JPS5880295A - Method of producing el element - Google Patents
Method of producing el elementInfo
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- JPS5880295A JPS5880295A JP56177162A JP17716281A JPS5880295A JP S5880295 A JPS5880295 A JP S5880295A JP 56177162 A JP56177162 A JP 56177162A JP 17716281 A JP17716281 A JP 17716281A JP S5880295 A JPS5880295 A JP S5880295A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、分散型EL素子の製造方法に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a distributed EL element.
分散型EL素子は、低消費電力で各色発光可能な平面状
光源であり、かつ、低コストで大面積が容易なことから
、各種表示デバイスや各種ディスプレイへの応用が期待
されている。しかし、今日なお床机な実用化に至ってい
ないのは輝度・青金が実用レベルに到達していないため
であり、この向上・改善が強く要望されている。Distributed EL elements are planar light sources that can emit light in various colors with low power consumption, and are low cost and easy to manufacture over a large area, so they are expected to be applied to various display devices and displays. However, the reason why it has not yet been put into practical use as a bed desk is because the brightness and blue gold have not reached a practical level, and there is a strong demand for improvement.
周知のように、分散型ELには、発光層銹電体の面で大
きく分けて、焼結型と樹脂型とがあるが、本発明におけ
るものは後者に属するものである。この型のEL素子を
製造する従来方法の一例を述べると、透明導電性ガラス
板上に、有機型誘電体と電場発光性螢光体とからなる発
光層を形成し、引き続き、その層上にチタン酸バリウム
粉末と誘電体とからなる高誘電率反射層を形成し、その
後、該反射層上に、アルミニウム真空蒸着によって背面
電極を形成し、その後、防湿用ガラス板を接着する方法
で防湿封止をしていた。As is well known, dispersion type ELs can be roughly divided into sintered type and resin type in terms of the light-emitting layer and electric material, and the one in the present invention belongs to the latter. An example of a conventional method for producing this type of EL device is to form a light-emitting layer consisting of an organic dielectric and an electroluminescent phosphor on a transparent conductive glass plate, and then to form a light-emitting layer on the layer. A high-permittivity reflective layer made of barium titanate powder and a dielectric is formed, then a back electrode is formed on the reflective layer by aluminum vacuum evaporation, and a moisture-proof glass plate is then bonded for moisture-proof sealing. I was stopping.
この型のEL素子の輝度は、現用のZnS系螢光体の性
質から、印加電場強度の2〜5乗に比例して増大するの
で、同一外部電場を印加する場合でも、発光層中の螢光
体粒子にできるだけ大きい電場強度を加えるようにすれ
ば輝度の向上がはかれる。その一手段は、螢光体を埋め
込む誘電体の誘電率を螢光体粒子の誘電率よりも十分大
きくすることであり、螢光体粒子の誘電率が15〜20
であるので、誘電体の誘電率を60位にまで向上させる
必要があると考えられる0これに対して、通常の製膜性
を有する有機系物質の誘電率は10以下で、高誘電率の
クアノエチル化セルロース、シアノエチル化PVAにし
ても13〜20程度で、理想とする値には及ばないof
m竜率が20以上の有機系物質は、そのほとんどが液状
または半液状であり、これらに製膜性のある上記の高誘
電率レジンを配合しである程度の輝度向上をはかつてい
たΦこの場合、高誘電率液体の配合量を多くする程、混
合物誘電体の誘電率が大となり、EL素子の輝度が増大
するが高誘電率液体の配合比率を高くすると発光層の膜
面強度が低下し、ま九、この膜面にアルミニウム真空蒸
着法で背面電極を形成する事が困難になる問題があった
。また仮に、背面電極が形成できたとしても、次の防湿
工程で防湿用ガラス板を接着剤でもって接着し封止をす
る際に、接着剤硬化に伴うストレスを受けて発光面が乱
れるおそれがあり、シアンエチル化ポリオール類の如き
高誘電率液体の配合比率を大にする事は製造面で棟々の
問題を有するものであった。Due to the properties of currently used ZnS-based phosphors, the brightness of this type of EL element increases in proportion to the 2nd to 5th power of the applied electric field strength. Brightness can be improved by applying as large an electric field strength as possible to the light particles. One way to achieve this is to make the dielectric constant of the dielectric in which the fluorescent material is embedded sufficiently larger than that of the fluorescent particles, and the dielectric constant of the fluorescent particles is 15 to 20.
