JPS5883383A - 磁気バブルメモリ素子作成方法 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子作成方法Info
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- JPS5883383A JPS5883383A JP56178427A JP17842781A JPS5883383A JP S5883383 A JPS5883383 A JP S5883383A JP 56178427 A JP56178427 A JP 56178427A JP 17842781 A JP17842781 A JP 17842781A JP S5883383 A JPS5883383 A JP S5883383A
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- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0816—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ素子の作成方法の改良に関す
る。
る。
磁気バブルメモリ素子は製作技術および材料の進歩に従
って１素子内に格納される磁気バブル（以下バブルとい
う）の記憶容量は年とともに増加し、一方記憶媒体であ
るバブル径は減少し、またムｕＩＲはＮｔ −ｃ、合金
などからなる導電パターン訃よびパーマロイなどからな
る転送パターンは微小化している。
って１素子内に格納される磁気バブル（以下バブルとい
う）の記憶容量は年とともに増加し、一方記憶媒体であ
るバブル径は減少し、またムｕＩＲはＮｔ −ｃ、合金
などからなる導電パターン訃よびパーマロイなどからな
る転送パターンは微小化している。
例えば記憶容量１Ｍビットのメモリ素子の場合、最小パ
ターン寸法は約１μｍであり、１０雪角の磁性ガーネツ
ト結晶膜上に電子回路の全パターンが形成されている。
ターン寸法は約１μｍであり、１０雪角の磁性ガーネツ
ト結晶膜上に電子回路の全パターンが形成されている。
さて、これについて現在用いられているパターン形成法
としては、高性能な投影露光機を用いる場合、可能転写
領域ＩＩ：ｌ：１ ｏ１１ｍ角であるが、分解能などに
よる歩留りを考慮し、分解能の曳い中心部？用い５ｘ１
０四のパターン領域１２回露光して１０箇角の回路パタ
ーンを形成し、これＹｒ１素子とすることが行われてい
る。
としては、高性能な投影露光機を用いる場合、可能転写
領域ＩＩ：ｌ：１ ｏ１１ｍ角であるが、分解能などに
よる歩留りを考慮し、分解能の曳い中心部？用い５ｘ１
０四のパターン領域１２回露光して１０箇角の回路パタ
ーンを形成し、これＹｒ１素子とすることが行われてい
る。
ここで現在のブロックリプリケートトランスファ方式に
よ−る回路構成においてにアクセスタイムを早めるため
左右それぞれ異った構成勿とり、入力情報に対応するバ
ブル信号１＊数列と奇数列とに分けて処理するオツド・
イーブン方式がとられている。
よ−る回路構成においてにアクセスタイムを早めるため
左右それぞれ異った構成勿とり、入力情報に対応するバ
ブル信号１＊数列と奇数列とに分けて処理するオツド・
イーブン方式がとられている。
第１図は従来のパーマロイパターン回路を形成させる露
光マスクの概略図で、これは発生器形成端部１ｍ、１ｂ
＠有する書き込みメジャライン２、！イナーループ３、
読み出しメジャライン４、バブル検出器５などを得る念
めのマスクパターン管有し、酸パターン形状は実際には
Ｔ−Ｉパターン中ハーフディスクパターン等が列状に位
置して構成されている。
光マスクの概略図で、これは発生器形成端部１ｍ、１ｂ
＠有する書き込みメジャライン２、！イナーループ３、
読み出しメジャライン４、バブル検出器５などを得る念
めのマスクパターン管有し、酸パターン形状は実際には
Ｔ−Ｉパターン中ハーフディスクパターン等が列状に位
置して構成されている。
この露光マスクパターンの特徴は書き込みメジャライン
２が２つの発生器形成端部１１，１ｂ７もち、また検出
器５もダ（−１−含めてフィシ、ボンやサーペンタイン
形状からなる３つのパーマロイ検出素子５ａ、５ｂ、５
ｃより形成されていることである。
