基板fjulの
周辺部には、前述したように、第1図で説明した制御回
路(1)及び(2)を構成する周辺回路部Sが設けられ
、これより内側において表示部Eの複数の絵素部が基板
旧)及びQ21の板面方向に沿って水平及び垂直方向に
すなわちマトリクス状に配列される。そして半導体基板
αυの液晶(13が配置される側にはこれら表示部に対
応して例えばN型のソース及びドレイン領域(14s)
及び(14d)がイオン注入法、拡散法等によって形成
され、これら間上にゲート絶縁層(151例えば5+0
2層が形成され、更にこれの上にゲート電極a0が設け
られて第1図で説明したスイッチング用のMOSトラン
ジスタが形成される。またこれらソース領域(14s)
及びドレイン領域(14d)上にオーミックに連結して
夫々ソース電極及びドレイン電極となり且つこれらより
の配線部となる導電層Qηが設けられる。筐たこれら各
MU8に隣合って基板旧)の表面に基板(111と同導
電型の高濃度領域(1&が設けられ、これの上には例え
ばゲート絶縁層+151と同時に形成された5r02等
の薄い誘電体層(1(lが形成され、これの上にMOS
のドレイン電極に連結された導電層(+7)が延在して
高濃度領域時との間に第1図で説明した容1cが構成さ
れる。導電層flrIが周辺回路部Sにおける配線或い
は電極等の導電層(201と共に例えば低比抵抗の多結
晶半導体層例えばソース及びドレイン、領域(14s)
及び(14d)と同導電型のN型の多結晶シリコン層に
よって形成し得る。(21)は基体0υの表面に形成さ
れた絶縁層、例えば厚いS iU2酸化物層である。ま
た、導電層aη及び翰上を含んで例えば全面的に燐ガラ
ス或いは砒素ガラス等の絶縁層曽を形成し、これの導電
層(171及び(2伊上の所定部に窓が穿設され、これ
ら宮を通じて導電層aη及び(涛と電気的に連結する端
子導出或いは各導電層+17)及び(イ)の相互の接続
等を行う金属配線層例えばM層圏が所定のパターンに形
成されてこれの上に表面が平滑化されるようにいわゆる
ガラスフローされた燐ガラス或いはポリイミド系樹脂等
による絶縁層(2mが被着される。そしてこの絶縁層+
231上に液晶0騰に電圧を与えるための電極特に表示
部Eすなわち各絵素に対応して設けられる絵素電極(2
4Jと、周辺回路部S上に対向する部分、言い換えれば
本来の表示部以外で且つ液晶(131の四周に対する例
えばリング状の周辺電極(25)と、更に端子部(3の
とを配置する。各絵素電極シ(イ)はこれの下の例えば
容量Cの一部の電極となる導電層αηに接続された金層
配線層(22に、絶縁#(231に穿設された窓を通じ
て電気的に接続される。電極(2荀及び(ハ)上とこれ
らが形成されていない絶縁層(2(至)上に渡って全面
的に8+02等の液晶の配向効果を得るための配向処理
がなされた配向層(26)が全面的に被着される。
The substrate (Ill, for example, has 100 crystal planes and has a specific resistance of 2 to
The transparent substrate Q2+ is made of a silicon semiconductor substrate of 3 Ω·σ, and the transparent substrate Q2+ provided opposite thereto is made of, for example, quartz glass or float glass. In the liquid-tight space formed between these liquid crystals, for example, guest
A host-type liquid crystal (131) is sealed. On the substrate (II), as shown in FIG. A semiconductor circuit is provided.As mentioned above, the peripheral circuit section S that constitutes the control circuits (1) and (2) explained in FIG. A plurality of picture element parts of the display part E are arranged horizontally and vertically, that is, in a matrix along the board surface direction of the substrate Q21. For example, N-type source and drain regions (14s) correspond to these display areas.
and (14d) are formed by ion implantation, diffusion, etc., and a gate insulating layer (151, for example, 5+0
Two layers are formed, and a gate electrode a0 is further provided on this to form the switching MOS transistor described in FIG. 1. Also, these source areas (14s)
And on the drain region (14d), a conductive layer Qη is provided which is ohmically connected to serve as a source electrode and a drain electrode, respectively, and a wiring portion between these. A high concentration region (1&) of the same conductivity type as the substrate (111) is provided on the surface of the substrate (old substrate) adjacent to each of these MU8s, and on top of this, for example, a layer of 5r02 etc. formed at the same time as the gate insulating layer +151 is provided. A thin dielectric layer (1) is formed on which the MOS
A conductive layer (+7) connected to the drain electrode extends to form the capacitor 1c explained in FIG. 1 between the high concentration region and the high concentration region. The conductive layer flrI is a conductive layer such as a wiring or an electrode in the peripheral circuit section S (along with 201, for example, a low resistivity polycrystalline semiconductor layer such as a source, drain, region (14s)
It can be formed of an N-type polycrystalline silicon layer having the same conductivity type as (14d) and (14d). (21) is an insulating layer formed on the surface of the substrate 0υ, for example a thick SiU2 oxide layer. In addition, an insulating layer such as phosphor glass or arsenic glass is formed on the entire surface including the conductive layer aη and the top of the screen, and windows are bored in predetermined parts of the conductive layer (171 and (2)). A metal wiring layer, for example, an M-layer area, is formed in a predetermined pattern to connect the conductive layer aη and (terminals electrically connected to the wave or each conductive layer +17) and (a) through these layers. An insulating layer (2 m) of so-called glass-flowed phosphor glass or polyimide resin is deposited on the top so that the surface is smoothed.
231, there is an electrode for applying voltage to the liquid crystal, especially the display part E, that is, a picture element electrode (231) provided corresponding to each picture element.
4J and a portion facing the peripheral circuit portion S, in other words, a ring-shaped peripheral electrode (25) for the four circumferences of the liquid crystal (131) and a terminal portion (3) are arranged in a portion other than the original display portion. Each pixel electrode A is connected to a gold layer wiring layer (22) connected to a conductive layer αη, which serves as a part of the electrode of a capacitor C, for example, through a window drilled in an insulating layer C (231). The alignment treatment to obtain the alignment effect of liquid crystal such as 8+02 is performed on the entire surface of the electrodes (2 and (c)) and the insulating layer (2 (to)) where these are not formed. The resulting alignment layer (26) is applied over the entire surface.