Therefore, it is thought that it is necessary to improve the dielectric constant of the dielectric material to about 60. On the other hand, the dielectric constant of organic materials with normal film forming properties is 10 or less, and it is necessary to improve the dielectric constant of the dielectric material to about 60. Even for quanoethylated cellulose and cyanoethylated PVA, the value is about 13 to 20, which is below the ideal value.
Most of the organic substances with an m-durability of 20 or more are liquid or semi-liquid, and by blending them with the above-mentioned high dielectric constant resin that has film-forming properties, it was possible to improve the brightness to some extent ΦIn this case. As the amount of the high dielectric constant liquid increases, the dielectric constant of the dielectric mixture increases and the brightness of the EL element increases, but as the amount of the high dielectric constant liquid increases, the surface strength of the light emitting layer decreases. However, there was a problem in that it was difficult to form a back electrode on this film surface by aluminum vacuum evaporation. Furthermore, even if the back electrode can be formed, when the moisture-proof glass plate is bonded and sealed with adhesive in the next moisture-proofing process, there is a risk that the light-emitting surface will be disturbed due to the stress caused by the adhesive curing. However, increasing the blending ratio of high dielectric constant liquids such as cyanethylated polyols has had many problems in terms of manufacturing.
本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を排し、輝
度を向上させるために、発光層構成誘電体にシアノエチ
ル化ポリオール類の如き高誘電率液体を高い比率で配合
するに適した合理的、低コストのEL素子の製造方法を
提供するにある。The purpose of the present invention is to eliminate the problems of the prior art described above and to improve the brightness by creating a rational method suitable for blending a high dielectric constant liquid such as cyanoethylated polyols in a high ratio in a dielectric material constituting a light emitting layer. The object of the present invention is to provide a method for manufacturing an EL element at low cost.
本発明のEL素子の製造方法の41徴とするところは、
透明導電層を有する透明基板と該透明導1[膚に対向す
る導電性基板との間に、透明基板側の発光層と導電性基
板側の高誘電率反射層を形成し、核透明基板の周縁部と
該導電性基板の周縁部とを、注入口部を残して、加熱硬
化型樹脂よりなる接着周縁部により接着する第1工程、
および、線絡1工程に次いで、減圧加熱乾燥雰囲気中で
ゲル化剤を添加された高誘電率液体を前記の注入口より
該透明基板と該導電性基板間の該接着周縁部に囲まれた
セル内に注入し気泡が残留しないように充満し、その後
、該注入口を閉塞することよりなる第2工程;の2工程
を含んでなることにある。ここに、発光層は誘電体と電
場発光性螢光体とからなるものを、例えば、印刷等によ
り形成できるものであり、高誘電率液体l−は、好まし
くはミチタン酸)くリウムの粉末の如き白色系高誘率の
粉末を含むものが良く、導電性基板の好ましいものはア
ルミニウム板にして、加熱硬化型樹脂の好ましいものけ
加熱硬化型エポキシ樹脂にして、好ましい高誘電率液体
はシアノエチル化ポリオール類にして、注入口を閉塞す
るのに用いられる好ましいものは加熱型接着剤である凸
このような本発明の方法によれば、従来技術では適用で
きなかったシアノエチル化ポリオール類の如き高誘電率
液体を容易に高い比率において用いることができるので
、合理的、低コストで発光層の輝度の上昇を達成できる
ものである0
本発明のEL素子の製造方法における第1工程の、好ま
しい一例は下記の通りである。The 41 features of the EL device manufacturing method of the present invention are as follows:
Between the transparent substrate having a transparent conductive layer and the conductive substrate facing the skin, a light emitting layer on the transparent substrate side and a high dielectric constant reflective layer on the conductive substrate side are formed. a first step of bonding the peripheral edge and the peripheral edge of the conductive substrate with an adhesive peripheral edge made of a thermosetting resin, leaving the injection port;