２が２つの発生器形成端部１１，１ｂ７もち、また検出
器５もダ（−１−含めてフィシ、ボンやサーペンタイン
形状からなる３つのパーマロイ検出素子５ａ、５ｂ、５
ｃより形成されていることである。
第２ＷＪはこのマスクパターンを用い、ウェハーを５■
移動させて２回投影露光を行い、５［１０Ｋｋ’ｔ）（
）メモリパターンｔ２個作り、すラド・イーブン方式の
回路構成をとうた１Ｍビットパプルメ篭り素子の構成図
である。
移動させて２回投影露光を行い、５［１０Ｋｋ’ｔ）（
）メモリパターンｔ２個作り、すラド・イーブン方式の
回路構成をとうた１Ｍビットパプルメ篭り素子の構成図
である。
このメモリ素子は磁性ガーネット単結晶全生成し危つ罵
バー上忙先ず絶縁膜を被着し、次いで該絶縁属面にバブ
ル制御用の導体パターンをホトエツチングにより形成し
て例えば点線で示す発生器形成用の導体パターンＩＣ，
１ｄ’ｉｊ１作する。しかる後、該導体パターン上に絶
縁膜を被着してから導体パターン上に第１図の露光マス
クを用いてパーマロイパターン？形成することにより製
造されている。
バー上忙先ず絶縁膜を被着し、次いで該絶縁属面にバブ
ル制御用の導体パターンをホトエツチングにより形成し
て例えば点線で示す発生器形成用の導体パターンＩＣ，
１ｄ’ｉｊ１作する。しかる後、該導体パターン上に絶
縁膜を被着してから導体パターン上に第１図の露光マス
クを用いてパーマロイパターン？形成することにより製
造されている。
図において、１と１′ はパーマロイパターンからなる
書き込みメジャライン２の端部１ｍ、１ｂと導体パター
ンＩｃ、ｔｄが重なって形成され々２個のパズル発生器
である。また左側のパターン６がバブル信号の奇数列を
処理格納する奇数プロ、り、右側のパターン７が偶数例
會処理格納する偶数ブロックで、この両ブロック６．７
により１素子の回路構成がとられている。
書き込みメジャライン２の端部１ｍ、１ｂと導体パター
ンＩｃ、ｔｄが重なって形成され々２個のパズル発生器
である。また左側のパターン６がバブル信号の奇数列を
処理格納する奇数プロ、り、右側のパターン７が偶数例
會処理格納する偶数ブロックで、この両ブロック６．７
により１素子の回路構成がとられている。
す力わちメジャ・マイナ構成をとるこの回路においては
数多くの！イナループ３および３′ がメジャライン２
および２／ ｅ構成する転送パターンの１ビット置きに
配列されている二七してバブル信号の書き込みに当って
はバブル信号か駆動磁界によってメジャライン２および
２１ の上を伝播するが、この際バブル信号１構成す
る奇数番目のパズルが奇数ブロック６のマイナループ３
に対応したメジャライン２の各ビット位置に輸送され、
同時に偶数書目のパズルが偶数ブロック７のマイナルー
プ３／に対応したメジャライン２′ の各ビット位置忙
輸送される。
数多くの！イナループ３および３′ がメジャライン２
および２／ ｅ構成する転送パターンの１ビット置きに
配列されている二七してバブル信号の書き込みに当って
はバブル信号か駆動磁界によってメジャライン２および
２１ の上を伝播するが、この際バブル信号１構成す
る奇数番目のパズルが奇数ブロック６のマイナループ３
に対応したメジャライン２の各ビット位置に輸送され、
同時に偶数書目のパズルが偶数ブロック７のマイナルー
プ３／に対応したメジャライン２′ の各ビット位置忙
輸送される。
しかる後この状１１Ｉにおいて図示していない導体パタ
ーンからなるトランスファゲートの作用によりメジャテ
ィン２ｓ？よび２Ｉ 上の各バブルに一斉に各マイナル
ープＳおよび３／に輸送されて書き込みが行われる。
ーンからなるトランスファゲートの作用によりメジャテ
ィン２ｓ？よび２Ｉ 上の各バブルに一斉に各マイナル
ープＳおよび３／に輸送されて書き込みが行われる。
ここでバブル信号を発生する偶数および奇数プリッタの
発生器１．１／ は駆動回路を簡単化させるため同一電
源により動作されるが、この際上記の書き込みが行われ
ゐためには発生器１および１′よシ書き込みメジャライ
ン２および２／ に到る転送路Ｏビット数を奇数ブロッ
ク６と偶数ブロック７とでは１ビツトずれていることが
必要であり、これは２つある発生器をそれぞれ使い分け
ることにより行われている。
発生器１．１／ は駆動回路を簡単化させるため同一電