−万透明基板a2の内面には、基板fill側に設けら
れた周辺電極(251と対向して遮光性を有する電極(
2)例えばCr層とAu層とが積層された電極或いはT
i層とAl1層とが積層された電極が形成される。この
電極(5)上には5iOz等の同様に液晶の配向効果を
得るための配向処理がなされた配向層(至)が被着形成
される。また、透明基板(121の表示部Eを構成する
部分の内面には、各絵素電極(2aに対して共通の対向
電極(29+となる透明′!I!極例えばS、102或
いはT103層等が被着される。この対向電極のは例え
ば配向層((ト)に穿設された窓を通じて遮光電極(潤
に電気的に接続されて例えばこれらに接地電位が供給さ
れる。また対向電極(29)の表面も液晶の配向効果を
得るための配向処理がなさnる。
- On the inner surface of the transparent substrate a2, a peripheral electrode (an electrode having a light shielding property opposite to the peripheral electrode 251 provided on the substrate fill side) is provided.
2) For example, an electrode in which a Cr layer and an Au layer are stacked or a T
An electrode is formed in which an i layer and an Al1 layer are laminated. On this electrode (5), an alignment layer (5) of 5iOz or the like which has been similarly subjected to an alignment treatment to obtain a liquid crystal alignment effect is formed. In addition, on the inner surface of the portion constituting the display section E of the transparent substrate (121), each picture element electrode (2a has a common counter electrode (29+ transparent'!I! layer, etc. This counter electrode is electrically connected to the light-shielding electrode (W) through a window formed in the alignment layer ((G), so that, for example, a ground potential is supplied to them. The surface of 29) is also subjected to an alignment treatment to obtain a liquid crystal alignment effect.