After the first step of wiring, a high dielectric constant liquid to which a gelling agent has been added is poured in a vacuum heating and drying atmosphere through the injection port into the area surrounded by the adhesive periphery between the transparent substrate and the conductive substrate. The method includes two steps: a second step of injecting the cell into the cell to fill the cell so that no air bubbles remain, and then closing the injection port. Here, the light-emitting layer is composed of a dielectric material and an electroluminescent fluorescent material, and can be formed by, for example, printing, and the high dielectric constant liquid l- is preferably made of powder of thurium mititanate. The conductive substrate is preferably an aluminum plate, the thermosetting resin is preferably a thermosetting epoxy resin, and the preferred high dielectric constant liquid is cyanoethylated. According to the method of the present invention, high dielectric materials such as cyanoethylated polyols, which could not be applied in the prior art, can be used to block the injection port. A preferable example of the first step in the method for manufacturing an EL device of the present invention is as follows. It is as follows.
傭ず、透明導電層を有する透明基板、例えば通称のネサ
ガラス板あるいはECガラス板の導電層側に、スクリー
ン印刷法またはスプレー法等により高誘電率誘電体と電
場発光性ZnS螢光体とからなる発光層を形成し、引き
続き、その層上に同じ方法で、チタン酸バリウム粉末と
高誘′II!率誘電体とからなる高誘電率反射層を形成
する。この両層に用いた高誘電率誘電体は高誘電率のシ
アンエチル化ポリオール類を多く配合したもので、機械
的強度は小であり、その上にアルミニウム真空蒸着等に
よる背面電極形成は困難なものである。次に1背面電極
と防湿封止板とを兼ねる導電性基板として、例えばアル
ミニウム板の如きものを、減圧加熱乾燥雰囲気中で、前
記の製膜面上に圧着し、それらの周縁部を加熱硬化性接
着剤による接着周縁部により接着するが、この際接着周
縁部には、次工程において、高誘電率液体をセル内に注
入するだめの注入口を設けで置くものである。これで第
1工程を完了する。A high permittivity dielectric material and an electroluminescent ZnS phosphor are coated on the conductive layer side of a transparent substrate having a transparent conductive layer, for example, a commonly known Nesa glass plate or an EC glass plate, by a screen printing method or a spray method. A light-emitting layer is formed and subsequently barium titanate powder and high dielectric II! are applied on the layer in the same manner. A high dielectric constant reflective layer made of a constant dielectric material is formed. The high-permittivity dielectric material used for both layers contains a large amount of high-permittivity cyanethylated polyols, and has low mechanical strength, making it difficult to form a back electrode by vacuum vapor deposition of aluminum, etc. It is something. Next, as a conductive substrate that serves as a back electrode and a moisture-proof sealing plate, for example, an aluminum plate is pressed onto the film-forming surface in a reduced-pressure heating and drying atmosphere, and the peripheral edges thereof are heated and hardened. At this time, an injection port is provided at the adhesive periphery for injecting a high dielectric constant liquid into the cell in the next step. This completes the first step.