源により動作されるが、この際上記の書き込みが行われ
ゐためには発生器１および１′よシ書き込みメジャライ
ン２および２／ に到る転送路Ｏビット数を奇数ブロッ
ク６と偶数ブロック７とでは１ビツトずれていることが
必要であり、これは２つある発生器をそれぞれ使い分け
ることにより行われている。
すなわち、ｔｓ２図の如く奇数ブロック乙においては右
側の発生１１１を偶数ブロック７においてに左側の発生
器１′會使用して両者を駆動回路に通じた外部電極端子
８，８′ により接続することで発生器１．１′
よりメジャライン２．２′ へのと、ト数を１ビット
変えている。
側の発生１１１を偶数ブロック７においてに左側の発生
器１′會使用して両者を駆動回路に通じた外部電極端子
８，８′ により接続することで発生器１．１′
よりメジャライン２．２′ へのと、ト数を１ビット
変えている。
同様なことは読み出しに際しても行う必要２５ｊあり、
これは検出器５において１ビツト差で隣接する検出素子
５ａ、５ｂ、５０を用いることで実現されている。
これは検出器５において１ビツト差で隣接する検出素子
５ａ、５ｂ、５０を用いることで実現されている。
これは第２図の如く奇数ブロック６では読み出しメジャ
ライン４よりのバブル信号を内側の検出素子５１により
とり出し、一方偶数ブロック７では読み出しメジャライ
ン４よりのバブル信号管中央の検出素子５ｂｊりと９出
すことで１ビツト差が実現されている。
ライン４よりのバブル信号を内側の検出素子５１により
とり出し、一方偶数ブロック７では読み出しメジャライ
ン４よりのバブル信号管中央の検出素子５ｂｊりと９出
すことで１ビツト差が実現されている。
ここで奇数ブロック６の場合５ｂ、また偶数ブロック７
の場合５Ｃの各ダく一検出素子？必要とする理由は検出
効率の高い差動増幅器によりバブル信号音検出するなめ
である。そしてダく一検出素子５ｂ、５ｃよりの信号は
差動増幅器の一方の端子に、また奇数ブロック６の検出
素子５１よりの検出信号と偶数ブロック７の検出素子５
ｂよりの信号は外部電極端子９，９／ を通じ連続信
号となフ差動増幅器の他方の端子に接続されている。
の場合５Ｃの各ダく一検出素子？必要とする理由は検出
効率の高い差動増幅器によりバブル信号音検出するなめ
である。そしてダく一検出素子５ｂ、５ｃよりの信号は
差動増幅器の一方の端子に、また奇数ブロック６の検出
素子５１よりの検出信号と偶数ブロック７の検出素子５
ｂよりの信号は外部電極端子９，９／ を通じ連続信
号となフ差動増幅器の他方の端子に接続されている。
以上説明した従来のパターン形成法によるバプルメ令り
素子においては、偶数ブロックの検出器と奇数ブロック
の検出器とでは使用する検出素子の位置関係が多小異る
ため特性上相違が生ずること、及び余分な発生−や検出
素子を必要としパターン密度の観点から不利であり、し
かも使用する発生器および検出素子とそれの外部電極端
子とのポンディング接続時に関連を生じ易く＠接続によ
り誤動作素子が製作される可能性が大である等の問題が
ありた。
素子においては、偶数ブロックの検出器と奇数ブロック
の検出器とでは使用する検出素子の位置関係が多小異る
ため特性上相違が生ずること、及び余分な発生−や検出
素子を必要としパターン密度の観点から不利であり、し
かも使用する発生器および検出素子とそれの外部電極端
子とのポンディング接続時に関連を生じ易く＠接続によ
り誤動作素子が製作される可能性が大である等の問題が
ありた。
この対策として本発明者に次の如き方法を既に提案して
いる。その方法は第３図に示す如き露光マスクを使用し
て露光を行なうのである。この露光マスクは１傭の発生
器形成端９１０ ｍ！有する書き込みメジャライン１０
、読み出しメジャライン１１、マイナループ２３、およ
び２個の検出素子２４ｍ、２４ｂＹｅ有するバブル検出
器２４を得るための光が透過するマスクパターンヲ備え
ている。ま九これら各機能素子管得るマスクパターン１
０．１１，２！５，２４が位置する主パターン１４内の
メジャライン１０と１１？−！可ｆｆｉパｐ−ｙ領域１
２．１５を有し、且つ皺主パターン領域１４の両側上下
には副パターン領域１５および１６が形成されている。
いる。その方法は第３図に示す如き露光マスクを使用し
て露光を行なうのである。この露光マスクは１傭の発生