(至)は基板(lυ及び透明基板(121間の間隔を規
制して液晶03)の封入空間の厚さを規制するスペーサ
となり且つ液晶封入空間を液密に保持する障壁でまた則
はAgペースト或いはInバンプ等よりなる導電体で、
例えば遮光電極(2ηとこれに対応する端子部国とを電
気的に接続する。
(to) is a spacer that regulates the thickness of the enclosed space of the liquid crystal 03 by regulating the distance between the substrate (lυ) and the transparent substrate (121), and a barrier that keeps the liquid crystal enclosed space liquid-tight. Or a conductor made of In bumps etc.
For example, a light-shielding electrode (2η) and a corresponding terminal portion are electrically connected.

基板(111の裏面には電極層時例えば300Xの厚さ
のIl+、層と3000Xの厚さのA、層とが積層され
て被着され例えばこれに接地電位が与えられる。
On the back surface of the substrate (111), an electrode layer, eg, a 300× thick Il+ layer and a 3000× thick layer A, are stacked and deposited, and a ground potential is applied to this, for example.

そして特に本発明においては、周辺電極(251K 渡
光電極哨と同電位の接地電位が与えられて液晶(131
の表示部以外の周辺回路部における液晶が無電界状態と
なるようにする。
In particular, in the present invention, a ground potential of the same potential as the peripheral electrode (251K) is applied to the liquid crystal (131K).
The liquid crystal in the peripheral circuit section other than the display section is made to be in an electric field-free state.

このような構成による表示装置は、第1図で説明した制
御回路(1)及び(2)と、各絵素を駆動する駆動回路
すなわちMOS及びC等と、液晶表示部LCが共通の基
板において一体化されて形成されるので小型密実化、更
に組立製造の簡易化従って量産性が図られるとともに特
に液晶(131のその表示部すなわち絵素となる部分以
外にはこれを挾んで対向する周辺電極(25)と遮光電
極(2ηとに同電位が与えられるのでこの部分には電界
が与えられない状態に゛保持されるものであり、これが
ためここKおける液晶の疲労が生じることがなくこの疲
労による液晶の特性低下が他の本来の表示部に及んで行
く不都合を回避できる。
In a display device with such a configuration, the control circuits (1) and (2) explained in FIG. Since it is formed in an integrated manner, it is possible to achieve compactness and compactness, and also to simplify assembly and manufacturing, thereby increasing mass production. Since the same potential is applied to the electrode (25) and the light-shielding electrode (2η), no electric field is applied to this part, and this prevents fatigue of the liquid crystal here. It is possible to avoid the inconvenience that deterioration of the characteristics of the liquid crystal due to fatigue extends to other original display parts.

尚、上述した例に卦いては液晶表示部EKおける共通の
対向電極C2!11にも接地電位が与えられる場合で遮
光電極(27)と電気的に連結させた場合であるがこの
対向電極(29)に遮光電極(27)と異なる電位が与
えらねる場合にはこの対向電極りと遮光電極(2ηとは
電気的に分離され且つ対向電極シ(から独立に端子導出
がなされることは言うまでもないところであろう。
In the above example, the common counter electrode C2!11 in the liquid crystal display section EK is also given a ground potential and is electrically connected to the light-shielding electrode (27), but this counter electrode ( It goes without saying that if a potential different from that of the light-shielding electrode (27) is not applied to the light-shielding electrode (29), the counter electrode and the light-shielding electrode (2η) are electrically separated and the terminals are led out independently from the light-shielding electrode (27). It would be a good place.

上述した本発明装置においては基板01)上に設けられ
た駆動制御回路によって映像表示信号に応じた信号電圧
が液晶表示部Eの各絵素の、絵素電極(24)に110
次与えられてこれと対向する対向電#i翰との共働によ
って各絵素部の液晶に所定の電圧が印加されこれによっ
て光学的変化が得られこれを透明基板(121側から透
明電極よりなる対向型′w!+291を通じて観察する
ことができ目的とする光学的表示を得ることができる。
In the above-described device of the present invention, a signal voltage corresponding to a video display signal is applied to the pixel electrode (24) of each pixel of the liquid crystal display section E by the drive control circuit provided on the substrate 01).
Next, a predetermined voltage is applied to the liquid crystal of each pixel part by cooperation with the counter electrode #i which faces the applied voltage, and this produces an optical change. Observation can be made through the opposed type 'w!+291, and the desired optical display can be obtained.