本発明のEL素子の製造方法における第1工程の、好ま
しい他の例においては、透明導電層を有する透明基板の
透明導電層上に、前記の一例におけると同様の発光層を
形成したものと、アルミニウム板よりなる導電性基板上
に、前記の一例におけるものと同様の高誘電率反射層を
形成したものとを、発光層と高誘電率反射層を重ね合わ
せて、前記の一例におけると同様に、減圧加熱乾燥雰囲
気中で、透明基板に対して導電性基板を押圧して、発光
層と高誘電率反射層を張り合わせて、周縁部を加熱硬化
型接着剤による接着周縁部により透明基板と導電性基板
とを周縁部において接着し、その際、次工程において、
高誘電率液体をセル内に注入するだめの注入口を設けて
置くことからなる工程として良いものである。In another preferred example of the first step in the method for manufacturing an EL element of the present invention, a light emitting layer similar to that in the above example is formed on the transparent conductive layer of a transparent substrate having a transparent conductive layer; A high dielectric constant reflective layer similar to that in the above example was formed on a conductive substrate made of an aluminum plate, and a light emitting layer and a high dielectric constant reflective layer were stacked on top of each other in the same manner as in the above example. , in a vacuum heating and drying atmosphere, the conductive substrate is pressed against the transparent substrate, the light emitting layer and the high dielectric constant reflective layer are pasted together, and the periphery is bonded with a heat curing adhesive.The periphery is bonded to the transparent substrate and conductive. At the same time, in the next step,
A good process is to provide an injection port for injecting a high dielectric constant liquid into the cell.
上記のようにして第1工程完了後のものに施す第2工程
の好ましい例は次の通りである。A preferred example of the second step performed on the product after the first step is completed as described above is as follows.
第1工程完了後の4のに対し、加熱時には流動性を呈し
、室温に冷却すると固体化する性質の高誘電率物質、例
えばゲル化剤添加の高誘電率液体を、減圧加熱乾燥雰囲
気中で、注入口よりセル内に、気泡が残らないように注
入充填しその後、注入口を加熱硬化型接着剤で閉塞し、
第2工程完了とする。In contrast to step 4 after the completion of the first step, a high dielectric constant substance that exhibits fluidity when heated and solidifies when cooled to room temperature, such as a high dielectric constant liquid containing a gelling agent, is heated in a vacuum heating drying atmosphere. Inject and fill the cell from the injection port so that no air bubbles remain, and then close the injection port with a heat-curing adhesive.
The second step is completed.
以下に、本発明を、実施例につき、図面を参照して、さ
らに詳細に説明する。Below, the present invention will be explained in more detail by way of example and with reference to the drawings.
実施例−1
シアノエチル化PVA 1重量部シアンエ
チル化ソルビトール 9重量部電場発光性ZnS螢
光体 30i!f部上記のものに、有機溶剤
二N−メチルー2−ピロリドンを適量加えて、よく混練
して発光層用印刷ペーストを調合した。Example-1 Cyanoethylated PVA 1 part by weight Cyanoethylated sorbitol 9 parts by weight Electroluminescent ZnS phosphor 30i! Part f: An appropriate amount of an organic solvent 2N-methyl-2-pyrrolidone was added to the above mixture and thoroughly kneaded to prepare a printing paste for a light-emitting layer.
同じ方法で、
シアノエチル化PVA 1重量部シアンエ
チル化ソルビトール 9重量部チタン酸バリウム粉
末 80重量部上記のものに、有機溶剤二N
−メチルー2−ピロリドンを適量加えて、よく混練して
高誘電率反射層用ペーストを調合した。In the same manner, 1 part by weight of cyanoethylated PVA 9 parts by weight of cyanoethylated sorbitol 80 parts by weight of barium titanate powder
-An appropriate amount of methyl-2-pyrrolidone was added and thoroughly kneaded to prepare a paste for a high dielectric constant reflective layer.
次に、第1図(A)に示すような、透明導電層2を有す
る透明基jtji1の透明導電層2上に、上記の発光層
用印刷ペーストをスクリーン印刷法により印刷し、第1
図(B)において符号3で示すような発光層を、乾燥後
の膜厚が60〜35μmとなるように形成した。Next, as shown in FIG. 1(A), on the transparent conductive layer 2 of the transparent base jtji1 having the transparent conductive layer 2, the above printing paste for a light emitting layer is printed by a screen printing method, and the first
A light-emitting layer as shown by reference numeral 3 in Figure (B) was formed to have a film thickness of 60 to 35 μm after drying.