器形成端９１０ ｍ！有する書き込みメジャライン１０
、読み出しメジャライン１１、マイナループ２３、およ
び２個の検出素子２４ｍ、２４ｂＹｅ有するバブル検出
器２４を得るための光が透過するマスクパターンヲ備え
ている。ま九これら各機能素子管得るマスクパターン１
０．１１，２！５，２４が位置する主パターン１４内の
メジャライン１０と１１？−！可ｆｆｉパｐ−ｙ領域１
２．１５を有し、且つ皺主パターン領域１４の両側上下
には副パターン領域１５および１６が形成されている。
第３図の周囲に示した４つの部分図（Ａ） ＣＢ） （
Ｃ） ＣＤ）は可変パターン領域１２．１！５部分と副
パターン領域１．５，１６１’Ｂ分の構成を拡大して示
したもので、（Ｃ）図とＣＤ）図の副パターン領域１’
５ 、１４内には図示の如くハーフディスク形の転送用
ハｗ Ｗ Ｏイパターンを得るための光が透過するマス
クパターンが形成されているが、それｉｊ１ビット分に
相当した１個のパーマロイパターン倉得るため１５５１
と１６ｍと、大きさが１７２で２ビット分に相当した２
個のパーマロイパターン？得るための単位パターン１５
ｂ。
Ｃ） ＣＤ）は可変パターン領域１２．１！５部分と副
パターン領域１．５，１６１’Ｂ分の構成を拡大して示
したもので、（Ｃ）図とＣＤ）図の副パターン領域１’
５ 、１４内には図示の如くハーフディスク形の転送用
ハｗ Ｗ Ｏイパターンを得るための光が透過するマス
クパターンが形成されているが、それｉｊ１ビット分に
相当した１個のパーマロイパターン倉得るため１５５１
と１６ｍと、大きさが１７２で２ビット分に相当した２
個のパーマロイパターン？得るための単位パターン１５
ｂ。
１６ｂが並列した形状になっている。ま次（入）図とＣ
Ｂ）図の可変パターン領域１２．１５ｒｉ図示の如くメ
ジケライン１０，１１１ｊ−形成するハーフディスク形
の転送用パーマロイパターンを得る九めの光が透過する
マスクパターン１ｏｂと１１ｍが２ビット分（パーマロ
イパターン２個分）が欠如Ｌｌｌ透過させない領域とし
て与えられている。
Ｂ）図の可変パターン領域１２．１５ｒｉ図示の如くメ
ジケライン１０，１１１ｊ−形成するハーフディスク形
の転送用パーマロイパターンを得る九めの光が透過する
マスクパターン１ｏｂと１１ｍが２ビット分（パーマロ
イパターン２個分）が欠如Ｌｌｌ透過させない領域とし
て与えられている。
この露光マスクを用いてウェハーを左右に一定距離ずつ
移動させ乍ら投影露光會行なう際に、その移動距離を一
定距離よりも僅か変える操作會隔回毎に繰返すことによ
り可変パターン領域１２゜１３内に副パターン領域１５
．１６が有ｆるハーフディスク形のバーｆｆＥｌイパタ
ーンを得る１個または２個の単位バ／−ｙ１５ｍ、 １
ｓｂ、 １６ｍ。
移動させ乍ら投影露光會行なう際に、その移動距離を一
定距離よりも僅か変える操作會隔回毎に繰返すことによ
り可変パターン領域１２゜１３内に副パターン領域１５
．１６が有ｆるハーフディスク形のバーｆｆＥｌイパタ
ーンを得る１個または２個の単位バ／−ｙ１５ｍ、 １
ｓｂ、 １６ｍ。
１６ｂＹｒ選択的に投影することができる。このように
してメジャライ／１０，１１の構成ビット数の異るもの
を連続的にパターン形成することができる。
してメジャライ／１０，１１の構成ビット数の異るもの
を連続的にパターン形成することができる。
ただこの場合、パターンの接続はハーフディスクのギャ
ップ部を用いているので、隣接する素子とのステップ送
りの誤差がギャップのギヤ、プ鴇にばらつきとなって顕
われ、これがバブル伝播特性の劣化の原因となる欠点が
める。本発明はこの欠点を改良するために案出されたも
のである。
ップ部を用いているので、隣接する素子とのステップ送
りの誤差がギャップのギヤ、プ鴇にばらつきとなって顕
われ、これがバブル伝播特性の劣化の原因となる欠点が
める。本発明はこの欠点を改良するために案出されたも
のである。
このため本発明においては、磁気バプルメをり用基板の
上にバブル発生器、検出器、伝播路等が金属及び絶縁物
の蒸着又はスパッタと写真食刻により形成される磁気バ
ブルメそり素子の写真食刻時に、マスクに作成された回
路形成用パターンを投影型露光機にて、基板上に塗られ
念感光物質に該基板？所定量移動して少くとも２回転写