上述した例においては、本発明を反射型液晶表示装置に
適用した場合であるが、本発明を透過型液晶表示装置に
適用することもできる。この場合の一例を第4図を参照
して説明しよう。第4図は、この透過型液晶表示装噴の
要部の拡大断面図を示すもので、第3図と対応する部分
には同一符号を付して重複説明を省略する。すなわちこ
の例においても前述したと同様に基板(11)と透明基
板(121とを対向して設ける。そして両者間に形成し
だ液密空間に液晶例えばネマチックツイスト型の液晶(
131を配置し、その中央部において各絵素を構成する
液晶表示部Eを構成し、その周辺の例えば四周に第1図
で説明した制御回路部(11及び(2)を構成する周辺
回路部Sを構成するものであるが、特にこの例において
は、基板(11)を透明基板例えばサファイア基板によ
って構成し、このサファイア基板(III上に例えばエ
ピタキシャル成長等による半導体層(旬を形成し、これ
に第3図で説明したと同様の半導体回路を形成する。す
なわちこの半導体層(4υの周辺部に第1図で説明した
制御回路fi+及び(2)を構成する周辺回路部Sを形
成し、これより内側において表示部Eの複数の絵素部を
マトリクス状に配列形成し、これらに対応して第1図で
説明した各絵素に対応する駆動回路、すなわちM(JS
及びCを配置する。
In the above example, the present invention is applied to a reflective liquid crystal display device, but the present invention can also be applied to a transmissive liquid crystal display device. An example of this case will be explained with reference to FIG. FIG. 4 shows an enlarged sectional view of the main parts of this transmission type liquid crystal display device, and parts corresponding to those in FIG. 3 are given the same reference numerals and redundant explanation will be omitted. That is, in this example as well, the substrate (11) and the transparent substrate (121) are provided facing each other in the same way as described above.Then, a liquid crystal, for example, a nematic twist type liquid crystal (
131, the central part constitutes the liquid crystal display section E constituting each picture element, and the peripheral circuit section constituting the control circuit section (11 and (2)) explained in FIG. Particularly in this example, the substrate (11) is made of a transparent substrate, such as a sapphire substrate, and a semiconductor layer (11) is formed on this sapphire substrate (III) by, for example, epitaxial growth. A semiconductor circuit similar to that explained in FIG. 3 is formed. That is, a peripheral circuit section S constituting the control circuit fi+ and (2) explained in FIG. 1 is formed in the peripheral part of this semiconductor layer (4υ), On the inner side, a plurality of picture elements of the display section E are arranged in a matrix, and a drive circuit corresponding to each picture element explained in FIG.
and C are placed.

この例においては容′fjkCを半導体層(41)に設
けられた高濃度領域(舟この例ではN型の高濃度領域上
に形成した薄い絶縁層(1!1を挾んでMUSのドレイ
ン領域(14d)にオーミックに連結された導電層(I
7)との間に形成される静電容量と、更にこの導電層σ
η上に絶縁層(33)を介して延在され且つ高濃度領域
f181にオーミックに接続された例えばTaよりなる
電極層(421との間に形成された静電容量とまた更に
この電極層(4aとこれのTaの表面を酸化させたTa
205よりなる絶縁層を介してこれの上に延在されドレ
イン領域(14d )と電気的に接続された金@導°醒
層(221との間に形成された静電容量との並列接続さ
れたftによって構成した場合である。
In this example, the capacitance 'fjkC is sandwiched between a thin insulating layer (1!1) formed on a high concentration region (in this example, an N-type high concentration region) provided in the semiconductor layer (41) and the drain region ( 14d) conductive layer (I) ohmically coupled to
7) and this conductive layer σ
The capacitance formed between the electrode layer (421) made of, for example, Ta, which extends over η via the insulating layer (33) and is ohmically connected to the high concentration region f181, and this electrode layer ( 4a and its Ta surface oxidized
The capacitance formed between the gold conductive layer (221) and the gold conductive layer (221) which extends over this through an insulating layer consisting of 205 and is electrically connected to the drain region (14d) is connected in parallel. ft.