引き続き、この発光層6上に、上記の高誘電率反射層用
ペーストを印刷して、乾燥後の膜厚が10〜5μmにな
るように形成した。この状態を示したのが第1図(0)
で、符号4が高誘電率反射層である。これによシ、発光
層と高誘電率反射層との全体の膜厚は35〜45μmと
なる。Subsequently, the above-mentioned paste for a high dielectric constant reflective layer was printed on the light emitting layer 6 to form a film having a thickness of 10 to 5 μm after drying. Figure 1 (0) shows this state.
The reference numeral 4 is a high dielectric constant reflective layer. Accordingly, the total thickness of the light emitting layer and the high dielectric constant reflective layer is 35 to 45 μm.
次に、減圧加熱乾燥雰囲気中で、高誘電率反射層4の上
に、厚さ0.3〜0,5朋のアルミニウム板より人る導
電性基板5を載置し、その寸法、形状9位置を透明基板
1に対応するものとして、第1図(D)に示す状態とし
たものにつき、治具により、導電性基板5を透明基板1
に押圧した状態で、両基板1.5の周縁部に、注入口部
7を残して、熱硬化性エポキシ樹脂を浸み込ませて両基
板の周縁部を接着する接着周縁部6を形成した。この状
態を示したが第1図(E)および、第1図(E)の一点
鎖線×−×による断面図の第2図である。これによシ、
両差板間において接着周縁部6に囲まれたセルを構成し
た構成体が形成 □され、第1工程が完了する。Next, a conductive substrate 5 made of an aluminum plate having a thickness of 0.3 to 0.5 mm is placed on the high dielectric constant reflective layer 4 in a heated and dry atmosphere under reduced pressure, and its dimensions and shape 9 are placed. With the position corresponding to the transparent substrate 1 as shown in FIG.
While the substrates were pressed together, a thermosetting epoxy resin was infiltrated into the peripheral edges of both substrates 1.5, leaving an injection port 7, to form an adhesive peripheral edge 6 for bonding the peripheral edges of both substrates. . This state is shown in FIG. 1(E) and FIG. 2, which is a sectional view taken along the dashed line xx in FIG. 1(E). For this,
A cell structure surrounded by the adhesive periphery 6 is formed between the two difference plates, and the first step is completed.
次に、第2工程に移る。Next, move on to the second step.
上記のようにして形成した構成体に対し、減圧加熱乾燥
雰囲気中で、注入口部7より、ゲル化剤ジベンジリデン
−D−ソルビトールを約5チ添加し7たシアノエチル化
サツカロニスまたはシアンエチル化ソルビトールを注入
含浸し、気泡を残さないようにセル内に充填した0次に
、注入口部7をアセトンで洗浄した後、エポキシ樹脂系
接着剤を塗布して閉塞封止した0これで第2工程完了と
した0
以上のようにして作製したEL累子は、その発光層材に
シアンエチル化ポリオール類を高比率で配合されること
になるが、室温ではその発光層材は固体状を呈し、連続
長時間の点灯をし。About 5 g of the gelling agent dibenzylidene-D-sorbitol was added to the structure formed as described above through the injection port 7 in a vacuum heating and drying atmosphere. Next, the injection port 7 was cleaned with acetone and sealed by applying an epoxy resin adhesive.This is the second step. Marked as completed 0 The EL layer produced as described above has a high proportion of cyanethylated polyols added to its emissive layer material, but at room temperature the emissive layer material exhibits a solid state. Lights up continuously for a long time.
ても発光面が乱れる等の異状は認められなかった0
上記のように製作されに本実施例になるE L素子ハ、
50H2100V テ5〜8 ft−L (7)輝度を
有し、室温で連続点灯した場合の輝度半減時間は400
0 時間以上であり、20000時間は十分使用可能
のものであった0
実施例 2
透明導電層を有する透明基板の透明導電層上に、実施例
1の場合と同じ方法、材料により発光層を形成した。However, no abnormality such as disturbance of the light emitting surface was observed.
50H2100V Te5~8 ft-L (7) It has a brightness of 5 to 8 ft-L, and the brightness half-life time when continuously lit at room temperature is 400
0 hours or more, and was sufficiently usable for 20,000 hours.0 Example 2 A light-emitting layer was formed on the transparent conductive layer of a transparent substrate having a transparent conductive layer using the same method and material as in Example 1. did.