露光會行う露光方法と、前記パターンを形成した主パタ
ーン領域とこの主パターン領域中に形成した光を透過し
ない少なくとも１個の可変パターン領域會もち、また前
記主パターン領域外の近傍には前記可変パターン領域中
に所定パターンを与えるための該パターンｔもつ副パタ
ーン領域？有し、且つ該副パターン領域内のパターンが
形状の異なる少くとも２つ以上の単位パターンからなる
マスク管用い、前記基板を移動して転写露光を行う際隣
接する露光時に前記主パターン領域中の前記可変パター
ン領域と前記副パターン領域が前記基板上で重なると共
に、該基板の移動量に応じて前記可変パターンのうち所
定単位パターンが選択される磁気バフルメモリ素子の作
成方法において一生パターン領域内に形成された伝播路
と、副パターン領域内に形成されな伝播路との接続は１
個の駆動パターン内で行なうことを特徴とするものであ
る。
上にバブル発生器、検出器、伝播路等が金属及び絶縁物
の蒸着又はスパッタと写真食刻により形成される磁気バ
ブルメそり素子の写真食刻時に、マスクに作成された回
路形成用パターンを投影型露光機にて、基板上に塗られ
念感光物質に該基板？所定量移動して少くとも２回転写
露光會行う露光方法と、前記パターンを形成した主パタ
ーン領域とこの主パターン領域中に形成した光を透過し
ない少なくとも１個の可変パターン領域會もち、また前
記主パターン領域外の近傍には前記可変パターン領域中
に所定パターンを与えるための該パターンｔもつ副パタ
ーン領域？有し、且つ該副パターン領域内のパターンが
形状の異なる少くとも２つ以上の単位パターンからなる
マスク管用い、前記基板を移動して転写露光を行う際隣
接する露光時に前記主パターン領域中の前記可変パター
ン領域と前記副パターン領域が前記基板上で重なると共
に、該基板の移動量に応じて前記可変パターンのうち所
定単位パターンが選択される磁気バフルメモリ素子の作
成方法において一生パターン領域内に形成された伝播路
と、副パターン領域内に形成されな伝播路との接続は１
個の駆動パターン内で行なうことを特徴とするものであ
る。
以下添付図面に基づいて本発明方法を詳細に説明スル。
第４図に本発明方法を実施するためのマスクの要部を示
す０図の（Ａ）図は主パターン領域、ＣＢ）図は副パタ
ーン領域であり、符号２５及び２６は主パターン領域に
形成される伝播路用駆動パターン、２７は可変パターン
領域、２８〜３４に副パターン領域内に形成される伝播
路用駆動パターンである。そして主パターン領域（Ａ）
の駆動パターン２５ 、２６ｔ：を可変パターン領域２
７によってそれぞれ駆動パターン内で切断されている。
す０図の（Ａ）図は主パターン領域、ＣＢ）図は副パタ
ーン領域であり、符号２５及び２６は主パターン領域に
形成される伝播路用駆動パターン、２７は可変パターン
領域、２８〜３４に副パターン領域内に形成される伝播
路用駆動パターンである。そして主パターン領域（Ａ）
の駆動パターン２５ 、２６ｔ：を可変パターン領域２
７によってそれぞれ駆動パターン内で切断されている。
また副パターン１［域（Ｂ）に＃′ｉ２つの単位パター
ンとして駆動パターン２８〜３１の列と駆動パターン３
２〜５４０列が形成されている。なお後者の単位パター
ンの駆動パターン３５は前者のパターン２９．３０の２
倍の大きさに形成されて１ビツト少なくなっている。ま
た両単位パターンの端部の駆動パターン２８．３１及び
３２．５４はそれぞれ副パターン領域によって駆動パタ
ーン内で切断されている。但しこの駆動パターンは可変
パターン領域２７と副パターン領域ＣＢ）が重ね合わさ
れたとき主パターン領域ＬＡ）の駆動パターン２５゜２
６と若干型なるように切断されている。
ンとして駆動パターン２８〜３１の列と駆動パターン３
２〜５４０列が形成されている。なお後者の単位パター
ンの駆動パターン３５は前者のパターン２９．３０の２
倍の大きさに形成されて１ビツト少なくなっている。ま
た両単位パターンの端部の駆動パターン２８．３１及び
３２．５４はそれぞれ副パターン領域によって駆動パタ
ーン内で切断されている。但しこの駆動パターンは可変
パターン領域２７と副パターン領域ＣＢ）が重ね合わさ
れたとき主パターン領域ＬＡ）の駆動パターン２５゜２
６と若干型なるように切断されている。
次にこのように形成されたマスクを用いた露光方法につ