そして寸だこの例においては、各絵素電極(24)を透
明電極例えば5nU2 、 TlU3等によって形成す
る。
In this example, each picture element electrode (24) is formed of a transparent electrode such as 5nU2 or TlU3.

1だ透明基板(lり側には、各絵素間を分離するように
格子状、または網状に遮光性導電層(43例えばCr層
−AuN、或いはTi層−AU層の各積層構造の導電層
をM!看する。この遮光性導を層(431は、透明基板
112の周辺に設けられた遮光層W (271の形成と
同時に形成し得、更に相反に連結してすなわち′電気的
に互いに接続されるように形成し得る。透明対向電極(
2湧は少くとも遮光性導電層(43が形成されていない
格子ないしは網目内に被着され前述した例と同様に81
(J2等の絶縁層(2榎に穿設した窓を通じて遮光1!
棲(潤に連結される。
One transparent substrate (on the other side, there is a light-shielding conductive layer (43) in a lattice or net shape to separate each picture element (for example, a conductive layer of each laminated structure of Cr layer-AuN or Ti layer-AU layer). This light-shielding conductive layer (431 can be formed simultaneously with the formation of the light-shielding layer W (271) provided around the transparent substrate 112, and is further connected reciprocally, that is, electrically Transparent counter electrodes (
2. The light-shielding conductive layer (81) is deposited within the grid or mesh where 43 is not formed, as in the above example.
(Insulating layer such as J2 (2) Shading through the window drilled in the hole 1!
Sui (connected to Jun.

基板IIHの裏面には、遮光性導電層143)の格子な
いしは網目部分に対向する部分に窓(44)が穿設され
た遮光層(佃例えば黒色のシリコン樹脂或いはエポキシ
樹脂育たば黒色金属、カーボン層が被着され、その例え
ば−側縁に基板的)の裏面に直接的に接して例えば多結
晶シリコン層(461を介してAg等の金属層(4ηを
形成する。或いは遮光層(4ωはこれら多結晶シリコン
層(46)と金属層(4ηの8r層体によって構成する
こともできる。
On the back side of the substrate IIH, a light shielding layer (for example, black silicone resin, epoxy resin, black metal, carbon A metal layer (4η) such as Ag is formed via a polycrystalline silicon layer (461) or a light shielding layer (4ω It can also be composed of these polycrystalline silicon layers (46) and metal layers (8R layers of 4η).

このようにして基板(Ill及び02の遮光層(451
及び(4,:l)の格子ないしは網目内を光透過部とし
てこれらを表示部Eの各絵素部とし、遮光層(4■及び
(431が配置されて遮光された部分に各M(JSが配
置されるようにする。
In this way, the light shielding layer (451) of the substrate (Ill and 02)
The inside of the lattice or mesh of (4,:l) is used as a light transmitting part, and these are used as each pixel part of display part E, and each M (JS be placed.