一方、厚さ約0.5龍のアルミニウム板よりなる導電性
基板上に、実施例1と同一の高誘電率反射層材料を用い
1、同一の形成方法により、高誘電率反射層を形成した
。On the other hand, on a conductive substrate made of an aluminum plate with a thickness of approximately 0.5 mm, a high dielectric constant reflective layer was formed using the same high dielectric constant reflective layer material as in Example 1 and by the same formation method. .
次に、減圧加熱乾燥雰囲気中で、上記の両基板を、発光
層と高誘電率反射層が相接するように張り合わせて、治
具でもって加熱圧着し、その周縁部を、注入口部を設け
るようにして熱硬化性エポキシ樹脂による接着周縁部を
形成して両基板の周縁部を接着した。その状態は、第1
図(W>および第2図に示される通りのものであり両差
板間において接着周縁部6に囲まれたセルを構成した構
成体が形成された。Next, in a vacuum heating and drying atmosphere, the above-mentioned two substrates are pasted together so that the light-emitting layer and the high dielectric constant reflective layer are in contact with each other, and they are heat-pressed using a jig, and the peripheral edge of the substrate is bonded with the injection port. An adhesive periphery of a thermosetting epoxy resin was formed in a manner similar to that described above, and the peripheries of both substrates were bonded together. The state is the first
A structure was formed as shown in FIG.
次に、上記の構成体に対し、減圧加熱乾燥−雰囲気中で
、注入口部より、ゲル化剤ジベンジリデン−D−ソルビ
トールを約5%添加したシアノエチル化マンニトールを
注入含浸し、気泡を残さないようにセル内に充填した。Next, cyanoethylated mannitol containing about 5% of the gelling agent dibenzylidene-D-sorbitol is injected into the above-mentioned structure from the injection port in a vacuum heat-drying atmosphere to impregnate it without leaving any air bubbles. It was filled into the cell in this way.
その次に、注入口部をアセトンで洗浄した後エポキシ樹
脂系接着剤を用いて閉塞封止した。Next, the injection port was cleaned with acetone and then closed and sealed using an epoxy resin adhesive.
このようにして作製した本実施例によるEL 4素
子は、上記の実施例1におけるものと同様に従来のもの
よりも高輝度、長寿命のものであった0
以上に述べたように、本発明による製造方法によれば、
1)EL素子の発光層材に高誘電率液体のシアンエチル
化ポリオール類を高比率に配合したものが使用可能とな
り、同一螢光体を用いても従来法によるものよりも高輝
度が得られる;2)従来のようなアルミニウム真空蒸着
法による背面電極形成工程を省略でき、製造工程的に、
またコスト的に有利である;
3)背面電極板はそのま\防湿封止板を兼ねるので、従
来のような防湿封止工程が省ける;等の利点があり、そ
れらにより、従来法によるよりも輝度、寿命面で優れた
EL素子が、従来法によるよりも合理的に、かつ、低コ
ストで得られるようにな一゛す、今後の分散型EL素子
の実用化の途を開くものである。The EL 4 element according to this example produced in this way had higher luminance and longer life than the conventional one, similar to the one in Example 1. As described above, the present invention According to the manufacturing method according to 1) it becomes possible to use a material containing a high dielectric constant liquid, cyanethylated polyol, in a high proportion in the light-emitting layer material of an EL device, and even if the same phosphor is used, it is possible to use a material containing a high proportion of cyanethylated polyols. 2) The conventional process of forming a back electrode using the aluminum vacuum evaporation method can be omitted;
It also has advantages in terms of cost; 3) Since the back electrode plate also serves as a moisture-proof sealing plate, the conventional moisture-proof sealing process can be omitted; EL elements with excellent brightness and longevity can now be obtained more rationally and at lower cost than with conventional methods, paving the way for the practical application of distributed EL elements in the future. .