いて説明する。先ず感光物質を塗った基板を投影露光機
の移動台上に載置し、その感光物質にマスクの主パター
ン領域（Ａ） ’に投射する１次に基板？所定量移動し
て主パターン領域全投射したときの可変パターン領域２
７＠分に副パターン領域ＣＢ） ’に投射する。このと
き主パターン領域中の駆動パターン２５．２６に副パタ
ーン領域ＣＢ）の駆動パターン２８及び３１が接続する
ように基板を位置せしめれば第５図（ａ）に示す如き伝
播路が形成され、また主パターン領域中の駆動パターン
２５．２６に副パターン領域（Ｂ）の駆動パターンｓ２
および３４が接続するように基板を位置せしめれば第５
５０ （ｂ）の如く（ａ）図より１ビ、ト少ない伝播路
が形成される。このようにして前述した第３図と同様な
素子をパターン形成することができる。
いて説明する。先ず感光物質を塗った基板を投影露光機
の移動台上に載置し、その感光物質にマスクの主パター
ン領域（Ａ） ’に投射する１次に基板？所定量移動し
て主パターン領域全投射したときの可変パターン領域２
７＠分に副パターン領域ＣＢ） ’に投射する。このと
き主パターン領域中の駆動パターン２５．２６に副パタ
ーン領域ＣＢ）の駆動パターン２８及び３１が接続する
ように基板を位置せしめれば第５図（ａ）に示す如き伝
播路が形成され、また主パターン領域中の駆動パターン
２５．２６に副パターン領域（Ｂ）の駆動パターンｓ２
および３４が接続するように基板を位置せしめれば第５
５０ （ｂ）の如く（ａ）図より１ビ、ト少ない伝播路
が形成される。このようにして前述した第３図と同様な
素子をパターン形成することができる。
以上説明した本発明方法の利点は、写真食刻の露光時に
投影型露光機により生ずる基板送り精度ノ［ｉｌＫ対−
ｔ−る許容量が大なることである。第６図は主パターン
領域に対する副パターン領域のずれが零の場合と、Ｘ方
向又１−ｊＹ方向に０．５μｍずれたときの各場合の駆
動パターンの様子全示し念ものであるが、この１度乃至
±１μｍ＠度のずれまではバブルの転送に悪影響を及ぼ
さないことが確認されている。
投影型露光機により生ずる基板送り精度ノ［ｉｌＫ対−
ｔ−る許容量が大なることである。第６図は主パターン
領域に対する副パターン領域のずれが零の場合と、Ｘ方
向又１−ｊＹ方向に０．５μｍずれたときの各場合の駆
動パターンの様子全示し念ものであるが、この１度乃至
±１μｍ＠度のずれまではバブルの転送に悪影響を及ぼ
さないことが確認されている。
以上説明した如く本発明の磁気バブルメモリ素子の作成
方法は、すＶド・イーブン方式のパターン構成の磁気バ
ブルメモリ素子を主パターン領域ト副パターン領域をも
つマスクでパターン形成するとき、その駆動パターンの
接続の誤差許容１ｋｙｒ大としたものであって、磁気バ
ブルメモ゛り装置の信頼性の向上に寄与するものである
。
方法は、すＶド・イーブン方式のパターン構成の磁気バ
ブルメモリ素子を主パターン領域ト副パターン領域をも
つマスクでパターン形成するとき、その駆動パターンの
接続の誤差許容１ｋｙｒ大としたものであって、磁気バ
ブルメモ゛り装置の信頼性の向上に寄与するものである
。
第１図は従来の磁気バブルメモリ素子形成に用いられる
マスクパターンの構成図、第２図はこれを用いる従来の
回路形成例、第５図は従来の露光方法を説明するための
説明図、第４図は本発明にかかる磁気パズルメモリ素子
作成方法を実施するためのマスクのパターン構成図、第
５図は第４図のマスク音用いてパターン形成されたパタ
ーン構成図、第６図に駆動パターン接続部の様子を示し
た説明図である。 （Ａ）−・・主パターン領域、 ＣＢ）・＠ｌ副パターン領域、 ２５．２６．２８〜３４・・・拳駆動パターン、２７−
・・・可変パターン領域。 第４図 （Ａ＞ＣＢ） 第５図 （（１） （ｂ） 第６図 し、・ ・ Ｙ＝ＯＹ＝ＯＹ＝０ Ｙ＝＋０．５ Ｙ＝−０，５
マスクパターンの構成図、第２図はこれを用いる従来の
回路形成例、第５図は従来の露光方法を説明するための
説明図、第４図は本発明にかかる磁気パズルメモリ素子
作成方法を実施するためのマスクのパターン構成図、第
５図は第４図のマスク音用いてパターン形成されたパタ
ーン構成図、第６図に駆動パターン接続部の様子を示し