このような構成において前述した例と同様に基板圓上に
設けられた駆動制御回路によって映像表示信号に応じた
信号電圧が液晶表示部Eの各絵素の透明絵素電極(蹟に
順次与えられてこれと対向する対向電極3犠との共働に
よって各絵素部の液晶に所知の電圧が与えられて周知の
ように旋光性の制御がなされて基板fill ’または
(12側から透過光の変化として光学的表示の観察が行
われる。
In such a configuration, a signal voltage corresponding to the video display signal is sequentially applied to the transparent picture element electrode of each picture element of the liquid crystal display section E by a drive control circuit provided on the substrate circle, as in the above-mentioned example. A predetermined voltage is applied to the liquid crystal of each picture element by the cooperation of this and the opposing electrode 3, and as is well known, the optical rotation is controlled and the transmitted light is transmitted from the substrate fill' or (12 side). Observation of the optical display is performed as a change in .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の説明に供する液晶表示装置の駆動制御
回路の構成図、第2図は本発明による液晶表示装置の一
例の路線的平面図、第3図はその要部の拡大1@面図、
第4図は本発明装置の他の例の要部の拡大断面図である
。 ai+は基板、(121は透明基板、(131は液晶、
(241は液晶!極、(29)は対向電極、(2η及び
α段は遮光電極及びこれと対向する周辺電極である。 手続補正書 1.事件の表示 昭和56年特許願第 183511 号2、発明の名称
 液晶表示装置 3、補正をする者 代表取締役 大 賀 典 雄 6、補正により増加する発明の数 7°補正fl対象  明細書の発明の詳細な説明の欄8
、補正の内容 (1)  明細書中、第12頁、18行「にする。」の
次に改行して[以上において、遮光電極(2)や遮光性
導電層(43を光反射率の低いCr層やW層によって構
成することができる。透明基板0り周辺部において基板
0υとの貼合せの際の位置合せマークを遮光電極(5)
の欠除パターンによって形成することができ、又透明基
板σ渇のスクライプ線近傍には遮光電極@や透明対向電
極(2)を形成しないことによりスクライプによってめ
(れるこれらの電極による基板0υとの間の短絡を防ぐ
ことができる。」を加入する。
FIG. 1 is a configuration diagram of a drive control circuit of a liquid crystal display device used to explain the present invention, FIG. 2 is a schematic plan view of an example of a liquid crystal display device according to the present invention, and FIG. 3 is an enlarged view of the main parts 1@ side view,
FIG. 4 is an enlarged sectional view of the main parts of another example of the device of the present invention. ai+ is a substrate, (121 is a transparent substrate, (131 is a liquid crystal,
(241 is the liquid crystal! pole, (29) is the counter electrode, (2η and α stages are the light-shielding electrode and the peripheral electrode opposite to it. Title of the invention: Liquid crystal display device 3, Person making the amendment: Representative Director Norio Ohga6: Number of inventions increased by the amendment: 7° Subject to amendment fl: Detailed explanation of the invention in the specification: 8
, Contents of the amendment (1) In the specification, page 12, line 18, after "to be." It can be composed of a Cr layer or a W layer.A light-shielding electrode (5) is used as a positioning mark at the periphery of the transparent substrate when bonding with the substrate 0υ.
By not forming a light-shielding electrode or a transparent counter electrode (2) near the scribe line of the transparent substrate σ, the contact between these electrodes and the substrate 0υ caused by the scribe can be reduced. It is possible to prevent short circuits between the two.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 基板の表面または基板上に半導体回路が設けられ、上記
基板の上記半導体回路を有する側に対向して透明板が設
けられ該透明板と上記基板との対向部間が液密に保持さ
れ該液密空間内に液晶が封入され、表示部の液晶に電圧
を印加する複数の絵素電極とこれの対向電極とが上記基
板側と上記透明板側とに設けられ、上記表示部以外の液
晶にほぼ同電位を与える遮光電極とこれに対向する電極
とが上記透明板側と上記基板側とに設けられて成る液晶
表示装置。
A semiconductor circuit is provided on the surface of the substrate or on the substrate, a transparent plate is provided opposite to the side of the substrate having the semiconductor circuit, and an opposing portion between the transparent plate and the substrate is maintained liquid-tight, and the liquid A liquid crystal is sealed in a closed space, and a plurality of pixel electrodes for applying voltage to the liquid crystal of the display section and electrodes opposite these are provided on the substrate side and the transparent plate side, and the liquid crystals other than the display section are A liquid crystal display device comprising a light-shielding electrode that provides approximately the same potential and an electrode that opposes the light-shielding electrode on the transparent plate side and the substrate side.
JP56183511A 1981-11-16 1981-11-16 Liquid crystal display element Granted JPS5885478A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56183511A JPS5885478A (en) 1981-11-16 1981-11-16 Liquid crystal display element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56183511A JPS5885478A (en) 1981-11-16 1981-11-16 Liquid crystal display element