第1図(4)+ (B) −(C) +Φ)、(R1)
は、本発明のEL素子の製造方法の一実施例の第1工程
における順序を示す素子の一辺に平行なほぼ中央部の縦
断面図にして、第2図は、第1図(E)の×−X線によ
る縦断面図である。
1・・・透明基板 2・・・透明導電層3・・9
発光層 4・・・高誘電率反射層5・・・導電
性基板 6・・・周縁部7・・・注入口部
代理人弁理士 薄 1)利 tFigure 1 (4) + (B) - (C) +Φ), (R1)
2 is a vertical cross-sectional view of the approximately central part parallel to one side of the device, showing the sequence in the first step of an embodiment of the method for manufacturing an EL device of the present invention, and FIG. It is a longitudinal cross-sectional view taken along the x-X line. 1...Transparent substrate 2...Transparent conductive layer 3...9
Light-emitting layer 4... High dielectric constant reflective layer 5... Conductive substrate 6... Peripheral portion 7... Inlet portion attorney patent attorney Thin 1) Interest t
Claims (7)
向する導電性基板の間に、透明基板側の発光層と導電性
基板側の高誘電率反射層を形成し、該透明基板の周縁部
と該導電性基板の周縁部とを、注入口部を残して、加熱
硬化型樹脂よりなる接着周縁部により接着する第1工程
、咳第1工程に次いで、減圧加熱乾燥雰囲気中でゲル化
剤を添加された高誘電率液体を前記の注入口より該透明
基板と該導電性基板間の該接着周縁部に囲まれたセル内
に注入し、気泡が残留しないように充満し、その後、#
注入口を閉塞することよりなる第2工程、の第1工程お
よび第2工程を含んでなることを特□徴とするEL素子
の製造方法。(1) A light emitting layer on the transparent substrate side and a high dielectric constant reflective layer on the conductive substrate side are formed between a transparent substrate having a transparent conductive layer and a conductive substrate facing the transparent conductive layer, and After the first step of adhering the peripheral edge and the peripheral edge of the conductive substrate with the adhesive peripheral edge made of a thermosetting resin, leaving the injection port, the gel is bonded in a vacuum heating and drying atmosphere. A high dielectric constant liquid to which a curing agent has been added is injected into the cell surrounded by the adhesive periphery between the transparent substrate and the conductive substrate through the injection port, and is filled so that no air bubbles remain. ,#
□ A method for manufacturing an EL device, comprising the steps of: □ a first step and a second step of closing an injection port;
の透明導電層上の周縁部を除いた部分に兄光I−を形成
し、轄角光層上に高誘電率反射層を形成し、該反射層上
に前記の透明基板に対応する導電性基板を載置して、減
圧加熱乾燥雰囲気中で該導電性基板を該高誘電率反射層
に圧着しながら、該透明基板と該導電性基板の間の周縁
部を注入口部を残して、加熱硬化型樹脂よりなる接着周
縁部に−より接着することよりなるものである特許請求
の範囲第1項記載のEL素子の製造方法。(2) In the first step, a transparent conductive layer is formed on the transparent conductive layer of the transparent substrate, except for the peripheral part, and a high dielectric constant reflective layer is formed on the polarizing angle optical layer. A conductive substrate corresponding to the transparent substrate is placed on the reflective layer, and the conductive substrate is bonded to the high dielectric constant reflective layer in a vacuum heating and drying atmosphere. Manufacturing the EL element according to claim 1, wherein the periphery between the conductive substrates is bonded to an adhesive periphery made of a thermosetting resin, leaving an injection port. Method.