た説明図である。 （Ａ）−・・主パターン領域、 ＣＢ）・＠ｌ副パターン領域、 ２５．２６．２８〜３４・・・拳駆動パターン、２７−
・・・可変パターン領域。 第４図 （Ａ＞ＣＢ） 第５図 （（１） （ｂ） 第６図 し、・ ・ Ｙ＝ＯＹ＝ＯＹ＝０ Ｙ＝＋０．５ Ｙ＝−０，５
Claims (1)
- １、 磁気バブルメモリ用基板の上にバブル発生器、検
出器、伝播路等が金属及び絶縁物の蒸着又はスバ、りと
写真置割により形成される磁気バブルメモリ素子の写真
食刻時に、マスクに作成された回路形成用パターン？投
影屋露光機にて、基板上に塗られた感光物質Ｉ／ｃｌ＊
基板を所定量移動して少くとも２回転写露光を行う露光
方法と、前記パターン管形成した主パターン領域とこの
主パターン領域中に形成した光を透過しない少なくとも
１個の可変パターン領域をもち、また前記主パターン領
域外の近傍には前記可変パターイ領域中に所定パターン
を与えるための該パターン？４つ副パターン領域を有し
、且つ該副パターン領域内のパターンが形状の異なる少
くと４２つ以上の単位パターンからなるマスクと金用い
、前記基板を移動して転写露光を行う際隣接する露光時
に前記主パターン領域中の前記可変パターン領域と前記
副パターン領域が前記基板上で重なると共に、骸基板の
移動量に応じて前記可変パターン領域内に前記副パター
ン領域の前記単位パターンのうち所定単位パターンが選
択される磁気パブルメそり素子の作成方法Ｋかいて、主
パターン領域内に形成された伝播路と、副パターン内に
形成された伝播路との接続は１個の駆動パターン内で行
なうことｔ−特徴とする磁気バブルメモリ素子作成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56178427A JPS5883383A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 磁気バブルメモリ素子作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56178427A JPS5883383A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 磁気バブルメモリ素子作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5883383A true JPS5883383A (ja) | 1983-05-19 |
| JPS6160501B2 JPS6160501B2 (ja) | 1986-12-20 |
Family
ID=16048311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56178427A Granted JPS5883383A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 磁気バブルメモリ素子作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5883383A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0190439A2 (en) * | 1985-02-04 | 1986-08-13 | International Business Machines Corporation | Focus servo loop correction |
-
1981
- 1981-11-09 JP JP56178427A patent/JPS5883383A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0190439A2 (en) * | 1985-02-04 | 1986-08-13 | International Business Machines Corporation | Focus servo loop correction |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6160501B2 (ja) | 1986-12-20 |
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