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5885478A true JPS5885478A (en) 1983-05-21
JPH0261725B2 JPH0261725B2 (en) 1990-12-20

Family

ID=16137114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56183511A Granted JPS5885478A (en) 1981-11-16 1981-11-16 Liquid crystal display element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5885478A (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62167221U (en) * 1986-04-14 1987-10-23
JPH0643455A (en) * 1993-02-18 1994-02-18 Seiko Epson Corp Liquid crystal projection device
JPH06118432A (en) * 1992-10-09 1994-04-28 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device
JPH06138489A (en) * 1992-10-29 1994-05-20 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device
JPH06138488A (en) * 1992-10-29 1994-05-20 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device
JPH08328000A (en) * 1995-06-01 1996-12-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Active matrix type liquid crystal display device
JP2002023196A (en) * 2001-04-23 2002-01-23 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device
US7142273B1 (en) 1996-06-25 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display panel with a laminating structure containing a semiconductor layer located under the seal
US7298447B1 (en) 1996-06-25 2007-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display panel
US8045125B2 (en) 1997-05-22 2011-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having a gap retaining member made of resin formed directly over the driver circuit

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001249352A (en) * 2000-03-03 2001-09-14 Fujitsu Ltd Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JP2006267818A (en) * 2005-03-25 2006-10-05 Hitachi Displays Ltd Liquid crystal display apparatus and projector

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62167221U (en) * 1986-04-14 1987-10-23
JPH06118432A (en) * 1992-10-09 1994-04-28 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device
JPH06138489A (en) * 1992-10-29 1994-05-20 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device
JPH06138488A (en) * 1992-10-29 1994-05-20 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device
JPH0643455A (en) * 1993-02-18 1994-02-18 Seiko Epson Corp Liquid crystal projection device
JPH08328000A (en) * 1995-06-01 1996-12-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Active matrix type liquid crystal display device
US7667817B2 (en) 1996-06-25 2010-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display panel
US7142273B1 (en) 1996-06-25 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display panel with a laminating structure containing a semiconductor layer located under the seal
US7298447B1 (en) 1996-06-25 2007-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display panel
US8334964B2 (en) 1996-06-25 2012-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display panel
US8045125B2 (en) 1997-05-22 2011-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having a gap retaining member made of resin formed directly over the driver circuit
US8854593B2 (en) 1997-05-22 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
JP2002023196A (en) * 2001-04-23 2002-01-23 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0261725B2 (en) 1990-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4838654A (en) Liquid crystal display device having display and driver sections on a single board
US5486708A (en) Light valve device using semiconductive composite substrate
KR100596143B1 (en) Liquid crystal display and its manufacture method
EP0617309B1 (en) Active matrix panel
US6075580A (en) Active matrix type liquid crystal display apparatus with conductive light shield element
CN1185530C (en) Film semiconductor device and liquid crystal display unit and manufacture thereof
US5618739A (en) Method of making light valve device using semiconductive composite substrate
US5159477A (en) Active matrix display device having additional capacitors connected to switching elements and additional capacitor common line
JPS60216377A (en) Liquid crystal display
JP3070062B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JPS5885478A (en) Liquid crystal display element
JP3490216B2 (en) Method for manufacturing switching element substrate
US5537234A (en) Relective liquid crystal display including driver devices integrally formed in monocrystalline semiconductor layer and method of fabricating the display
JPH05243333A (en) Thin film field-effect transistor substrate
US5508765A (en) Matrix-addressed type display device
JPH0567210B2 (en)
JPH0646277B2 (en) Liquid crystal display with built-in storage capacity
JP3405988B2 (en) Active matrix display using buried ground plane
JP2000206565A (en) Semiconductor device for display and liquid crystal display using such device
JPS58190063A (en) Thin film transistor for transmission type liquid crystal display panel
JPS61235820A (en) Active matrix panel
JPH08234215A (en) Liquid crystal display device
JPS6112271B2 (en)
US6819388B2 (en) Active matrix liquid crystal display with local drivers
JP3064597B2 (en) LCD panel