の透明導電層上周縁部を除いた部分に発光層を形成した
ものと、該透明基板に対応する導電性基板上周縁部を除
いた部分に高誘電率反射層を形成したものとを、減圧加
熱乾燥雰囲気中で該発光層と該高誘電率反射層とが相接
するように張り合わせて圧着しながら該透明基板と該導
電性基板の間の周縁部を注入口部を残して、加熱硬化型
樹脂よりなる接着周縁部により接着することよりなるも
のである特許請求の範囲第1項記載のEL素子の製造方
法−8(3) In the first step, a light-emitting layer is formed on a transparent substrate having a transparent conductive layer except for the upper peripheral edge of the transparent conductive layer, and the upper peripheral edge of the conductive substrate corresponding to the transparent substrate is formed. A high dielectric constant reflective layer is formed on the removed portion, and the light emitting layer and the high dielectric constant reflective layer are bonded together in a vacuum heating and drying atmosphere and pressure bonded to the transparent substrate and the conductive substrate. 8. A method for manufacturing an EL element according to claim 1, which comprises bonding the peripheral edges between the transparent substrates with an adhesive peripheral edge made of a thermosetting resin, leaving an injection port.
とからなるものを、例えば、印刷等の手段で形成するも
のである特許請求の範囲第1項乃至第6項のいずれにか
記載のEL素子の製造方法。(4) The light-emitting layer is formed of a dielectric material and an electroluminescent phosphor by, for example, printing or the like. A method for manufacturing an EL device according to the above.
の粉末の如き白色系高誘電率の粉末を含むものである特
許請求の範囲第1項乃至第4項のいずれかに記載のEL
素子の製造方法。(5) The EL according to any one of claims 1 to 4, wherein the high dielectric constant reflective layer contains a white high dielectric constant powder such as barium titanate powder.
Method of manufacturing elements.
である特許請求の範囲第1項乃至第5項のいずれかに記
載のEL素子の製造方法。(6) The method for manufacturing an EL element according to any one of claims 1 to 5, wherein the conductive substrate is made of an aluminum plate.
樹脂である特許請求の範囲第1項乃至第6項のいずれか
に記載のEL素子の製造方法0(8) 前記の高誘電
率液体はシアンエチル化ポリオール類である特許請求の
範囲第1項乃至第7項のいずれかに記載のEL素子の製
造方法0(9)前記の注入口を閉塞するのは加熱型接着
剤で注入口を閉基するのである特許請求の範囲第1項乃
至第8項のいずれかに記載のEL素子の製造方法。(7) The method for manufacturing an EL element according to any one of claims 1 to 6, wherein the thermosetting resin is a thermosetting epoxy resin. (8) The high dielectric constant liquid is Method for manufacturing an EL device according to any one of claims 1 to 7, which is a cyanethylated polyol (9) The injection port is closed with a heating adhesive. 9. The method for manufacturing an EL element according to any one of claims 1 to 8, wherein the EL element is group-closing.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56177162A JPS5880295A (en) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | Method of producing el element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56177162A JPS5880295A (en) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | Method of producing el element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPS5880295A true JPS5880295A (en) | 1983-05-14 |
JPH0354438B2 JPH0354438B2 (en) | 1991-08-20 |
Family
ID=16026259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56177162A Granted JPS5880295A (en) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | Method of producing el element |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPS5880295A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6116897U (en) * | 1984-07-04 | 1986-01-31 | ソニー株式会社 | light emitting display device |
JPH01179396U (en) * | 1988-06-10 | 1989-12-22 | ||
WO2007034900A1 (en) * | 2005-09-22 | 2007-03-29 | Seiko Epson Corporation | Process for producing organic luminescent device, organic luminescent device, and electronic equipment |
WO2007060854A1 (en) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing organic light-emitting device, organic light-emitting device and electronic device |
-
1981
- 1981-11-06 JP JP56177162A patent/JPS5880295A/en active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6116897U (en) * | 1984-07-04 | 1986-01-31 | ソニー株式会社 | light emitting display device |
JPH01179396U (en) * | 1988-06-10 | 1989-12-22 | ||
JPH057758Y2 (en) * | 1988-06-10 | 1993-02-26 | ||
WO2007034900A1 (en) * | 2005-09-22 | 2007-03-29 | Seiko Epson Corporation | Process for producing organic luminescent device, organic luminescent device, and electronic equipment |
WO2007060854A1 (en) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing organic light-emitting device, organic light-emitting device and electronic device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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